JPH0250331A - 光カード用スタンパの製造方法 - Google Patents
光カード用スタンパの製造方法Info
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- JPH0250331A JPH0250331A JP63202571A JP20257188A JPH0250331A JP H0250331 A JPH0250331 A JP H0250331A JP 63202571 A JP63202571 A JP 63202571A JP 20257188 A JP20257188 A JP 20257188A JP H0250331 A JPH0250331 A JP H0250331A
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- stamper
- disk
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- optical card
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、光学的書き込み可能な光カードの案内溝及び
プリフォーマットデータパターン形成用スタンパの製造
方法に関する。
プリフォーマットデータパターン形成用スタンパの製造
方法に関する。
〈従来技術〉
光カードは、従来のキャッシュカード、クレジットカー
ド等に用いられる磁気カードに代わり、膨大な記憶容量
を有することから注目されている。
ド等に用いられる磁気カードに代わり、膨大な記憶容量
を有することから注目されている。
特に情報の書き込みが可能であるダイレクト・リード・
アフター・ライト(DRAII)形式の光学的記録方法
について従来より記録原理及び記録材料が多数提案され
てきており、DRAM形式の光カードは記録方法として
光材料をレーザ光の照射より物理的、化学的に変化せし
める、いわゆるヒートモード記録によりリーダーライタ
におけるデジタル信号と対応して記録媒体上に情報をデ
ジタル的に表現するものである。そこで信頼性の高い情
報の記録及び再生を行うためにはレーザビーム光を光記
録膜上に正確に位置制御しなければならない、そのため
レーザビームの走査のための追従目標となる案内溝が光
記録膜面内に安定性良く精密に形成する必要がある。
DIIAW形式の光カードではフォトレジストを塗布し
たガラス盤に案内溝パターンを露光・現像し、パターン
を形成させ、これにNiメツキ等の電鋳工程によりファ
ザー盤を作成し、同様にしてマザー盤を複数作成し、各
マザー盤よりスタンパを作成し、以後このスタンパを型
とし、カード状プラスチック板、例えばポリカーボネー
ト、アクリル、ポリオレフィン、エポキシ樹脂等に案内
溝を形成させる。このスタンパによる成形方法には射出
成形、射出圧縮成形、圧縮成形、キャスト成形、感光性
樹脂法(2P法)等がある。
アフター・ライト(DRAII)形式の光学的記録方法
について従来より記録原理及び記録材料が多数提案され
てきており、DRAM形式の光カードは記録方法として
光材料をレーザ光の照射より物理的、化学的に変化せし
める、いわゆるヒートモード記録によりリーダーライタ
におけるデジタル信号と対応して記録媒体上に情報をデ
ジタル的に表現するものである。そこで信頼性の高い情
報の記録及び再生を行うためにはレーザビーム光を光記
録膜上に正確に位置制御しなければならない、そのため
レーザビームの走査のための追従目標となる案内溝が光
記録膜面内に安定性良く精密に形成する必要がある。
DIIAW形式の光カードではフォトレジストを塗布し
たガラス盤に案内溝パターンを露光・現像し、パターン
を形成させ、これにNiメツキ等の電鋳工程によりファ
ザー盤を作成し、同様にしてマザー盤を複数作成し、各
マザー盤よりスタンパを作成し、以後このスタンパを型
とし、カード状プラスチック板、例えばポリカーボネー
ト、アクリル、ポリオレフィン、エポキシ樹脂等に案内
溝を形成させる。このスタンパによる成形方法には射出
成形、射出圧縮成形、圧縮成形、キャスト成形、感光性
樹脂法(2P法)等がある。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら前述の如くスタンパの製造方法では使用す
る電鋳工程の回数が多く、しかも1回の電鋳に要する時
間は析出させる金属(主にNi)の厚みにもよるが、通
常では例えば0.3閣程度の場合、電流密度2〜lO^
/dポの範囲で3時間から6時間である。また短時間に
行う場合には電流密度をlO〜50^/d rrfと大
き(するので金属の析出むら、剥がれ等を生じやすいた
め、光カード、とりわけスタンパの製造工程における時
間短縮が困難である。また、電鋳工程を減らし、ファザ
