JPH0247544A - Ｘ線光電子分光３次元マッピング装置 - Google Patents
Ｘ線光電子分光３次元マッピング装置Info
- Publication number
- JPH0247544A JPH0247544A JP63198446A JP19844688A JPH0247544A JP H0247544 A JPH0247544 A JP H0247544A JP 63198446 A JP63198446 A JP 63198446A JP 19844688 A JP19844688 A JP 19844688A JP H0247544 A JPH0247544 A JP H0247544A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- ray photoelectron
- dimensional mapping
- point
- photoelectron spectroscopy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、Ｘ線光電子分光３次元マツピング装置に関す
る。
る。
（従来の技術）
測定試料にＸ線を照射し、測定試料から放出される光電
子のエネルギーを分析することによって、測定試料の表
面分析（１０〜２０人）を行うのがＸ線光電子分光装置
（ＥＳＣＡ）である０本発明はこのＥＳＣＡを用いて３
次元マツピングを行おうとするものである。
子のエネルギーを分析することによって、測定試料の表
面分析（１０〜２０人）を行うのがＸ線光電子分光装置
（ＥＳＣＡ）である０本発明はこのＥＳＣＡを用いて３
次元マツピングを行おうとするものである。
従来、ＥＳＣＡを用いて３次元マツピングを行う場合、
−度試料面の２次元マツピングを行った後、測定装置か
ら試料を取り出し、別の試料面イオンエツチング装置に
移して、測定試料表面をエツチングした後、再度Ｘ線光
電子分光装置にセットしてマツピングを行う、このよう
な動作を繰り返すことによって３次元のマツピングを行
っていた。しかし、このような方法によれば手間と時間
が多大にかかり、測定能率が著しく悪い上試料に汚染が
起こると云う問題があった。
−度試料面の２次元マツピングを行った後、測定装置か
ら試料を取り出し、別の試料面イオンエツチング装置に
移して、測定試料表面をエツチングした後、再度Ｘ線光
電子分光装置にセットしてマツピングを行う、このよう
な動作を繰り返すことによって３次元のマツピングを行
っていた。しかし、このような方法によれば手間と時間
が多大にかかり、測定能率が著しく悪い上試料に汚染が
起こると云う問題があった。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、測定装置から測定試料を取り出すことなく３
次元マツピングを行えるようにすることを目的とする。
次元マツピングを行えるようにすることを目的とする。
（課題を解決するための手段〉
Ｘ線光電子分光装置において、試料ステージのＸ軸方向
の同一直線上にＸ線照射点とイオンビーム照射点が位置
するようにイオン源を付設した。
の同一直線上にＸ線照射点とイオンビーム照射点が位置
するようにイオン源を付設した。
（作用）
本発明は、Ｘｌｌ光電子分光装置において、試料面分析
点と試料ステージの同−Ｘ軸上にイオンビーム照射点即
ちエツチング点が位置するようにイオン源を付設するこ
とによって、イオン源から発射するイオンビームで試料
表面の分析点を順次イオンエツチングし、試料ステージ
をＸ軸方向に移動させていくと、そのエツチングした点
が順次Ｘ線照射点（分析点）に移動し、順次エツチング
した試料面をＸ線光電子分光することを可能となる、こ
のようにして、試料のＸ軸方向往復運動を繰り返しなが
ら、往行程でイオンエツチングとＸ線光電子分析を行う
ことより、試料面の深さ方向への分析を進めて行くこと
ができる。また、分析点３Ｘ線光電子分光している間に
、イオンビームで次の分析点をエツチングできるので、
試料表面を切削するための時間が大幅に減少される。即
ち、Ｘ線光電子分光とエツチング動作の両方を同時に行
うことにより、試料を装置外に取り出すことなしに、３
次元マツピングを連続的に効率的に行うことが可能とな
った。
点と試料ステージの同−Ｘ軸上にイオンビーム照射点即
ちエツチング点が位置するようにイオン源を付設するこ
とによって、イオン源から発射するイオンビームで試料
表面の分析点を順次イオンエツチングし、試料ステージ
をＸ軸方向に移動させていくと、そのエツチングした点
が順次Ｘ線照射点（分析点）に移動し、順次エツチング
した試料面をＸ線光電子分光することを可能となる、こ
のようにして、試料のＸ軸方向往復運動を繰り返しなが
ら、往行程でイオンエツチングとＸ線光電子分析を行う
ことより、試料面の深さ方向への分析を進めて行くこと
ができる。また、分析点３Ｘ線光電子分光している間に
、イオンビームで次の分析点をエツチングできるので、
試料表面を切削するための時間が大幅に減少される。即
ち、Ｘ線光電子分光とエツチング動作の両方を同時に行
うことにより、試料を装置外に取り出すことなしに、３
次元マツピングを連続的に効率的に行うことが可能とな
った。
（実施例）
第１図に本発明の一実施例を示す、第１図において、１
は試料Ｓの表面をイオンエツチングするためのイオン源
、２は試料ＳにＸ線を照射して試料Ｓを励起させるＸ線
源、３は励起された試料Ｓから放出される光電子を検出
・分析する光電子分析器で、光電子顕微鏡やエネルギー
分析器が用いられる。Ｓｏは分析点、ＥＯはエツチング
点である。
は試料Ｓの表面をイオンエツチングするためのイオン源
、２は試料ＳにＸ線を照射して試料Ｓを励起させるＸ線
源、３は励起された試料Ｓから放出される光電子を検出
・分析する光電子分析器で、光電子顕微鏡やエネルギー
分析器が用いられる。Ｓｏは分析点、ＥＯはエツチング
点である。
第２図を用いて、測定動作を説明する。まず、そのまま
の試料表面を２次元で分析した後、試料ステージ（不図
示）を駆動させ、試料の測定領域の左端をイオン源１直
下のイオンエツチング点に移動させて（同図Ａ）、試料
表面をエツチングし、順次試料を左に移動させながら、
試料表面を順次エツチングする。エツチングされた測定
領域の左端が分析点Ｓｏに位置した時に（同図Ｂ）、Ｘ
線源２からＸ線を試料Ｓに照射し、試料表面から放出さ
れる光電子を光電子分析器３で分析する。
の試料表面を２次元で分析した後、試料ステージ（不図
示）を駆動させ、試料の測定領域の左端をイオン源１直
下のイオンエツチング点に移動させて（同図Ａ）、試料
表面をエツチングし、順次試料を左に移動させながら、
試料表面を順次エツチングする。エツチングされた測定
領域の左端が分析点Ｓｏに位置した時に（同図Ｂ）、Ｘ
線源２からＸ線を試料Ｓに照射し、試料表面から放出さ
れる光電子を光電子分析器３で分析する。
試料を順次左（Ｘ軸方向）に移動しながら、イオンビー
