JPH0223636A - Fm/amチューナ用半導体集積回路 - Google Patents

Fm/amチューナ用半導体集積回路

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JPH0223636A
JPH0223636A JP17301088A JP17301088A JPH0223636A JP H0223636 A JPH0223636 A JP H0223636A JP 17301088 A JP17301088 A JP 17301088A JP 17301088 A JP17301088 A JP 17301088A JP H0223636 A JPH0223636 A JP H0223636A
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frequency
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Kazuo Tomizuka
和男 冨塚
Sakae Sugayama
菅山 栄
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 くイ〉産業上の利用分野 本発明はFM/AMチューナ等、信号周波数や信号レベ
ルが異る回路ブロックを同一半導体基板上に形成した半
導体集積回路に関する。
(ロ)従来の技術 TVチューナ、FM/AMチューナ等の電子機器は、R
F (Radio Frequency)信号からオー
ディオ信号を取出す為、機能毎に分割した各回路ブロッ
クの取扱う信号の周波数が異る場合が多い。例えば日本
国内向けのFMチューナだけでも、RF倍信号76〜9
0MHz、中間周波数信号は10.7MHz、そして2
0〜20000Hzのオーディオ信号と、20Hz〜9
0MHzの広範囲の信号を取扱うことになる。
上記FM/AMチューナの一例を第7図に示す。同図に
おいて、(1〉はFM放送を受信しその受信周波数信号
と局部発振回路(2)の発振周波数信号とを混合回路(
3)で混合することにより中間周波数に周波数変換する
FMフロントエンド回路、(4)は中間周波数信号(I
F倍信号を増幅・振幅制限し且つこれを検波してFMス
テレオコンポジット信号を得るFM−IF増幅回路、(
5)は例えば特公昭62−21461号に記載されてい
るが如き機部を有するノイズキャンセル回路、(6)は
ステレオ放送の場合にLチャンネル、Rチャンネル信号
に復調するマルチプレクス回路、(7)はAM放送を選
局しオーディオ信号を出力するAMチューナ回路である
。例えばFM放送受信の場合、アンテナ(8)から入力
し、RF増幅回路(9)で高周波増幅したRF倍信号F
Mフロントエンド回路(1)の局部発振回路(2)が出
力する発振周波数信号とをFMフロントエンド回路(1
)の混合回路(3)で混合することによりFMフロント
エンド回路(1)からIF倍信号出力し、該IF倍信号
FM・IF増幅回路り4)の検波回路で検波するこトニ
よりFM−IF増幅回路(4)からコンポジット信号を
出力し、マルチプレクス回路(6)によって出力端子(
10)に夫々Lチャンネル、Rチャンネルのオーディオ
信号を出力する様構成されている。尚、斯る構成のFM
チューナ回路は例えば昭和62年12月10日発行、「
′88三洋半導体テ′−タブツク ポータブルオーテ゛
イオ用バイポーラ集積回路編」第152頁に記載されて
いる。
ところで、近年の電子機器は増々小型化・高性能化が求
められ、それに伴って第7図の回路はできる限り1チツ
プ化する方向に進んでいる。しかしながら、上記FMチ
ューナの例では2M7028171回路(1〉が数十M
Hzの高周波信号を扱う為、不要輻射による他回路への
干渉が生じ易い。
また、アンテナ(8)からの微弱レベル信号を取扱う為
、他回路ブロックとの干渉により回路動作が不安定にな
り易く、著しい場合には発振してしまう。その為、2M
7028171回路(1)をも1チツプ化することは極
めて困難であった。
さらに、近年の電子機器は増々多種・多様化してきてお
りパターン設計時間の短縮が望まれている。また、設計
を終了した半導体集積回路に対して特定の回路ブロック
を削除、置換、追加といった様々な要求がある。しかし
ながら、前記特定の回路ブロックが必ずしも同−占有面
積内に納められるとは限らないので、各要求毎に再度設
計し直さなくてはならず、前記要求に対して即応できな
い欠点があった。
(ハ)発明が解決しようとする課題 この様に、従来は2M7028171回路(1)をも集
積化することは回路干渉が生じ易い為に極めて困難であ
