JPH0249403A - バリスタ - Google Patents
バリスタInfo
- Publication number
- JPH0249403A JPH0249403A JP63201416A JP20141688A JPH0249403A JP H0249403 A JPH0249403 A JP H0249403A JP 63201416 A JP63201416 A JP 63201416A JP 20141688 A JP20141688 A JP 20141688A JP H0249403 A JPH0249403 A JP H0249403A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- voltage
- ceramics
- electrode
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 abstract 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 6
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical group 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばサージ吸収素子として用いられるバリ
スタに関し、特に、その電極が改良されたものに関する
。
スタに関し、特に、その電極が改良されたものに関する
。
(従来の技術)
従来より、電圧非直線特性を示すセラミックスの表面に
電極を形成してなるバリスタや、表面に形成された電極
に加えて内部電極をも有する積層型のバリスタ等、種々
の構造のものが知られている。この種のバリスタの電極
としては、一般に、銀、パラジウムもしくは白金等の貴
金属またはこれらの合金が用いられている。
電極を形成してなるバリスタや、表面に形成された電極
に加えて内部電極をも有する積層型のバリスタ等、種々
の構造のものが知られている。この種のバリスタの電極
としては、一般に、銀、パラジウムもしくは白金等の貴
金属またはこれらの合金が用いられている。
(発明が解決しようとする技術的課題)しかしながら、
上述したような電極材料は貴金属であるため高価であり
、バリスタのコストを高いものとしていた。
上述したような電極材料は貴金属であるため高価であり
、バリスタのコストを高いものとしていた。
また、銀やパラジウムからなる電極を用いた場合には、
電極材料のバリスタ材へのマイグレーシロンが生じ易く
、その結果、耐湿性等が充分でなく、電界を印加した場
合に短絡し易いという問題があった。
電極材料のバリスタ材へのマイグレーシロンが生じ易く
、その結果、耐湿性等が充分でなく、電界を印加した場
合に短絡し易いという問題があった。
ところで、バリスタ電圧は、バリスタ材中の電極間に存
在する粒界の数により決定される。従って、低電圧用途
に用いるバリスタを製作する場合には、この粒界の敗を
低減しなければならない。
在する粒界の数により決定される。従って、低電圧用途
に用いるバリスタを製作する場合には、この粒界の敗を
低減しなければならない。
しかし、粒界数が減少すると、バリスタ材の欠陥の電気
的な特性に与える影響がより大きくなる。
的な特性に与える影響がより大きくなる。
よって、低電圧バリスタの場合には、上記のような電極
のマイグレーシランがより大きな問題となっていた。
のマイグレーシランがより大きな問題となっていた。
例えば、チップ型のバリスタの場合、5〜10■のバリ
スタ電圧を得ようとした場合、厚み方向の粒界数を2〜
4としなければならないが、銀やパラジウムからなる電
極を用いた場合、マイグレーションにより充分な電気的
特性を得ることはできなかった。
スタ電圧を得ようとした場合、厚み方向の粒界数を2〜
4としなければならないが、銀やパラジウムからなる電
極を用いた場合、マイグレーションにより充分な電気的
特性を得ることはできなかった。
もっとも、白金からなる電極を用いた場合には上記のよ
うなマイグレーションは生じ難い、しかしながら、焼結
に際し雰囲気中の酸素のバリスタ材への導入が白金電極
により阻止されるため、並びに焼結前のセラミック材内
に混入されているバインダーの飛散も阻止されるため、
焼結密度が充分なものとならず、安定な特性のバリスタ
を得ることが困難であった。
うなマイグレーションは生じ難い、しかしながら、焼結
に際し雰囲気中の酸素のバリスタ材への導入が白金電極
により阻止されるため、並びに焼結前のセラミック材内
に混入されているバインダーの飛散も阻止されるため、
焼結密度が充分なものとならず、安定な特性のバリスタ
を得ることが困難であった。
よって、本発明の目的は、セラミックス・バリスタ材の
電圧非直線性を有効に活かし得る電極を備えたバリスタ
を提供することにある。
電圧非直線性を有効に活かし得る電極を備えたバリスタ
を提供することにある。
〔技術的課題を解決するための手段]
本発明めバリスタは、電圧非直線特性を有するセラミッ
クスと、このセラミックスの内部または表面に設けられ
ており、低温で超伝導性を示す酸化物セラミックスより
なる電極とを備えることを特徴とするものである。
クスと、このセラミックスの内部または表面に設けられ