ー盤をスタンパとしての使用も考えられるが、原盤から
ファザー盤は1枚しか制作されないため、スタンパとし
て使用中に破損等により交換が必要となった場合、原盤
作製まで戻らなければならない、したがって光カード制
作時間の短縮にはならない。
る電鋳工程の回数が多く、しかも1回の電鋳に要する時
間は析出させる金属(主にNi)の厚みにもよるが、通
常では例えば0.3閣程度の場合、電流密度2〜lO^
/dポの範囲で3時間から6時間である。また短時間に
行う場合には電流密度をlO〜50^/d rrfと大
き(するので金属の析出むら、剥がれ等を生じやすいた
め、光カード、とりわけスタンパの製造工程における時
間短縮が困難である。また、電鋳工程を減らし、ファザ
ー盤をスタンパとしての使用も考えられるが、原盤から
ファザー盤は1枚しか制作されないため、スタンパとし
て使用中に破損等により交換が必要となった場合、原盤
作製まで戻らなければならない、したがって光カード制
作時間の短縮にはならない。
そこで、本発明はスタンパの製造を短時間に多く、かつ
コスト的にも安い、光カード用スタンパの製造方法を提
供することを目的とする。
コスト的にも安い、光カード用スタンパの製造方法を提
供することを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉
上記の目的を達成すべくなされた本発明は光カードの光
記録部に情報の記録域は再生のためのレーザー記録スポ
ットについて正確な位置制御を可能とするための案内溝
及びプリフォーマットデータ等のパターンを形成する光
カード用スタンパの製造方法において、レジストを塗布
した基板上に前記パターンを露光、現像により原盤を形
成し、該原盤のパターン形成面に離型性を与える薄膜を
積層し、これを型として紫外線硬化型樹脂を塗布し、硬
化させ、ファザー盤を形成し、同様にして該ファザー盤
よりマザー盤を形成し、該マザー盤に離型性を与えるy
I膜を積層後、電鋳法によりスタンパを作成するもので
ある。
記録部に情報の記録域は再生のためのレーザー記録スポ
ットについて正確な位置制御を可能とするための案内溝
及びプリフォーマットデータ等のパターンを形成する光
カード用スタンパの製造方法において、レジストを塗布
した基板上に前記パターンを露光、現像により原盤を形
成し、該原盤のパターン形成面に離型性を与える薄膜を
積層し、これを型として紫外線硬化型樹脂を塗布し、硬
化させ、ファザー盤を形成し、同様にして該ファザー盤
よりマザー盤を形成し、該マザー盤に離型性を与えるy
I膜を積層後、電鋳法によりスタンパを作成するもので
ある。
く作用〉
上記の如く、本発明のスタンパの製造方法はファザー盤
、マザー盤の作成に紫外線硬化型樹脂を用いるため、ス
タンパ作成時間の短縮化と、電鋳工程がスタンパ作成時
のみの1回だけとなる。
、マザー盤の作成に紫外線硬化型樹脂を用いるため、ス
タンパ作成時間の短縮化と、電鋳工程がスタンパ作成時
のみの1回だけとなる。
〈実施例〉
本発明におけるスタンパの製造方法は以下の通りである
。
。
く原盤の作成〉
案内溝及びプリフォーマットデータ等のパターンを形成
するための基板としてはガラス、金属、樹脂等が用いら
れ、基板表面は研磨による平滑性の向上と、超音波洗浄
、有機溶剤等による洗浄の前処理を施す。
するための基板としてはガラス、金属、樹脂等が用いら
れ、基板表面は研磨による平滑性の向上と、超音波洗浄
、有機溶剤等による洗浄の前処理を施す。
次に案内溝及びプリフォーマットデータのパターンを形
成するフォトレジストを基板上に塗布する。フォトレジ
ストは露光装置等を含め比較的簡単に取り扱い可能な紫
外線照射型レジストで現像中に露光部が溶は出すポジ型
のものが主に用いられ、AZシリーズ(loechs
を社) 、Micro Po5it シリーズ(S
hipley社) 、0FPIIシリーズ(東京応化
社)、KMPRシリーズ(Kodak社)等があげられ
、また露光部が硬化するネガ型と比較し、解像力の点で
ポジ型を用いることが好ましい、その他、遠紫外線照射
型レジスト、電子線レジスト、X線レジスト等の使用が
可能である。
成するフォトレジストを基板上に塗布する。フォトレジ
ストは露光装置等を含め比較的簡単に取り扱い可能な紫
外線照射型レジストで現像中に露光部が溶は出すポジ型
のものが主に用いられ、AZシリーズ(loechs
を社) 、Micro Po5it シリーズ(S
hipley社) 、0FPIIシリーズ(東京応化
社)、KMPRシリーズ(Kodak社)等があげられ
、また露光部が硬化するネガ型と比較し、解像力の点で
ポジ型を用いることが好ましい、その他、遠紫外線照射
型レジスト、電子線レジスト、X線レジスト等の使用が
可能である。
フォトレジスト塗布方法には、ガラス板上に滴下したフ
ォトレジストを回転による遠心力によって飛散させ、ガ
