JPH0251272A

JPH0251272A - 半導体集積回路

Info

Publication number: JPH0251272A
Application number: JP63202197A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Tomizuka; 和男冨塚; Fumio Santo; 山藤　文雄
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1988-08-12
Filing date: 1988-08-12
Publication date: 1990-02-21
Anticipated expiration: 2010-05-31
Also published as: JPH0750779B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野本発明はＦＭ／ＡＭチューナ等、信号周波数や信号レベ
ルが異る回路ブロックを同一半導体基板にに形成した半
導体集積回路に関する。

（ロ）従来の技術ＴＶヂューナ、ＦＭ／ＡＭチューナ等の電子機器は、Ｒ
Ｆ　（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号からオー
ディオ信号を取出す為、機能毎に分割した各回路ブロッ
クの取扱う信号の周波数が異る場合が多い。例えば日本
国内向けのＦＭチューナだけでも、ＲＦ倍信号７６〜９
０ＭＨｚ、中間周波数信号は１０．７ＭＨｚ、そして２
０〜２００００Ｈｚのオーディオ信号と、２０Ｈｚ〜９
０ＭＨｚの広範囲の信号を取扱うことになる。

上記ＦＭ／ＡＭチューナの一例を第５図に示す。同図に
おいて、（１）はＦＭ放送を選局しその受信周波数信号
と局部発振回路（２）の発振周波数信号とを混合回路（
３）で混合することにより中間周波数に周波数変換する
ＦＭフロントエンド回路、（４〉は中間周波数信号（Ｉ
Ｆ倍信号を増幅・振幅制限し且つこれを検波してオーデ
ィオ信号（ＡＦ倍信号を得るＦＭ−ＩＦ増幅回路、（５
）は例えば特公昭６２−２１４６１号に記載されている
が如３機能を有するノイズキャンセル回路、（６〉はス
テレオ放送の場合にＬチャンネル、Ｒチャンネル信号に
復調するマルチプレクス回路、（７）はＡＭ放送を選局
しオーディオ信号を出力するＡＭチューナ回路である。

例えばＦＭ放送受信の場合、アンテナ（８〉から入力し
、ＲＦ増幅回路（９）で高周波増幅したＲＦ倍信号ＦＭ
フロントエンド回路（１）の局部発振回路（２）が出力
する発振周波数信号とをＦＭフロントエンド回路（１）
の混合回路＜３）で混合することによりＦＭフロントエ
ンド回路（１）からＩＦ倍信号出力し、該ＩＦ倍信号Ｆ
Ｍ・ＩＦ増幅回路り４）の検波回路で検波することによ
りＦＭ−ＩＦ増幅回路（４）からコンポジット信号を出
力し、マルチプレクス回路（６）によって出力端子（１
０）に夫々Ｌチャンネル、Ｒチャンネルのオーディオ信
号を出力する様構成されている。尚、斯る構成のＦＭチ
ューナ回路は例えば昭和６２年１２月１０日発行、パ８
８三洋半導体データブック　ポータプルオーディオ用バ
イポーラ集積回路編ヨ第１５２頁に記載きれている。

ところで、近年の電子機器は増々小型化・高性能化が求
められ、それに伴って第５図の回路はできる限り１チツ
プ化する方向に進んでいる。しかしながら、上記ＦＭチ
ューナの例ではＦＭフロントエンド回路（１）が数十Ｍ
Ｈｚの高周波信号を扱う為、不要輻射による他回路への
干渉が生じ易い。

また、アンテナ（８）からの微弱レベル信号を取扱う為
、他回路ブロックとの干渉により回路動作が不安定にな
り易く、著しい場合には発振してしまう。その為、ＦＭ
フロントエンド回路（１）をも１チツプ化することは極
めて困難であった。

（ハ〉発明が解決しようとＶる課題この様に、従来はＦＭフロントエンド回路（１）等の高
周波信号を扱う回路をも集積化することは回路干渉が生
じ易い為に極めて困難である欠点があった。

（二〉課題を解決するための手段本発明は斯上した欠点に鑑み成されたもので、１つの半
導体チップに、複数の電子ブロック回路が夫々集積され
た複数の′を子ブロック領域を有する半導体集積回路に
於いて、前記電子ブロック領域の中の１つである不要輻
射を発生するかまたは不要輻射を受けやＶい第１の電子
ブロック領域（２１）と、この第１の電子ブロック領域
（２１〉を囲んで形成されるダミーアイランド領域（２
２）と、このダミーアイランド領域（２２）とオーミッ
クコンタクトし実質的に同一形状に形成される第１？＋
！極（２３）と、この第１電極（２３）とオーミックコ
ンタクトし前記第１の電子ブロック領域（２１）と第１
電極（２３）とを被覆するシールド電極（２４）とを備
え、この第１Ｔｔ極（２３）を複数の領域に切断して形
成した切断領域（２５）と、この切断領域（２５）に設
けられた配線（２６）とを具備することで解決するもの
である。

