JPH0247665A - 像担持体 - Google Patents
像担持体Info
- Publication number
- JPH0247665A JPH0247665A JP19926288A JP19926288A JPH0247665A JP H0247665 A JPH0247665 A JP H0247665A JP 19926288 A JP19926288 A JP 19926288A JP 19926288 A JP19926288 A JP 19926288A JP H0247665 A JPH0247665 A JP H0247665A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoconductive
- ppm
- film thickness
- surface layer
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子写真装置等において静電潜像を記録する
ための像担持体に関し、更に詳述すれば両極性動作が可
能な像担持体に関する。
ための像担持体に関し、更に詳述すれば両極性動作が可
能な像担持体に関する。
Ｃ従来技術〕
両極性動作が可能な感光体として、アモルファスシリコ
ン（以下ａ−Ｓｉ という）感光体が発表されている（
例えば昭和５６年、電気学会全国大会等）。
ン（以下ａ−Ｓｉ という）感光体が発表されている（
例えば昭和５６年、電気学会全国大会等）。
該感光体は導電性表面を有する支持体上にａ−５ｉを主
成分とする光導電層を形成したものである。
成分とする光導電層を形成したものである。
ところで、上述の如き単層構造のａ−５ｉ悪感光は、感
光体としての基本性能が劣るという致命的な問題があり
、商品化に至っていない。一方、多層構造の感光体は、
商品化されているが、これは−極性動作専用のものであ
る。
光体としての基本性能が劣るという致命的な問題があり
、商品化に至っていない。一方、多層構造の感光体は、
商品化されているが、これは−極性動作専用のものであ
る。
つまり、両極性悪光体においては、ホール、エレクトロ
ンの両方のキャリアが走行できる必要があるが、これら
の各走行性能が両方とも良好となるものが従来、存在し
なかったのである。
ンの両方のキャリアが走行できる必要があるが、これら
の各走行性能が両方とも良好となるものが従来、存在し
なかったのである。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、ホー
ル、エレクトロンの各走行性能がともに良好となるよう
に不純物添加量を最適化した光導電層及び表面層を備え
る多層構造の像担持体の提供を目的とする。
ル、エレクトロンの各走行性能がともに良好となるよう
に不純物添加量を最適化した光導電層及び表面層を備え
る多層構造の像担持体の提供を目的とする。
本発明に係る像担持体は、導電性表面を有する支持体上
に、非晶質シリコンを主成分とし、０．６ｐｐｍ Ｓ
Ｒ／Ｓｉ≦１．４ ｐｐａ＋の膜厚Ｘの第１層、及び１
．４ ｐｐｍ ：５Ｂ／Ｓｉ≦４．０ ｐｐｍの膜厚ｙ
の第２Ｎを有し、ｘ＋ｙよりなる膜厚りが１／４０≦ｙ
／Ｌの関係をなす光導電層と、非晶質シリコンを主成分
とし、少なくとも８００ｐｐｎ＋≦Ｂ／Ｓｉ≦４８００
ｐｐｍのＢ、及び３０ａｔｏｍｉｃ％≦Ｎ ／ Ｓ ｉ
のＮを含有する表面層とを順に積層形成してなることを
特徴とする。
に、非晶質シリコンを主成分とし、０．６ｐｐｍ Ｓ
Ｒ／Ｓｉ≦１．４ ｐｐａ＋の膜厚Ｘの第１層、及び１
．４ ｐｐｍ ：５Ｂ／Ｓｉ≦４．０ ｐｐｍの膜厚ｙ
の第２Ｎを有し、ｘ＋ｙよりなる膜厚りが１／４０≦ｙ
／Ｌの関係をなす光導電層と、非晶質シリコンを主成分
とし、少なくとも８００ｐｐｎ＋≦Ｂ／Ｓｉ≦４８００
ｐｐｍのＢ、及び３０ａｔｏｍｉｃ％≦Ｎ ／ Ｓ ｉ
のＮを含有する表面層とを順に積層形成してなることを