ており、低温で超伝導性を示す酸化物セラミックスより
なる電極とを備えることを特徴とするものである。
本発明において用いる「低温で超伝導性を示す酸化物セ
ラミックス」とは、Ln−M−Cu−0系酸化物セラミ
ツクス(LnはY、Yb、Er。
ラミックス」とは、Ln−M−Cu−0系酸化物セラミ
ツクス(LnはY、Yb、Er。
Ho、Dy、Tm、MはBa、Sr、Ca)からなるも
の、より具体的には、 一般式: L n M! CLls O?4(但し、L
nはY、Yb、Er、Ho、DyおよびTmからなる群
から選択したランタニド元素、MはBa、SrおよびC
aからなる群から選択したアルカリ土類金属である。)
または、一般式: (LaM)* Cubs (但し、MはBa、SrまたはCaのアルカリ土類金属
である。)で表される超伝導性酸化物セラミックスを意
味するものである。
の、より具体的には、 一般式: L n M! CLls O?4(但し、L
nはY、Yb、Er、Ho、DyおよびTmからなる群
から選択したランタニド元素、MはBa、SrおよびC
aからなる群から選択したアルカリ土類金属である。)
または、一般式: (LaM)* Cubs (但し、MはBa、SrまたはCaのアルカリ土類金属
である。)で表される超伝導性酸化物セラミックスを意
味するものである。
本発明は上記の超伝導性を示す酸化物セラミックスから
なる電極を用いたことに特徴を有し、電圧非直線特性を
有するセラミックスとしては、公知の種々のものを用い
ることができる。また、電圧非直線特性を有するセラミ
ックスは一層構造であってもよく、比抵抗の異なる層を
交互に積層した多層構造からなるものであってもよく、
その物理的な構造は問わない。
なる電極を用いたことに特徴を有し、電圧非直線特性を
有するセラミックスとしては、公知の種々のものを用い
ることができる。また、電圧非直線特性を有するセラミ
ックスは一層構造であってもよく、比抵抗の異なる層を
交互に積層した多層構造からなるものであってもよく、
その物理的な構造は問わない。
上記のような超伝導性酸化物セラミックスは、低温また
は掻低温で超伝導性を示すだけでなく、常温でも10−
3Ω1程度の導電性を示す0本発明者達は、このような
常温における導電性に着目し、バリスタの電極として用
いることの可能性を検討し、実験を繰返すことにより本
発明を成すに至ったものである。
は掻低温で超伝導性を示すだけでなく、常温でも10−
3Ω1程度の導電性を示す0本発明者達は、このような
常温における導電性に着目し、バリスタの電極として用
いることの可能性を検討し、実験を繰返すことにより本
発明を成すに至ったものである。
本発明では、セラミックスの内部または表面に設けられ
た電極が低温で超伝導性を示す酸化物セラミックスによ
り構成されているので、銀やパラジウムからなる従来の
電極の場合のようなマイグレーションを生じない、従っ
て、耐湿性等に優れたバリスタを得ることができる。ま
た、白金電極を用いた従来例ではマイグレーションこそ
生じ難かったが、バリスタ材の焼結密度が充分ではない
ため特性が不安定であつた0本発明では、上記のような
電極を用いたので後述する実施例から明らかなように、
特性の安定なバリスタを実現することが可能である。
た電極が低温で超伝導性を示す酸化物セラミックスによ
り構成されているので、銀やパラジウムからなる従来の
電極の場合のようなマイグレーションを生じない、従っ
て、耐湿性等に優れたバリスタを得ることができる。ま
た、白金電極を用いた従来例ではマイグレーションこそ
生じ難かったが、バリスタ材の焼結密度が充分ではない
ため特性が不安定であつた0本発明では、上記のような
電極を用いたので後述する実施例から明らかなように、
特性の安定なバリスタを実現することが可能である。
すなわち、本発明によれば、電気的な特性の劣化、すな
わちバリスタ電圧や電圧非直線係数αの経時的な劣化を
防止することができ、信幀性に優れたバリスタを実現す
ることが可能となる。
わちバリスタ電圧や電圧非直線係数αの経時的な劣化を
防止することができ、信幀性に優れたバリスタを実現す
ることが可能となる。
以下、本発明の実施例につき説明する。
11医上
ZnOを97.5モル%、B l z Os 、M n
O。
O。
S b* Os 、Crz O@およびCo、O,をそ
れぞれ0. 5モル%となるように調合し、これらを粉
砕し、さらに有機質バインダを加えて混合した後、直径
10閣×肉厚0.5−の円板状に成形した。この成形体
を、空気中にて1250″Cにおいて2時間焼成し、焼
結体を得た。
れぞれ0. 5モル%となるように調合し、これらを粉
砕し、さらに有機質バインダを加えて混合した後、直径
10閣×肉厚0.5−の円板状に成形した。この成形体
を、空気中にて1250″Cにおいて2時間焼成し、焼
結体を得た。
他方、Y、Ba、Cuが、モル比で1:2:3となるよ
うに、Y@ 03 、B a COs 、およびCUO
を混合し、これを950℃で焼結した後粉砕した。粉砕
された粉末にフェスを加え実施例の酸化物セラミックス
・ペーストを得た。
うに、Y@ 03 、B a COs 、およびCUO
を混合し、これを950℃で焼結した後粉砕した。粉砕
された粉末にフェスを加え実施例の酸化物セラミックス
・ペーストを得た。
比較例として、A、粉末にフェスを加えた得た銀ペース
