JPH0249013B2 - - Google Patents
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- JPH0249013B2 JPH0249013B2 JP56156494A JP15649481A JPH0249013B2 JP H0249013 B2 JPH0249013 B2 JP H0249013B2 JP 56156494 A JP56156494 A JP 56156494A JP 15649481 A JP15649481 A JP 15649481A JP H0249013 B2 JPH0249013 B2 JP H0249013B2
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- JP
- Japan
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- gold
- gold paste
- paste layer
- adhesive
- layer
- Prior art date
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/011—Apparatus therefor
- H10W72/0113—Apparatus for manufacturing die-attach connectors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
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- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/351—Materials of die-attach connectors
- H10W72/352—Materials of die-attach connectors comprising metals or metalloids, e.g. solders
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- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体パツケージの製造方法に関する
ものであり、更に詳しくはセラミツクパツケージ
の基板の凹部に金膜を形成する方法において、金
膜の厚さを均一にし、容易に大量生産し得る方法
を提供せんとするものである。
ものであり、更に詳しくはセラミツクパツケージ
の基板の凹部に金膜を形成する方法において、金
膜の厚さを均一にし、容易に大量生産し得る方法
を提供せんとするものである。
従来、半導体素子を搭載する半導体パツケージ
としては、セラミツク基板に凹部を設け該凹部の
底面に金膜を形成したものがある。この金膜の形
成方法としてはスクリーン印刷によつて金ペー
スト層を凹部底面に形成し、焼成する方法。滴
下によつて金ペースト層を形成する方法があつ
た。しかしながらの方法では、凹部への直接印
刷が困難なため金ペースト層の膜厚が不均一にな
り易い。これは凹部が深くなる程顕著である。又
の方法では凹部の側面にも金ペーストが付着し
易く、搭載後の半導体素子の回路に悪影響を与え
ることが少なくない。又滴下量が一定になりにく
いため膜厚が不均一になる等の欠点があつた。
としては、セラミツク基板に凹部を設け該凹部の
底面に金膜を形成したものがある。この金膜の形
成方法としてはスクリーン印刷によつて金ペー
スト層を凹部底面に形成し、焼成する方法。滴
下によつて金ペースト層を形成する方法があつ
た。しかしながらの方法では、凹部への直接印
刷が困難なため金ペースト層の膜厚が不均一にな
り易い。これは凹部が深くなる程顕著である。又
の方法では凹部の側面にも金ペーストが付着し
易く、搭載後の半導体素子の回路に悪影響を与え
ることが少なくない。又滴下量が一定になりにく
いため膜厚が不均一になる等の欠点があつた。
本発明者らは以上のような従来法の諸欠点に鑑
みて種々研究考察した結果、本発明を完成するに
至つたものである。即ち本発明は、離型性を有す
る基体シート１上に接着性を有する金ペースト層
２を設けてなる転写材を用いて、セラミツク基板
３上に設けられた凹部４の底面に金ペースト層２
を形成した後、焼成して金皮膜５を形成すること
を特徴とする半導体パツケージの製造方法であ
る。
みて種々研究考察した結果、本発明を完成するに
至つたものである。即ち本発明は、離型性を有す
る基体シート１上に接着性を有する金ペースト層
２を設けてなる転写材を用いて、セラミツク基板
３上に設けられた凹部４の底面に金ペースト層２
を形成した後、焼成して金皮膜５を形成すること
を特徴とする半導体パツケージの製造方法であ
る。
以下、本発明について更に詳しく説明する。
まず、本発明において用いる転写材について説
明する（第１図参照）。転写材は離型性を有する
基体シート１および接着性を有する金ペースト層
２より構成される。離型性を有する基体シート１
としては例えばポリエチレンテレフタレート等の
フイルムを使用する。必要に応じて該フイルムに
メラミン樹脂を用いて離型処理を施したり、フイ
ルム上にワツクスよりなる離型層或いはアクリル
樹脂よりなる剥離層を設けてもよい。
明する（第１図参照）。転写材は離型性を有する
基体シート１および接着性を有する金ペースト層
２より構成される。離型性を有する基体シート１
としては例えばポリエチレンテレフタレート等の
フイルムを使用する。必要に応じて該フイルムに
メラミン樹脂を用いて離型処理を施したり、フイ
ルム上にワツクスよりなる離型層或いはアクリル
樹脂よりなる剥離層を設けてもよい。
接着性を有する金ペースト層２は、金ペースト
