JPH0247986B2 - Harogenchikanjesuteru - Google Patents
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- JPH0247986B2 JPH0247986B2 JP23220882A JP23220882A JPH0247986B2 JP H0247986 B2 JPH0247986 B2 JP H0247986B2 JP 23220882 A JP23220882 A JP 23220882A JP 23220882 A JP23220882 A JP 23220882A JP H0247986 B2 JPH0247986 B2 JP H0247986B2
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
本発明は液晶組成物の成分として有用な、弱い
負の誘電異方性を有する新規な液晶化合物及びそ
れを含有する液晶組成物に関する。 液晶を応用した表示素子は時計、電卓などに広
く使用される様になつて来た。この液晶表示素子
はその液晶表示方式によりTN型(ねじれネマチ
ツク型)、DS型(動乱散乱型)、ゲスト・ホスト
型、DAP型、二周波法型などに分けられ、それ
ぞれの方式によつて使用される液晶の特性は異な
るが、いずれも誘電異方性の絶対値の大きいもの
が要求されてきている。それは誘電異方性の絶対
値の大きな液晶組成物を使用することにより一般
に表示素子の駆動電圧を下げることが出来、又応
答特性をよくすることが出来るからである。しか
し誘電異方性の絶対値が大きくなくても低電圧で
駆動出来る様な液晶があれば表示素子の消費電力
を更に小さくすることが出来、一層好ましいもの
となる。 本発明者はこの様な特性をもつ化合物を広く探
究した結果、ある種の含ハロゲン化合物がその様
な要件を満たすものであることを発見し本発明に
到達した。 即ち本発明は一般式 (上式中Rは炭素数1〜10のアルキル基又はアル
コキシ基を示し、
負の誘電異方性を有する新規な液晶化合物及びそ
れを含有する液晶組成物に関する。 液晶を応用した表示素子は時計、電卓などに広
く使用される様になつて来た。この液晶表示素子
はその液晶表示方式によりTN型(ねじれネマチ
ツク型)、DS型(動乱散乱型)、ゲスト・ホスト
型、DAP型、二周波法型などに分けられ、それ
ぞれの方式によつて使用される液晶の特性は異な
るが、いずれも誘電異方性の絶対値の大きいもの
が要求されてきている。それは誘電異方性の絶対
値の大きな液晶組成物を使用することにより一般
に表示素子の駆動電圧を下げることが出来、又応
答特性をよくすることが出来るからである。しか
し誘電異方性の絶対値が大きくなくても低電圧で
駆動出来る様な液晶があれば表示素子の消費電力
を更に小さくすることが出来、一層好ましいもの
となる。 本発明者はこの様な特性をもつ化合物を広く探
究した結果、ある種の含ハロゲン化合物がその様
な要件を満たすものであることを発見し本発明に
到達した。 即ち本発明は一般式 (上式中Rは炭素数1〜10のアルキル基又はアル
コキシ基を示し、
【式】は
【式】又は
2−クロロ−4−ヒドロキシ安息香酸100gと
2−クロロ−4−フルオロフエノール100gを3
の3つ口フラスコに入れ、撹拌機及び水分定量
器をつける。キシレン1.5を加え、ホウ酸20g、
硫酸10mlを加え還流する。水分定量器に水がもは
や留出しなくなるまでつづける。20時間要した。
放冷後結晶が析出するので別して2−クロロ−
4−ヒドロキシ安息香酸−2−クロロ−4−フル
オロフエニルエステルを得た。融点110〜130℃、
収量45g、収率27%であつた。 次に、この2−クロロ−4−ヒドロキシ安息香
酸−2−クロロ−4−フルオロフエニルエステル
3.0g(0.01モル)をピリジン20mlに溶かし、つ
いでトランス−4−プロピルシクロヘキサンカル
ボン酸クロリド1.9g(0.011モル)加えて反応さ
せる。反応後トルエン50mlを加え一晩放置後、水
100mlに注ぎ込む。トルエン層を分離し、6N−
HClで3回、2N−NaOHで3回抽出した後、ト
ルエン層が完全に中性になるまで水洗してからト
ルエン層を減圧にしてトルエン層を留去すると結
晶が残る。それをエタノールで再結晶して目的の
2−クロロ−4−(トランス−4−プロピルシク
ロヘキサノイルオキシ)安息香酸−2−クロロ−
4−フルオロフエニルエステルを製造した。この
もののC−N点は116.0〜119.4℃、N−I点は
152.0℃、収量1.2g、収率27%であつた。元素分
析、NMRスペクトルによつて目的物であること
を確認した。 実施例 2〜7 実施例1におけるトランス−4−プロピルシク
ロヘキサンカルボン酸クロリドの代りに最終目的
物に対応するカルボン酸クロリド0.011モル使用
した他は全く同様な操作で第1表に示す2−クロ
ロ−4−ヒドロキシ安息香酸−2−クロロ−4−
フルオロフエニルエステルのエステル誘導体を製
造した。これらの物性値などを実施例1の結果と
共に第1表に示す。
2−クロロ−4−フルオロフエノール100gを3
の3つ口フラスコに入れ、撹拌機及び水分定量
器をつける。キシレン1.5を加え、ホウ酸20g、
硫酸10mlを加え還流する。水分定量器に水がもは
や留出しなくなるまでつづける。20時間要した。
放冷後結晶が析出するので別して2−クロロ−
4−ヒドロキシ安息香酸−2−クロロ−4−フル
オロフエニルエステルを得た。融点110〜130℃、
収量45g、収率27%であつた。 次に、この2−クロロ−4−ヒドロキシ安息香
酸−2−クロロ−4−フルオロフエニルエステル
3.0g(0.01モル)をピリジン20mlに溶かし、つ
いでトランス−4−プロピルシクロヘキサンカル
ボン酸クロリド1.9g(0.011モル)加えて反応さ
せる。反応後トルエン50mlを加え一晩放置後、水