トを用意した。
トを用意した。
上記2種のペーストを焼結体の表面に直径6mの大きさ
に塗布し、600℃の温度で焼付けた。
に塗布し、600℃の温度で焼付けた。
得られたバリスタの特性を下記の第1表に示す。
第1表
*1・・・電圧非直線係数
*2・・・1500Aのサージ印加直後のバリスタ電圧
の変化。
の変化。
*3・・・60℃、相対温度90%において2000時
間放置後のバリスタ電圧の変化。
間放置後のバリスタ電圧の変化。
*4・・・*3と同じ環境の下に4000時間放置後の
バリスタ電圧の変化。
バリスタ電圧の変化。
第1表から明らかなように、銀電極を用いた比較例では
、耐湿性が悪く、バリスタ電圧が経時的に低下する傾向
のあることがわかる。従って、長時間連続使用した場合
、短絡する可能性がある。
、耐湿性が悪く、バリスタ電圧が経時的に低下する傾向
のあることがわかる。従って、長時間連続使用した場合
、短絡する可能性がある。
これに対して、実施例のバリスタでは、バリスタ電圧は
経時的に上昇する傾向があり、従ってより安全に用いる
得ることがわかる。
経時的に上昇する傾向があり、従ってより安全に用いる
得ることがわかる。
なお、実施例のバリスタにおける酸化物セラミックスよ
りなる電極では、はんだは付着しないが、リード端子を
取付ける際には銅等によりメツキ層を形成すればよい、
この場合、メツキ層を形成しても電気的な特性は変化し
ないことが確かめられた。
りなる電極では、はんだは付着しないが、リード端子を
取付ける際には銅等によりメツキ層を形成すればよい、
この場合、メツキ層を形成しても電気的な特性は変化し
ないことが確かめられた。
裏旌班1
Zn095.8モル%、B2O,を1.5モル%、Mn
Oを1.0モル%、Cot’sを0. 5モル%、Pr
aO++を0.2−+−ル%、T10.を1.0モル%
となるように混合し、有機質バインダを加えて、40p
mの厚みに成形した。
Oを1.0モル%、Cot’sを0. 5モル%、Pr
aO++を0.2−+−ル%、T10.を1.0モル%
となるように混合し、有機質バインダを加えて、40p
mの厚みに成形した。
他方、ptおよびAg−Pdを主体とする比較例の電極
ペーストと、実施例1において用いた酸化物のセラミッ
クス・ペーストとを用意し、これをそれぞれ、上記シー
トの表面に印刷し、順次積層し、加圧・圧着した。得ら
れた各積層体を空気中にて900℃の温度で3時間焼成
した後、銀を主体とした外部電極を両端面に焼付けた。
ペーストと、実施例1において用いた酸化物のセラミッ
クス・ペーストとを用意し、これをそれぞれ、上記シー
トの表面に印刷し、順次積層し、加圧・圧着した。得ら
れた各積層体を空気中にて900℃の温度で3時間焼成
した後、銀を主体とした外部電極を両端面に焼付けた。
このようして得られた各バリスタの電気的な特性及び経
時特性を第2表及び第1図に示す。
時特性を第2表及び第1図に示す。
第2表
四ンが生じ短絡が生じているからである。
また、第1図から明らかなように、PtやAg−Pdか
らなる電極を用いたバリスタでは、経時的にバリスタ電
圧が低下する傾向があるのに対して、実施例のバリスタ
では、バリスタ電圧は経時的に上昇する傾向のあること
がわかる。
らなる電極を用いたバリスタでは、経時的にバリスタ電
圧が低下する傾向があるのに対して、実施例のバリスタ
では、バリスタ電圧は経時的に上昇する傾向のあること
がわかる。
第1図は実施例2における実施例と比較例のバリスタ電
圧の経時特性を示す図である。
圧の経時特性を示す図である。
Claims (1)
- 電圧非直線特性を有するセラミックスと、前記セラミッ
クスの内部または表面に設けられており、低温で超伝導
性を示す酸化物セラミックスよりなる電極とを備えるこ
とを特徴とするバリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201416A JPH0249403A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201416A JPH0249403A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | バリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0249403A true JPH0249403A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=16440721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63201416A Pending JPH0249403A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0249403A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006020671A (ja) * | 2004-07-06 | 2006-01-26 | Daiichi Shokai Co Ltd | 遊技機 |
| JP2007029242A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Daiichi Shokai Co Ltd | 遊技機 |
