JPH0250066B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0250066B2 JPH0250066B2 JP58045600A JP4560083A JPH0250066B2 JP H0250066 B2 JPH0250066 B2 JP H0250066B2 JP 58045600 A JP58045600 A JP 58045600A JP 4560083 A JP4560083 A JP 4560083A JP H0250066 B2 JPH0250066 B2 JP H0250066B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- metal
- amorphous silicon
- bonding
- silicon film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
ａ 産業上の利用分野
本発明は、金属とガラスを、厚さ方向の精度を
精密に維持し、比較的低温で、強力且つ気密に接
合する方法に関する。
精密に維持し、比較的低温で、強力且つ気密に接
合する方法に関する。
ｂ 従来例
金属とガラスを強力且つ気密に接合する方法と
して、ガラスにコパールガラス或いは軟質ガラス
（低融点ガラス）を用い、これ等が溶融し掛つた
状態で接合する方法が知られている。
して、ガラスにコパールガラス或いは軟質ガラス
（低融点ガラス）を用い、これ等が溶融し掛つた
状態で接合する方法が知られている。
この方法は、厚さ寸法精度が余り良くなく、予
め決められた間隙に上記のガラスを充填して接合
する場合には良いが、金属板とガラス板の接合後
の厚さ寸法を精密に得たい場合には使えない。更
にこの方法では接合時に、コパールガラスで800
〜1100℃、軟質ガラスで400〜600℃の温度を必要
とする為、この温度で大気中に酸化したり、溶融
したりする金属は使用出来ない欠点があつた。
め決められた間隙に上記のガラスを充填して接合
する場合には良いが、金属板とガラス板の接合後
の厚さ寸法を精密に得たい場合には使えない。更
にこの方法では接合時に、コパールガラスで800
〜1100℃、軟質ガラスで400〜600℃の温度を必要
とする為、この温度で大気中に酸化したり、溶融
したりする金属は使用出来ない欠点があつた。
この他に接合方法として、陽極接合がある。こ
の方法によれば厚さ方向の寸法の精度は極めて高
く、接合作業時の温度も400℃以下と低い。しか
し乍ら、強力に接合出来る物質が現在迄に知られ
ている範囲でシリコンとガラスに限られ、これ以
外の物質、例えば金属とガラスは接合強度が弱い
欠点があつた。
の方法によれば厚さ方向の寸法の精度は極めて高
く、接合作業時の温度も400℃以下と低い。しか
し乍ら、強力に接合出来る物質が現在迄に知られ
ている範囲でシリコンとガラスに限られ、これ以
外の物質、例えば金属とガラスは接合強度が弱い
欠点があつた。
ｃ 発明の目的
本発明で解決しようとする技術的課題は、金属
とガラスを、厚さ方向の精度を精密に維持し、比
較的低温で、強力且つ気密に接合することであ
る。
とガラスを、厚さ方向の精度を精密に維持し、比
較的低温で、強力且つ気密に接合することであ
る。
ｄ 発明の構成
従来、ステンレス、アルミニウム、銅等の金属
板表面にアモルフアスシリコン膜を形成する技術
が知られているが、この技術によればアモルフア
スシリコン膜を強度に金属板に密着できる。この
点に着目し、本発明では、この技術を用いて金属
表面にアモルフアスシリコン膜を形成し、この膜
を介し上記陽極接合技術を用いてガラスを接合す
るようにしたことにある。
板表面にアモルフアスシリコン膜を形成する技術
が知られているが、この技術によればアモルフア
スシリコン膜を強度に金属板に密着できる。この
点に着目し、本発明では、この技術を用いて金属
表面にアモルフアスシリコン膜を形成し、この膜
を介し上記陽極接合技術を用いてガラスを接合す
るようにしたことにある。
ｅ 実施例
以下図面に従い本発明を説明する。第１図は金
属板１の表面にアモルフアスシリコン膜２を形成
する工程を示す。金属板１には、ステンレス、ア
ルミニウム、銅等多くの金属が利用出来る。アモ
ルフアスシリコン膜２はグロー放電、CVD法等
により金属板１表面に大なる密着強度で形成され
る。このときの温度は150〜300℃と比較的低温で
ある。
属板１の表面にアモルフアスシリコン膜２を形成
する工程を示す。金属板１には、ステンレス、ア
ルミニウム、銅等多くの金属が利用出来る。アモ
ルフアスシリコン膜２はグロー放電、CVD法等
により金属板１表面に大なる密着強度で形成され