100mlに注ぎ込む。トルエン層を分離し、6N−
HClで3回、2N−NaOHで3回抽出した後、ト
ルエン層が完全に中性になるまで水洗してからト
ルエン層を減圧にしてトルエン層を留去すると結
晶が残る。それをエタノールで再結晶して目的の
2−クロロ−4−(トランス−4−プロピルシク
ロヘキサノイルオキシ)安息香酸−2−クロロ−
4−フルオロフエニルエステルを製造した。この
もののC−N点は116.0〜119.4℃、N−I点は
152.0℃、収量1.2g、収率27%であつた。元素分
析、NMRスペクトルによつて目的物であること
を確認した。 実施例 2〜7 実施例1におけるトランス−4−プロピルシク
ロヘキサンカルボン酸クロリドの代りに最終目的
物に対応するカルボン酸クロリド0.011モル使用
した他は全く同様な操作で第1表に示す2−クロ
ロ−4−ヒドロキシ安息香酸−2−クロロ−4−
フルオロフエニルエステルのエステル誘導体を製
造した。これらの物性値などを実施例1の結果と
共に第1表に示す。
【表】
【表】
実施例 8
(使用例)
4−ペンチル−4′−シアノビフエニル 45%
4−ヘプチル−4′−シアノビフエニル 29%
4−オクチルオキシ−4′−シアノビフエニル
15% 4−ペンチル−4″−シアノタ−フエニル 11% なる組成の液晶混合物(A)のN−I点は63.3℃、誘
電異方性は+12.4、粘度は20℃で46cpである。こ
の混合物(A)を、ケイ素でコーテイングしてラビン
グ処理した酸化スズ透明電極を備えた基板を組み
立てた10μm厚のセルに封入して表示素子とし、
25℃で特性を測定したところ、しきい電圧は
1.65V、飽和電圧は2.31Vであつた。この液晶混
合物(A)80部と本発明の実施例1の2−クロロ−4
−(トランス−4−プロピルシクロヘキサノイル
オキシ)安息香酸−2−クロロ−4−フルオロフ
エニルエステル20部との混合物のN−I点は67.6
℃と高くなり、誘電異方性は+10.5、粘度は25℃
で45cpと小さくなつたが、同じく条件で測定し
たしきい電圧は1.65V、飽和電圧は2.30Vとほと
んど変りがなかつた。
15% 4−ペンチル−4″−シアノタ−フエニル 11% なる組成の液晶混合物(A)のN−I点は63.3℃、誘
電異方性は+12.4、粘度は20℃で46cpである。こ
の混合物(A)を、ケイ素でコーテイングしてラビン
グ処理した酸化スズ透明電極を備えた基板を組み
立てた10μm厚のセルに封入して表示素子とし、
25℃で特性を測定したところ、しきい電圧は
1.65V、飽和電圧は2.31Vであつた。この液晶混
合物(A)80部と本発明の実施例1の2−クロロ−4
−(トランス−4−プロピルシクロヘキサノイル
オキシ)安息香酸−2−クロロ−4−フルオロフ
エニルエステル20部との混合物のN−I点は67.6
℃と高くなり、誘電異方性は+10.5、粘度は25℃
で45cpと小さくなつたが、同じく条件で測定し
たしきい電圧は1.65V、飽和電圧は2.30Vとほと
んど変りがなかつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (上式中Rは炭素数1〜10のアルキル基又はアル
コキシ基を示し、【式】は 【式】又は【式】を示す) で表わされる2−クロロ−4−ヒドロキシ安息香
酸−2−クロロ−4−フルオロフエニルエステル
のエステル誘導体。 2 一般式 (上式中Rは炭素数1〜10のアルキル基又はアル
コキシ基を示し、【式】は 【式】又は【式】を示す) で表わされる2−クロロ−4−ヒドロキシ安息香
酸−2−クロロ−4−フルオロフエニルエステル
のエステル誘導体を少くとも一種含有することを
特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23220882A JPH0247986B2 (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | Harogenchikanjesuteru |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23220882A JPH0247986B2 (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | Harogenchikanjesuteru |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59118743A JPS59118743A (ja) | 1984-07-09 |
| JPH0247986B2 true JPH0247986B2 (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=16935676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23220882A Expired - Lifetime JPH0247986B2 (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | Harogenchikanjesuteru |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247986B2 (ja) |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP23220882A patent/JPH0247986B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59118743A (ja) | 1984-07-09 |
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