JPS6212667A - 半導体用部材の製造方法 - Google Patents

半導体用部材の製造方法

Info

Publication number
JPS6212667A
JPS6212667A JP60149346A JP14934685A JPS6212667A JP S6212667 A JPS6212667 A JP S6212667A JP 60149346 A JP60149346 A JP 60149346A JP 14934685 A JP14934685 A JP 14934685A JP S6212667 A JPS6212667 A JP S6212667A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
average particle
silicon carbide
carbide powder
powder
particle size
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60149346A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH042538B2 (ja
Inventor
隆 田中
義之 渡部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP60149346A priority Critical patent/JPS6212667A/ja
Publication of JPS6212667A publication Critical patent/JPS6212667A/ja
Priority to US07/225,028 priority patent/US4863657A/en
Publication of JPH042538B2 publication Critical patent/JPH042538B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • C04B35/573—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by reaction sintering or recrystallisation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/14—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/002—Crucibles or containers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 の この発明は半導体用部材の製造方法に関するものである
。
従」り２韮」Ｌ 特公昭５４−１０８２５号公報は半導体拡散炉の構成部
材を示している。この従来例にあっては、０．１〜８μ
の平均粒径を有する微粒と、３０〜１７０μの平均粒径
を有する粗粒とを１：１に混合してなるシリコンカーバ
イド粉末の焼結体によって焼結シリコンカーバイドマト
リックスが形成されている。
、ロノ°　゛　しよへと　る口 前述の半導体拡散炉の構成部材にあっては、２種類のシ
リコンカーバイト粉末すなわら微粒のシリコンカーバイ
ド粉末（０，１〜８μの平均粒径）と粗粒のシリコンカ
ーバイト粉末（３０〜１７０μの平均粒径）とを混合し
て使用しているので、充填にムラが生じやすく、強度の
低下を招きやすい。
１Ｌ悲１江 この発明は前述のような従来技術の欠点を解消して、物
理特性とくに強度を向上できる半導体用部材の製造方法
を提供することを目的としている。
１１飢」１ この目的を達成するために、この発明は、３１１類の粉
末の平均粒径がたがいに１０μ以上離れており、かつ平
均粒ｔｙｏ、ｉμ〜平均粒径１０μの微粒のシリコンカ
ーバイド粉末と、平均粒径１２μ〜平均粒径３０μの中
粒のシリコンカーバイド粉末と、平均粒径４０〜平均粒
径２００μの粗粒のシリコンカーバイド粉末を混合し、
有機結合剤を加えてから混練造粒し、ラバープレスによ
り成形してから焼成し、シリコンを含浸してケイ化する
ことを特徴とする半導体用部材の製造方法を要旨として
いる。
、を　゛　るための この発明にあっては、３種類の粉末（すなわち微粒のシ
リコンカーバイド粉末と中粒のシリコンカーバイト粉末
と粗粒のシリコンカーバイド粉末）を使用する。すなわ
ち、微粒粉末の平均粒径を０．１〜１０μとしている。
また、中粒粉末の平均粒径を１２〜３０μとしている。
粗粒粉末は、平均粒径が４０〜２００μである。しかも
、これらの３種類の粉末の平均粒径がたがいに１０μ以
上ずつ離れている。最適例では、微粒粉末と中粒粉末の
平均粒径の差が１２μで、粗粒粉末と中粒粉末の平均粒
径の差が８５μであり、このとき強度が最大となる。
これらの微粒と中粒と粗粒を約１対１対１の割合で混合
し、有機結合剤を加えて混練造粒し、ラバープレスによ
り成形してから焼成し、シリコン（Ｓｉ　＞を含浸しな
がらケイ化する。必要に応じて塩酸ガスによるパージを
行なう。
文ＡＩＬ 微粒のシリコンカーバイド粉末として平均粒径が３μの
ものを使用し、中粒のシリコンカーバイド粉末として平
均粒径が１５μのものを使用し、粗粒のシリコンカーバ
イド粉末として平均粒径が１００μのものを使用し、こ
れらの３種類のシリコンカーバイドの粉末を約１：１：
１の割合で混合し、それに有機結合剤たとえばフェノー
ルレジンを加える。
必要に応じてポリビニールアルコールやタールピッチを
加えることも出来る。しかる後、これらの混合物を混練
し、造粒する。さらに、かかる造粒物を乾燥させてから
ラバープレスにより所望形状に成形する。必要に応じて
、それらの成形品を加工および／又は接着し、所定の形
状にする。しかる後、約８００℃の温度で焼成し、塩酸
ガスによりパージして純化させてからシリコン（Ｓｉ　
）を含浸してケイ化させる。最後に必要に応じて研磨等
の最終仕上げを行う。そして、たとえば半導体用炉心管
をつくる。
以上の方法により製造された半導体用部材の物性を測定
し、たところ、第１図に示すように高強度のものが得ら
れた。第１図はこの発明（塩酸ガスによるパージ処理を
したもの）と前述の従来例を対比して示している。
１１匹１１ 使用するシリコンカーバイド粉末の粒径が３種類になっ
ていて、組織が良好となり、そのため品質の向上が顕著
となる。
さらに、この発明にあっては３種類の粒径の粉末を使用
するのみでなくラバープレスによって成形するため、製
品の品質が相乗的に良好になる。その結果、高品質にな
るばかりでなく、品質の安定が顕著となる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明により製造された半導体用部材と従来
例の強度を比較して示すグラフである。 第１図 温　　度

