JPH0249713Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0249713Y2 JPH0249713Y2 JP1986142959U JP14295986U JPH0249713Y2 JP H0249713 Y2 JPH0249713 Y2 JP H0249713Y2 JP 1986142959 U JP1986142959 U JP 1986142959U JP 14295986 U JP14295986 U JP 14295986U JP H0249713 Y2 JPH0249713 Y2 JP H0249713Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tape
- metal foil
- intermediate structure
- holes
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は半導体中間構体に関し、詳しくは
TABリード型半導体装置の製造における特性試
験時に使用される中間構体に関するものである。
TABリード型半導体装置の製造における特性試
験時に使用される中間構体に関するものである。
従来の技術
例えば、TAB〔Tape Automated Bonding〕
リード型半導体装置の具体例を第３図及び第４図
を参照しながら説明する。同図に示す半導体装置
１において、２は矩形枠状の絶縁性フイルム、
３，３…は銅箔等に錫メツキ処理等を施して形成
した金属箔リードで、上記フイルム２上に放射状
に配置され、その略中間部分がフイルム２に固着
される。
リード型半導体装置の具体例を第３図及び第４図
を参照しながら説明する。同図に示す半導体装置
１において、２は矩形枠状の絶縁性フイルム、
３，３…は銅箔等に錫メツキ処理等を施して形成
した金属箔リードで、上記フイルム２上に放射状
に配置され、その略中間部分がフイルム２に固着
される。
４は表面周辺部にバンプ電極５，５…が突出形
成された半導体ペレツトで、上記金属箔リード
３，３…の内端部と、上記バンプ電極５，５…と
を熱圧着することにより前記フイルム２に金属箔
リード３，３…を介して支持される。
成された半導体ペレツトで、上記金属箔リード
３，３…の内端部と、上記バンプ電極５，５…と
を熱圧着することにより前記フイルム２に金属箔
リード３，３…を介して支持される。
このTABリード型半導体装置１は、構造上変
形し易いこと、並びに自動組付けの便を考慮し
て、第５図に示すように長尺なテープ内に複数個
が整列状態で製造される。この第５図に示すテー
プ部材６において、７は長尺な絶縁性テープで、
その長手方向に沿つて複数の孔８，８…が定間隔
毎に穿設され、更にこの孔８，８…の周縁部に長
孔９，９…が穿設されたものである。１０は上記
テープ７の全面に銅箔を貼着し、これをエツチン
グにより所定の微細パターンに形成した配線パタ
ーンで、前述の金属箔リード３，３…と、該金属
箔リード３，３…の後端部に設けられた電極パタ
ーン１１，１１…と、この金属箔リード３，３…
の電極パターン１１，１１…から延びるリード引
出し用導電パターン１２，１２…と、テープ７の
孔８，８…間での略中間位置にその短手方向に沿
つて配設され、後述するようにメツキ処理時には
絶縁パンチ孔部分で上記リード引出し用導電パタ
ーン１２，１２…と接続された、例えば５本１組
の給電用導電パターン１３，１３…とからなる。
形し易いこと、並びに自動組付けの便を考慮し
て、第５図に示すように長尺なテープ内に複数個
が整列状態で製造される。この第５図に示すテー
プ部材６において、７は長尺な絶縁性テープで、
その長手方向に沿つて複数の孔８，８…が定間隔
毎に穿設され、更にこの孔８，８…の周縁部に長
孔９，９…が穿設されたものである。１０は上記
テープ７の全面に銅箔を貼着し、これをエツチン
グにより所定の微細パターンに形成した配線パタ
ーンで、前述の金属箔リード３，３…と、該金属