ラス表面に成膜するスピニング法が好ましく、膜厚のコ
ントロールが容易に行える。
ォトレジストを回転による遠心力によって飛散させ、ガ
ラス表面に成膜するスピニング法が好ましく、膜厚のコ
ントロールが容易に行える。
その他デツピング、ローラコータ法、スプレー法等によ
ってもよい。
ってもよい。
また、基板とフォトレジストとの接着強化のために表面
改質剤による処理を施す、ポジ型レジストであればヘキ
サメチルジシラザン有機クロルシラン等のシランカップ
リング剤が効果的である。
改質剤による処理を施す、ポジ型レジストであればヘキ
サメチルジシラザン有機クロルシラン等のシランカップ
リング剤が効果的である。
次にレジストを塗布した基板をプリベークし、溶剤を除
去し電子線描画装置の使用、或はパターンマスクの露光
により案内溝及びブリフォーマドデータのパターン潜像
を形成する。これを現像し、原盤を作成する。
去し電子線描画装置の使用、或はパターンマスクの露光
により案内溝及びブリフォーマドデータのパターン潜像
を形成する。これを現像し、原盤を作成する。
〈ファザー盤、マザー盤の作製〉
作製された原盤に紫外線硬化樹脂に対し離型性を与える
薄膜をパターン上に積層する。この薄膜には金属薄膜が
適しており金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル等が挙
げられる。金属薄膜には真空蒸着、イオンブレーティン
グ、スパッタリング等があり、銀、銅、ニッケルに関し
ては無電解メツキ法もある。
薄膜をパターン上に積層する。この薄膜には金属薄膜が
適しており金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル等が挙
げられる。金属薄膜には真空蒸着、イオンブレーティン
グ、スパッタリング等があり、銀、銅、ニッケルに関し
ては無電解メツキ法もある。
次に原盤に紫外線硬化樹脂を塗布し、必要に応してシラ
ンカップリング剤により表面処理を施した透明の圧板を
押し当て、紫外光により硬化させファザー盤を得る。同
様にしてファザー盤を型にマザー盤を作製する。
ンカップリング剤により表面処理を施した透明の圧板を
押し当て、紫外光により硬化させファザー盤を得る。同
様にしてファザー盤を型にマザー盤を作製する。
ここで使用する紫外線硬化樹脂は紫外線により重合が可
能な不飽和結合を有する化合物及び反応開始剤等の必要
な各種添加物を含有した化合物である0例えば紫外線に
よる重合可能な不飽和結合を有する化合物は、アクリル
酸、メタクリル酸、エタクリル酸、各種アクリル酸エス
テル(アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、ヒドロキ
シエチルアクリレート、エチレングリコールジアクリレ
ート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、エポキ
シアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステル
アクリレート等)、各種メタクリル酸エステル(メタク
リル酸メチル、メタクリル酸エチル、ヒドロキシエチル
メタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート
、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、エポキ
シメタクリレート、ウレタンメタクリレート、ポリエス
テルメタクリレート等)、スチレン、及びその誘導体(
α−アルキルスチレン、β−ハロゲン化スチレン等)、
アクリレートル、メタクリレートリル、アクリルアミド
、メタクリルアミド、酢酸ビニル等が挙げられ、特に市
販品としては、KAYARAD シリーズ(日本化薬)
、ダイヤビームシリーズ(三菱′イ1ン)・アロニック
スジリーズ(東亜合成化学)、アデカオプトマーKRシ
リーズ(旭電化)、アートレジン(I上工業)等が挙げ
られる。
能な不飽和結合を有する化合物及び反応開始剤等の必要
な各種添加物を含有した化合物である0例えば紫外線に
よる重合可能な不飽和結合を有する化合物は、アクリル
酸、メタクリル酸、エタクリル酸、各種アクリル酸エス
テル(アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、ヒドロキ
シエチルアクリレート、エチレングリコールジアクリレ
ート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、エポキ
シアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステル
アクリレート等)、各種メタクリル酸エステル(メタク
リル酸メチル、メタクリル酸エチル、ヒドロキシエチル
メタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート
、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、エポキ
シメタクリレート、ウレタンメタクリレート、ポリエス
テルメタクリレート等)、スチレン、及びその誘導体(
α−アルキルスチレン、β−ハロゲン化スチレン等)、
アクリレートル、メタクリレートリル、アクリルアミド
、メタクリルアミド、酢酸ビニル等が挙げられ、特に市
販品としては、KAYARAD シリーズ(日本化薬)
、ダイヤビームシリーズ(三菱′イ1ン)・アロニック
スジリーズ(東亜合成化学)、アデカオプトマーKRシ
リーズ(旭電化)、アートレジン(I上工業)等が挙げ
られる。
〈スタンバの作製〉
マザー盤に真空蒸着、イオンブレーティング、スパッタ
リング、無電解メツキ法等によりニッケルI膜を形成し
、スルファミン酸ニッケル浴にょる電鋳法でニッケルス
タンバを作製する。
リング、無電解メツキ法等によりニッケルI膜を形成し
、スルファミン酸ニッケル浴にょる電鋳法でニッケルス
タンバを作製する。
以上得られたスタンバを用い、圧縮成形法等により光カ
ードに対し、案内溝及びプリフォーマットデータのパタ
ーンが形成される。
ードに対し、案内溝及びプリフォーマットデータのパタ
ーンが形成される。
実施例1
以下本発明を実施例に基で説明する。
第1図において、(al〜(C)は原盤作製方法の手順
水したもので、(a)は露光前の原盤であり、ガラス板
lの表面上にはレジストN2が積層されている。
水したもので、(a)は露光前の原盤であり、ガラス板
lの表面上にはレジストN2が積層されている。
ガラス板1はその表面酸化セリウム(Cent)を研磨
材として充分に研磨して平滑性を高め、研磨材を除去し
た後、超音波洗浄、希塩酸、蒸留水による洗浄を行ない
、そして充分に乾燥させた。レジス^Z−1350をス
ピンコータで0.1μm前後の厚みに塗布した。塗布前
にはプライマーF−20を表面上に展開し2000rp
m、20secガラス板をスピンさせて表面改質を行っ
た。レジスト(^Z−1350)塗布条件は、AZ−1
350をAZシンナで固形含有率9%に調製し、200
rpm、 30secにて成膜した。そして、80”C
120sinのブリベータを行った。
材として充分に研磨して平滑性を高め、研磨材を除去し
た後、超音波洗浄、希塩酸、蒸留水による洗浄を行ない
、そして充分に乾燥させた。レジス^Z−1350をス
ピンコータで0.1μm前後の厚みに塗布した。塗布前
にはプライマーF−20を表面上に展開し2000rp
m、20secガラス板をスピンさせて表面改質を行っ
た。レジスト(^Z−1350)塗布条件は、AZ−1
350をAZシンナで固形含有率9%に調製し、200
rpm、 30secにて成膜した。そして、80”C
120sinのブリベータを行った。
クロムマスク3を使い密着型露光装置でレジスト層2に
案内溝のパターンの露光跡を形成させたのが(b)であ
る、(b)を現像液MF2452で40〜60sec現
像して原盤4が得られた(C)。
案内溝のパターンの露光跡を形成させたのが(b)であ
る、(b)を現像液MF2452で40〜60sec現
像して原盤4が得られた(C)。
原盤4に金を厚さ500〜1000に蒸着し、その上に
ベンゾフェノンを2〜3%含有した紫外線硬化樹脂(K
AYARAD TC−1205) Tを10〜20g塗
布し、ソノ上にプライマーF−20で表面処理したガラ
ス板5を押し付けた(口)、そして4KHの高圧水銀ラ
ンプからの紫外光で硬化させ、ファザー盤6を作製する
(e)。
ベンゾフェノンを2〜3%含有した紫外線硬化樹脂(K
AYARAD TC−1205) Tを10〜20g塗
布し、ソノ上にプライマーF−20で表面処理したガラ
ス板5を押し付けた(口)、そして4KHの高圧水銀ラ
ンプからの紫外光で硬化させ、ファザー盤6を作製する
(e)。
同様にファザー盤6に金を厚さ500〜1000に蒸着
し、その上にベンゾフェノンを2〜3%含有した紫外線
硬化樹脂(KAYARAD TC−1205) Tを1
0〜20g塗布し、その上にプライマーF−20で表面
を処理したガラス板5を押し付けた(f)、そして4H
の高圧水銀ランプからの紫外光で硬化させ、マザー盤7
を作製する(2)。
し、その上にベンゾフェノンを2〜3%含有した紫外線
硬化樹脂(KAYARAD TC−1205) Tを1
0〜20g塗布し、その上にプライマーF−20で表面
を処理したガラス板5を押し付けた(f)、そして4H
の高圧水銀ランプからの紫外光で硬化させ、マザー盤7
を作製する(2)。
マザー盤7にニッケルを厚さsoo −tooo人に蒸
着しスルファミン酸ニッケル浴を使用した電鋳法でニッ
ケルスタンバ8を作製した(口)、電流密度を最初0.
