JPH0465046A - チップ形ヒューズ抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プリント基板やセラミック印刷配線基板への
自動実装に適するど共に、低電圧・低電流の過電流に対
（−で高速で溶断し、組み込んだ回路の正常動作時は低
抵抗の抵抗体として機能する安価なチップ形ヒユーズ抵
抗器に関する。

〔従来の技術〕

一般に電子回路においては、過電流による部品自体の性
能劣化や損傷を防止するためにヒユーズを設けている。

このヒユーズに関し、近年プリント基板やセラミック印
刷配線基板などに表面実装するため、チップ形のものが
開発されている。

従来のチップ形ヒユーズとしては、絶縁基板上に一対の
電極を形成し、両電極間にφ５０μｍ以下のＡｕやＡｕ
線をワイヤーボンディングした後、絶縁基板上に樹脂を
盛りこの細線を封止（−てなるものが知られている（特
公昭６０−１４３５４４号公報）。また絶縁基板両端に
電極を形成し、両電極間を金属薄膜よりなる導電部で電
気的に接続すると共に、その導電部を絶縁基板の下面に
設けられている凹部内に形成したものが知られている（
実公昭６１−１１８８１号公報）。また絶縁基板両端に
電極を形成し、両電極間を金属薄膜よりなる導電部で電
気的に接続し、導電部をシリコン樹脂で被覆するものも
知られている（特公昭６３−１４１２３３号公報）０ 〔発明が解決しようとする課題〕 前記の従来技術におけるチップ形ヒユーズは、電極間を
ワイヤーボンディングする加工が必要であったり、絶縁
基板下面に凹部を形成するなど、製造コストが上昇する
と共に自動実装に適当でないという欠点がある。また、
従来のチップ形ヒユーズはオーバーコートにシリコン樹
脂を用いているため、端面電極をサーメットの焼き付は
電極とすることができず、端子強度が劣るという欠点が
あり、さらに、ヒユーズ抵抗パターンが方形波状に屈曲
する帯状のため、低電圧・低電流の過電流に対する高速
溶断特性を決定する要因である低い抵抗値が得られにく
いという欠点もあった。

そこで本発明は前記事情に基づいてなされたものであり
、製造コストを低く押さえたままで量産化出来ると共に
、自動実装に最適であり、低電圧・低電流の過電流に対
して高速溶断するチップ形ヒユーズ抵抗器を提供するこ
とを目的とする。

〔課題を解決するための手段及び作用〕上記目的を達成
するため、本発明によるチップ形ヒユーズ抵抗器は絶縁
性セラミック基板と基板上に形成される一対の厚膜電極
とこの厚膜電極間を接続する矩形状の厚膜ヒユーズ抵抗
体、ならびに厚膜ヒユーズ抵抗体の上下に形成される二
層の厚膜ガラス層から構成するものである。

従って、本発明のチップ形ヒユーズ抵抗器は、電極、ガ
ラス、ヒユーズ各構成部を厚膜印刷により容易に行なう
ことができ、量産性に富んだ製造コストの低い製品とな
る。

また、ヒユーズ抵抗体がパターン幅・膜厚のバラツキの
小さな矩形状としであるため、しかも上下二層の厚膜ガ
ラス層で覆い蓄熱効果を高めであるため、低電圧・低電
流の過電流に対して高速溶断特性を有する製品となる。

さらに本発明チップ形ヒユーズ抵抗器は、従来の面実装
チップ部品と同様に取り扱うことができるので目動実装
が容易に行なえる。

〔実施例〕

以下、本発明によるチップ形ヒユーズ抵抗器について図
面を参照しつつ具体的に説明する。

第１図は本発明によるチップ形ヒユーズ抵抗器の平面図
、第２図はそのＡ−Ａ断面図である。尚、第１図におい
ては、後述のオーバーコート厚膜ガラス層５、二次電極
６、三次電極９を省略しである。本発明チップ形ヒユー
ズ抵抗器は、絶縁性セラミック基板１と、絶縁性セラミ
ック基板１上に形成される一対の厚膜電極３，３と、こ
の厚膜電極３，３間を接続する矩形状の厚膜ヒユーズ抵
抗体４、ならびに厚膜ヒユーズ抵抗体４の上下に形成さ
れる二層の厚膜ガラス層２，５から構成されるものであ
る。

絶縁性セラミック基板１はアルミナなどの絶縁性セラミ
ックスからなり、既製の角チツプ抵抗器と同じように直
方体形状とし、例えば外形寸法は３．２Ｘ１．６ｍｍ２
とする。セラミック基板１の上面には、まずガラスペー
スト（例えばＥＳＬ社のＥＳＬ−４９０１）によりアン
ダーコート厚膜ガラス層２を形成する。次に、アンダー
コート厚膜ガラス層２の上にＡｇ厚膜ペースト（例えば
ノリタケカンパニイー社のＮＰ−３６１０）により一対
の厚膜電極（−次電極）３，３を形成する。