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ３種類の粉末の平均粒径がたがいに１０μ以上離れてお
    り、かつ平均粒径０．１μ〜平均粒径１０μの微粒のシ
    リコンカーバイド粉末と、平均粒径１２μ〜平均粒径３
    ０μの中粒のシリコンカーバイド粉末と、平均粒径４０
    〜平均粒径２００μの粗粒のシリコンカーバイド粉末を
    混合し、有機結合剤を加えてから混練造粒し、ラバープ
    レスにより成形してから焼成し、シリコンを含浸してケ
    イ化することを特徴とする半導体用部材の製造方法。
JP60149346A 1985-07-09 1985-07-09 半導体用部材の製造方法 Granted JPS6212667A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60149346A JPS6212667A (ja) 1985-07-09 1985-07-09 半導体用部材の製造方法
US07/225,028 US4863657A (en) 1985-07-09 1988-07-27 Method of making semi-conductor diffusion furnace components

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60149346A JPS6212667A (ja) 1985-07-09 1985-07-09 半導体用部材の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6212667A true JPS6212667A (ja) 1987-01-21
JPH042538B2 JPH042538B2 (ja) 1992-01-20

Family

ID=15473109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60149346A Granted JPS6212667A (ja) 1985-07-09 1985-07-09 半導体用部材の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4863657A (ja)
JP (1) JPS6212667A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63257218A (ja) * 1987-03-30 1988-10-25 ノートン　カンパニー 拡散炉構成要素
WO2001040138A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-07 Ibiden Co., Ltd. Porous silicon carbide sintered compact and silicon carbide metal composite suitable for use in table for wafer polishing machine
WO2011105490A1 (ja) * 2010-02-24 2011-09-01 京セラ株式会社 炭化珪素質焼結体およびこれを用いた摺動部品ならびに防護体

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6180258B1 (en) * 1997-06-04 2001-01-30 Chesapeake Composites Corporation Metal-matrix composites and method for making such composites
DE19736560C2 (de) * 1997-08-22 2002-01-24 Daimler Chrysler Ag Verfahren zur Herstellung eines porösen Körpers, Körper aus SiC, sowie Verwendung des porösen Körpers
US6464843B1 (en) 1998-03-31 2002-10-15 Lam Research Corporation Contamination controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
US6297183B1 (en) 1999-07-28 2001-10-02 Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. Aging resistant porous silicon carbide ceramic igniter
JP4589491B2 (ja) * 1999-08-24 2010-12-01 株式会社ブリヂストン 炭化ケイ素粉末、グリーン体の製造方法、及び炭化ケイ素焼結体の製造方法
US9676631B2 (en) 2014-07-21 2017-06-13 Lori Bracamonte Reaction bonded silicon carbide bodies made from high purity carbonaceous preforms
US9951952B2 (en) * 2014-10-15 2018-04-24 Specialized Component Parts Limited, Inc. Hot surface igniters and methods of making same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5063007A (ja) * 1973-08-20 1975-05-29
JPS56129684A (en) * 1980-05-06 1981-10-09 Toshiba Ceramics Co Silicon carbide molded body