ム〉・グとＸ線による光電子分析の両方の作業を繰り返
す、測定領域の右端がエツチング点Ｅ。を越えた時点で
（同図Ｃ）、イオンエツチングを中止する。試料Ｓを更
に左に順次移動させ、試料面の分析作業だけを行う。測
定領域の右端が分析点Ｓに位置した時点で（同図Ｄ）、
試料面の分析を終了し、試料を上方（Ｙ軸方向）に１ピ
ツチ移動させた後、右に移動させて最初のＸ＠の位置に
七ノドする（同図Ｅ）、以下最初（同図Ａ）に戻り、同
図りまでの動作を繰り返す。
ム〉・グとＸ線による光電子分析の両方の作業を繰り返
す、測定領域の右端がエツチング点Ｅ。を越えた時点で
（同図Ｃ）、イオンエツチングを中止する。試料Ｓを更
に左に順次移動させ、試料面の分析作業だけを行う。測
定領域の右端が分析点Ｓに位置した時点で（同図Ｄ）、
試料面の分析を終了し、試料を上方（Ｙ軸方向）に１ピ
ツチ移動させた後、右に移動させて最初のＸ＠の位置に
七ノドする（同図Ｅ）、以下最初（同図Ａ）に戻り、同
図りまでの動作を繰り返す。
（発明の効果）
本発明によれば、一つの装置内で試料面の光電子分析と
同時に試料表面のエツチングを行うことができるように
なったことで、試料面の汚染の可能性がなくなり、３次
元マツピング測定における測定能率及び精度が一段と向
上した。
同時に試料表面のエツチングを行うことができるように
なったことで、試料面の汚染の可能性がなくなり、３次
元マツピング測定における測定能率及び精度が一段と向
上した。
第１図は本発明の一実施例の要部側面図、第２図は測定
点及びエツチング点の移動動作説明図である。 １・・・イオン源、２・・光電子顕微鏡、３・・Ｘ線源
。
点及びエツチング点の移動動作説明図である。 １・・・イオン源、２・・光電子顕微鏡、３・・Ｘ線源
。
Claims (1)
- Ｘ線光電子分光装置において、試料ステージのＸ軸方向
の同一直線上にＸ線照射点とイオンビーム照射点が位置
するようにイオン源を付設したことを特徴とするＸ線光
電子分光３次元マッピング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198446A JPH0797093B2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | Ｘ線光電子分光３次元マッピング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198446A JPH0797093B2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | Ｘ線光電子分光３次元マッピング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0247544A true JPH0247544A (ja) | 1990-02-16 |
| JPH0797093B2 JPH0797093B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=16391228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63198446A Expired - Lifetime JPH0797093B2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | Ｘ線光電子分光３次元マッピング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797093B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004045172A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Fujitsu Ltd | ３次元構造評価方法 |
| US8575057B2 (en) | 2004-11-26 | 2013-11-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | UV curable catalyst compositions |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138242A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-28 | Shimadzu Corp | X-ray photoelectron analysis equipment |
| JPS5941856U (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-17 | 日本電子株式会社 | 分析装置等における試料面エツチング装置 |
| JPS61110951A (ja) * | 1984-11-06 | 1986-05-29 | Shimadzu Corp | 複合表面分析装置 |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP63198446A patent/JPH0797093B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138242A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-28 | Shimadzu Corp | X-ray photoelectron analysis equipment |
| JPS5941856U (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-17 | 日本電子株式会社 | 分析装置等における試料面エツチング装置 |
| JPS61110951A (ja) * | 1984-11-06 | 1986-05-29 | Shimadzu Corp | 複合表面分析装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004045172A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Fujitsu Ltd | ３次元構造評価方法 |
| US8575057B2 (en) | 2004-11-26 | 2013-11-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | UV curable catalyst compositions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0797093B2 (ja) | 1995-10-18 |
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