JPH0282261A - 像担持体 - Google Patents
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- JPH0282261A JPH0282261A JP23458488A JP23458488A JPH0282261A JP H0282261 A JPH0282261 A JP H0282261A JP 23458488 A JP23458488 A JP 23458488A JP 23458488 A JP23458488 A JP 23458488A JP H0282261 A JPH0282261 A JP H0282261A
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- Japan
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- layer
- photoconductive
- ppm
- surface layer
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- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
- G03G5/08242—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers at least one with varying composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子写真装置等において静電潜像を記録する
ための像担持体に関し、更に詳述すれば両極性動作が可
能な像担持体に関する。
ための像担持体に関し、更に詳述すれば両極性動作が可
能な像担持体に関する。
両極性動作が可能な感光体として、アモルファスシリコ
ン（以下ａ−３ｉ という）感光体が発表されている（
例えば昭和５６年、電気学会全国大会等）。
ン（以下ａ−３ｉ という）感光体が発表されている（
例えば昭和５６年、電気学会全国大会等）。
該感光体は導電性表面を有する支持体上にａ−Ｓｔを主
成分とする光導電層を形成したものである。
成分とする光導電層を形成したものである。
ところで、上述の如き単層構造のａ−５ｉ悪感光は、感
光体としての基本性能が劣るという致命的な問題があり
、商品化に至っていない。一方、多層構造の感光体は、
商品化されているが、これは−極性動作専用のものであ
る。
光体としての基本性能が劣るという致命的な問題があり
、商品化に至っていない。一方、多層構造の感光体は、
商品化されているが、これは−極性動作専用のものであ
る。
つまり、両極性感光体においては、ホール、エレクトロ
ンの両方のキャリアが走行できる必要があるが、これら
の各走行性能が両方とも良好となるものが従来、存在し
なかったのである。
ンの両方のキャリアが走行できる必要があるが、これら
の各走行性能が両方とも良好となるものが従来、存在し
なかったのである。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、ホー
ル、エレクトロンの各走行性能がともに良好となるよう
に不純物添加量を最適化した光導電層及び表面層を備え
る多層構造の像担持体の提供を目的とする。
ル、エレクトロンの各走行性能がともに良好となるよう
に不純物添加量を最適化した光導電層及び表面層を備え
る多層構造の像担持体の提供を目的とする。
本発明に係る像担持体は、導電性表面を有する支持体上
に、非晶質シリコンを主成分とし、０．６ｐｐｍ≦Ｂ／
Ｓｉ≦１．４ ｐｐｍ＋の膜厚Ｘの第１層、及び１．４
ｐｐｍ≦Ｂ ／ Ｓ ｉ≦４．０ ｐｐｍの膜厚ｙの
第２Ｊ！を有り、５Ｌ＝ｘ＋ｙが１／４０≦ｙ／Ｌの関
係をなす光導電層と、非晶質シリコンを主成分とし、少
なくとも８００ｐｐｍ≦Ｂ／Ｓｉ≦４８００ｐｐｍ の
Ｂ 、及び３゜ａｔｏｏ＋ｉｃ％≦Ｎ／ＳｉのＮを含有
する表面層とを、これらの間に中間層を介して順に積層