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2907972A (en) * 1957-08-12 1959-10-06 Carborundum Co Process for producing silicon carbide bodies
GB1180918A (en) * 1966-06-10 1970-02-11 Atomic Energy Authority Uk Improvements in or relating to the Manufacture of Dense Bodies of Silicon Carbide.
US3947550A (en) * 1973-08-20 1976-03-30 Ford Motor Company Method of making a silicon carbide article of less than full density
US3951587A (en) * 1974-12-06 1976-04-20 Norton Company Silicon carbide diffusion furnace components
US4233256A (en) * 1978-12-18 1980-11-11 The Carborundum Company Process for injection molding sinterable carbide ceramic materials
US4668452A (en) * 1980-02-26 1987-05-26 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Process for producing silicon carbide heating elements
US4385020A (en) * 1980-03-27 1983-05-24 General Electric Company Method for making shaped silicon-silicon carbide refractories
DE3108266A1 (de) * 1981-03-05 1982-09-16 Kernforschungsanlage Jülich GmbH, 5170 Jülich Verfahren zur herstellung eines poroesen siliziumkarbidkoerpers
US4482512A (en) * 1981-05-29 1984-11-13 Morganite Special Carbons Limited Making silicon carbide bodies
US4510191A (en) * 1982-09-30 1985-04-09 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Casting nozzle
DE3305529A1 (de) * 1983-02-18 1984-08-23 Kernforschungsanlage Jülich GmbH, 5170 Jülich Verfahren zur herstellung poroeser, durchstroembarer formkoerper aus siliziumkarbid
JPS6051655A (ja) * 1983-08-30 1985-03-23 株式会社東芝 セラミックス焼結体の製造方法
JPS60138914A (ja) * 1983-12-26 1985-07-23 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体拡散炉管の製造方法
JPS60138913A (ja) * 1983-12-26 1985-07-23 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体拡散炉管の製造方法
DE3522194A1 (de) * 1985-06-21 1987-01-02 Philips Patentverwaltung Verfahren zur herstellung von glaskoerpern
US4693988A (en) * 1986-07-01 1987-09-15 Kennecott Corporation Single phase silicon carbide refractory

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5063007A (ja) * 1973-08-20 1975-05-29
JPS56129684A (en) * 1980-05-06 1981-10-09 Toshiba Ceramics Co Silicon carbide molded body

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63257218A (ja) * 1987-03-30 1988-10-25 ノートン　カンパニー 拡散炉構成要素
WO2001040138A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-07 Ibiden Co., Ltd. Porous silicon carbide sintered compact and silicon carbide metal composite suitable for use in table for wafer polishing machine
WO2011105490A1 (ja) * 2010-02-24 2011-09-01 京セラ株式会社 炭化珪素質焼結体およびこれを用いた摺動部品ならびに防護体
US9388083B2 (en) 2010-02-24 2016-07-12 Kyocera Corporation Silicon carbide sintered body and sliding component using the same, and protective body

Also Published As

Publication number Publication date
US4863657A (en) 1989-09-05
JPH042538B2 (ja) 1992-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6212666A (ja) 半導体用炉芯管の製造方法
EP1445243B1 (en) Process for producing silicon carbide sinter
JPH042538B2 (ja)
JPS59184771A (ja) 窒化珪素焼結体の製造方法
JPH0310592B2 (ja)
JP2645028B2 (ja) セラミック発熱体の製造方法
JP2001130963A (ja) 等方性高密度炭素材の製造方法
JPH0152853B2 (ja)
JPS60118663A (ja) セラミツク射出成形用脱脂材の作製方法
JPS6071573A (ja) セラミック射出成形用組成物
JPH01122966A (ja) 炭素材の製造方法
JPH0248511B2 (ja)
JPH04238866A (ja) 炭化ケイ素焼結体チューブの製造方法
JPH06287055A (ja) セラミックス焼結体の製造方法
JPH1053453A (ja) 高密度セラミックスの製造方法
JPS60151271A (ja) セラミツク製品の製造方法
JPS6054984A (ja) 炭化珪素焼結体の製造方法
JPS6183005A (ja) 射出成形用セラミツク原料の混合方法
JP2000002779A (ja) 粒子分散型セラミックスの製造方法
JPS63303882A (ja) 高強度ＳｉＣ焼結体の製造方法
JPS5891057A (ja) 非酸化物系セラミツクス焼結体
JPS59232969A (ja) ＳｉＣ焼結体の製造方法
JP2001030241A (ja) 炭素質粉末成形材料の製造法および炭素質粉末成形品の製造法ならびに炭素質粉末成形品
JPH0283263A (ja) 窒化けい素質焼結体の製造方法
JPS59232906A (ja) 気体不透過性炭素質材の製造方法