JPH0247607Y2 - - Google Patents
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- JPH0247607Y2 JPH0247607Y2 JP1984058184U JP5818484U JPH0247607Y2 JP H0247607 Y2 JPH0247607 Y2 JP H0247607Y2 JP 1984058184 U JP1984058184 U JP 1984058184U JP 5818484 U JP5818484 U JP 5818484U JP H0247607 Y2 JPH0247607 Y2 JP H0247607Y2
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- porous
- conductor
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- stripline
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- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/088—Stacked transmission lines
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
- H01B7/08—Flat or ribbon cables
- H01B7/0838—Parallel wires, sandwiched between two insulating layers
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/024—Dielectric details, e.g. changing the dielectric material around a transmission line
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0393—Flexible materials
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K2201/0116—Porous, e.g. foam
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- H05K2201/015—Fluoropolymer, e.g. polytetrafluoroethylene [PTFE]
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- H05K2201/0187—Dielectric layers with regions of different dielectrics in the same layer, e.g. in a printed capacitor for locally changing the dielectric properties
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- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
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- H05K2201/0195—Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure
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- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/07—Electric details
- H05K2201/0707—Shielding
- H05K2201/0715—Shielding provided by an outer layer of PCB
-
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- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Insulated Conductors (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は帯状誘電体の両面にそれを挾んで互
いに対向しかつ平行離間関係をもつて2本または
それ以上を1組とする細長い電気良導体を長手方
向に配設してなる非対称ストリツプラインケーブ
ルに関し、特に電気信号伝送特性を改善したもの
に関する。