る欠点があった。また、パターン設計の開発期間が長く
、様々な要求に即応できない欠点があった。
(ニ)課題を解決するための手段 本発明は斯上した欠点に鑑み成されたもので、2M70
28171回路(1)を半導体チップ(11)の隅部へ
、この2M7028171回路(1)を囲むようにして
AMチューナ回路(7)とノイズキャンセル回路(5)
を、FMフロントエンド(1(1)に対して対角線の位
置にFM−IF増幅回路(4)を、ノイズキャンセル回
路(5)を挾み2M7028171回路(1)の反対側
へ配置することにより、最も回路干渉の少ないパターン
レイアウトを提供するものである。
(ホ)作用 本発明によれば、2M7028171回路(1)とFM
−IF増幅回路(4)を半導体チップ(11)の対角線
上に配置したので、両者を距離的に最も離間できる。ま
た、ノイズキャンセル回路(5)を挾む様にして2M7
028171回路(1)とは反対側の位置にマルチプレ
クスデコーダ回路(6)を配置したので、2M7028
171回路(1)とマルチプレクスデコーダ回路(6)
をも距離的に離設できる。その為、全ての回路を相互干
渉が最も少なくなるように半導体チップ(11)上にレ
イアウトすることができる。
(へ)実施例 以下、本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。
先にパターン設計を容易ならしめるマットについて第2
図を用いて説明する。同図において、半導体チップ(1
1)の中央にこれを略一直線で横切る分割領域(12)
を形成し、半導体チップ(11)の素子形成領域を実質
的に上下同一サイズの2つの領域に区画する。分割領域
(12)は後述するようにグランドライン(13)や電
源ライン(14)を延在させる為の必要不可避領域であ
り且つ回路素子を形成しない領域であって、分割領域(
12)を形成することにより、区画した前記2つの領域
を夫々第1と第2の領域(15)(16)とする。そし
て、分割領域(12)とは直交する方向にグランドライ
ン(13)と電源ライン(14)とを−組として隣接さ
せて延在させた区画ライン(17)を設け、該区画ライ
ン(17)を複数本並設することにより半導体チップ(
11)の表面を実質的に同一サイズの多数個のマット(
18)に分割する。マット(18)の大きさは任意の一
定数の素子がレイアウトできる占有面積に設定し、その
横幅は経験的にNPN)ランジメタ5〜6個を1列に並
べられるような横幅に設定する。
マット(18)の両側は区画ライン(17)を構成する
グランドライン(13)と電源ライン(14)とをペア
で延在させるので、それらを規則的に配列、例えば櫛歯
状に相対向する様に延在きせることにより、マット(1
8)の1辺にはグランドライン(13〉が、他辺には電
源ライン(14)が夫々接するように延在させ、マット
け8)に形成した回路素子に動作電源を供給する。
区画ライン(17)を延在したグランドライン(13)
と電源ライン(14)は、各回路ブロック毎やそれらが
共通インピーダンスを持つことを許可するか否かにより
まとめられ、分割領域(12)上を延在させて各々が対
応するグランド電極パッド(19)や電源電極パッド(
20)に個別に接続される。結果、分割領域(12)上
はグランドライン(13)と電源ライン(14)が複数
本延在し、且つ1本1本は配線インピーダンスを低減す
る為比較的幅広に形成されるので、分割領域(12)も
当然比較的大占有面積を必要とする。
区画ライン(17)を延在させるグランドライン(13
)と電源ライン(14)、分割領域(12)上を延在さ
せるグランドライン(13)と電源ライン(14)、及
び各マット(18)内における回路素子間の接続配線は
、櫛歯状レイアウトを利用することで基本的に第1層目
配線層によって行う。第2層目以降は区画ライン(17
)や分割領域(12)を横断してマット(18)間の信
号伝達用配線やシールド電極(21)を形成するのに主
として用いる。
尚、分割領域(12)は時として各区画ライン(17)
と平行にも延在させる。これは、パッケージのピン配列
の要求に対するV。0電極バツド(20〉とグランド電
極パッド(19)の位置的制約や、マット(18)また
は回路機能ブロックにおいて特に離間したい関係がある
場合に各マット(18)の間に設ける。第2図において
は、マットDとEの間が前者の理由、マットMとNの間
が後者の理由である。そして、前記平行に延在させた分
割領域(12a)の終端付近に設けたVCC電極パッド
(20)とグランドパッド(19)から夫々vCcライ
ン(14)とグランドライン(13)を引き廻し、続い