及び接着剤を含む混合物により構成されるか又は
金ペーストを主成分とする層及び接着剤層が積層
されて構成される。使用する金ペーストは例えば
金粉末20〜90重量％、ガラス分及び無機物0.2〜
20重量％、残部は有機物でペースト状又は液状に
したものを用いる。金ペースト層の作製に際して
は、スクリーン印刷、グラビア印刷等の印刷手段
にて離型性を有する基体シート１上の形成する。
尚、接着剤としては感熱性接着剤を用いるのが好
ましい。
及び接着剤を含む混合物により構成されるか又は
金ペーストを主成分とする層及び接着剤層が積層
されて構成される。使用する金ペーストは例えば
金粉末20〜90重量％、ガラス分及び無機物0.2〜
20重量％、残部は有機物でペースト状又は液状に
したものを用いる。金ペースト層の作製に際して
は、スクリーン印刷、グラビア印刷等の印刷手段
にて離型性を有する基体シート１上の形成する。
尚、接着剤としては感熱性接着剤を用いるのが好
ましい。
以上のような転写材を用いて金ペースト層２を
セラミツク基板３上に設けられた凹部４の底面に
転写する（第２図参照）。転写は前記転写材を金
ペースト層２が凹部４に位置するように載置し、
しかる後、例えばゴム製の加圧体８を加熱したも
のを用いて加熱加圧し、金ペースト層２のみを凹
部４の底面に転写せしめる。このときの加熱は
160〜180℃の温度が好ましい。
セラミツク基板３上に設けられた凹部４の底面に
転写する（第２図参照）。転写は前記転写材を金
ペースト層２が凹部４に位置するように載置し、
しかる後、例えばゴム製の加圧体８を加熱したも
のを用いて加熱加圧し、金ペースト層２のみを凹
部４の底面に転写せしめる。このときの加熱は
160〜180℃の温度が好ましい。
金ペースト層２を転写した後、焼成して金膜５
を形成する。焼成は800〜900℃で行う。
を形成する。焼成は800〜900℃で行う。
本発明は以上のような半導体パツケージの製造
方法であるから、均一な厚さの金膜を凹部の底面
に対して一定した位置に形定することができる。
又、凹部の底面積に対してほぼ同じ面積の金皮膜
を形成でき、しかも凹部側面に金ペーストが付着
することもなく品質の優れた製品を得ることがで
きる。更に転写工程も簡単な手段によつてできる
ものであり、又転写材が所謂ウエツトな材料では
ないから品質管理、取扱いが容易であるから大量
生産に適した方法である。
方法であるから、均一な厚さの金膜を凹部の底面
に対して一定した位置に形定することができる。
又、凹部の底面積に対してほぼ同じ面積の金皮膜
を形成でき、しかも凹部側面に金ペーストが付着
することもなく品質の優れた製品を得ることがで
きる。更に転写工程も簡単な手段によつてできる
ものであり、又転写材が所謂ウエツトな材料では
ないから品質管理、取扱いが容易であるから大量
生産に適した方法である。
以下本発明はの実施例について説明する。
実施例 １
ポリエチレンテレフタレートフイルム上にメラ
ミン樹脂を用いて離型層を設け、その上に下記の
組成よりなる金ペースト層をスクリーン印刷にて
形成し、更にその上にポリアミド系樹脂よりなる
接着剤を用いて接着剤層を設けた。
ミン樹脂を用いて離型層を設け、その上に下記の
組成よりなる金ペースト層をスクリーン印刷にて
形成し、更にその上にポリアミド系樹脂よりなる
接着剤を用いて接着剤層を設けた。
金ペースト層のペースト状の配合例を掲げる。
金粉末 60（wt％） 平均粒径2μ
ガラス粉末 ６（wt％）
（70％Pbo、15％B2O3、15％SiO2） ベクヒル 34（wt％） 10％エチルセルロース 90％ブチル・カルビトールアセテート パターン面積 3.2×2.3mm 金ペースト層 10μ（焼成厚み5μ） 上記の転写材を用いてセラミツク基板上の凹部
（3.5×2.5mm）の底面に下記の転写条件で金ペー
スト層を転写した。しかる後、下記の条件で焼成
し凹部底面に均一な厚さの金膜を形成した半導体
パツケージを得た。
（70％Pbo、15％B2O3、15％SiO2） ベクヒル 34（wt％） 10％エチルセルロース 90％ブチル・カルビトールアセテート パターン面積 3.2×2.3mm 金ペースト層 10μ（焼成厚み5μ） 上記の転写材を用いてセラミツク基板上の凹部
（3.5×2.5mm）の底面に下記の転写条件で金ペー
スト層を転写した。しかる後、下記の条件で焼成
し凹部底面に均一な厚さの金膜を形成した半導体
パツケージを得た。
転写条件
転写温度 180℃
転写時間 0.8sec
焼成条件
焼成温度 850℃5min保持
焼成時間 55min
実施例 ２
ポリエチレンテレフタレートフイルム上にワツ
クスよりなる離型層を設け、その上にアクリル系
樹脂よりなる剥離層を設け、更に下記組成の金ペ
ースト層及びアクリル系樹脂よりなる接着剤層を
順次積層した。
クスよりなる離型層を設け、その上にアクリル系
樹脂よりなる剥離層を設け、更に下記組成の金ペ
ースト層及びアクリル系樹脂よりなる接着剤層を
順次積層した。
金ペースト層のペースト状の配合例を掲げた。
金粉末 60（wt％） 平均粒径2μ
ガラス粉末 ６（wt％）
（70％Pbo、15％B2O3、15％SiO2） ベクヒル 34（wt％） 10％エチルセルロース 90％ブチル・カルビトールアセテート パターン面積 3.2×2.3mm 金ペースト層 10μ（焼成厚み5μ） 上記の転写材を用いてセラミツク基板上の凹部
（3.5×2.5mm）の底面に下記の転写条件で金ペー
スト層を転写した。しかる後、下記の条件で焼成
し凹部底面に均一な厚さの金膜を形成した半導体
パツケージを得た。
（70％Pbo、15％B2O3、15％SiO2） ベクヒル 34（wt％） 10％エチルセルロース 90％ブチル・カルビトールアセテート パターン面積 3.2×2.3mm 金ペースト層 10μ（焼成厚み5μ） 上記の転写材を用いてセラミツク基板上の凹部