る。このときの温度は150〜300℃と比較的低温で
ある。
第２図は、金属板１にその表面に形成されたア
モルフアスシリコン膜２を介しガラス３を接合す
る工程を示す。金属板１表面のアモルフアスシリ
コン膜２上にガラス板３を載せ、接合圧力を加え
た状態で、金属板１とガラス板３との間に電圧を
印加して陽極接合を行う。このときの作業温度は
400℃と比較的低温で強力な接合が行える。上記
第１図に示す工程では、アモルフアスシリコン膜
２の厚さを0.1〜1μｍの精度で制御出来、また、
第２図に示す工程では、接着物がアモルフアスシ
リコン膜２とガラス板３との間に介在せず、接合
による金属板１、ガラス板３等の厚さ変化も無視
出来る程小さい。
モルフアスシリコン膜２を介しガラス３を接合す
る工程を示す。金属板１表面のアモルフアスシリ
コン膜２上にガラス板３を載せ、接合圧力を加え
た状態で、金属板１とガラス板３との間に電圧を
印加して陽極接合を行う。このときの作業温度は
400℃と比較的低温で強力な接合が行える。上記
第１図に示す工程では、アモルフアスシリコン膜
２の厚さを0.1〜1μｍの精度で制御出来、また、
第２図に示す工程では、接着物がアモルフアスシ
リコン膜２とガラス板３との間に介在せず、接合
による金属板１、ガラス板３等の厚さ変化も無視
出来る程小さい。
従つて、接合後の全体の厚さは接合前の材料の
厚さで決められ、アモルフアスシリコン膜２が形
成された金属板１と、ガラス板３との厚さ方向の
精度を精密に維持して接合することが出来る。更
に、比較的低温度で且つ強力な接合が出来る。
厚さで決められ、アモルフアスシリコン膜２が形
成された金属板１と、ガラス板３との厚さ方向の
精度を精密に維持して接合することが出来る。更
に、比較的低温度で且つ強力な接合が出来る。
第３図は金属板１を２枚のガラス板３，３′で
挟んで接合した場合を示す。金属板１の上面、下
面に夫々アモルフアスシリコン膜２，２′を形成
した後、先の場合と同様２枚のガラス板３，３′
を陽極接合によつて接合する。
挟んで接合した場合を示す。金属板１の上面、下
面に夫々アモルフアスシリコン膜２，２′を形成
した後、先の場合と同様２枚のガラス板３，３′
を陽極接合によつて接合する。
第４図はガラス板３を２枚の金属板１，１′で
挟んで接合した場合を示す。金属板１の上面と、
金属板１′の下面にアモルフアスシリコン膜２，
２′を形成し、夫々のアモルフアス膜面が向い合
うよう金属板１，１′でガラス板３を挟んで陽極
接合する。
挟んで接合した場合を示す。金属板１の上面と、
金属板１′の下面にアモルフアスシリコン膜２，
２′を形成し、夫々のアモルフアス膜面が向い合
うよう金属板１，１′でガラス板３を挟んで陽極
接合する。
第５図及び第６図は圧力検出素子に本発明方法
を応用した実施例である。第５図において、４は
エツチング等で断面梯形状の空室が形成された金
属ブロツクで、薄肉部分４ａが圧力を受けるダイ
アフラム部分となる。アモルフアスシリコン膜２
は金属ブロツク４下側の厚肉部周面に形成され、
この部分において、圧力導孔５ａが設けられたガ
ラスブロツク５と陽極接合される。尚、アモルフ
アスシリコン膜２は、金属ブロツク４にエツチン
グが施される前に形成してもよい。
を応用した実施例である。第５図において、４は
エツチング等で断面梯形状の空室が形成された金
属ブロツクで、薄肉部分４ａが圧力を受けるダイ
アフラム部分となる。アモルフアスシリコン膜２
は金属ブロツク４下側の厚肉部周面に形成され、
この部分において、圧力導孔５ａが設けられたガ
ラスブロツク５と陽極接合される。尚、アモルフ
アスシリコン膜２は、金属ブロツク４にエツチン
グが施される前に形成してもよい。
第６図は第５図に示す圧力検出素子に金属管を
接合したものを示す。６は圧力導入孔６ａが設け
られた金属管で、ガラスブロツク５側の端面にア
モルフアスシリコン膜２′が形成され、陽極接合
によりガラスブロツク５下面に接合される。
接合したものを示す。６は圧力導入孔６ａが設け
られた金属管で、ガラスブロツク５側の端面にア
モルフアスシリコン膜２′が形成され、陽極接合
によりガラスブロツク５下面に接合される。
本実施例の場合、金属表面に形成されたアモル
フアスシリコン膜２，２′を介しガラスブロツク
５と金属ブロツク４或は金属管６を強力且つ気密
に接合でき、また、比較的低温で接合できる為金
属同志の溶接の場合に比較してダイヤフラム４ａ
に与える残留応力を小さくすることが出来る。
フアスシリコン膜２，２′を介しガラスブロツク
５と金属ブロツク４或は金属管６を強力且つ気密
に接合でき、また、比較的低温で接合できる為金
属同志の溶接の場合に比較してダイヤフラム４ａ
に与える残留応力を小さくすることが出来る。
ｇ 発明の効果
本発明によれば、金属とガラスを、接合の厚さ
