JPH0247863A - マイクロ波モノリシック集積回路装置 - Google Patents
マイクロ波モノリシック集積回路装置Info
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- JPH0247863A JPH0247863A JP19942688A JP19942688A JPH0247863A JP H0247863 A JPH0247863 A JP H0247863A JP 19942688 A JP19942688 A JP 19942688A JP 19942688 A JP19942688 A JP 19942688A JP H0247863 A JPH0247863 A JP H0247863A
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- integrated circuit
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体モノリシック集積回路装置に関し、特に
マイクロ波帯で使用される半導体モノリシック集積回路
装置の内部伝送線路の構造に関する。
マイクロ波帯で使用される半導体モノリシック集積回路
装置の内部伝送線路の構造に関する。
従来、マイクロ波帯で使用されるモノリシック集積回路
装置は、例えばシリコン基板を使用したものではその内
部配線用の伝送線路を第３図（ａ）の如く形成する。す
なわち、シリコン基板３上にシリコン酸化膜２等の電気
的絶縁層を設け、その上にアルミまたは金等の金属導体
１からなる帯状の線路を設けているのが通例である。
装置は、例えばシリコン基板を使用したものではその内
部配線用の伝送線路を第３図（ａ）の如く形成する。す
なわち、シリコン基板３上にシリコン酸化膜２等の電気
的絶縁層を設け、その上にアルミまたは金等の金属導体
１からなる帯状の線路を設けているのが通例である。
しかしながら、上述した従来の伝送線路では、下層のシ
リコン酸化膜２が誘電体であるなめ、線路とシリコン基
板３とが容量によって高周波的に結合し、シリコン基板
３を介して線路間の不要な結合が生じる。従って、この
従来の伝送線路の構造ではモノリシック集積回路として
の高周波特性が劣化してしまうとか、設計精度が低下し
てしまうと云った問題がおこる。また、モノリシック集
積回路上でインダクタンス素子を形成しようとしても基
板３との間の結合容量が働くので精度の高いインダクタ
ンス素子を形成するのが困難である、なお、上述した基
板３との結合容量が特に問題になる場合には、第３図（
ｂ）に示すように、シリコン酸化膜２を加圧酸化等の手
段で厚膜とすることにより容量を小さくすることが試み
られているが、この試みにも自ずと限界があり、必ずし
も満足のいく結果は得られていない。
リコン酸化膜２が誘電体であるなめ、線路とシリコン基
板３とが容量によって高周波的に結合し、シリコン基板
３を介して線路間の不要な結合が生じる。従って、この
従来の伝送線路の構造ではモノリシック集積回路として
の高周波特性が劣化してしまうとか、設計精度が低下し
てしまうと云った問題がおこる。また、モノリシック集
積回路上でインダクタンス素子を形成しようとしても基
板３との間の結合容量が働くので精度の高いインダクタ
ンス素子を形成するのが困難である、なお、上述した基
板３との結合容量が特に問題になる場合には、第３図（
ｂ）に示すように、シリコン酸化膜２を加圧酸化等の手
段で厚膜とすることにより容量を小さくすることが試み
られているが、この試みにも自ずと限界があり、必ずし
も満足のいく結果は得られていない。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、シリコン基板と伝
送線路との間の結合容量を著しく減少せしめ得たマイク
ロ波モノリシック集積回路装置を提供することである。
送線路との間の結合容量を著しく減少せしめ得たマイク
ロ波モノリシック集積回路装置を提供することである。
本発明によれば、マイクロ波モノリシック集積回路装置
は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成される
マイクロ波伝送回路とを含み、前記マイクロ波伝送回路
は前記シリコン基板との間に空間を形成する絶縁物層上
に前記シリコン基板と離間し且つ対峠して平行に設けら
れる一対の金属導体から形成されることを含んで構成さ
れる。
は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成される
マイクロ波伝送回路とを含み、前記マイクロ波伝送回路
は前記シリコン基板との間に空間を形成する絶縁物層上
に前記シリコン基板と離間し且つ対峠して平行に設けら
れる一対の金属導体から形成されることを含んで構成さ
れる。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すマイクロ波モノリシッ
ク集積回路装置の伝送線路近傍の斜視図である０本実施
例によれば、マイクロ波伝送線路はシリコン・オキサイ
ド層５により分離され始端と終端でショートされる一対
の金属導体層（アルミ）ｌａ、ｌｂとから成り、柱状の
シリコン窒化物層４を介してシリコン基板３上の厚さ約
５０００人の厚い膜厚をもつシリコン酸化膜２上に形成
されるやここで、シリコン・オキサイド層５は厚さ約１
，５μｍ１幅長約３〜４μｍに、また、柱状のシリコン
窒化物層４は厚さ約１μｍ。
ク集積回路装置の伝送線路近傍の斜視図である０本実施
例によれば、マイクロ波伝送線路はシリコン・オキサイ
ド層５により分離され始端と終端でショートされる一対
の金属導体層（アルミ）ｌａ、ｌｂとから成り、柱状の
シリコン窒化物層４を介してシリコン基板３上の厚さ約
５０００人の厚い膜厚をもつシリコン酸化膜２上に形成
されるやここで、シリコン・オキサイド層５は厚さ約１
，５μｍ１幅長約３〜４μｍに、また、柱状のシリコン
窒化物層４は厚さ約１μｍ。
幅長約１μｍにそれぞれ設定され、両者により断面形状
が丁字形の絶縁体層が形成される。本実施例から明らか
なように、本発明集積回路装置の伝送線路は、金属導体
層１ａ、ｌｂをほぼ空気中に浮かせた形となっているの
