JPH0248511B2 - - Google Patents
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- JPH0248511B2 JPH0248511B2 JP60142498A JP14249885A JPH0248511B2 JP H0248511 B2 JPH0248511 B2 JP H0248511B2 JP 60142498 A JP60142498 A JP 60142498A JP 14249885 A JP14249885 A JP 14249885A JP H0248511 B2 JPH0248511 B2 JP H0248511B2
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Links
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体拡散炉の構成部材の製造方法に
関する。
関する。
従来の技術
特公昭54−10825号公報は半導体拡散炉の構成
部材を示している。この従来例にあつては、0.1
〜8μの平均粒径を有する微粒と、30〜170μの平
均粒径を有する粗粒からなるSiC粉末の焼結体に
よつて焼結SiCマトリツクスが形成されている。
部材を示している。この従来例にあつては、0.1
〜8μの平均粒径を有する微粒と、30〜170μの平
均粒径を有する粗粒からなるSiC粉末の焼結体に
よつて焼結SiCマトリツクスが形成されている。
発明が解決しようとする問題点
前述の半導体拡散炉の構成部材にあつては、特
に微粒のSiC粉末が0.1〜8μの平均粒径を有するた
め、粉末全体としてみたときSiC粉末の表面積が
非常に大きくなり、その結果として、不純物が混
入しやすい。通常は、粗粒のSiC粉末を粉砕する
のであるが、そのような粉砕工程において不純物
が入りやすいのである。この時、不純物の混入を
避けるためには、特別な処理操作が必要であり、
生産コストを高くする欠点がある。
に微粒のSiC粉末が0.1〜8μの平均粒径を有するた
め、粉末全体としてみたときSiC粉末の表面積が
非常に大きくなり、その結果として、不純物が混
入しやすい。通常は、粗粒のSiC粉末を粉砕する
のであるが、そのような粉砕工程において不純物
が入りやすいのである。この時、不純物の混入を
避けるためには、特別な処理操作が必要であり、
生産コストを高くする欠点がある。
発明の目的
この発明は前述のような従来技術の欠点を解消
して、処理操作が比較的容易で、しかも物理特性
の優れた半導体拡散炉構成部材の製造方法を提供
することを目的としている。
して、処理操作が比較的容易で、しかも物理特性
の優れた半導体拡散炉構成部材の製造方法を提供
することを目的としている。
発明の要旨
この目的を達成するために、この発明は30〜
170μの平均粒径を有するSiC粉末50〜90重量部
と、0.1〜8μの平均粒径を有するＣ粉末３〜15重
量部と、0.1〜8μの平均粒径を有するSi粉末７〜
35重量部とを混合焼成してなる半導体拡散炉の構
成部材の製造方法を要旨としている。
170μの平均粒径を有するSiC粉末50〜90重量部
と、0.1〜8μの平均粒径を有するＣ粉末３〜15重
量部と、0.1〜8μの平均粒径を有するSi粉末７〜
35重量部とを混合焼成してなる半導体拡散炉の構
成部材の製造方法を要旨としている。
問題点を解決するための手段
この発明による半導体拡散炉の構成部材の製造
方法においては、SiC粉末は粗粒のみを使用し、
微粒は使用しない。すなわち、30〜170μの平均
粒径を有するSiC粉末を50〜90重量部使用するの
である。このSiC粉末に0.1〜8μの平均粒径を有す
るＣ粉末３〜15重量部と0.1〜8μの平均粒径を有
するSi粉末７〜35重量部を添加する。
方法においては、SiC粉末は粗粒のみを使用し、
微粒は使用しない。すなわち、30〜170μの平均
粒径を有するSiC粉末を50〜90重量部使用するの
である。このSiC粉末に0.1〜8μの平均粒径を有す
るＣ粉末３〜15重量部と0.1〜8μの平均粒径を有
するSi粉末７〜35重量部を添加する。
Ｃ粉末が３重量部よりも少ないと、SiCの結合
力が小さく、強度が低下する。また、Ｃ粉末が15
重量部よりも大きいと、Siの含浸前に変形をおこ
しやすくなり、強度が低下する。
力が小さく、強度が低下する。また、Ｃ粉末が15
重量部よりも大きいと、Siの含浸前に変形をおこ
しやすくなり、強度が低下する。
Si粉末が７重量部よりも少ないと、SiCの結合
力が弱まり、強度が下がる。また、Si粉末の含有
量が35重量％よりも多いと、Siの含浸が困難とな
り、材質の均一性に欠けやすくなる。
力が弱まり、強度が下がる。また、Si粉末の含有
量が35重量％よりも多いと、Siの含浸が困難とな
り、材質の均一性に欠けやすくなる。
Ｃ粉末とSi粉末の全体量が多すぎると、焼成時
に体積の減少が生じ変形の問題が起る。
に体積の減少が生じ変形の問題が起る。
前述のようなSiC粉末、Ｃ粉末およびSi粉末に
有機バインダーを加えて混練造粒し、ラバープレ
スにより成型してから焼成し、Siを含浸してケイ
化するのが一般的な製造方法である。また、HCl
によりパージをして純化を行なうと、より高品質
のものがえられる。
有機バインダーを加えて混練造粒し、ラバープレ
スにより成型してから焼成し、Siを含浸してケイ