特徴とする。
上述の如き流量比により、最適な光導電層及び表面層が
得られ、光導電層と表面層との間のエネルギギャップの
最適化が図れる。これによりホール、エレクトロンの各
走行性能はともに良好となる。
得られ、光導電層と表面層との間のエネルギギャップの
最適化が図れる。これによりホール、エレクトロンの各
走行性能はともに良好となる。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に
説明する。第１図は、本発明に係る像担持体の基本構造
のエネルギバンド図である。
説明する。第１図は、本発明に係る像担持体の基本構造
のエネルギバンド図である。
図中１は、アルミニウム等の金属材料、又はガラス等の
絶縁材料の表面に導電コーティングを施した導電性表面
を有する支持体である。２はａ−３ｉを主成分とし、前
記支持体１の導電性表面に形成された阻止層であり、３
及び４は、夫々ａ−Ｓｉを主成分とする膜厚Ｘの光導電
第１層及び膜厚ｙの光導電第２層であり、光導電第１層
３は前記阻止層２の表面に、また光導電第２層４は光導
電第１層３の表面に夫々形成されている。５は、前記光
導電第２層の表面に形成された表面層である。
絶縁材料の表面に導電コーティングを施した導電性表面
を有する支持体である。２はａ−３ｉを主成分とし、前
記支持体１の導電性表面に形成された阻止層であり、３
及び４は、夫々ａ−Ｓｉを主成分とする膜厚Ｘの光導電
第１層及び膜厚ｙの光導電第２層であり、光導電第１層
３は前記阻止層２の表面に、また光導電第２層４は光導
電第１層３の表面に夫々形成されている。５は、前記光
導電第２層の表面に形成された表面層である。
さて、第１図に示す如き、エネルギ分布を実現するに際
して、以下に示す検討を行った。
して、以下に示す検討を行った。
従来の正帯電ドラム（ｐ型阻止層／ｉ型バルク層／絶縁
性表面層）では走行キャリアは主にホールだけであった
が、両極性動作を行う両帯電ドラムでは、ホール、エレ
クトロンの両方のキャリアを走行させる必要がある。第
２図は光導電層のホール、エレクトロンの走行性能（η
μで）の８２ Ｈｂ濃度依存性を測定したグラフであり
、横軸はＢＪ。
性表面層）では走行キャリアは主にホールだけであった
が、両極性動作を行う両帯電ドラムでは、ホール、エレ
クトロンの両方のキャリアを走行させる必要がある。第
２図は光導電層のホール、エレクトロンの走行性能（η
μで）の８２ Ｈｂ濃度依存性を測定したグラフであり
、横軸はＢＪ。
のＳｉＨ，に対する流量比（ｐｐｍ ）を表している。
図中○印はホールの走行性能（ημτ）ｈを、また・印
はエレクトロンの走行性能（ημτ）ｅを夫々示す。
はエレクトロンの走行性能（ημτ）ｅを夫々示す。
本図より、走行性能が両方共良好となるのは、（Ｂ２Ｈ
６） ＝０．４ ｐｐｍ付近であることが分かる。また
、負帯電では、正帯電に比べて前露光効果（イレース光
により露光されることによって２回目以後の帯電能が低
下する現象）が大きい。第３図（ａ）は従来の負帯電に
おける前露光効果を示すモデル図であり、表面層に光が
照射されると、ホール○がトランプされる。そこで第３
図（′ｂ）に示す如く光導電層（（ＢｚＬ） ＝０．４
ｐｐｍ ）の表面側Ｌｐｍに（ＢＪｂ） ＝１．０
ｐｐｍの光導電第２層を挿入することにより、ホール○
がトラップされなくなり、負帯電における前露光効果を
低減することができるのである。
６） ＝０．４ ｐｐｍ付近であることが分かる。また
、負帯電では、正帯電に比べて前露光効果（イレース光
により露光されることによって２回目以後の帯電能が低
下する現象）が大きい。第３図（ａ）は従来の負帯電に
おける前露光効果を示すモデル図であり、表面層に光が
照射されると、ホール○がトランプされる。そこで第３
図（′ｂ）に示す如く光導電層（（ＢｚＬ） ＝０．４
ｐｐｍ ）の表面側Ｌｐｍに（ＢＪｂ） ＝１．０