箔リード３，３…の後端部に設けられた電極パタ
ーン１１，１１…と、この金属箔リード３，３…
の電極パターン１１，１１…から延びるリード引
出し用導電パターン１２，１２…と、テープ７の
孔８，８…間での略中間位置にその短手方向に沿
つて配設され、後述するようにメツキ処理時には
絶縁パンチ孔部分で上記リード引出し用導電パタ
ーン１２，１２…と接続された、例えば５本１組
の給電用導電パターン１３，１３…とからなる。
上記TABリード型半導体装置１の製造では、
まず、前述した構造のテープ部材６、即ち、孔
８，８…及び長孔９，９…を定間隔毎に穿設し、
且つ、配線パターン１０を被着形成したテープ部
材６を用意する。そしてこのテープ部材６の金属
箔リード３，３…を錫メツキ処理するために、給
電用導電パターン１３，１３…を利用して電圧を
印加し、このメツキ処理後、金属箔リード３，３
…から延びるリード引出し用導電パターン１２，
１２と、給電用導電パターン１３，１３との接続
部位に絶縁パンチ孔１４，１４…を穿設して金属
箔リード３，３…と給電用導電パターン１３，１
３…とを分離する。そして前記テープ部材６の各
孔８，８…内に半導体ペレツト４，４…を配置
し、金属箔リード３，３…の先端部を上記半導体
ペレツト４，４…のバンプ電極とを熱圧着するこ
とによりテープ部材６に半導体ペレツト４，４…
を支持する。
まず、前述した構造のテープ部材６、即ち、孔
８，８…及び長孔９，９…を定間隔毎に穿設し、
且つ、配線パターン１０を被着形成したテープ部
材６を用意する。そしてこのテープ部材６の金属
箔リード３，３…を錫メツキ処理するために、給
電用導電パターン１３，１３…を利用して電圧を
印加し、このメツキ処理後、金属箔リード３，３
…から延びるリード引出し用導電パターン１２，
１２と、給電用導電パターン１３，１３との接続
部位に絶縁パンチ孔１４，１４…を穿設して金属
箔リード３，３…と給電用導電パターン１３，１
３…とを分離する。そして前記テープ部材６の各
孔８，８…内に半導体ペレツト４，４…を配置
し、金属箔リード３，３…の先端部を上記半導体
ペレツト４，４…のバンプ電極とを熱圧着するこ
とによりテープ部材６に半導体ペレツト４，４…
を支持する。
この半導体ペレツト４，４…を組付けたテープ
部材６は、半導体装置の製造から出荷に到るま
で、ロール状に巻回した状態で管理される。とこ
ろで、通常上記テープ部材６への半導体ペレツト
４，４…の組付け後、半導体装置としての良、不
良を選別するため、高温、高湿の条件下で特性
〔BT〕試験が行われる。この特性試験では、第
６図に示すようにロール状に巻回されたテープ部
材６を引延して切断線ｌ−ｌ〔図中鎖線〕に沿つ
て複数個の半導体装置毎に所定の長さ単位で切断
する。この切断された中間構体ＡをBTボード１
５に位置決めし、図示しないがBTボード１５に
配設された測子を上記中間構体Ａの各電極パター
ン１１，１１…に接触させてこれらを介して試験
電圧を供給する。この中間構体Ａによる特性試験
の結果、不良の半導体装置を有する中間構体Ａに
ついては除去され、良品の半導体装置のみを有す
る中間構体Ａについては、その切断端部同士を耐
熱性の樹脂テープ材等で接続して長尺なテープ部
材を再度作製した上で出荷される。
部材６は、半導体装置の製造から出荷に到るま
で、ロール状に巻回した状態で管理される。とこ
ろで、通常上記テープ部材６への半導体ペレツト
４，４…の組付け後、半導体装置としての良、不
良を選別するため、高温、高湿の条件下で特性
〔BT〕試験が行われる。この特性試験では、第
６図に示すようにロール状に巻回されたテープ部
材６を引延して切断線ｌ−ｌ〔図中鎖線〕に沿つ
て複数個の半導体装置毎に所定の長さ単位で切断
する。この切断された中間構体ＡをBTボード１
５に位置決めし、図示しないがBTボード１５に
配設された測子を上記中間構体Ａの各電極パター
ン１１，１１…に接触させてこれらを介して試験
電圧を供給する。この中間構体Ａによる特性試験
の結果、不良の半導体装置を有する中間構体Ａに