方向精度を精密に維持し、比較的低温で、強力且
つ気密に接合できる。
方向精度を精密に維持し、比較的低温で、強力且
つ気密に接合できる。
第１図は本発明において、金属板表面にアモル
フアスシリコン膜を形成する工程を示す斜視図、
第２図は第１図に示す工程において金属板表面に
形成されたアモルフアスシリコン膜面上にガラス
板を陽極接合により接合する工程を示す斜視図、
第３図及び第４図は本発明の実施例を示す斜視
図、第５図及び第６図は本発明の実施例を示す断
面図である。 １……金属板、２，２′……アモルフアスシリ
コン膜、３……ガラス板、４……金属ブロツク、
５……ガラスブロツク、６金属管。
フアスシリコン膜を形成する工程を示す斜視図、
第２図は第１図に示す工程において金属板表面に
形成されたアモルフアスシリコン膜面上にガラス
板を陽極接合により接合する工程を示す斜視図、
第３図及び第４図は本発明の実施例を示す斜視
図、第５図及び第６図は本発明の実施例を示す断
面図である。 １……金属板、２，２′……アモルフアスシリ
コン膜、３……ガラス板、４……金属ブロツク、
５……ガラスブロツク、６金属管。
Claims (1)
- １ 金属材料にアモルフアスシリコン膜を形成
し、このアモルフアスシリコン膜面にガラスを陽
極接合により接合したことを特徴とする金属とガ
ラスの接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58045600A JPS59174549A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 金属とガラスの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58045600A JPS59174549A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 金属とガラスの接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59174549A JPS59174549A (ja) | 1984-10-03 |
| JPH0250066B2 true JPH0250066B2 (ja) | 1990-11-01 |
Family
ID=12723841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58045600A Granted JPS59174549A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 金属とガラスの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59174549A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2527834B2 (ja) * | 1990-07-20 | 1996-08-28 | 三菱電機株式会社 | 陽極接合法 |
| AU2002307578A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-12-02 | Agency For Science Technology And Research | A method of wafer/substrate bonding |
| JP4695014B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2011-06-08 | ボンドテック株式会社 | 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに接合装置 |
| US7927975B2 (en) | 2009-02-04 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor material manufacture |
| CN110246769B (zh) * | 2019-05-10 | 2020-09-11 | 太原理工大学 | 基于阳离子导电金属与玻璃表面原位金属化共晶键合方法 |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP58045600A patent/JPS59174549A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59174549A (ja) | 1984-10-03 |
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