形成してなり、前記中間層は、前記光導電層側の近傍で
は前記第２層と、また前記表面層側の近傍では表面層と
夫々Ｂ／Ｓｉ及びＮ／Ｓｉの組成比が等しいＢ及びＮを
含有し、両近傍間では両組成比を連続的に変化してある
ことを特徴とする。
に、非晶質シリコンを主成分とし、０．６ｐｐｍ≦Ｂ／
Ｓｉ≦１．４ ｐｐｍ＋の膜厚Ｘの第１層、及び１．４
ｐｐｍ≦Ｂ ／ Ｓ ｉ≦４．０ ｐｐｍの膜厚ｙの
第２Ｊ！を有り、５Ｌ＝ｘ＋ｙが１／４０≦ｙ／Ｌの関
係をなす光導電層と、非晶質シリコンを主成分とし、少
なくとも８００ｐｐｍ≦Ｂ／Ｓｉ≦４８００ｐｐｍ の
Ｂ 、及び３゜ａｔｏｏ＋ｉｃ％≦Ｎ／ＳｉのＮを含有
する表面層とを、これらの間に中間層を介して順に積層
形成してなり、前記中間層は、前記光導電層側の近傍で
は前記第２層と、また前記表面層側の近傍では表面層と
夫々Ｂ／Ｓｉ及びＮ／Ｓｉの組成比が等しいＢ及びＮを
含有し、両近傍間では両組成比を連続的に変化してある
ことを特徴とする。
上述の如き組成比により、最適な光導電層及び表面層が
得られると共に中間層を介した光導電層と表面層との間
のエネルギギャップの最適化が図れる。これによりホー
ル、エレクトロンの各走行性能はともに良好となる。
得られると共に中間層を介した光導電層と表面層との間
のエネルギギャップの最適化が図れる。これによりホー
ル、エレクトロンの各走行性能はともに良好となる。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に
説明する。第１図は、本発明に係る像担持体の基本構造
のエネルギバンド図である。
説明する。第１図は、本発明に係る像担持体の基本構造
のエネルギバンド図である。
図中１は、アルミニウム等の金属材料、又はガラス等の
絶縁材料の表面に導電コーティングを施した導電性表面
を有する支持体である。２はａ−５ｉを主成分とし、前
記支持体１の導電性表面に形成された阻止層であり、３
及び４は、夫々ａ−３ｉを主成分とする膜厚Ｘの光導電
第１層及び膜厚ｙの光導電第２層であり、光導電第１層
３は前記阻止層２の表面に、また光導電第２１１４は光
導電第１Ｎ３の表面に夫々形成されている。５は、前記
光導電第２層の表面に形成された中間層であり、これの
表面にａ−３ｉを主成分とする表面Ｍ６が形成しである
。
絶縁材料の表面に導電コーティングを施した導電性表面
を有する支持体である。２はａ−５ｉを主成分とし、前
記支持体１の導電性表面に形成された阻止層であり、３
及び４は、夫々ａ−３ｉを主成分とする膜厚Ｘの光導電
第１層及び膜厚ｙの光導電第２層であり、光導電第１層
３は前記阻止層２の表面に、また光導電第２１１４は光
導電第１Ｎ３の表面に夫々形成されている。５は、前記
光導電第２層の表面に形成された中間層であり、これの
表面にａ−３ｉを主成分とする表面Ｍ６が形成しである
。
第２図は第１図と表面層６の構造が異なるものであり、
第１図においては表面層６の光学的バンドギャップを一
定にしであるが、表面層には高抵抗のものが要求される
ので例えばＮ／Ｓｉを増加させることによって表面層６
の光学的バンドギャップ、を支持体１側よりも表面側の
方を大きくしたものである。
第１図においては表面層６の光学的バンドギャップを一
定にしであるが、表面層には高抵抗のものが要求される
ので例えばＮ／Ｓｉを増加させることによって表面層６
の光学的バンドギャップ、を支持体１側よりも表面側の
方を大きくしたものである。
さて、第１図及び第２図に示す如き、エネルギ分布を実
現するに際して、以下に示す検討を行った。
現するに際して、以下に示す検討を行った。
従来の正帯電ドラム（ｐ型阻止１１／ｉ型バルク層／絶
縁性表面層）では走行キャリアは主にホールだけであっ
たが、両極性動作を行う両帯電ドラムでは、ホール、エ
レクトロンの両方のキャリアを走行させる必要がある。
縁性表面層）では走行キャリアは主にホールだけであっ
たが、両極性動作を行う両帯電ドラムでは、ホール、エ
レクトロンの両方のキャリアを走行させる必要がある。
第３図は光導電層のホール、エレクトロンの走行性能（
ημτ）のＢｔＨｂ濃度依存性を測定したグラフであり
