JPS627670A - 半導体拡散炉の構成部材の製造方法 - Google Patents
半導体拡散炉の構成部材の製造方法Info
- Publication number
- JPS627670A JPS627670A JP60142498A JP14249885A JPS627670A JP S627670 A JPS627670 A JP S627670A JP 60142498 A JP60142498 A JP 60142498A JP 14249885 A JP14249885 A JP 14249885A JP S627670 A JPS627670 A JP S627670A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- particle size
- average particle
- diffusion furnace
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 2
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産 の １
本発明は半導体拡散炉の構成部材に関する。
支股仄Ｌ１
特公昭５４−１０８２５号公報は半導体拡散炉の構成部
材を示している。この従来例にあっては、０．１〜８μ
の平均粒径を有する微粒と、３０〜１７０μの平均粒径
を有する粗粒からなるＳｉＣ粉末の焼結体によって焼結
ＳｉＣマトリックスが形成されている。
材を示している。この従来例にあっては、０．１〜８μ
の平均粒径を有する微粒と、３０〜１７０μの平均粒径
を有する粗粒からなるＳｉＣ粉末の焼結体によって焼結
ＳｉＣマトリックスが形成されている。
が °しよ とする【 １、
前述の半導体拡散炉の構成部材にあっては、特に微粒の
ＳｉＣ粉末が０，１〜８μの平均粒径を有するため、粉
末全体としてみたときＳｉＣ粉末の表面積が非常に大き
くなり、その結果として、不純物が混入しやすい。通常
は、粗粒のＳｉＣ粉末を粉砕するのであるが、そのよう
な粉砕工程において不純物が入りやすいのである。この
時、不純物の混入を避けるためには、特別な処理操作が
必要であり、生産コストを高くする欠点がある。
ＳｉＣ粉末が０，１〜８μの平均粒径を有するため、粉
末全体としてみたときＳｉＣ粉末の表面積が非常に大き
くなり、その結果として、不純物が混入しやすい。通常
は、粗粒のＳｉＣ粉末を粉砕するのであるが、そのよう
な粉砕工程において不純物が入りやすいのである。この
時、不純物の混入を避けるためには、特別な処理操作が
必要であり、生産コストを高くする欠点がある。
１１Ｌ１乱
この発明は前述のような従来技術の欠点を解消して、処
理操作が比較的容易で、しかも物理特性の優れた半導体
拡散炉構成部材を提供することを目的としている。
理操作が比較的容易で、しかも物理特性の優れた半導体
拡散炉構成部材を提供することを目的としている。
立」Ｌ列ＪＬＬ
この目的を達成するために、この発明は３０〜１７０μ
の平均粒径を有するＳｉＣ粉末５０〜９０重量部と、０
．１〜８μの平均粒径を有するＣ粉末３〜１５型針部と
、０．１〜８μの平均粒径を有するＳｉ粉粉末７〜３童 構成部材を要旨としている。
の平均粒径を有するＳｉＣ粉末５０〜９０重量部と、０
．１〜８μの平均粒径を有するＣ粉末３〜１５型針部と
、０．１〜８μの平均粒径を有するＳｉ粉粉末７〜３童 構成部材を要旨としている。
「」 −を °するための ゛
この発明による半導体拡散炉の構成部材においては、Ｓ
ｉＣ粉末は粗粒のみを使用し、微粒は使用しない。すな
わち、３０〜１７０ｆｔの平均粒径を有するＳｉＣ粉末
を５０〜９０重量部使用するのである。このＳｉＣ粉末
に０．１〜８μの平均粒径を有するＣ粉末３〜１５重量
部と０．１〜８μの平均粒径を有するＳｉｉ末７〜３５
重量部を添加する。
ｉＣ粉末は粗粒のみを使用し、微粒は使用しない。すな
わち、３０〜１７０ｆｔの平均粒径を有するＳｉＣ粉末
を５０〜９０重量部使用するのである。このＳｉＣ粉末
に０．１〜８μの平均粒径を有するＣ粉末３〜１５重量
部と０．１〜８μの平均粒径を有するＳｉｉ末７〜３５
重量部を添加する。
Ｃ粉末が３＠最部よりも少ないと、ＳｉＣの結合力が小
さく、強度が低下する。また、Ｃ粉末が１５槍量部より
も大きいと、Ｓｉの合浸前に変形をおこしやすくなり、
強度が低下する。
さく、強度が低下する。また、Ｃ粉末が１５槍量部より
も大きいと、Ｓｉの合浸前に変形をおこしやすくなり、
強度が低下する。
Ｓｉ粉末が７重量部よりも少ないと、ＳｉＣの結合力が
弱まり、強度が下がる。また、Ｓｉ粉末の含有量が３５
重量％よりも多いと、Ｓｉの含浸が困難となり、材質の
均一性に欠けやすくなる。