ｐｐｍの光導電第２層を挿入することにより、ホール○
がトラップされなくなり、負帯電における前露光効果を
低減することができるのである。
前露光効果の評価は第４図に示す如き感光体ドラムの１
回転目の表面電位■１と、この値と２回転目の表面電位
との差■２とを用いる前露光効果評価係数ΔＶ＝Ｖｚ／
Ｖ、によって行う。
回転目の表面電位■１と、この値と２回転目の表面電位
との差■２とを用いる前露光効果評価係数ΔＶ＝Ｖｚ／
Ｖ、によって行う。
さて、負帯電時の前露光効果（以下ΔＶ（−）と示す）
を最も低くする最適な光導電層を決定する為、光導電第
１Ｎを（ＢＪ６） ＝０．４ ｐｐｍ （以下、断ら
ない限りＳｉＨ，に対する流量比、即ち濃度を表す）、
膜厚ｘｐｍ、光導電第２層を（Ｂ２Ｈ６） ＝ １．０
ｐｐｍ 、膜厚ｙμｍ、Ｘ＋ｙ＝２０μｍとして実験し
た結果、ｙ≧０．５μｍの場合にΔ■（−）が実用可能
な値をとることが確認できた。これにより、光導電層の
膜厚をＬとすると、１／４０≦ｙ／Ｌの関係が得られる
。
を最も低くする最適な光導電層を決定する為、光導電第
１Ｎを（ＢＪ６） ＝０．４ ｐｐｍ （以下、断ら
ない限りＳｉＨ，に対する流量比、即ち濃度を表す）、
膜厚ｘｐｍ、光導電第２層を（Ｂ２Ｈ６） ＝ １．０
ｐｐｍ 、膜厚ｙμｍ、Ｘ＋ｙ＝２０μｍとして実験し
た結果、ｙ≧０．５μｍの場合にΔ■（−）が実用可能
な値をとることが確認できた。これにより、光導電層の
膜厚をＬとすると、１／４０≦ｙ／Ｌの関係が得られる
。
次に光導電第１Ｎを１９，５μｍ、光導電第２層を０．
５μｍに固定して（Ｂ２Ｈ６） ’ｌ’ｆａ度を変化さ
せたところ、ΔＶ （−）が実用可能な値になる場合の
各層のＢ／Ｓｉは、ＳＩＭＳ分析結果より、光導電第１
層が０．６ ｐｐｎ＋≦Ｂ／Ｓｉ≦１．４ ｐｐｍ 、
光導電第２層が１．４ｐｐｍ ：５ Ｂ／Ｓｉ≦４．０
ｐｐｍであった。
５μｍに固定して（Ｂ２Ｈ６） ’ｌ’ｆａ度を変化さ
せたところ、ΔＶ （−）が実用可能な値になる場合の
各層のＢ／Ｓｉは、ＳＩＭＳ分析結果より、光導電第１
層が０．６ ｐｐｎ＋≦Ｂ／Ｓｉ≦１．４ ｐｐｍ 、
光導電第２層が１．４ｐｐｍ ：５ Ｂ／Ｓｉ≦４．０
ｐｐｍであった。
以上の条件を満足する光導電層の一例として、（Ｂｚｕ
ｔ）濃度０．４ｐｐｍ 、膜厚１９μｍの光導電第１層
と、（Ｂ！Ｈ＆） ｔ７４度１．０ｐｐｍ 、膜厚１μ
ｍの光導電第２層とを用い、また阻止層としては、（Ｎ
２０ ）濃度９０％、（Ｂｚｌ濃度２００ｐｐＩ１１、
膜厚３０００人のａ−５ｉ膜を用いた場合の最適な表面
層を、膜厚を３０００人に固定して検討した。
ｔ）濃度０．４ｐｐｍ 、膜厚１９μｍの光導電第１層
と、（Ｂ！Ｈ＆） ｔ７４度１．０ｐｐｍ 、膜厚１μ
ｍの光導電第２層とを用い、また阻止層としては、（Ｎ
２０ ）濃度９０％、（Ｂｚｌ濃度２００ｐｐＩ１１、
膜厚３０００人のａ−５ｉ膜を用いた場合の最適な表面
層を、膜厚を３０００人に固定して検討した。
ここで表面層は、（ＮＨ３］濃度を光導電層側から表面
層側へ８０％−４００％に変化させると共に、Ｂ、）１
．は均一に添加し、最適な表面層を決定する為に（Ｂｘ
Ｈｈ）濃度をＯ〜１１０００ｐｐまで変化させた。
層側へ８０％−４００％に変化させると共に、Ｂ、）１
．は均一に添加し、最適な表面層を決定する為に（Ｂｘ
Ｈｈ）濃度をＯ〜１１０００ｐｐまで変化させた。
この結果、ΔＶ ＜−）を最も低い値にできる表面層は
、ＳＩＭＳ分析結果により、８ｏｏ ｐｐｍ≦Ｂ ／
Ｓ ｉ≦４８００ｐｐｍの８と、３０ａｔｏｍｉｃ％≦
Ｎ／ＳｉのＮとが添加されていれば良いことが判明した
。
、ＳＩＭＳ分析結果により、８ｏｏ ｐｐｍ≦Ｂ ／
Ｓ ｉ≦４８００ｐｐｍの８と、３０ａｔｏｍｉｃ％≦
Ｎ／ＳｉのＮとが添加されていれば良いことが判明した
。
上記各条件を満足する感光体を、作製時のガス流量、圧
力、基板温度、ＲＦ ＰＯＷＥＲ等を最適化して作製す
ることにより、両極性動作の光導電性能を示すエレクト