いに対向しかつ平行離間関係をもつて2本または
それ以上を1組とする細長い電気良導体を長手方
向に配設してなる非対称ストリツプラインケーブ
ルに関し、特に電気信号伝送特性を改善したもの
に関する。
マイクロ波及びミリ波回路の伝送線路として、
導波管の他に同軸線路やストリツプラインがあ
る。この同軸線路やストリツプラインは二導体で
構成されているため直流まで伝送でき広く伝送回
路用に利用されている。このうち特にストリツプ
ラインは、多結線用ケーブルとして比較的コンパ
クトな伝送線路を達成できるので、コンピユータ
ー等の情報機器用として注目されている。
導波管の他に同軸線路やストリツプラインがあ
る。この同軸線路やストリツプラインは二導体で
構成されているため直流まで伝送でき広く伝送回
路用に利用されている。このうち特にストリツプ
ラインは、多結線用ケーブルとして比較的コンパ
クトな伝送線路を達成できるので、コンピユータ
ー等の情報機器用として注目されている。
このようなストリツプラインのための誘電体と
して、誘電率及び誘電損失が小さくかつそれらの
周波数依存性の小さい物質を使用することによつ
て、良好な電気信号伝送特性を実現できることは
一般に知られている。即ち、使用する誘電体の誘
電率が小さければ、ストリツプラインの特性イン
ピーダンスが同一でも、それの構造寸法を小さく
することができ、しかも信号の伝搬速度も速くな
る。誘電損失が小さければ、信号の減衰が小さく
なる。また、誘電率及び誘電損失の周波数依存性
が小さければ、例えばそのストリツプラインにパ
ルス信号を伝送した場合には、そのパルス信号の
波形なまり(歪等の変形)が小さくおさえられる
ことになる。
して、誘電率及び誘電損失が小さくかつそれらの
周波数依存性の小さい物質を使用することによつ
て、良好な電気信号伝送特性を実現できることは
一般に知られている。即ち、使用する誘電体の誘
電率が小さければ、ストリツプラインの特性イン
ピーダンスが同一でも、それの構造寸法を小さく
することができ、しかも信号の伝搬速度も速くな
る。誘電損失が小さければ、信号の減衰が小さく
なる。また、誘電率及び誘電損失の周波数依存性
が小さければ、例えばそのストリツプラインにパ
ルス信号を伝送した場合には、そのパルス信号の
波形なまり(歪等の変形)が小さくおさえられる
ことになる。
従つて、このようにストリツプラインに使用さ
れうる誘電体は、上述のごとく、誘電率及び誘電
損失が小さく、しかもそれらの周波数依存性が小
さいものであることが要求されるわけであるが、
そのような物質として、結晶性高分子有機材料よ
りなり、内部構造として多数の結節が小繊維によ
つて連結されており、それらの小繊維及び結節の
間に多数のボイド空孔が形成されている連続気孔
の多孔性ミクロ構造を有する材料が知られてい
る。このような材料としては、例えば延伸法、塩
類溶出法、溶剤揮発法などによつて多孔質に加工
されたポリオレフイン(ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリスチレン等)、ポリアミド、ポリエ
ステル、弗素樹脂〔四弗化エチレン樹脂
(PTFE)、四弗化エチレン−六弗化プロピレン共
重合体樹脂(FEP)、四弗化エチレン−パーフロ
ロアルキルビニルエーテル共重合体樹脂
(PFA)、四弗化エチレン−エチレン共重合体樹
脂(ETFE)〕などである。その代表的なものは、
特公昭51−18991号の方法によつて製造される延
伸多孔質PTFEである。
れうる誘電体は、上述のごとく、誘電率及び誘電
損失が小さく、しかもそれらの周波数依存性が小
さいものであることが要求されるわけであるが、
そのような物質として、結晶性高分子有機材料よ
りなり、内部構造として多数の結節が小繊維によ
つて連結されており、それらの小繊維及び結節の
間に多数のボイド空孔が形成されている連続気孔
の多孔性ミクロ構造を有する材料が知られてい
る。このような材料としては、例えば延伸法、塩
類溶出法、溶剤揮発法などによつて多孔質に加工
されたポリオレフイン(ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリスチレン等)、ポリアミド、ポリエ
ステル、弗素樹脂〔四弗化エチレン樹脂
(PTFE)、四弗化エチレン−六弗化プロピレン共
重合体樹脂(FEP)、四弗化エチレン−パーフロ
ロアルキルビニルエーテル共重合体樹脂
(PFA)、四弗化エチレン−エチレン共重合体樹
脂(ETFE)〕などである。その代表的なものは、
特公昭51−18991号の方法によつて製造される延
伸多孔質PTFEである。
本考案者は、上述のような多孔質の結晶性高分
子材料が誘電率及び誘電損失が小さくしかもそれ
らの周波数依存性も小さいというストリツプライ
ンの誘電体に課せられる要件をすべて具備してい
るものであることに着目し、特開昭56−158502