（3.5×2.5mm）の底面に下記の転写条件で金ペー
スト層を転写した。しかる後、下記の条件で焼成
し凹部底面に均一な厚さの金膜を形成した半導体
パツケージを得た。
転写条件
転写温度 180℃
転写時間 0.8sec
焼成条件
焼成温度 850℃5min保持
焼成時間 55min
第１図は本発明において使用する転写材の部分
拡大断面図、第２図は本発明における転写工程を
示す拡大断面図、第３図は本発明にかかる製造方
法によつて得られた半導体パツケージの一実施例
の拡大断面図を各々示す。 図中、１……離型性を有する基体シート、２…
…接着性を有する金ペースト層、３……セラミツ
ク基板、４……凹部、５……金膜、８……加圧
体。
拡大断面図、第２図は本発明における転写工程を
示す拡大断面図、第３図は本発明にかかる製造方
法によつて得られた半導体パツケージの一実施例
の拡大断面図を各々示す。 図中、１……離型性を有する基体シート、２…
…接着性を有する金ペースト層、３……セラミツ
ク基板、４……凹部、５……金膜、８……加圧
体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 離型性を有する基体シート上に接着性を有す
る金ペースト層を設けてなる転写材を用いて、セ
ラミツク基板上に設けられた凹部の底面に金ペー
スト層を形成した後、焼成して金膜を形成するこ
とを特徴とする半導体パツケージの製造方法。 ２ 接着性を有する金ペースト層が金ペースト及
び接着剤を含む混合物により構成されたものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体パツケージの製造方法。 ３ 接着性を有する金ペースト層が金ペーストを
主成分とする層及び接着剤層が積層したものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体パツケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56156494A JPS5857730A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体パツケ−ジの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56156494A JPS5857730A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体パツケ−ジの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857730A JPS5857730A (ja) | 1983-04-06 |
| JPH0249013B2 true JPH0249013B2 (ja) | 1990-10-26 |
Family
ID=15628973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56156494A Granted JPS5857730A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体パツケ−ジの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857730A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6063939A (ja) * | 1983-05-20 | 1985-04-12 | Tomoegawa Paper Co Ltd | セラミツク封止基板に半導体固定用被膜を形成する方法 |
| CA1222071A (en) * | 1984-01-30 | 1987-05-19 | Joseph A. Aurichio | Conductive die attach tape |
| US4959008A (en) * | 1984-04-30 | 1990-09-25 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Pre-patterned circuit board device-attach adhesive transfer system |
| KR100333452B1 (ko) | 1994-12-26 | 2002-04-18 | 이사오 우치가사키 | 필름 형상의 유기 다이본딩재 및 이를 이용한 반도체 장치 |
| US6717242B2 (en) | 1995-07-06 | 2004-04-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
| TW310481B (ja) | 1995-07-06 | 1997-07-11 | Hitachi Chemical Co Ltd |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5846388B2 (ja) * | 1978-04-19 | 1983-10-15 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半田供給方法 |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56156494A patent/JPS5857730A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5857730A (ja) | 1983-04-06 |
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