1^/dイから開始し最後は約5 A/dポで終了し、
約4時間かかってスタンバ8を得た。そしてスタンバ8
の裏面(X内溝のパターンがない面)を平均あらさ(R
a)が約0.1.un以下になるまで研磨したスタンバ
8に厚みが0.4閣のポリメタクリル酸メチルシート9
を合わせ約150℃で熱ブレス(約10kg/ d)を
行ない案内溝10が作製された光カード基材が得られる
0)。
着しスルファミン酸ニッケル浴を使用した電鋳法でニッ
ケルスタンバ8を作製した(口)、電流密度を最初0.
1^/dイから開始し最後は約5 A/dポで終了し、
約4時間かかってスタンバ8を得た。そしてスタンバ8
の裏面(X内溝のパターンがない面)を平均あらさ(R
a)が約0.1.un以下になるまで研磨したスタンバ
8に厚みが0.4閣のポリメタクリル酸メチルシート9
を合わせ約150℃で熱ブレス(約10kg/ d)を
行ない案内溝10が作製された光カード基材が得られる
0)。
く効果〉
上記の如(本発明により案内溝及びプリフォーマットデ
ータのパターンを形成するスタンバを、紫外線硬化樹脂
を用いてファザー盤、マザー盤を作製するため時間を要
する電鋳工程を減らし、形成パターンの精度を下げるこ
となく、コスト的にも優れた、スタンバの製造が可能で
ある。
ータのパターンを形成するスタンバを、紫外線硬化樹脂
を用いてファザー盤、マザー盤を作製するため時間を要
する電鋳工程を減らし、形成パターンの精度を下げるこ
となく、コスト的にも優れた、スタンバの製造が可能で
ある。
第1図は本発明の実施例を示し、(a)〜(ロ)は末完
のスタンバの製造工程を示す説明図である。(i)はス
タンバにより、光カードに案内溝を作製した側面図であ
る。 lニガラス板 2ニレジスト層 3ニクロムマスク 4:原盤 5;ガラス板 6:フアザー盤 7:マザー盤 8ニスタンパ 9:ポリメタクリル酸メチルシート lO:案内溝 特 許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫 (a) 4↓↓↓↓↓↓↓↓ (e) (f) (C) (h) (d) 第1図 第1図 (i)
のスタンバの製造工程を示す説明図である。(i)はス
タンバにより、光カードに案内溝を作製した側面図であ
る。 lニガラス板 2ニレジスト層 3ニクロムマスク 4:原盤 5;ガラス板 6:フアザー盤 7:マザー盤 8ニスタンパ 9:ポリメタクリル酸メチルシート lO:案内溝 特 許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫 (a) 4↓↓↓↓↓↓↓↓ (e) (f) (C) (h) (d) 第1図 第1図 (i)
Claims (1)
- 光カードの光記録部に情報の記録或は再生のためのレ
ーザ記録スポットについて正確な位置制御を可能とする
ための案内溝及びプリフォーマットデータ等のパターン
を形成する光カード用スタンパの製造方法において、レ
ジストを塗布した基板上に前記パターンを露光、現像に
より原盤を形成し、該原盤のパターン形成面に離型性を
与える薄膜を積層し、これを型として紫外線硬化型樹脂
を塗布、硬化させファザー盤を形成し、同様にして該フ
ァザー盤よりマザー盤を形成し、該マザー盤に離型性を
与える薄膜を積層後、電鋳法によりスタンパを作成する
ことを特徴とする光カード用スタンパの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63202571A JPH0250331A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 光カード用スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63202571A JPH0250331A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 光カード用スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250331A true JPH0250331A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=16459703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63202571A Pending JPH0250331A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 光カード用スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0250331A (ja) |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP63202571A patent/JPH0250331A/ja active Pending
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