号、実開昭59−5820号として既に出願している。
しかしながら、このように相対する組導体間に配
設する誘電体として誘電率の低い多孔質プラスチ
ツク材料を使用することにより、伝送線路の高性
能化、特に信号の伝搬速度の高速化を図つたにも
かかわらず、この高速化にも限度があつた。本考
案者は伝搬速度の高速化をさらに追求し鋭意検討
した結果、本考案による改良されたストリツプラ
インケーブルの構造に想到したのである。
子材料が誘電率及び誘電損失が小さくしかもそれ
らの周波数依存性も小さいというストリツプライ
ンの誘電体に課せられる要件をすべて具備してい
るものであることに着目し、特開昭56−158502
号、実開昭59−5820号として既に出願している。
しかしながら、このように相対する組導体間に配
設する誘電体として誘電率の低い多孔質プラスチ
ツク材料を使用することにより、伝送線路の高性
能化、特に信号の伝搬速度の高速化を図つたにも
かかわらず、この高速化にも限度があつた。本考
案者は伝搬速度の高速化をさらに追求し鋭意検討
した結果、本考案による改良されたストリツプラ
インケーブルの構造に想到したのである。
つまり、電磁波は相対する組導体間に配設した
誘電体だけを通るだけではなく、この相対する組
導体のうち信号導体の横面や外皮側からを含めて
放射状に発し、その後、この相対する組導体のう
ち接地導体に引き付けられるように曲がることに
なる。
誘電体だけを通るだけではなく、この相対する組
導体のうち信号導体の横面や外皮側からを含めて
放射状に発し、その後、この相対する組導体のう
ち接地導体に引き付けられるように曲がることに
なる。
しかも、この相対する組導体のうち接地導体が
実質的に無限の面積を持つていない場合は、この
相対する組導体のうち接地導体の横面や外皮側へ
も回り込んで収束する電磁波も多いのである。
実質的に無限の面積を持つていない場合は、この
相対する組導体のうち接地導体の横面や外皮側へ
も回り込んで収束する電磁波も多いのである。
従つて、従来は誘電率の高い部分も多く通るこ
とになり、結局これが全体的に実行誘電率が下が
らない原因となつている。
とになり、結局これが全体的に実行誘電率が下が
らない原因となつている。
そこで、本考案のストリツプラインケーブルに
おいては、この相対する組導体間に配設された誘
電体に誘電率の低い多孔質プラスチツク材料を配
するだけではなく、この相対する組導体のうち信
号導体も接地導体もそれぞれに外皮との間にも誘
電率の低い多孔質プラスチツク材料を配すること
で、その効果を充分に発揮せしめるものである。
おいては、この相対する組導体間に配設された誘
電体に誘電率の低い多孔質プラスチツク材料を配
するだけではなく、この相対する組導体のうち信
号導体も接地導体もそれぞれに外皮との間にも誘
電率の低い多孔質プラスチツク材料を配すること
で、その効果を充分に発揮せしめるものである。
簡単に述べれば、本考案においては、複数組の
相対する組導体と、この組導体間に配設される多
孔質帯状誘電体と、これら両者を保持する例えば
PTFE,PFA,FEP,ETFEあるいはポリエステ
ルなどよりなるテープ層が一体成形、融着あるい
は接着等の適当な方法によつて形成された外被と
を備えてなるストリツプラインケーブルにおい
て、相対する組導体のそれぞれの導体と外被との
間に多孔質プラスチツク材料、例えば延伸多孔質
PTFEに代表される絶縁層を設けた構成となつて
いる。なお絶縁層としては、電気的特性、熱的特
性に優れる弗素樹脂が好適である。ちなみに、例
えば、この相対する組導体のうち信号導体か接地
導体かのいずれかに、外皮との間にも通常の誘電
率の低くないプラスチツク材料等を配する場合
は、その効果が半減することは明らかである。
相対する組導体と、この組導体間に配設される多
孔質帯状誘電体と、これら両者を保持する例えば
PTFE,PFA,FEP,ETFEあるいはポリエステ
ルなどよりなるテープ層が一体成形、融着あるい
は接着等の適当な方法によつて形成された外被と
を備えてなるストリツプラインケーブルにおい
て、相対する組導体のそれぞれの導体と外被との
間に多孔質プラスチツク材料、例えば延伸多孔質
PTFEに代表される絶縁層を設けた構成となつて
いる。なお絶縁層としては、電気的特性、熱的特
性に優れる弗素樹脂が好適である。ちなみに、例
えば、この相対する組導体のうち信号導体か接地
導体かのいずれかに、外皮との間にも通常の誘電
率の低くないプラスチツク材料等を配する場合
は、その効果が半減することは明らかである。
以下図面に示す実施例につき本考案を更に詳細
に説明するが、もちろん本考案は実施例に限定さ
れるものではなく、本考案の技術思想内での変更
は可能である。なお、第1図は従来例で、第2図
と同一部分は同一符号で示す。
に説明するが、もちろん本考案は実施例に限定さ
れるものではなく、本考案の技術思想内での変更
は可能である。なお、第1図は従来例で、第2図