で、基板３との間の結合容量は極めて小さく、シリコン
酸化膜２上に直接設けた従来構造の約１／８程度に改善
される。
が丁字形の絶縁体層が形成される。本実施例から明らか
なように、本発明集積回路装置の伝送線路は、金属導体
層１ａ、ｌｂをほぼ空気中に浮かせた形となっているの
で、基板３との間の結合容量は極めて小さく、シリコン
酸化膜２上に直接設けた従来構造の約１／８程度に改善
される。
従って、従来線路の如くシリコン基板３を介して不要な
結合を生じ集積回路装置の高周波特性を劣化させること
もなく、或いは精度よくインダクタンス素子を形成する
上に支障を与えることもない。
結合を生じ集積回路装置の高周波特性を劣化させること
もなく、或いは精度よくインダクタンス素子を形成する
上に支障を与えることもない。
第２図は本発明の他の実施例を示すマイクロ波モノリシ
ック集積回路装置の伝送線路近傍の斜視図である。本実
施例によれば・、一対の金属導体層ｌａ、ｌｂとの間に
は比誘電率が２５程度と大きなタンタル・オキサイド層
６がシリコン・オキサイド層５に代わって介在される。
ック集積回路装置の伝送線路近傍の斜視図である。本実
施例によれば・、一対の金属導体層ｌａ、ｌｂとの間に
は比誘電率が２５程度と大きなタンタル・オキサイド層
６がシリコン・オキサイド層５に代わって介在される。
この構造では、一対の金属導体層１ａ、ｌｂとタンタル
・オキサイド層６がマイクロ・ストリップ線路を構成し
ており、シリコン基板３との間に不要な電気的結合を生
じることなく、このマイクロストリック線路を介してモ
ノリシック集積回路装置内における信号伝送を行うこと
が可能となる。
・オキサイド層６がマイクロ・ストリップ線路を構成し
ており、シリコン基板３との間に不要な電気的結合を生
じることなく、このマイクロストリック線路を介してモ
ノリシック集積回路装置内における信号伝送を行うこと
が可能となる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、モノリシ
ック集積回路装置のマイクロ波伝送線路が半導体基板上
に断面が丁字形の絶縁体層を介し空気中に浮かせた構造
に形成されるので、伝送線路と半導体基板との間の結合
容量を著しく低減せしめることができる。したがって異
なる線路間での不要な電気的結合なしに伝送線路又は高
精度なインダクタンス素子を形成することができ、マイ
クロ波モノリシック集積回路の特性向上及び設計精度向
上に顕著なる効果をもならすことが出来る。
ック集積回路装置のマイクロ波伝送線路が半導体基板上
に断面が丁字形の絶縁体層を介し空気中に浮かせた構造
に形成されるので、伝送線路と半導体基板との間の結合
容量を著しく低減せしめることができる。したがって異
なる線路間での不要な電気的結合なしに伝送線路又は高
精度なインダクタンス素子を形成することができ、マイ
クロ波モノリシック集積回路の特性向上及び設計精度向
上に顕著なる効果をもならすことが出来る。
第１図は本発明の一実施例を示すマイクロ波モノリシッ
ク４Ａ積回路装置の伝送線路近傍の斜視図、第２図は本
発明の他の実施例を示すマイクロ波モノリシック集積回
路装置の伝送線路近傍の斜視図、第３図（ａ）および（
ｂ）はそれぞれ従来マイクロ波モノリシック集積回路装
置の伝送線路近傍の斜視図である。 １ａ、１ｂ・・・金属導体層（アルミ）、２川シリコン
酸化膜、３・・・シリコン基板、４・・・シリコン窒化
物層、５・・・シリコン・オキサイド層、６・・・タン
竿 閃 茅 閃 （ａン （Ｉ：）） ！ 回
ク４Ａ積回路装置の伝送線路近傍の斜視図、第２図は本
発明の他の実施例を示すマイクロ波モノリシック集積回
路装置の伝送線路近傍の斜視図、第３図（ａ）および（
ｂ）はそれぞれ従来マイクロ波モノリシック集積回路装
置の伝送線路近傍の斜視図である。 １ａ、１ｂ・・・金属導体層（アルミ）、２川シリコン
酸化膜、３・・・シリコン基板、４・・・シリコン窒化
物層、５・・・シリコン・オキサイド層、６・・・タン
竿 閃 茅 閃 （ａン （Ｉ：）） ！ 回
Claims (1)
- シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成されるマ
イクロ波伝送回路とを含み、前記マイクロ波伝送回路は
前記シリコン基板との間に空間を形成する絶縁物層上に
前記シリコン基板と離間し且つ対峠して平行に設られる
一対の金属導体から形成されることを特徴とするマイク
ロ波モノリシック集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19942688A JPH0247863A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | マイクロ波モノリシック集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19942688A JPH0247863A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | マイクロ波モノリシック集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0247863A true JPH0247863A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16407615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19942688A Pending JPH0247863A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | マイクロ波モノリシック集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247863A (ja) |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP19942688A patent/JPH0247863A/ja active Pending
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