| JP2007167583A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Daiichi Shokai Co Ltd | パチンコ遊技機 |
| JP2008148731A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Taiyo Elec Co Ltd | 遊技機 |
| JP2008212355A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Taiyo Elec Co Ltd | 遊技機 |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP63201416A patent/JPH0249403A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006020671A (ja) * | 2004-07-06 | 2006-01-26 | Daiichi Shokai Co Ltd | 遊技機 |
| JP2007029242A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Daiichi Shokai Co Ltd | 遊技機 |
| JP2007167583A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Daiichi Shokai Co Ltd | パチンコ遊技機 |
| JP2008148731A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Taiyo Elec Co Ltd | 遊技機 |
| JP2008212355A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Taiyo Elec Co Ltd | 遊技機 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001110232A (ja) | 導電性ペーストおよびそれを用いた半導体セラミック電子部品 | |
| JPS63927B2 (ja) | ||
| JPH06302403A (ja) | 積層型半導体セラミック素子 | |
| KR100292265B1 (ko) | 칩타입배리스터및그제조방법 | |
| JPH0142611B2 (ja) | ||
| JP2727626B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2013197447A (ja) | 積層バリスタの製造方法 | |
| JPH11340090A (ja) | 粒界絶縁型積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP2011216877A (ja) | 積層バリスタ及びその製造方法 | |
| JPH0249403A (ja) | バリスタ | |
| EP2450327A1 (en) | Semiconductor ceramic and positive-coefficient thermistor | |
| JPS62122103A (ja) | 積層型チツプバリスタの製造方法 | |
| JP2705221B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH0714702A (ja) | 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器 | |
| JP2707706B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2000100605A (ja) | 積層型半導体セラミック素子 | |
| JP3289354B2 (ja) | 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器 | |
| JPS6092692A (ja) | バリスタを含む複合回路とその製法 | |
| JP2737280B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3158553B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2725357B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2646734B2 (ja) | セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2707707B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3039117B2 (ja) | 積層型粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサ | |
| JP3240689B2 (ja) | 積層型半導体磁器組成物 |