と同一部分は同一符号で示す。
第2図はこの考案によるストリツプラインケー
ブルの第1実施例である。この実施例において
は、公知の方法によつて得られた比重0.68、厚さ
0.24mmの延伸多孔質PTFEテープからなる多孔質
帯状誘電体1が用いられ、この誘電体1の両面に
は、それぞれ2本の導体2a,2a′,2b,2
b′,2c,2c′で示される3組の組導体がそれの
厚さ方向に各組の導体を互いに対向せしめ、かつ
隣接組の導体を互いに平行離間関係として長手方
向に延長せしめて、配設されている。この場合、
各導体2a,2b,2cは幅0.5mm、厚さ0.1mmの
銀メツキ平角銅導体で、各導体2a′,2b′,2
c′は幅0.8mm、厚さ0.1mmの銀メツキ平角銅導体で、
これらの銀メツキ平角銅導体と外被3との間には
絶縁層4として比重0.68、厚さ0.127mmの延伸多
孔質PTFEテープが長手方向に延長せしめて配設
されている。なお、このような導体が3組設けら
れていると述べたが、それはあくまで図示および
説明の便宜上であつて、導体の組数は必要に応じ
て選定されうるものであることは明らかである。
このように延伸多孔質PTFEテープ1の両面に各
導体を配列させた後に、テープ1の両面に対して
厚さ0.127mmの未延伸未焼成PTFEテープと厚さ
0.127mm、比重0.68の未焼成延伸多孔質PTFEテー
プとをラミネートしたものを外被3となる未延伸
PTFEテープが外側となるように添わせ、そのよ
うにして得られた複合構造体を図示しない圧着ロ
ール間を通した後、加熱槽中を30秒間通過させ
る。その結果、延伸多孔質PTFEテープ1の両面
に上述のごとく添わせた未延伸PTFEテープ及び
延伸多孔質PTFEテープが焼成されて外被3及び
絶縁層4として帯状誘電体である延伸多孔質
PTFEテープ1に融着一体化する。なお、この場
合使用することのできる延伸多孔質PTFEテープ
は不完全焼成品でもよい。
ブルの第1実施例である。この実施例において
は、公知の方法によつて得られた比重0.68、厚さ
0.24mmの延伸多孔質PTFEテープからなる多孔質
帯状誘電体1が用いられ、この誘電体1の両面に
は、それぞれ2本の導体2a,2a′,2b,2
b′,2c,2c′で示される3組の組導体がそれの
厚さ方向に各組の導体を互いに対向せしめ、かつ
隣接組の導体を互いに平行離間関係として長手方
向に延長せしめて、配設されている。この場合、
各導体2a,2b,2cは幅0.5mm、厚さ0.1mmの
銀メツキ平角銅導体で、各導体2a′,2b′,2
c′は幅0.8mm、厚さ0.1mmの銀メツキ平角銅導体で、
これらの銀メツキ平角銅導体と外被3との間には
絶縁層4として比重0.68、厚さ0.127mmの延伸多
孔質PTFEテープが長手方向に延長せしめて配設
されている。なお、このような導体が3組設けら
れていると述べたが、それはあくまで図示および
説明の便宜上であつて、導体の組数は必要に応じ
て選定されうるものであることは明らかである。
このように延伸多孔質PTFEテープ1の両面に各
導体を配列させた後に、テープ1の両面に対して
厚さ0.127mmの未延伸未焼成PTFEテープと厚さ
0.127mm、比重0.68の未焼成延伸多孔質PTFEテー
プとをラミネートしたものを外被3となる未延伸
PTFEテープが外側となるように添わせ、そのよ
うにして得られた複合構造体を図示しない圧着ロ
ール間を通した後、加熱槽中を30秒間通過させ
る。その結果、延伸多孔質PTFEテープ1の両面
に上述のごとく添わせた未延伸PTFEテープ及び
延伸多孔質PTFEテープが焼成されて外被3及び
絶縁層4として帯状誘電体である延伸多孔質
PTFEテープ1に融着一体化する。なお、この場
合使用することのできる延伸多孔質PTFEテープ
は不完全焼成品でもよい。
このようにして得られたストリツプラインケー
ブルの多孔質PTFEテープ1として形成された帯
状誘電体の厚さは0.17mm、隣接導体間の距離は
1.27mmであり、その各ストリツプラインの特性イ
ンピーダンスは50Ωであつた。また、この各スト
リツプラインの伝搬遅延時間は3.7ns/mであり、
各導体が充実質(非多孔質)の絶縁材料からなる
外被3で直接被覆されている従来例(第1図)の
場合が3.9ns/mであつたから、それと比重して
速く、またパルス伝送特性及び層間、隣接導体間
漏話特性も従来例よりも優れていた。
ブルの多孔質PTFEテープ1として形成された帯
状誘電体の厚さは0.17mm、隣接導体間の距離は
1.27mmであり、その各ストリツプラインの特性イ
ンピーダンスは50Ωであつた。また、この各スト
リツプラインの伝搬遅延時間は3.7ns/mであり、
各導体が充実質(非多孔質)の絶縁材料からなる
外被3で直接被覆されている従来例(第1図)の
場合が3.9ns/mであつたから、それと比重して
速く、またパルス伝送特性及び層間、隣接導体間
