JPH0248667A - レジストの現像方法,現像装置およびベーク炉 - Google Patents

レジストの現像方法,現像装置およびベーク炉

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Publication number
JPH0248667A
JPH0248667A JP63199001A JP19900188A JPH0248667A JP H0248667 A JPH0248667 A JP H0248667A JP 63199001 A JP63199001 A JP 63199001A JP 19900188 A JP19900188 A JP 19900188A JP H0248667 A JPH0248667 A JP H0248667A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
developing
baking
wafer
baking furnace
Prior art date
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Pending
Application number
JP63199001A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuro Ogino
哲朗 荻野
Hiroshi Yanagisawa
柳沢 寛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Filing date
Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP63199001A priority Critical patent/JPH0248667A/ja
Publication of JPH0248667A publication Critical patent/JPH0248667A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レジストの現像に係り、特に、半導体装置に
おいてレジスト残り、スカム等のないパターニングを実
現するのに好適な現像方法および現像装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の現像方法およびそのための装置は、日経マグロウ
社、rMO5LSI  I2造技術JP51(1985
年出版)において論じられている。これによると次の如
き方法が取られている。即ち、ウェーハのホトレジスト
塗布、ベークあるいは現像などの処理を連続・自動制御
する装置が1975年頃から広く使われるようになった
。前記のように欠陥低減、処理条件安定化が強く要求さ
れるリングラフィ工程で他の工程に先がけて自動装置が
開発された。カセットに収納されたウェーハはセンダー
から1枚ずつベルト搬送機構により送出され、前洗浄用
スクラバー、脱水用高温オーブンで処理された後クーリ
ング・プレートで常温まで冷却される。次にレジスト塗
布、ベークの後レシーバでカセットに収納される。次に
ウェーハは露光装置で処理された後、現像、ベーク処理
を経てレシーバに収納される。この間の処理条件はすべ
てマイクロコンピュータによって制御している。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来の自動現像装置は、露光終了したウェハを、セ
ンダー工程、現像工程、ベーク工程、冷却工程、センダ
ー工程というシーケンスで現像を行うものである。この
装置では、レジストの現像された下地加工層表面に、薄
膜状のレジスト残りや、スカム残りが生じ、レジストパ
ターンをマスクとして下地加工層のエツチングを行うと
、エツチングムラ、パターン歪み等が発生するという問
題がある。この問題はレジスト材料を高解像度化すると
益々顕著に見出されるようになっている。
本発明の目的は、上記レジスト残りの発生を消滅させる
ことにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、現像工程後のベーク工程においてその雰囲
気を0.′B囲気にすることにより達成できる。0.雰
囲気の03濃度は5%以上であることが好ましい。
また、装置としてはベーク炉に03供給手段を設けるこ
とにより上記目的を達成できる。この時。
ベーク炉への03の供給は、例えば03発生器番こ0、
を圧力2kg/cm’程度送り込み、直流放電方式によ
り03を発生させ毎分5Q程度以上供給する方法により
行うことができる。
〔作用〕
現像した後のポストベークと同時に、0.の作用によっ
て薄膜状のレジスト残り、スカム残りを除去することが
できる。それによって、従来の現像装置では、実現でき
なかったレジスト残りの除去が可能となった。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図、第2図により説明す
る。第1図は、自動現像装置構成図、第2図は、03雰
囲気ベーク炉の構造図である。装置の構成は、半導体ウ