ついては除去され、良品の半導体装置のみを有す
る中間構体Ａについては、その切断端部同士を耐
熱性の樹脂テープ材等で接続して長尺なテープ部
材を再度作製した上で出荷される。
考案が解決しようとする問題点
ところで半導体装置を特性試験するに際して、
前述したように半導体ペレツト４，４…が組付け
られたテープ部材６をBTボード１５に応じて所
定の長さに切断する必要がある。そこで従来で
は、第５図に示すようにテープ部材６の短手方
向、絶縁パンチ孔１４，１４…位置を給電用導電
パターン１３，１３…に沿つて切断線ｌ−ｌで所
定の長さに切断していた。この場合、上記給電用
導電パターン１３，１３…を含む配線パターン１
０が高密度な微細パターンで形成されているた
め、上記給電用導電パターン１３，１３…に沿つ
て切断した場合、給電用導電パターン１３，１３
…の一部がテープ７から剥離してその剥離片が発
生することが多かつた。その結果、上記剥離片が
他の配線パターン１０、即ちリード引出し用導電
パターン１２，１２…や金属箔リード３，３…等
に跨がつて接触し、この状態で特性試験を行つた
場合、不良となる中間構体Ａが多発して歩留まり
が大幅に低下するという問題点があつた。
前述したように半導体ペレツト４，４…が組付け
られたテープ部材６をBTボード１５に応じて所
定の長さに切断する必要がある。そこで従来で
は、第５図に示すようにテープ部材６の短手方
向、絶縁パンチ孔１４，１４…位置を給電用導電
パターン１３，１３…に沿つて切断線ｌ−ｌで所
定の長さに切断していた。この場合、上記給電用
導電パターン１３，１３…を含む配線パターン１
０が高密度な微細パターンで形成されているた
め、上記給電用導電パターン１３，１３…に沿つ
て切断した場合、給電用導電パターン１３，１３
…の一部がテープ７から剥離してその剥離片が発
生することが多かつた。その結果、上記剥離片が
他の配線パターン１０、即ちリード引出し用導電
パターン１２，１２…や金属箔リード３，３…等
に跨がつて接触し、この状態で特性試験を行つた
場合、不良となる中間構体Ａが多発して歩留まり
が大幅に低下するという問題点があつた。
問題点を解決するための手段
本考案は前記問題点に鑑みてなされたもので、
この問題点を解決するための技術的手段は複数の
孔が定間隔毎に穿設された長尺な絶縁性テープ
と、該テープの各孔内に配置された複数の半導体
ペレツトと、上記孔の周縁部に放射状に形成さ
れ、孔内に延びた先端部に熱圧着された多数の金
属箔リードと、テープの孔間の略中央位置にその
短手方向に沿つて形成され、金属箔リードをメツ
キ処理するための給電用導電パターンとからなる
ものにおいて、上記テープの端縁部での切断方向
を給電用導電パターンの形成方向に対して傾斜さ
せたものである。
この問題点を解決するための技術的手段は複数の
孔が定間隔毎に穿設された長尺な絶縁性テープ
と、該テープの各孔内に配置された複数の半導体
ペレツトと、上記孔の周縁部に放射状に形成さ
れ、孔内に延びた先端部に熱圧着された多数の金
属箔リードと、テープの孔間の略中央位置にその
短手方向に沿つて形成され、金属箔リードをメツ
キ処理するための給電用導電パターンとからなる
ものにおいて、上記テープの端縁部での切断方向
を給電用導電パターンの形成方向に対して傾斜さ
せたものである。
作 用
本考案に係る半導体中間構体によれば、その端
部を給電用導電パターンに対して傾斜させて切断
することにより形成したから、上記給電用導電パ
ターンの一部がテープ上から剥離することを抑止
することが実現可能となつて良好な特性試験が得
られる。
部を給電用導電パターンに対して傾斜させて切断
することにより形成したから、上記給電用導電パ
ターンの一部がテープ上から剥離することを抑止
することが実現可能となつて良好な特性試験が得
られる。
実施例
本考案に係る半導体中間構体の実施例を第１図
を参照しながら説明する。尚、第５図と同一部分
には同一参照符号を付してその説明は省略する。
本考案の特徴は、中間構体Ｂにおける切断端縁部