漏話特性も従来例よりも優れていた。
なお第2図実施例では、複合構造体を圧着ロー
ルにかける際に、例えばその圧着ロールとして、
各隣接導体組間の部分を圧着する部分のみを突状
となされたものを用い、それによつて外被の該当
部分がそれぞれ3aで示されているように溝状と
なされ、それに伴つて内部の誘電体1及び多孔質
材料からなる絶縁層4もそれぞれ1′及び4′で示
されているようにいわば押しつぶされたような形
となされる。このような形とすることにより、誘
電体1及び絶縁層4のその押しつぶされた部分
1′及び4′の多孔質度が他の部分よりも低下せし
められて誘電率が大となり、従つて誘電体1及び
絶縁層4のその押しつぶされて誘電率を増大せし
められた部分1′,4′と、その誘電体1よりも本
来誘電率の大きな外被3とによつて各導体2a,
2a′,2b,2b′,2c,2c′が取り囲まれた形
となり、この部分で電磁波が吸収されることとな
るため、以て電磁波の拡散を小さくすることがで
き、線間漏話、層間漏話を小さくすることができ
るのである。さらにまた、このように各導体組間
を溝状とするように圧着せしめたことにより、各
ストリツプラインの厚み方向に加わる圧力による
変形或いは幅方向への導体の移動等を防止できる
という効果もある。
ルにかける際に、例えばその圧着ロールとして、
各隣接導体組間の部分を圧着する部分のみを突状
となされたものを用い、それによつて外被の該当
部分がそれぞれ3aで示されているように溝状と
なされ、それに伴つて内部の誘電体1及び多孔質
材料からなる絶縁層4もそれぞれ1′及び4′で示
されているようにいわば押しつぶされたような形
となされる。このような形とすることにより、誘
電体1及び絶縁層4のその押しつぶされた部分
1′及び4′の多孔質度が他の部分よりも低下せし
められて誘電率が大となり、従つて誘電体1及び
絶縁層4のその押しつぶされて誘電率を増大せし
められた部分1′,4′と、その誘電体1よりも本
来誘電率の大きな外被3とによつて各導体2a,
2a′,2b,2b′,2c,2c′が取り囲まれた形
となり、この部分で電磁波が吸収されることとな
るため、以て電磁波の拡散を小さくすることがで
き、線間漏話、層間漏話を小さくすることができ
るのである。さらにまた、このように各導体組間
を溝状とするように圧着せしめたことにより、各
ストリツプラインの厚み方向に加わる圧力による
変形或いは幅方向への導体の移動等を防止できる
という効果もある。
第3図、第4図及び第5図には本考案のさらに
他の実施例が示されており、第3図の実施例で
は、各導体2a,2a′,2b,2b′,2c,2
c′の全周をあらかじめ多孔質プラスチツク材料か
らなる絶縁層4で被覆し、それらを多孔質帯状誘
電体1の両面に配列させた後に、テープ1の両面
に対して非多孔質プラスチツクよりなる外被3を
設けたものである。第4図の実施例では、多孔質
プラスチツク材料からなる絶縁層4は、各導体2
a,2a′,2b,2b′,2c,2c′の多孔質帯状
誘電体1の反対面にのみ設けられたものである。
第3図及び第4図の実施例のいずれの場合におい
ても、絶縁層4を、信号導体として使用する導体
2a,2b,2cだけに設けてもよい。これらの
実施例によつても、第2図につき上述したような
優れた作用効果が得られることは容易に理解され
るであろう。また、第5図の実施例では、第2図
に示す実施例に示した構成のストリツプラインケ
ーブルの各組導体2a,2a′,2b,2b′,2
c,2c′と多孔質帯状誘電体1との間に絶縁体薄
層として例えば未延伸PTFEテープ等の非多孔質
プラスチツクテープ5を設けたもので、伝搬遅延
時間の短縮をさして害することなく耐電圧特性を
向上させたものである。この場合、非多孔質プラ
スチツクテープは帯状誘電体1の片面のみに設け
てもよい。
他の実施例が示されており、第3図の実施例で
は、各導体2a,2a′,2b,2b′,2c,2
c′の全周をあらかじめ多孔質プラスチツク材料か
らなる絶縁層4で被覆し、それらを多孔質帯状誘
電体1の両面に配列させた後に、テープ1の両面
に対して非多孔質プラスチツクよりなる外被3を
設けたものである。第4図の実施例では、多孔質
プラスチツク材料からなる絶縁層4は、各導体2
a,2a′,2b,2b′,2c,2c′の多孔質帯状
誘電体1の反対面にのみ設けられたものである。
第3図及び第4図の実施例のいずれの場合におい
ても、絶縁層4を、信号導体として使用する導体
2a,2b,2cだけに設けてもよい。これらの
実施例によつても、第2図につき上述したような
優れた作用効果が得られることは容易に理解され
るであろう。また、第5図の実施例では、第2図
に示す実施例に示した構成のストリツプラインケ
ーブルの各組導体2a,2a′,2b,2b′,2
c,2c′と多孔質帯状誘電体1との間に絶縁体薄
層として例えば未延伸PTFEテープ等の非多孔質