て前記半導体チップ(11)の中央を横切る分割領域(
12)の上を引き廻して各マット(18)内の回路素子
に接続する。
この様に素子形成領域を多数個のマット(18)に分割
した半導体チップ(11)に機能別回路ブロックを納め
る場合、各回路ブロックは以下の通りに収納する。
先ずマット(18)が任意の一定の素子数を収納できる
サイズに設計されているので、前記回路ブロックを前記
一定の素子数に区分する。例えばマツ) (1g)の大
きさが100素子収納用で、前記回路ブロックが270
素子程度ならば、3個のマット(18)を用意して各々
100素子を目安に区分する。むろん、占有面積の大き
なコンデンサ等は考慮に入れる。そして、上記区分に従
って各マット(18〉毎に回路素子を収納し、マット(
18)に収納したNPN−PNP)ランジスタ、ダイオ
ード、抵抗、コンデンサ等の回路素子間の接続配線を第
1層目配線層で終了しておく。これを繰り返して全ての
マット(18)のパターン設計を終えた後、前記3個の
マット(18)を隣接して配置し、第2層目以降の配線
によって各マット(18)間の電気的接続を行うことに
より、機能別回路ブロックを構成する。そして、全ての
回路ブロックをマット(18)に収納した後、全てのマ
ット(18)を組み合せ、第2層目以降の配線層により
各回路ブロック間の電気的接続を行うことにより全体の
ICを設計する。
斯る構成によれば、機能の異る複数の回路ブロックを夫
々整数個のマット(18)に収納することにより、各回
路ブロック毎の設計を行え且つ回路ブロックを一定の素
子数に分割してマット(18)毎の設計が行えるように
なる。その為、回路ブロックまたはマット(18)毎の
並行設計が可能となり、設計期間の大幅な短縮が図れる
。また、回路変更も回路ブロック毎に且つマット(18
)毎に行えるので、IC全体の設計変更は不要であり、
変更部分以外は前機種の信頼性を保ったまま流用するこ
とができる。
次に第7図の如きFM/AMチューナ回路を集積化した
半導体集積回路を説明する。先ず各回路ブロックの機能
を簡単に述べる。
FMフロントエンド回路(1)はアンテナ(8)と後で
述べる同調回路により同調した数十MHzのRF倍信号
入力され、該RF倍信号局部発振回路(2)が出力する
局部発振周波数信号とを混合回路(3)で混合すること
により10.7M)Izの中間周波(工F)信号に周波
数変換する機能を有する。この回路は数十MHzの高周
波信号を扱い且つ数マイクロボルト(μ■)の微小レベ
ルから比較的大きな振幅レベルまでの信号を正確に処理
しなければならない為、他の回路ブロックとの干渉を嫌
う回路である。その中でも特に、局部発振回路(2〉は
高周波発振という極めて不安定な動作を正確に行わなけ
ればならないので、最も注意を要する回路である。この
回路は約250素子の回路素子で構成されているので、
マット(1B> 3個分の領域を必要とする。
FM・IF増幅回路(4)は、前記中間周波数信号をリ
ミッタ−増幅回路で増幅及び振幅制限をする回路で、さ
らには検波回路で検波することにより、FMコンポジッ
ト信号に復調するまでの機能を有する。その他、選択中
に局間の不快な雑音を除去するミュート回路や、同調指
示回路としてのSメータ(Signal Meter 
)回路等が付属回路として構成される。斯る回路は10
.7MHzとFMフロントエンド回路(1)が扱う周波
数と比較的近似した周波数信号を扱い、しかも80〜1
00dbと極めて高い利得で増幅して大振幅レベルの信
号を扱うので、FM・IF増幅回路(4)からのリーク
電流がFMフロントエンド回路(1)まで達すると相互
の信号干渉によってRF倍信号かき消され、特に入力レ
ベルが極めて小さい場合、回路が不安定となり、著しい
場合は発振してしまう。その為、上記FMフロントエン
ド回路(1)とFM−IF増幅回路(4)、特に局部発
振回路(2)とリミッタ−増幅回路の組み合せは相互の
分離を強固にしなければならない組み合せである。この
回路は、全体で約430個の素子で構成されるので、5
個のマット(18)を必要とする。
マルチプレクス回路(6)は、第3図に示す如く、FM
コンポジット信号を増幅する直流増幅回路(30)、コ
ンポジット信号中の和信号(L−+−R)と差信号(L
−R)を、同じくコンポジット信号中に含まれる19K
Hzステレオパイロツト信号に応答して作られる38K
Hzスイッチング信号を用いて左右ステレオ信号(L及
びR)に分離するデコーダ回路(31)、前記ステレオ
コンポジット信号ノ有無に応じてステレオパイロットラ
ンプ(32〉を駆動するランプドライバー回w!1(3