、横軸はＢＪｈのＳ ｉ Ｉｆ ａに対する流量比〔ｐ
ρｍ〕を表している。図中○印はホールの走行性能（η
μτ）ｅを、また・印はエレクトロンの走行性能（ημ
τ）ｈを夫々示す。
ημτ）のＢｔＨｂ濃度依存性を測定したグラフであり
、横軸はＢＪｈのＳ ｉ Ｉｆ ａに対する流量比〔ｐ
ρｍ〕を表している。図中○印はホールの走行性能（η
μτ）ｅを、また・印はエレクトロンの走行性能（ημ
τ）ｈを夫々示す。
本図より、走行性能が両方共良好となるのは、（ａｔｌ
（ａ） ＝Ｏ−４ｐｐｍ付近であることが分かる。また
、負帯電では、正帯電に比べて前露光効果（イレース光
により露光されることによって２回目以後の帯電能が低
下する現象）が大きい。第４図（ａ）は従来の負帯電に
おける前露光効果を示すモデル図であり、表面層に光が
照射されると、ホール○がトラップされる。そこで第４
図（ｂ）に示す如く光導電層（（ＢｚＨｉ） ＝０．４
ｐｐｍ ）の表面側１μｍにＣＢ！Ｈ＆） ＝１．０
ｐｐｍの光導電第２層を挿入することにより、ホール
○がトラップされなくなり、負帯電における前露光効果
を低減することができるのである。
（ａ） ＝Ｏ−４ｐｐｍ付近であることが分かる。また
、負帯電では、正帯電に比べて前露光効果（イレース光
により露光されることによって２回目以後の帯電能が低
下する現象）が大きい。第４図（ａ）は従来の負帯電に
おける前露光効果を示すモデル図であり、表面層に光が
照射されると、ホール○がトラップされる。そこで第４
図（ｂ）に示す如く光導電層（（ＢｚＨｉ） ＝０．４
ｐｐｍ ）の表面側１μｍにＣＢ！Ｈ＆） ＝１．０
ｐｐｍの光導電第２層を挿入することにより、ホール
○がトラップされなくなり、負帯電における前露光効果
を低減することができるのである。
前露光効果の評価は第５図に示す如き感光体ドラムの１
回転目の表面電位ｖ１と、この値と２回転目の表面電位
との差ｖ２とを用いる前露光効果評価係数ΔＶ＝Ｖ、／
Ｖ、によって行う。
回転目の表面電位ｖ１と、この値と２回転目の表面電位
との差ｖ２とを用いる前露光効果評価係数ΔＶ＝Ｖ、／
Ｖ、によって行う。
さて、負帯電時の前露光効果（以下ΔＶ （−）という
）を最も低くする最適な光導電層を決定する為、光導電
第１層をＣＢＺＨ＆） ＝０．４ ｐｐｍ （以下、
断らない限りＳｉｌ！、に対する流量比、即ち濃度を表
す）、膜厚ｘｐｍ、光導電第２層を（ＢｚＨａ） ＝１
．Ｏｐｐｍ−、膜厚ｙ ｕｍ、 ｘ ＋ ｙ ＝２０μ
ｍとして実験した結果、ｙ≧０．５μｍの場合にΔＶ（
−）が実用可能な値をとることが確認できた。これによ
り、光導電層の膜厚をＬとすると、１ ／４０≦ｙ／Ｌ
の関係が得られる。
）を最も低くする最適な光導電層を決定する為、光導電
第１層をＣＢＺＨ＆） ＝０．４ ｐｐｍ （以下、
断らない限りＳｉｌ！、に対する流量比、即ち濃度を表
す）、膜厚ｘｐｍ、光導電第２層を（ＢｚＨａ） ＝１
．Ｏｐｐｍ−、膜厚ｙ ｕｍ、 ｘ ＋ ｙ ＝２０μ
ｍとして実験した結果、ｙ≧０．５μｍの場合にΔＶ（
−）が実用可能な値をとることが確認できた。これによ
り、光導電層の膜厚をＬとすると、１ ／４０≦ｙ／Ｌ
の関係が得られる。
次に光導電第１層を１９．５８ｍ１光導電第２層を０．
５μｍに固定して（Ｂ２Ｈ４）濃度を変化させたところ
、ΔＶ（−）が実用可能な値になる場合の各層のＢ ／
Ｓ ｉは、ＳＩＭＳ分析結果より、光導電層１ｒＭが
０．６ ｐｐ彌≦Ｂ／Ｓｉ≦１．４ ｐｐｍ 、光導電
第２層が１．４ ｐｐｍ≦Ｂ／Ｓｉ≦４．０ ｐｐｍで
あった。
５μｍに固定して（Ｂ２Ｈ４）濃度を変化させたところ
、ΔＶ（−）が実用可能な値になる場合の各層のＢ ／
Ｓ ｉは、ＳＩＭＳ分析結果より、光導電層１ｒＭが
０．６ ｐｐ彌≦Ｂ／Ｓｉ≦１．４ ｐｐｍ 、光導電
第２層が１．４ ｐｐｍ≦Ｂ／Ｓｉ≦４．０ ｐｐｍで
あった。
以上の条件を満足する光導電層の一例として、（Ｂ２Ｈ
６）濃度０．４ｐｐｍ 、膜厚１９．ｕｍの光導電第１
層と、（ＢＪ＆）濃度１．０ｐｐｍ 、膜厚１μｍの光
導電第２層とを用い、また阻止層としては、（Ｎ１３