プラスチツクテープ5を設けたもので、伝搬遅延
時間の短縮をさして害することなく耐電圧特性を
向上させたものである。この場合、非多孔質プラ
スチツクテープは帯状誘電体1の片面のみに設け
てもよい。
なお、上述した各実施例のいずれにおいても、
多孔質帯状誘電体1または多孔質プラスチツク材
料からなる絶縁層4、あるいは両方に例えば特開
昭57−176132号「シート状樹脂材料」に記載され
た方法による、貫通孔を多数設けた多孔質プラス
チツクフイルムを用いてもよく、また、本考案に
よるストリツプラインケーブルに使用しうる導体
は上述したものに限定されるものではなく、断面
円形線状体やそれらの撚線や集合線等を用いても
よく、材質としても例えば銅線、スズメツキ銅
線、銅被鋼線、金メツキステンレス線等を用いる
ことができる。
多孔質帯状誘電体1または多孔質プラスチツク材
料からなる絶縁層4、あるいは両方に例えば特開
昭57−176132号「シート状樹脂材料」に記載され
た方法による、貫通孔を多数設けた多孔質プラス
チツクフイルムを用いてもよく、また、本考案に
よるストリツプラインケーブルに使用しうる導体
は上述したものに限定されるものではなく、断面
円形線状体やそれらの撚線や集合線等を用いても
よく、材質としても例えば銅線、スズメツキ銅
線、銅被鋼線、金メツキステンレス線等を用いる
ことができる。
以上の説明から理解されるように、本考案によ
れば、誘電率及び誘電損失が小さく、しかもそれ
らの周波数依存性も小さい多孔質の結晶性高分子
材料、好適には延伸多孔質PTFEを帯状誘電体と
して用いるとともに、該帯状誘電体の両面にそれ
を挾んで互いに対向しかつ平行離間関係をもつて
配列した複数組の導体のそれぞれの導体と外被と
の間に電気的特性に優れた多孔質プラスチツク材
料、好適には延伸多孔質PTFEからなる絶縁層を
設けたことによつて、組導体間及び隣接導体との
間に形成される電場での電磁波吸収、特に信号導
体周辺の誘電体内での電磁波吸収が格段に減少す
るため伝搬遅延時間を短縮することが可能とな
り、また、組導体間に充実質テープ薄層を配した
場合は絶縁抵抗の低下もなくなるのである。
れば、誘電率及び誘電損失が小さく、しかもそれ
らの周波数依存性も小さい多孔質の結晶性高分子
材料、好適には延伸多孔質PTFEを帯状誘電体と
して用いるとともに、該帯状誘電体の両面にそれ
を挾んで互いに対向しかつ平行離間関係をもつて
配列した複数組の導体のそれぞれの導体と外被と
の間に電気的特性に優れた多孔質プラスチツク材
料、好適には延伸多孔質PTFEからなる絶縁層を
設けたことによつて、組導体間及び隣接導体との
間に形成される電場での電磁波吸収、特に信号導
体周辺の誘電体内での電磁波吸収が格段に減少す
るため伝搬遅延時間を短縮することが可能とな
り、また、組導体間に充実質テープ薄層を配した
場合は絶縁抵抗の低下もなくなるのである。
また、多孔質の結晶性高分子材料よりなる帯状
誘電体の両面に添着した外被はその誘電体よりも
誘電率が大きく、従つてそのように外被を添着し
た構造とすることにより、電界が外被内に集中す
ることになり、各導体間の電界が外部に放射され
にくくなるので、例えば本考案によるストリツプ
ラインケーブルを積み重ねて使用する場合に問題
となる層間の信号漏話や隣接ストリツプラインと
の線間漏話が軽減される。さらに加えて、上述し
た本考案の構造によれば、ストリツプラインケー
ブルの端末処理をするにあたつては、それの外被
に対して長手方向に直交する方向に例えばカミソ
リやナイフのような鋭利な刃物で切れ目を入れ、
その刃物を長手方向にずらせることによつて樹脂
が容易に切断分離されるので、端末処理を非常に
容易になしうるという利点もある。なお、目的に
応じて、外被の外表面に金属あるいは導電性弗素
樹脂等よりなる電磁波遮蔽層を設けてもよい。
誘電体の両面に添着した外被はその誘電体よりも
誘電率が大きく、従つてそのように外被を添着し
た構造とすることにより、電界が外被内に集中す
ることになり、各導体間の電界が外部に放射され
にくくなるので、例えば本考案によるストリツプ
ラインケーブルを積み重ねて使用する場合に問題
となる層間の信号漏話や隣接ストリツプラインと
の線間漏話が軽減される。さらに加えて、上述し
た本考案の構造によれば、ストリツプラインケー
ブルの端末処理をするにあたつては、それの外被
に対して長手方向に直交する方向に例えばカミソ
リやナイフのような鋭利な刃物で切れ目を入れ、
その刃物を長手方向にずらせることによつて樹脂
が容易に切断分離されるので、端末処理を非常に
容易になしうるという利点もある。なお、目的に
応じて、外被の外表面に金属あるいは導電性弗素
樹脂等よりなる電磁波遮蔽層を設けてもよい。
なお、遮蔽層が電磁波伝送用導体に近すぎて伝
送特性を悪化させる場合には、外被を厚くする
か、あるいは外被の少なくとも片側に多孔質の結