次に、この−次電極３，３間を接続するようにヒユーズ
抵抗体４を形成する。７ヒユ一ズ抵抗体４には、例えば
ノリタケカンパニイー社のＮＰ−４１０６Ａを用いる。

ヒユーズ抵抗体４は、厚膜電極３．３との幅広の接合部
４ｂ、４ｂ間に、所定のパターン幅を有する幅狭で矩形
の機能部４ａを有し、そのパターン幅を５０Ｉｌｒｎ〜
３００μｍ、膜厚を５μｍ〜３０μｍに、また抵抗値を
２０　ｒｎΩ〜５０ｒｎΩに設定することが望ましい。

パターン幅と膜厚については、上記の範囲内であれば安
定した特性を得られるからである。また、抵抗値を２０
ｒｎΩ〜５０ｍΩとするのはＯΩ抵抗器と１７で用いる
ためである。セラミック基板１−の両端面部分には、−
次電極３と接続されてセラミック基板１の下面にまで至
る二次電極６と三次電極９が形成される。二次電極６は
一次電極３とセラミック基板１に直接接するＡｇ厚膜電
極であり、また三次電極９はそのＡｇ厚膜電極６にメツ
キにより被覆されるＮｉ層７とＰ　ｂ　／　Ｓ　ｎハン
ダ層８とからなる。セラミック基板１の最上部にはオー
バーコート厚膜ガラス層５が形成される。この厚膜ガラ
ス層５は保護外装膜としてヒユーズ抵抗体４を完全に被
覆し２ている。

本発明チップ形ヒユーズ抵抗器は、その製造に際し、セ
ラミック基板１に各構成部２．３．４゜５、６．７．８
を所定の順序で厚肉印刷及びメツキの手法により形成す
るもので、大量生産に適した構造となっている。またチ
ップ抵抗器やチップコンデンサーなどと同じ直方体形状
になっているため、製品をテーピング包装すれば、容易
に自動実装することができ、実装コストの低減がはかれ
る。また、チップ形ヒユーズ抵抗器の両端面部分がハン
ダ付は信頼性の高い二次電極６・三次電極９になってい
るため、リフロー法やフロー法など多様なハンダ付は方
法を行なうことができる。適宜回路に組み込まれたチッ
プ形ヒユーズ抵抗器に過電流が流れると、ヒユーズ抵抗
体４の機能部４ａが溶断して回路が遮断される。ここで
、ヒユーズ抵抗体４を厚膜ガラス層５で被覆しているた
めに金属蒸気が外部に飛散することがなく、またこの厚
膜ガラス層５を透明なものにすればヒユーズ抵抗体４の
断線状態を目視で確認できる。また、ヒユーズ抵抗体４
が上下の厚膜ガラス層２，５で覆われているため、ヒユ
ーズ抵抗体４から発する熱が放散１７にくい蓄熱効果を
生ずる。このため、ヒユーズ抵抗体４は小さな過電流で
も高速で溶断するｌ２、しかも、ヒユ−ズ抵抗体４が一
定の抵抗値に設定し易い矩形であることとも相俟って、
溶断特性のバラツキが小さいという特徴を備えている。

〔発明の効果〕

以上説明してきたように、本発明のチップ形ヒユーズ抵
抗器は製造コストを低く押さえたまま大量生産できる構
造を有１７、またチップ抵抗器やチップコンデンサーな
どと同様、凹凸の少ないチップ形状であるため、自動実
装に適する利点を有している。さらにヒユーズ抵抗体が
矩形でパターン幅や膜厚のバラツキが小さく且つ上下二
層の厚膜ガラス層で挾まれているため、ヒユーズ抵抗体
が小さな過電流で高速で溶断する優れた特性をも有して
いる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明によるチップ形ヒユーズ抵抗器の平面図
、第２図は第１図Ａ−Ａ線断面図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁性セラミック基板（１）と、この基板（１）上
   に形成される一対の厚膜電極（３、３）と、この厚膜電
   極（３、３）間を接続する厚膜ヒューズ抵抗体（４）、
   ならびに前記厚膜ヒューズ抵抗体（４）の上下に形成さ
   れる二層の厚膜ガラス層（２、５）からなることを特徴
   とするチップ形ヒューズ抵抗器 ２、厚膜ヒューズ抵抗体（４）によって得られる抵抗値
   が２０ｍΩ〜５０ｍΩの低抵抗値であることを特徴とす
   る請求項１記載のチップ形ヒューズ抵抗器 ３、厚膜ヒューズ抵抗体（４）はパターン巾が５０μｍ
   〜３００μｍで厚みが５μｍ〜３０μｍの矩形状である
   ことを特徴とする請求項１又は２記載のチップ形ヒュー
   ズ抵抗器