ロン及びホールの各ημτを共に５ＸＩＱ−”ｃｆｉＩ
／Ｖ以上にすることができた。その代表的な作製条件を
下記第１表に示す。
力、基板温度、ＲＦ ＰＯＷＥＲ等を最適化して作製す
ることにより、両極性動作の光導電性能を示すエレクト
ロン及びホールの各ημτを共に５ＸＩＱ−”ｃｆｉＩ
／Ｖ以上にすることができた。その代表的な作製条件を
下記第１表に示す。
以下余白
次に本発明に係る像担持体の製造手順を、第５図に示す
製造装置の模式図を用いて具体的に説明する。本実施例
においては、原料ガスが導入される密封容器６内に中空
円筒上の放電電極７を配置したプラズマＣＶＤ装置を利
用し、このＣＶＤ装置の放電電極７の内部に、外周面が
洗浄化され、導電性表面を有する支持体１を同心的に回
転自在に挿入する。このような状態において、まず密封
容器６内をロークリポンプ８及びメカニカルブースタポ
ンプ９を駆動させてｌＸｌ０−’気圧程度まで減圧排気
する。そして前記支持体１を回転させながら、これの内
部に挿入されているヒータ（図示せず）によって２７０
℃まで昇温加熱すると共に、密封容器６内にＳｉＨ４ガ
ス及びＨ２ガスをベースとするＢ２Ｈ６ガス並びに、Ｎ
２０ガス、更に希釈用ガスとしてｌｈガスを、夫々流量
設定器１０を介して所定量ずつ導入し、内部を１．ＯＴ
ｏｒｒに保持する。次にこの状態にて周波数が１３．５
６ＭＨｚの高周波電力を光周波電源１１から放電電極７
を高周波電位とし、支持体１をアース電位とした２００
Ｗの高周波電力を投入して０．３μｍの阻止層を作製す
る。
製造装置の模式図を用いて具体的に説明する。本実施例
においては、原料ガスが導入される密封容器６内に中空
円筒上の放電電極７を配置したプラズマＣＶＤ装置を利
用し、このＣＶＤ装置の放電電極７の内部に、外周面が
洗浄化され、導電性表面を有する支持体１を同心的に回
転自在に挿入する。このような状態において、まず密封
容器６内をロークリポンプ８及びメカニカルブースタポ
ンプ９を駆動させてｌＸｌ０−’気圧程度まで減圧排気
する。そして前記支持体１を回転させながら、これの内
部に挿入されているヒータ（図示せず）によって２７０
℃まで昇温加熱すると共に、密封容器６内にＳｉＨ４ガ
ス及びＨ２ガスをベースとするＢ２Ｈ６ガス並びに、Ｎ
２０ガス、更に希釈用ガスとしてｌｈガスを、夫々流量
設定器１０を介して所定量ずつ導入し、内部を１．ＯＴ
ｏｒｒに保持する。次にこの状態にて周波数が１３．５
６ＭＨｚの高周波電力を光周波電源１１から放電電極７
を高周波電位とし、支持体１をアース電位とした２００
Ｗの高周波電力を投入して０．３μｍの阻止層を作製す
る。
以下、同様の方法で光導電第１層、光導電第２層、表面
層を順次積層する。
層を順次積層する。
このようにして製造した感光体の性能を評価する為、エ
レクトロン及びホールの各ημτを測定した結果、エレ
クトロンのημτは９×１０〜９ｃｒＡ ／ Ｖ、ホー
ルのημτは６ Ｘ １０−”ｃｎｌ ／Ｖであり、十
分両極性動作が可能であることが確認できた。
レクトロン及びホールの各ημτを測定した結果、エレ
クトロンのημτは９×１０〜９ｃｒＡ ／ Ｖ、ホー
ルのημτは６ Ｘ １０−”ｃｎｌ ／Ｖであり、十
分両極性動作が可能であることが確認できた。
次にこれを、市販のＰＰＣにセントして画像を調べたと
ころ、正帯電の際には、従来の一極性装置並の画像が得
られることに加えて、ｒｐｃの帯電器の極性を負に代え
ることにより、ネガフィルムもポジに反転した画像が得
られた。
ころ、正帯電の際には、従来の一極性装置並の画像が得
られることに加えて、ｒｐｃの帯電器の極性を負に代え
ることにより、ネガフィルムもポジに反転した画像が得
られた。
以上の如く、本発明に係る像担持体では、多層構造の像
担持体において、ホール、エレクトロンの各走行性能が
共に良好となり、実用可能なレベルでの両極性動作が可
能となった為、従来の単一極性動作用の多層構造の像担