弱まり、強度が下がる。また、Ｓｉ粉末の含有量が３５
重量％よりも多いと、Ｓｉの含浸が困難となり、材質の
均一性に欠けやすくなる。
Ｃ粉末とＳｉ粉末の全体量が多すぎると、焼成時に体積
の減少が生じ変形の問題が起る。
の減少が生じ変形の問題が起る。
前述のようなＳｉＣ粉末、Ｃ粉末およびＳ１粉末に有機
バインダーを加えて混練造粒し、ラバープレスにより成
型してから焼成し、Ｓｉを含浸してケイ化するのが一般
的な製造方法である。また、ＨＣＱによりパージをして
純化を行なうと、より高品質のものがえられる。
バインダーを加えて混練造粒し、ラバープレスにより成
型してから焼成し、Ｓｉを含浸してケイ化するのが一般
的な製造方法である。また、ＨＣＱによりパージをして
純化を行なうと、より高品質のものがえられる。
ズ」１１
３０〜１７０μの平均粒径を有するＳｉＣ粉末７０！最
部と、０．１〜８μの平均粒径を右するＣ粉末９重量部
と、０．１〜８μの平均粒径を有するＳｉｉ末２１重量
部と、有機バインダーとしてアルコール１０型ｆｉ部を
配合゛混線し、周知のやり方で造粒する。このような造
粒物を乾燥させてからラバープレスにより半導体炉芯管
の形状に成型する。しかるのち１２００℃の温度で焼成
し、塩酸ガスと少量の水蒸気とにより１０００℃の温度
でパージを行なって純化させてからＳｉを１７００℃の
温度で含浸してケイ化させる。最後に必要に応じて研磨
等の最終仕上げを行なう。
部と、０．１〜８μの平均粒径を右するＣ粉末９重量部
と、０．１〜８μの平均粒径を有するＳｉｉ末２１重量
部と、有機バインダーとしてアルコール１０型ｆｉ部を
配合゛混線し、周知のやり方で造粒する。このような造
粒物を乾燥させてからラバープレスにより半導体炉芯管
の形状に成型する。しかるのち１２００℃の温度で焼成
し、塩酸ガスと少量の水蒸気とにより１０００℃の温度
でパージを行なって純化させてからＳｉを１７００℃の
温度で含浸してケイ化させる。最後に必要に応じて研磨
等の最終仕上げを行なう。
以上の方法で製造された半導体拡散炉の構成部材の物理
特性を測定したところ、嵩密度が３．０８で、強度が２
５０ＭＰａであった。
特性を測定したところ、嵩密度が３．０８で、強度が２
５０ＭＰａであった。
立」ＬΔ力」Ｌ
ＳｉＣ粉末は粗粒のみを使用し、従来のように微粒のも
のを使用しなＣ・）ので、処理操作が極めて容易になる
ばかりでなく、不純物の混入を防ぎやすくなる。Ｃ粉末
とＳｉ粉末は微粒のものを使用するが、このようなＣ粉
末やＳｉ粉末は、ＳｉＣ粉末に比較して粉砕が容易であ
り、製造コストの低減をはかれるばかりでなく、不純物
の混入を効果的に防止できるのである。
のを使用しなＣ・）ので、処理操作が極めて容易になる
ばかりでなく、不純物の混入を防ぎやすくなる。Ｃ粉末
とＳｉ粉末は微粒のものを使用するが、このようなＣ粉
末やＳｉ粉末は、ＳｉＣ粉末に比較して粉砕が容易であ
り、製造コストの低減をはかれるばかりでなく、不純物
の混入を効果的に防止できるのである。
Claims (1)
- ３０〜１７０μの平均粒径を有するＳｉＣ粉末５０〜９
０重量部と、０．１〜８μの平均粒径を有するＣ粉末３
〜１５重量部と、０．１〜８μの平均粒径を有するＳｉ
粉末７〜３５重量部とを混合焼成してなる半導体拡散炉
の構成部材。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142498A JPS627670A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 半導体拡散炉の構成部材の製造方法 |
| US06/877,918 US4771021A (en) | 1985-07-01 | 1986-06-24 | Semi-conductor diffusion furnace components |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142498A JPS627670A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 半導体拡散炉の構成部材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS627670A true JPS627670A (ja) | 1987-01-14 |
| JPH0248511B2 JPH0248511B2 (ja) | 1990-10-25 |
Family