化するのが一般的な製造方法である。また、HCl
によりパージをして純化を行なうと、より高品質
のものがえられる。
実施例
30〜170μの平均粒径を有するSiC粉末70重量部
と、0.1〜8μの平均粒径を有するＣ粉末９重量部
と、0.1〜8μの平均粒径を有するSi粉末21重量部
と、有機バインダーとしてアルコール10重量部を
配合混練し、周知のやり方で造粒する。このよう
な造粒物を乾燥させてからラバープレスにより半
導体炉芯管の形状に成型する。しかるのち1200℃
の温度で焼成し、塩酸ガスと少量の水蒸気とによ
り1000℃の温度でパージを行なつて純化させてか
らSiを1700℃の温度で含浸してケイ化させる。最
後に必要に応じて研磨等の最終仕上げを行なう。
と、0.1〜8μの平均粒径を有するＣ粉末９重量部
と、0.1〜8μの平均粒径を有するSi粉末21重量部
と、有機バインダーとしてアルコール10重量部を
配合混練し、周知のやり方で造粒する。このよう
な造粒物を乾燥させてからラバープレスにより半
導体炉芯管の形状に成型する。しかるのち1200℃
の温度で焼成し、塩酸ガスと少量の水蒸気とによ
り1000℃の温度でパージを行なつて純化させてか
らSiを1700℃の温度で含浸してケイ化させる。最
後に必要に応じて研磨等の最終仕上げを行なう。
以上の方法で製造された半導体拡散炉の構成部
材の物理特性を測定したところ、嵩密度が3.08
で、強度が250MPaであつた。
材の物理特性を測定したところ、嵩密度が3.08
で、強度が250MPaであつた。
発明の効果
SiC粉末は粗粒のみを使用し、従来のように微
粒のものを使用しないので、処理操作が極めて容
易になるばかりでなく、不純物の混入を防ぎやす
くなる。Ｃ粉末とSi粉末は微粒のものを使用する
が、このようなＣ粉末やSi粉末は、SiC粉末に比
較して粉砕が容易であり、製造コストの低減をは
かれるばかりでなく、不純物の混入を効果的に防
止できるのである。
粒のものを使用しないので、処理操作が極めて容
易になるばかりでなく、不純物の混入を防ぎやす
くなる。Ｃ粉末とSi粉末は微粒のものを使用する
が、このようなＣ粉末やSi粉末は、SiC粉末に比
較して粉砕が容易であり、製造コストの低減をは
かれるばかりでなく、不純物の混入を効果的に防
止できるのである。
Claims (1)
- １ 30〜170μの平均粒径を有するSiC粉末50〜90
重量部と、0.1〜8μの平均粒径を有するＣ粉末３
〜15重量部と、0.1〜8μの平均粒径を有するSi粉
末７〜35重量部とを混合焼成してなる半導体拡散
炉の構成部材の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142498A JPS627670A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 半導体拡散炉の構成部材の製造方法 |
| US06/877,918 US4771021A (en) | 1985-07-01 | 1986-06-24 | Semi-conductor diffusion furnace components |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142498A JPS627670A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 半導体拡散炉の構成部材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS627670A JPS627670A (ja) | 1987-01-14 |
| JPH0248511B2 true JPH0248511B2 (ja) | 1990-10-25 |
Family
ID=15316730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60142498A Granted JPS627670A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 半導体拡散炉の構成部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS627670A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0421415U (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-24 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2017217378A1 (ja) * | 2016-06-13 | 2019-01-17 | 帝人株式会社 | 炭化ケイ素の製造方法及び炭化ケイ素複合材料 |
-
1985
- 1985-07-01 JP JP60142498A patent/JPS627670A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0421415U (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS627670A (ja) | 1987-01-14 |
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