持体と同等の性能及び信頼性を両極性動作においても実
現できた。
担持体において、ホール、エレクトロンの各走行性能が
共に良好となり、実用可能なレベルでの両極性動作が可
能となった為、従来の単一極性動作用の多層構造の像担
持体と同等の性能及び信頼性を両極性動作においても実
現できた。
また、この像担持体をＰＰＣにセットした場合には、Ｐ
ＰＣの装備をほとんど変更することなく、画像の正転、
反転機能を付加できる等、本発明は優れた効果を奏する
。
ＰＣの装備をほとんど変更することなく、画像の正転、
反転機能を付加できる等、本発明は優れた効果を奏する
。
第１図は本発明に係る像担持体の基本構造のエネルギバ
ンド図、第２図はημτの光導電ＮＢｚＨａ濃度依存性
を示すグラフ、第３図は、負帯電前露光効果低減のモデ
ル図、第４図は前露光効果評価係数の説明図、第５図は
製造装置の模式図である。 ■・・・支持体 ２・・・阻止層 ３・・・光導電第１
層４・・・光導電第２層 ５・・・表面層時 許 出願
人 三洋電機株式会社代理人 弁理士 河
野 登 夫０．８ Ｂ２１−１． ／ＳＩＨ４ （ｐｐｍ）
ンド図、第２図はημτの光導電ＮＢｚＨａ濃度依存性
を示すグラフ、第３図は、負帯電前露光効果低減のモデ
ル図、第４図は前露光効果評価係数の説明図、第５図は
製造装置の模式図である。 ■・・・支持体 ２・・・阻止層 ３・・・光導電第１
層４・・・光導電第２層 ５・・・表面層時 許 出願
人 三洋電機株式会社代理人 弁理士 河
野 登 夫０．８ Ｂ２１−１． ／ＳＩＨ４ （ｐｐｍ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性表面を有する支持体上に、非晶質シリコンを
主成分とし、０．６ｐｐｍ≦Ｂ／Ｓｉ≦１．４ｐｐｍの
膜厚ｘの第１層、及び１．４ｐｐｍ≦Ｂ／Ｓｉ≦４．０
ｐｐｍの膜厚ｙの第２層を有し、ｘ＋ｙよりなる膜厚Ｌ
が１／４０≦ｙ／Ｌの関係をなす光導電層と、 非晶質シリコンを主成分とし、少なくとも ８００ｐｐｍ≦Ｂ／Ｓｉ≦４８００ｐｐｍのＢ、及び３
０ａｔｏｍｉｃ％≦Ｎ／ＳｉのＮを含有する表面層と を順に積層形成してなることを特徴とする像担持体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19926288A JPH0247665A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 像担持体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19926288A JPH0247665A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 像担持体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0247665A true JPH0247665A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16404865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19926288A Pending JPH0247665A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 像担持体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247665A (ja) |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP19926288A patent/JPH0247665A/ja active Pending
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