ェハを挿入するセンダ一部1と、感光済ウェハを現像す
る現像器2と、03雰囲気ベーク炉3と、冷却用プレー
ト4と、ウニハラ取出すレシーバ部5の5つのユニット
から成り立つ。
各ユニット間のウェハ運搬には、ベルl−1112送機
構が設けられている。本装置の動作は全て、マイクロプ
ロセッサを用いたシステム制御ボードがつかさどり、C
RT、キーボード6等のインターフェースの操作により
、現像条件、ベーク条件を各自プログラミングし、実行
させる方式を採用している。各ユニットには、光感知式
センサがinされており、搬送されたウェハの位置を把
握する仕組みとなっている。現像器2はタンク内の現像
液が圧縮空気又は圧縮窒素により吐出しノズルを経てウ
ェハ上へ滴下される構造となっている。○。
雰囲気ベーク炉3は、第2図に示す通り、密閉された部
屋であり、ベークを行うホットプレート7と、o1発生
装置8が設定されている。02をO1発生装置8に強制
的に2kg/cm”の圧力で供給し、供給された02を
利用し、直流放電方式によって0.9を生成し、0,9
は次々と排出され、ベーク炉へ5R/winの流量で供
給される仕組みとなっている。ベーク炉内は、常に0,
9で一定に満たされており、余分な0,9は排気ダクト
10へ排気される。
ベーク炉3と、冷却用プレート4は、プレートとウェハ
との密着性を持たせる為、プレートに設けられた直径1
m■程度の穴より、処理中のみ真空排気する。
センダ一部およびレシーバ一部1,5には、20枚ロー
ドアンロードできるカセットが装着でき、1枚搬送又は
搬入されるごとに、ロード部では1枚分降下し、アンロ
ード部では1枚分上昇するステップ動作を行う。
以下、第1図、第2図を用い、動作例を説明する。ウェ
ハの現像条件、ベーク条件を、制御系インターフェース
部のキーボードよりインプットし、各ユニットでのウェ
ハ処理条件を登録する。感光の終了したウェハはカセッ
トに収納されロート部のセンダー1より1枚ずつベルト
搬送により送出させ、現像器2に挿入される。ウェハは
現像されたのち、ベルト搬送により、0.雰囲気ベーク
炉3に挿入される。現像終了済のウェハはポス1−ベー
クされるとともに、雰囲気の○、により、レジスト残り
、スカムが除去される。ベークの終了したウェハは、ベ
ルト搬送により、冷却プレート4へ送出され、室温まで
冷却されたのち、アンロード部のセンダー5へ搬出され
る。
本実施例によれば、従来の自動現像システムに、○、雰
囲気中でのベークという機能を持たせた事により、従来
の現像工程では、実現できなかったレジスト残り、スカ
ムの除去をポストベークを行うと同時に実現できる効果
をもつ。
この装置は、光、EB、イオンビーム、xi。
エキシマレーザ等のレジストを用いる全てのリソグラフ
ィー手段に利用できる。
又、レジスト塗布、感光の自動装置と組み合わせれば、
レジストプロセス全てをカバーする一貫処理リソグラフ
ィシステムとしても応用できる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、Olを利用して、薄膜状のレジスト残
りを除去することができるので、下地加工のプロセスマ
ージンの向上、工程の簡略化等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の現像装置の全体図、第2図
は本発明で特徴となる01雰囲気ベーク炉の構成図であ
る。 1・・・センダー(ローダ−)、2・・・現像器、3・
・・0.雰囲気ベーク炉、4・・・冷却プレート、5・
・・センダー(アンローダ−)、6・・・CRT、キー
ボード、7・・・ホットプレート、8・・・O1発生器
、9・・・○□、10・・・排気ダクト。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、レジストの現像後、O_3雰囲気中でポストベーク
    することにより、レジスト残りを除去することを特徴と
    したレジストの現像方法。 2、ウェハ挿入部、現像部、ポストベーク部およびウェ
    ハ取出部を連結してなるレジストの現像装置において、
    上記ポストベーク炉はO_3供給手段を有することを特
    徴としたレジストの現像装置。 3、O_3供給手段を有することを特徴としたベーク炉
JP63199001A 1988-08-11 1988-08-11 レジストの現像方法,現像装置およびベーク炉 Pending JPH0248667A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5953842A (ja) * 1982-09-22 1984-03-28 Seiko Epson Corp 写真処理法
JPS6236826A (ja) * 1985-08-09 1987-02-17 Tokyo Electron Ltd アツシング方法
JPS6352411A (ja) * 1986-08-22 1988-03-05 Hitachi Ltd 処理方法および装置

Patent Citations (3)

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