晶性高分子材料、例えば延伸多孔質PTFE層を介
して遮蔽層を設けてもよい。なお、この場合、遮
蔽層を本体からはがしやすくできる効果もある。
送特性を悪化させる場合には、外被を厚くする
か、あるいは外被の少なくとも片側に多孔質の結
晶性高分子材料、例えば延伸多孔質PTFE層を介
して遮蔽層を設けてもよい。なお、この場合、遮
蔽層を本体からはがしやすくできる効果もある。
また、導体の形状や組み合わせは実施例に限定
されるものではなく、例えば導体2bと2b′の位
置をそれぞれ入れ替えたり、また平角導体を使用
する場合、信号線用の導体2a,2b,2cの厚
みを接地線用の導体2a′,2b′,2c′の厚みより
も薄くして層間漏話特性を改善するようにしても
よい。
されるものではなく、例えば導体2bと2b′の位
置をそれぞれ入れ替えたり、また平角導体を使用
する場合、信号線用の導体2a,2b,2cの厚
みを接地線用の導体2a′,2b′,2c′の厚みより
も薄くして層間漏話特性を改善するようにしても
よい。
なおまた、多対ストリツプラインケーブルとし
てフラツトケーブル状をなす場合に、端末をすだ
れ状にひきさいて使用してもよいし、あるいは端
末でない部分をすだれ状にして漏話の改善及び曲
げやすさを得るようにしてもよいことはもちろん
である。
てフラツトケーブル状をなす場合に、端末をすだ
れ状にひきさいて使用してもよいし、あるいは端
末でない部分をすだれ状にして漏話の改善及び曲
げやすさを得るようにしてもよいことはもちろん
である。
第1図は従来のストリツプラインケーブルの横
断面図、第2図ないし第5図はそれぞれこの考案
による異なる実施例を示すストリツプラインケー
ブルの部分的横断面図である。 1:多孔質帯状誘電体、2a,2b,2c:信
号導体、2a′,2b′,2c′:接地導体、3:外被、
4:絶縁層、5:非多孔質絶縁体層。
断面図、第2図ないし第5図はそれぞれこの考案
による異なる実施例を示すストリツプラインケー
ブルの部分的横断面図である。 1:多孔質帯状誘電体、2a,2b,2c:信
号導体、2a′,2b′,2c′:接地導体、3:外被、
4:絶縁層、5:非多孔質絶縁体層。
Claims (1)
- 複数組の相対する組導体と、この組導体の導体
間に配設される多孔質帯状誘電体と、これら両者
を保持する外被とを備えてなるストリツプライン
ケーブルにおいて、相対する各組導体のそれぞれ
の導体と外被との間に多孔質プラスチツク材料に
よりなる絶縁層を設けたことを特徴とするストリ
ツプラインケーブル。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984058184U JPS60169904U (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | ストリップラインケーブル |
| EP85302554A EP0159182B1 (en) | 1984-04-20 | 1985-04-11 | A strip line cable |
| DE8585302554T DE3573677D1 (en) | 1984-04-20 | 1985-04-11 | A strip line cable |
| US06/723,540 US4639693A (en) | 1984-04-20 | 1985-04-15 | Strip line cable comprised of conductor pairs which are surrounded by porous dielectric |
| SG930/91A SG93091G (en) | 1984-04-20 | 1991-11-07 | A strip line cable |
| HK1009/91A HK100991A (en) | 1984-04-20 | 1991-12-12 | A strip line cable |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984058184U JPS60169904U (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | ストリップラインケーブル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60169904U JPS60169904U (ja) | 1985-11-11 |
| JPH0247607Y2 true JPH0247607Y2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=13076926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984058184U Granted JPS60169904U (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | ストリップラインケーブル |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4639693A (ja) |