（ホ）作用本発明に依れば、第１の電子ブロック領域（２１）の素
子間の配線は実質的に第１層目に形成され、この配線は
シールド電極（２４）および第１電極（２３）で覆うこ
とができるので、内部からの不要輻射は外部へ出なくな
り、外部からの不要輻射は内部へ侵入しなくなる。従っ
て干渉を防止できる。

（へ）実施例以下に本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。

第２図に示すように、Ｐ型の半導体基板（３１）とこの
半導体基板（３１）の上に猜層きれたＮ型のエピタキシ
ャル層（３２）がある。

ここで半導体基板（３１）は方形状であり、このエピタ
キシャル、５　（３２）には、トランジスタ、ダイオー
ド、抵抗およびコンデンサ等が作り込まれており、また
Ｐ１型の分離領域（３３）や埋込み層（３４）も作り込
まれている。そしてこの半導体基板上のエピタキシャル
層（３２）内に複数の電子回路が夫々集積され複数の電
子ブロック領域が形成されている。さらにはこの電子ブ
１ノック領域の中の１つが、第１図の破線で示す領域（
２１）に形成されている。この領域（２１〉は特に不要
輻射を発生するか、または外部より不要輻射を受けやす
い第１の重子ブロック領域である。更にこの第１の電子
ブロック領域（２１）の周囲には、破線で示すＮ型のダ
ミーアイランド領域（２２）が形成されている。

次に前記エピタキシャル層（３２）上に被覆された第１
層目の絶縁膜（３５）と、この第１の絶縁膜（３５）上
に形成された一点鎖線で示す第１層目の電極（２３）　
、　（２６）とがある。

ここで第１層目の絶縁膜（３５）は例えば熱酸化法やＣ
ＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜であり、第１層目の
電極（２３）　、　（２６）はアルミニウムで蒸着され
ている。第１層目の電極は、通常の配線であり主にブロ
ック領域内に集積される半導体素子間の配線、ブロック
領域間の信号線（２６）、フィードバック線（２６〉お
よび第１？Ｅ極（２３）が形成されている。第１図乃至
第４図に示す第１の電子ブロック領域（２１）上の半導
体素子間の配線は省略をし、前記信号線やフィードバッ
ク線を（２６）で、前記Ｎ型のダミーアイランド領域（
２２）と実質的に同形状の第１電極をり２３〉で示し、
図面上では一点鎖線で示している。この第１電極（２３
）は前記第１層目の絶縁膜＜３５）を介してダミーアイ
ランド領域（２２）とオーミックコンタクトしている。

しかもここではダミーアイランド領域（２２）内に、エ
ピタキシャル層（３２）表面よりＮ１型の埋込み層（３
４）に到達するＮ“型の第１の拡散領域（３６）が形成
され、この第１の拡散領域（３６）ト第１　Ｔｌ！、ｍ
　（２３）　トカオ−ミｙ　クコンタクトしている。

一方、第１電極（２３）は、複数の領域で切断され、切
断領域（２５〉を有している。第１図ではこの切断領域
（２５）が４”ケ所あり、左側辺に１本、右ｆｔ１ｊ辺
に２本、上側辺に２本および下側辺に３本の信号線やフ
ィードバック線が配線できる幅を有している。

更に第１層目の絶縁膜（３５〉と第１層目の電極を被覆
するように形成された第２層目の絶縁膜（３７）と、面
記第１の電子ブロック領域（２１）と第１電極（２３）
とを被覆するシールド電極（２４）とがある。

ここで前記第２層目の絶縁膜（３７）は、例えはＰｌＸ
等の膜であり、シールド電極（２４）は、アルミニウム
を蒸着したものより成っている。また半導体チップ周辺
には、パッドが複数あるが、この中の１つである′ｒｒ
Ｌ源パッド（２７）がシールド電極（２４）と接続され
ている。

従ってシールド電極（２４）と第１電極（２３）とは、
電源パッドに印加されているＶＣＣで同電位となってお
り、しかも第１の拡散領域（３６）も同じ電位となって
いる。そのためＶ。Ｃの電位を持つ電極が、切断領域（
２５〉でトンネルの形状を形成し、このトンネルの中に
信号線やフィードバック線が設けられ、他のブロック領
域へ延在されている。

ここで第３図、第４図は、第１図のＢ−Ｂ’線、ｃ−ｃ
’線における断面図であり、略第２図と同じ構成である
ため、説明は省略する。

以上の構成は例えばＦＭ／ＡＭステレオチューナ回路等
に応用できる。前記第１の電子ブロック領域（２１）に
、第５図に示すＦＭフロントエンドブロック（１）を集
積化することで、他の電子ブロック領域からの干渉や、
他の電子ブロック領域への干渉を防止できる。