）濃度５％、（ａｇｕｅ） 濃度２０ｐｐｍ 、膜厚１
μｍのａ−Ｓｉ膜を用いた場合の最適な表面層を、膜厚
を０．３μｍに固定して検討した。
６）濃度０．４ｐｐｍ 、膜厚１９．ｕｍの光導電第１
層と、（ＢＪ＆）濃度１．０ｐｐｍ 、膜厚１μｍの光
導電第２層とを用い、また阻止層としては、（Ｎ１３
）濃度５％、（ａｇｕｅ） 濃度２０ｐｐｍ 、膜厚１
μｍのａ−Ｓｉ膜を用いた場合の最適な表面層を、膜厚
を０．３μｍに固定して検討した。
ここで表面層は、（ＮＨ３）濃度を光導電層側から表面
層側へ８０％→４００％に変化させると共に、Ｂ！Ｈ，
は均一に添加し、最適な表面層を決定する為に（Ｂ２Ｈ
４）濃度をＯ”１Ｏ０００ｐｐｍまで変化させた。
層側へ８０％→４００％に変化させると共に、Ｂ！Ｈ，
は均一に添加し、最適な表面層を決定する為に（Ｂ２Ｈ
４）濃度をＯ”１Ｏ０００ｐｐｍまで変化させた。
この結果、ΔＶ（−）を最も低い値にできる表面層は、
ＳＩＭＳ分析結果により、８００ ｐｐｍ ≦Ｂ ／
Ｓ ｉ≦４８００ｐｐｍのＢと、３０ａｔｏｍｉｃ％≦
Ｎ／ＳｉのＮとが添加されていれば良いことが判明した
。
ＳＩＭＳ分析結果により、８００ ｐｐｍ ≦Ｂ ／
Ｓ ｉ≦４８００ｐｐｍのＢと、３０ａｔｏｍｉｃ％≦
Ｎ／ＳｉのＮとが添加されていれば良いことが判明した
。
更にΔＶ（−）をより低くする為に光導電第２層と、表
面層とを滑らかに接続することを目的としてこれらの間
に中間層を設けた。この中間層の最適化を検討した結果
、中間層における光導電第２層及び表面層の両近傍０．
００１〜０．５μｍのＢ／Ｓｉ及びＮ ／ Ｓ ｉの組
成比を夫々光導電第２層及び表面層の各組成比と等しく
してこれらの間の組成比を連続的に変化させたところ、
中間層の膜厚として０．００１〜２μｍ、望ましくは０
．０１〜１μｍであることが判明し、更に０．０５〜０
．５μｍとした場合にはより低いΔＶ （−）が得られ
た。
面層とを滑らかに接続することを目的としてこれらの間
に中間層を設けた。この中間層の最適化を検討した結果
、中間層における光導電第２層及び表面層の両近傍０．
００１〜０．５μｍのＢ／Ｓｉ及びＮ ／ Ｓ ｉの組
成比を夫々光導電第２層及び表面層の各組成比と等しく
してこれらの間の組成比を連続的に変化させたところ、
中間層の膜厚として０．００１〜２μｍ、望ましくは０
．０１〜１μｍであることが判明し、更に０．０５〜０
．５μｍとした場合にはより低いΔＶ （−）が得られ
た。
上記各条件を満足する感光体を、作製時のガス流量、圧
力、基板温度、ＲＦ ＰＯＷＨＲ等を最適化して作製す
占ことにより、両極性動作の光導電性能を示すエレクト
ロン及びホールの各ημτを共に５×１Ｏ−９ＣＩＩＩ
／ｖ以上にすることができた。その代表的な作製条件を
下記第１表及び第６図に示す。第６図はドープ率の変化
を示すグラフであり、縦軸に対数目盛りを取っている。
力、基板温度、ＲＦ ＰＯＷＨＲ等を最適化して作製す
占ことにより、両極性動作の光導電性能を示すエレクト
ロン及びホールの各ημτを共に５×１Ｏ−９ＣＩＩＩ
／ｖ以上にすることができた。その代表的な作製条件を
下記第１表及び第６図に示す。第６図はドープ率の変化
を示すグラフであり、縦軸に対数目盛りを取っている。
以下余白
次に本発明に係る像担持体の製造手順を、第７図に示す
製造装置の模式図を用いて具体的に説明する。本実施例
においては、原料ガスが導入される密封容器７内に中空
円筒上の放電電極８を配置したプラズマＣＶＤ装置を利
用し、このＣｖ口装置の放電電極８の内部に、外周面が
洗浄化され、導電性表面を有する支持体ｌを同心的に回
転自在に挿入する。このような状態において、まず密封
容器７内をロータリポンプ９及びメカニカルブースタポ
ンプ１０を駆動させてｌＸｌ０−”気圧程度まで減圧排
気する。そして前記支持体１を回転させながら、これの
内部に挿入されているヒータ（図示せず）によって２７
０℃まで昇温加熱すると共に、密封容器７内にＳｉｌ＋
ガス及びＨ２ガスをベースとするＢ ｚ Ｉｔ ｈガス
並びに、Ｎ、０ガス、更に希釈用ガスとしてｌｈガスを
、夫々流量設定器１１を介して所定量ずつ導入し、内部