にある。
を参照しながら説明する。尚、第５図と同一部分
には同一参照符号を付してその説明は省略する。
本考案の特徴は、中間構体Ｂにおける切断端縁部
にある。
即ち、TABリード型半導体装置１の製造では、
前述したように孔８，８…及び長孔９，９…が定
間隔毎に穿設され、且つ金属箔リード３，３…、
電極パターン１１，１１…、リード引出し用導電
パターン１２，１２…及び給電用導電パターン１
３，１３…からなる配線パターン１０が形成され
たテープ部材６を用意する。そしてこのテープ部
材６の金属箔リード３，３…を給電用導電パター
ン１３，１３…からの電圧印加で錫メツキ処理
し、その後絶縁パンチ孔１４，１４…を穿設して
金属箔リード３，３…と給電用導電パターン１
３，１３…とを分離し、更に半導体ペレツト４，
４…を組付ける。この半導体ペレツト４，４…が
組付けられたテープ部材６の絶縁パンチ孔１４，
１４…位置を切断線Ｌ−Ｌ〔図示鎖線〕で所定の
長さに切断して中間構体Ｂを作製し、この中間構
体Ｂについて特性試験を実施する。
前述したように孔８，８…及び長孔９，９…が定
間隔毎に穿設され、且つ金属箔リード３，３…、
電極パターン１１，１１…、リード引出し用導電
パターン１２，１２…及び給電用導電パターン１
３，１３…からなる配線パターン１０が形成され
たテープ部材６を用意する。そしてこのテープ部
材６の金属箔リード３，３…を給電用導電パター
ン１３，１３…からの電圧印加で錫メツキ処理
し、その後絶縁パンチ孔１４，１４…を穿設して
金属箔リード３，３…と給電用導電パターン１
３，１３…とを分離し、更に半導体ペレツト４，
４…を組付ける。この半導体ペレツト４，４…が
組付けられたテープ部材６の絶縁パンチ孔１４，
１４…位置を切断線Ｌ−Ｌ〔図示鎖線〕で所定の
長さに切断して中間構体Ｂを作製し、この中間構
体Ｂについて特性試験を実施する。
本考案での中間構体Ｂでは、その端縁部での切
断方向を給電用導電パターン１３，１３…の形成
方向に対して傾斜させる。このように上記テープ
部材６を給電用導電パターン１３，１３…と切断
線Ｌ−Ｌとが斜交するように切断すると、その切
断時、上記給電用導電パターン１３，１３…の一
部が剥離することを抑止できる。尚、上記中間構
体Ｂは、その特性試験が完了して良品と判定され
れば、その切断端縁部同士を耐熱性の樹脂テープ
材等で接続して長尺なテープ部材を再度作製する
ため、前記テープ部材６を切断するに際しては、
樹脂テープ材で接続する範囲、即ち該樹脂テープ
材の幅寸法内で給電用導電パターン１３，１３…
に対して切断線Ｌ−Ｌを傾斜させる必要がある。
断方向を給電用導電パターン１３，１３…の形成
方向に対して傾斜させる。このように上記テープ
部材６を給電用導電パターン１３，１３…と切断
線Ｌ−Ｌとが斜交するように切断すると、その切
断時、上記給電用導電パターン１３，１３…の一
部が剥離することを抑止できる。尚、上記中間構
体Ｂは、その特性試験が完了して良品と判定され
れば、その切断端縁部同士を耐熱性の樹脂テープ
材等で接続して長尺なテープ部材を再度作製する
ため、前記テープ部材６を切断するに際しては、
樹脂テープ材で接続する範囲、即ち該樹脂テープ
材の幅寸法内で給電用導電パターン１３，１３…
に対して切断線Ｌ−Ｌを傾斜させる必要がある。
尚、本考案では中間構体Ｂの端縁部での切断方
向を給電用導電パターンの形成方向に対して傾斜
させればよいため、上記実施例のように直線状の
切断線Ｌ−Ｌでもつて中間構体Ｂの切断端縁部を
形成する以外に、例えば第２図に示すようにジグ
ザグ状の切断線L′−L′でもつて中間構体B′の切断
端縁部を形成するようにしてもよい。
向を給電用導電パターンの形成方向に対して傾斜
させればよいため、上記実施例のように直線状の
切断線Ｌ−Ｌでもつて中間構体Ｂの切断端縁部を
形成する以外に、例えば第２図に示すようにジグ
ザグ状の切断線L′−L′でもつて中間構体B′の切断
端縁部を形成するようにしてもよい。
考案の効果
本考案によればテープの端縁部での切断方向を