| EP (1) | EP0159182B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60169904U (ja) |
| DE (1) | DE3573677D1 (ja) |
| HK (1) | HK100991A (ja) |
| SG (1) | SG93091G (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2021025025A1 (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-11 | ||
| WO2021025024A1 (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-11 | 株式会社村田製作所 | 多層基板及び多層基板の製造方法 |
| JP2022547215A (ja) * | 2019-09-12 | 2022-11-10 | 広州方邦電子股▲ふん▼有限公司 | 回路基板及び電子機器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS5550701A (en) * | 1978-10-06 | 1980-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Microstrip line |
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| DE3020622C2 (de) * | 1980-05-30 | 1985-05-15 | W.L. Gore & Associates, Inc., Newark, Del. | Bandkabel und Verfahren zu seiner Herstellung |
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1984
- 1984-04-20 JP JP1984058184U patent/JPS60169904U/ja active Granted
-
1985
- 1985-04-11 DE DE8585302554T patent/DE3573677D1/de not_active Expired
- 1985-04-11 EP EP85302554A patent/EP0159182B1/en not_active Expired
- 1985-04-15 US US06/723,540 patent/US4639693A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-11-07 SG SG930/91A patent/SG93091G/en unknown
- 1991-12-12 HK HK1009/91A patent/HK100991A/en not_active IP Right Cessation
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| JPWO2021025025A1 (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-11 | ||
| WO2021025024A1 (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-11 | 株式会社村田製作所 | 多層基板及び多層基板の製造方法 |
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Also Published As
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| DE3573677D1 (en) | 1989-11-16 |
| US4639693A (en) | 1987-01-27 |
| EP0159182B1 (en) | 1989-10-11 |
| EP0159182A2 (en) | 1985-10-23 |
| EP0159182A3 (en) | 1987-01-21 |
| HK100991A (en) | 1991-12-20 |
| SG93091G (en) | 1991-12-13 |
| JPS60169904U (ja) | 1985-11-11 |
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