を１．０ Ｔｏｒｒに保持する。次にこの状態にて周波
数が１３．５６ＭＨｚの高周波電力を光周波電源１２か
ら放電電極８を高周波電位とし、支持体ｌをアース電位
とした２００ Ｗの高周波電力を投入して０．３μｍの
阻止層を作製する。
製造装置の模式図を用いて具体的に説明する。本実施例
においては、原料ガスが導入される密封容器７内に中空
円筒上の放電電極８を配置したプラズマＣＶＤ装置を利
用し、このＣｖ口装置の放電電極８の内部に、外周面が
洗浄化され、導電性表面を有する支持体ｌを同心的に回
転自在に挿入する。このような状態において、まず密封
容器７内をロータリポンプ９及びメカニカルブースタポ
ンプ１０を駆動させてｌＸｌ０−”気圧程度まで減圧排
気する。そして前記支持体１を回転させながら、これの
内部に挿入されているヒータ（図示せず）によって２７
０℃まで昇温加熱すると共に、密封容器７内にＳｉｌ＋
ガス及びＨ２ガスをベースとするＢ ｚ Ｉｔ ｈガス
並びに、Ｎ、０ガス、更に希釈用ガスとしてｌｈガスを
、夫々流量設定器１１を介して所定量ずつ導入し、内部
を１．０ Ｔｏｒｒに保持する。次にこの状態にて周波
数が１３．５６ＭＨｚの高周波電力を光周波電源１２か
ら放電電極８を高周波電位とし、支持体ｌをアース電位
とした２００ Ｗの高周波電力を投入して０．３μｍの
阻止層を作製する。
以下、同様の方法で光導電第１層、光導電第２層、中間
層及び表面層を順次積層する。
層及び表面層を順次積層する。
このようにして製造した感光体の性能を評価する為、エ
レクトロン及びホールの各ημτを測定した結果、エレ
クトロンのημτは９Ｘ１０−９ｃａｌ／Ｖ、ホールの
ημτは６ＸＩＯ−９ｃｎｉ／Ｖ テアリ、十分両極性
動作が可能であることが確認できた。
レクトロン及びホールの各ημτを測定した結果、エレ
クトロンのημτは９Ｘ１０−９ｃａｌ／Ｖ、ホールの
ημτは６ＸＩＯ−９ｃｎｉ／Ｖ テアリ、十分両極性
動作が可能であることが確認できた。
次にこれを、市販のＰＰＣにセットして画像を調べたと
ころ、正帯電の際には、従来の一極性装置並の画像が得
られることに加えて、ｒｐｃの帯電器の極性を負に代え
ることにより、ネガフィルムもポジに反転した画像が得
られた。
ころ、正帯電の際には、従来の一極性装置並の画像が得
られることに加えて、ｒｐｃの帯電器の極性を負に代え
ることにより、ネガフィルムもポジに反転した画像が得
られた。
以上の如く、本発明に係る像担持体では、多層ｆｌ造の
像担持体において、ホール、エレクトロンの各走行性能
が共に良好となり、実用可能なレベルでの両極性動作が
可能となった為、従来の単一極性動作用の多層構造の像
担持体と同等の性能及び信鎖性を両極性動作においても
実現できた。
像担持体において、ホール、エレクトロンの各走行性能
が共に良好となり、実用可能なレベルでの両極性動作が
可能となった為、従来の単一極性動作用の多層構造の像
担持体と同等の性能及び信鎖性を両極性動作においても
実現できた。
また、この像担持体をＰＰＣにセットした場合には、Ｐ
ＰＣの装備をほとんど変更することなく、画像の正転、
反転機能を付加できる等、本発明は優れた効果を奏する
。
ＰＣの装備をほとんど変更することなく、画像の正転、
反転機能を付加できる等、本発明は優れた効果を奏する
。
第１図は本発明に係る像担持体の基本構造のエネルギバ
ンド図、第２図は第１図の構造の一部を変更したエネル
ギバンド図、第３図はημτの光導電層Ｂ２Ｈ６濃度依
存性を示すグラフ、第４図は負帯電前露光効果低減のモ
デル図、第５図は前露光効果評価係数算出図、第６図は
ドープ率の変化を示すグラフ、第７図は製造装置の模式
図である。 １・・・支持体 ２・・・阻止層 ３・・・光導電第１
層４・・・光導電第２層 ５・・・中間層 ６・・・表
面層枠 許 出願人 三洋電機株式会社代理人
弁理士 河 野 登 夫Ｂ２ＨＣ／Ｓ・Ｈ４ ζｐｐｍ） 第 団 手続補正書（自発） 昭和６３年１２月−２９日
ンド図、第２図は第１図の構造の一部を変更したエネル
ギバンド図、第３図はημτの光導電層Ｂ２Ｈ６濃度依