またＦＭフロントエンドブロック（１）は、数μ■と極
めて小さいレベルの信号を扱うため、特にＦＭ−Ｉ　Ｆ
ブロック（４〉からの干渉を嫌うので、本願の構成と同
じものをＦＭ−Ｉ　Ｆブロック（４）に応用しても良い
。

しかもシールド電極（２４）を電源バッド（２７）と接
続し、このシールド電極（２４）をダミーアイランド（
２２）の中の第１の拡散領域（３６）とオーミックコン
タクトすることで、ＦＭフロントエンドブロックも含め
て１チツプ化することができる。

（ト〉発明の効果以上の説明からも明らかな如く、シールド電極（２４〉
と第１　Ｘｌ（ｚ３）でシールドしているので、シール
ド電極（２４〉下に設けられた信号線やフィードバック
線等の配線は、外部からの不要輻射を受けず、また内部
からの不要輻射を外部へ発生することもなくなる。

一方、外部のブロック領域へ延在される配線は、限られ
た領域である切断領域（２５）より出入りするため、第
１の電子ブロック領域（２１）内にある配線の俳１面よ
り発生ずる不要幅Ｉ４を防１Ｆできる。

第２に、シールド電極り２４）、第１電極（２３）およ
び第１の拡散領域（３６〉の電位を同じ電位■ｃｃとす
ることができるので、高周波成分を含んだ輻射の発生や
侵入を更に強固に防止できる。

第３に、ダミーアイランド領域り２２）内にＮ″型の第
１の拡散領域（３６）を設けることで、分間領域（３３
）とのＰＮ接合による電位障壁が増大でき、外のブロッ
ク領域からのリーク電流や第１の電子ブロック領域〈２
１）から外のブロック領域へのリーク電１１１を防止で
きる。

しかも第１の拡散領域（３６）が高濃度であるので、交
流グランドとすることができるので、ダミーアイランド
が■０３．となり他のブロック領域の電圧変動を第１の
電子ブロック領域（２１）へ与えることが無くなる。

第４に、ＦＭフロントエンドブロックを第１の電子ブロ
ック領域（２１〉に集積化することで、ＦＭフロントエ
ンドブロックも含めて１チツプ化することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体集積回路の−Ｌ面図、第２図は
第１図のＡ−Ａ’線における断面図、第３図は第１図の
Ｂ−Ｂ’線における断面図、第４図は第１図のｃ−ｃ’
線における断面図、第５図はＦＭ／ＡＭステレオチュー
ナ回路を説明するブロック図である。（２１）・・・第１の電子ブロック領域、　（２２）・
・・ダミーアイランド領域、　（２３〉・・・第１電極
、　＜２４）・・・シールド電極、　（２５）・・・切
断領域、　（２６〉・・・配線。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）１つの半導体チップ内に、複数の電子ブロック回
路が夫々集積された複数の電子ブロック領域を有する半
導体集積回路に於いて、前記複数の電子ブロック領域の中の１つである不要輻射
を発生するかまたは不要輻射を受けやすい第１の電子ブ
ロック領域と、この第１の電子ブロック領域を囲んで形成されるダミー
アイランド領域と、このダミーアイランド領域とオーミックコンタクトし実
質的に同一形状に形成される第１電極と、この第１電極とオーミックコンタクトし前記第１の電子
ブロック領域と第１電極とを被覆するシールド電極とを
備え、前記第１電極を複数の領域に切断して形成した切断領域
と、この切断領域に設けられた配線とを具備することを特徴
とした半導体集積回路。
（２）前記シールド電極は半導体チップ周辺の電源パッ
ドと接続される請求項第１項記載の半導体集積回路。
（３）前記シールド電極は、前記ダミーアイランド領域
内に形成されこのダミーアイランド領域と同導電型の第
１の拡散領域とオーミックコンタクトする請求項第１項
記載の半導体集積回路。
（４）１つの半導体チップ内に、ＦＭ／ＡＭステレオチ
ューナ回路を構成する複数の電子ブロック回路が夫々集
積された複数の電子ブロック領域を有する半導体集積回
路に於いて、前記複数の電子ブロック領域の中の１つであるＦＭフロ
ントエンドブロック領域を囲んで形成されるダミーアイ
ランド領域と、このダミーアイランド領域とオーミックコンタクトし実
質的に同一形状に形成される第１電極と、この第１電極とオーミックコンタクトし、前記ＦＭフロ
ントエンドブロック領域と第１電極とを被覆するシール
ド電極とを備え、前記第１電極を複数の領域で切断して形成した切断領域
と、この切断領域に設けられた配線とを具備することを特徴
とした半導体集積回路。
（５）前記シールド電極は半導体チップ周辺の電源パッ
ドと接続される請求項第４項記載の半導体集積回路。
（６）前記シールド電極は、前記ダミーアイランド領域
内に形成されこのダミーアイランド領域と同導電型の第
１の拡散領域とオーミックコンタクトする請求項第４項
記載の半導体集積回路。