ID=15316730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60142498A Granted JPS627670A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 半導体拡散炉の構成部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS627670A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017217378A1 (ja) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | 帝人株式会社 | 炭化ケイ素の製造方法及び炭化ケイ素複合材料 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0421415U (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-24 |
-
1985
- 1985-07-01 JP JP60142498A patent/JPS627670A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017217378A1 (ja) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | 帝人株式会社 | 炭化ケイ素の製造方法及び炭化ケイ素複合材料 |
| JPWO2017217378A1 (ja) * | 2016-06-13 | 2019-01-17 | 帝人株式会社 | 炭化ケイ素の製造方法及び炭化ケイ素複合材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0248511B2 (ja) | 1990-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101197199B (zh) | 制造烧结活性的u3o8粉末的方法和使用该u3o8粉末生产核燃料芯块的方法 | |
| JPS5939719B2 (ja) | 核燃料体とその製法 | |
| EP2555209B1 (en) | Sintered magnet and method for manufacturing sintered magnet | |
| CN107935576A (zh) | 氮化硅结合莫来石‑碳化硅陶瓷复合材料及其制备方法 | |
| JPS6212666A (ja) | 半導体用炉芯管の製造方法 | |
| WO1996022401A1 (fr) | Alliages de cuivre-tungstene et leur procede de production | |
| EP1705154A1 (en) | Indium oxide powder and method for producing same | |
| JPS627670A (ja) | 半導体拡散炉の構成部材の製造方法 | |
| JPS58180985A (ja) | 核燃料ペレツトおよびその製品の製造方法 | |
| JPS6212667A (ja) | 半導体用部材の製造方法 | |
| TW473523B (en) | Magnetic-abrasive powder composition, and method of producing same | |
| JPS6335452A (ja) | 半導体拡散炉用構成部材の製造方法 | |
| JPS6212668A (ja) | 半導体拡散炉の構成部材 | |
| JPS60131866A (ja) | サイアロン粒および粉の調製方法ならびに組成物 | |
| JPS62207703A (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
| JPH08311509A (ja) | 流動性タングステン／銅複合粉末の製造法 | |
| CN120637077A (zh) | 一种金刚石-铁基磁性复合磨料及其制备方法 | |
| JPS63236757A (ja) | 多結晶セラミツクス製品及びその製造方法 | |
| JPS60141671A (ja) | ジルコニア焼結体の製造方法 | |
| JPH06212291A (ja) | 焼結鉱製造における焼結原料の前処理方法 | |
| JP2544017B2 (ja) | 粉末冶金用銅粉の製造方法 | |
| JPS59123543A (ja) | セラミツクス粉砕用媒体 | |
| JPH0483759A (ja) | 窒化ほう素複合焼結体の製造方法 | |
| JP3073217B2 (ja) | 粉末成形による精密金属部品の製造方法 | |
| JPH0745343B2 (ja) | 立方晶窒化ほう素焼結体およびその製造方法 |