存性を示すグラフ、第４図は負帯電前露光効果低減のモ
デル図、第５図は前露光効果評価係数算出図、第６図は
ドープ率の変化を示すグラフ、第７図は製造装置の模式
図である。 １・・・支持体 ２・・・阻止層 ３・・・光導電第１
層４・・・光導電第２層 ５・・・中間層 ６・・・表
面層枠 許 出願人 三洋電機株式会社代理人
弁理士 河 野 登 夫Ｂ２ＨＣ／Ｓ・Ｈ４ ζｐｐｍ） 第 団 手続補正書（自発） 昭和６３年１２月−２９日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性表面を有する支持体上に、非晶質シリコンを
主成分とし、０．６ｐｐｍ≦Ｂ／Ｓｉ≦１．４ｐｐｍの
膜厚ｘの第１層、及び１．４ｐｐｍ≦Ｂ／Ｓｉ≦４．０
ｐｐｍの膜厚ｙの第２層を有し、Ｌ＝ｘ＋ｙが１／４０
≦ｙ／Ｌの関係をなす光導電層と、 非晶質シリコンを主成分とし、少なくとも ８００ｐｐｍ≦Ｂ／Ｓｉ≦４８００ｐｐｍのＢ、及び３
０ａｔｏｍｉｃ％≦Ｎ／ＳｉのＮを含有する表面層とを
、これらの間に中間層を介して順に積層形成してなり、 前記中間層は、前記光導電層側の近傍では 前記第２層と、また前記表面層側の近傍では表面層と夫
々Ｂ／Ｓｉ及びＮ／Ｓｉの組成比が等しいＢ及びＮを含
有し、両近傍間では両組成比を連続的に変化してあるこ
と を特徴とする像担持体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23458488A JPH0282261A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 像担持体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23458488A JPH0282261A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 像担持体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282261A true JPH0282261A (ja) | 1990-03-22 |
Family
ID=16973312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23458488A Pending JPH0282261A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 像担持体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282261A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006049327A1 (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-11 | Canon Kabushiki Kaisha | 電子写真感光体及びこれを用いた電子写真装置 |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP23458488A patent/JPH0282261A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006049327A1 (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-11 | Canon Kabushiki Kaisha | 電子写真感光体及びこれを用いた電子写真装置 |
| US7229731B2 (en) | 2004-11-05 | 2007-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus using the electrophotographic photosensitive member |
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