給電用導電パターンの形成方向に対して傾斜させ
たから、切断時、給電用導電パターンの一部が剥
離することなく、シヨート不良等の不具合を未然
に防止することができて表質の良い中間構体が得
られ、良好な特性試験が行えて歩留まりも大幅に
向上する。
給電用導電パターンの形成方向に対して傾斜させ
たから、切断時、給電用導電パターンの一部が剥
離することなく、シヨート不良等の不具合を未然
に防止することができて表質の良い中間構体が得
られ、良好な特性試験が行えて歩留まりも大幅に
向上する。
第１図は本考案に係る半導体中間構体の一実施
例を示す平面図、第２図は本考案の他の実施例を
示す平面図である。第３図はTABリード型半導
体装置の構造例を示す平面図、第４図は第３図の
断面図である。第５図は半導体中間構体の従来例
を示す平面図、第６図は第５図のテープ部材から
切断された中間構体を特性試験するBTボードを
示す斜視図である。 ３……金属箔リード、４……半導体ペレツト、
７……絶縁性テープ、８……孔、１３……給電用
導電パターン、Ｂ……半導体中間構体。
例を示す平面図、第２図は本考案の他の実施例を
示す平面図である。第３図はTABリード型半導
体装置の構造例を示す平面図、第４図は第３図の
断面図である。第５図は半導体中間構体の従来例
を示す平面図、第６図は第５図のテープ部材から
切断された中間構体を特性試験するBTボードを
示す斜視図である。 ３……金属箔リード、４……半導体ペレツト、
７……絶縁性テープ、８……孔、１３……給電用
導電パターン、Ｂ……半導体中間構体。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 複数の孔が定間隔毎に穿設された長尺な絶縁性
テープと、該テープの各孔内に配置された複数の
半導体ペレツトと、上記孔の周縁部に放射状に形
成され、孔内に延びた先端部に熱圧着された多数
の金属箔リードと、テープの孔間の略中央位置に
その短手方向に沿つて形成され、金属箔リードを
メツキ処理するための給電用導電パターンとから
なるものにおいて、 上記テープの端縁部での切断方向を給電用導電
パターンの形成方向に対して傾斜させたことを特
徴とする半導体中間構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986142959U JPH0249713Y2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986142959U JPH0249713Y2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6349239U JPS6349239U (ja) | 1988-04-04 |
| JPH0249713Y2 true JPH0249713Y2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=31052191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986142959U Expired JPH0249713Y2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0249713Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088287B2 (ja) * | 1989-08-23 | 1996-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP1986142959U patent/JPH0249713Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6349239U (ja) | 1988-04-04 |
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