3)、内部発振回路とステレオパイロット信号との同期
を取る位相比較器(34)とローパスフィルタ(35)
、電圧制御発振回路(36)及び分周器(37)等で構
成されている。この回路は、前記38KHzスイッチン
グ信号を発生させるのにトランジスタのスイッチング動
作を利用するので、その動作に伴ってスイッチングノイ
ズを発生し易い。例えば分周器(37)を構成するII
L(Integrated Injection Lo
gic)の動作がそれである。その為、できることなら
ばFMフロントエンド回路(1)やFM−IF増幅回路
(4)とは離しておきたい回路である。この回路は、全
体で約390個の回路素子で構成されるので、4個のマ
ット(18)を必要とする。
ノイズキャンセル回路(5)は、前記コンポジット信号
を遅延させる遅延回路、コンポジット信号中に含まれる
パルス雑音を検出してゲート遮断の為の制御信号を発生
させるゲート制御回路及びゲート制御回路により開閉制
御されるゲート等から成り、前記コンポジット信号中に
パルス雑音が重畳した際これを除去する機能を有する。
この回路は特に高周波信号を扱うものでもスイッチング
ノイズを発生させるものでは無く、約270素子で構成
するので3個のマット(18)を要する。
AMチューナ回路(7)は、高周波増幅回路(RF)、
局部発振回路(OSC)、混合回路(MIX)、自動利
得制御回路(AGC)及び検波回路(DET)で構成し
、AM放送を受信してオーディオ(AF)信号を出力す
る機能を有する。
般にFM放送受信時とAM放送受信時とは外部制御信号
によって完全に切換えるものであり且つ中間周波数で4
50 KHzとFM放送よりはかなり低周波であるので
、AMチューナ回路(7)とFMフロントエンド回路(
1)やFM・IF増幅回路(4)との信号干渉は無いと
考えて良い。この回路は約350個の素子を有するので
、4個のマット(18)を要とする。
そして、上記各回路ブロックを夫々が要とするマット(
18)に納め且つ隣接して配置し、今度は各回路ブロッ
ク相互の干渉に鑑みて配置する。即ち、FMフロントエ
ンド回路<1)をマットに〜マツl−Mに、AMチュー
ナ回路(7)をマットA〜マットDに、FM−IF増幅
回路(4)をマットE〜マットIに、ノイズキャンセル
回路<5)をマットN−マットPに、マルチプレクスデ
コーダ回路(6)をマットQ〜マットTに、そしてその
イ也(オプション)の回路をマットJに夫々収納し、全
体を半導体チップ(11〉の四角形状内に収まる様に配
置する。そして、各回路ブロック間の接続配線を処すこ
とによりIC全体の機能構成を実現する。
従って、各回路ブロックの配置は第1図の如くになる。
即ち半導体チップ(11)の隅部に1M7028121
回路(1)を、中央の分割領域(12)を挾み1M70
28121回路(1)の反対側にAMチューナ回路(7
)を、区画ライン(17)と平行の分割領域(12a)
を挾み1M7028121回路(1)のもう1つの反対
側にノイズキャンセル回路(5)を、中央の分割領域(
12)を挾み1M7028121回路(1)に対して半
導体チップ(11)の対角線の位置にFM−IF増幅回
路(4)を、1M7028121回路(1)に対してノ
イズキャンセル回路(5)を挾む位置にマルチプレクス
デコーダ回路(6)を各々配置する。
斯る構成によれば、1M7028121回路(1)を隅
部に配置してその周囲を回路干渉を生じることの無いA
Mチューナ回路(7)とノイズキャンセル回路(5)と
で囲むことができる他、最も離間したい1M70281
21回路(1)とFM・IF増幅回路(4)との組み合
せを半導体チップ(11)内において最大限に離設でき
、さらにスイッチングノイズ発生源であるマルチプレク
スデコーダ回路(6)も1M7028121回路(1)
から最大限に離して設けることができる。その為、1M
7028121回路(1)をFM−IF増幅回路(4)
の干渉信号とマルチプレクス回路(6)のスイッチング
ノイズから最も遠ざけることができ、且つ全ての回路ブ
ロックを効率良く納めることができる。
先にも述べた様に、1M7028121回路(1)その
中でも局部発振回路(2)は最も注意すべき回路である
。また、FMフロントエンド回ffi<1)は局部発振
回路(2)と混合回路(3)が主体となる他に、混合回
路(3)のIF出力信号を増幅してFM・IF増幅回路
り4)へ出力する為の増幅回路(IF−Amp)や、受
信信号レベルを自動的にコントロールする為の自動利得
制御回路(AGC)等、前記主体となる回路に付随する
その他の回路が組み込まれることが多い。その為、1M
7028121回路<1)には様々な干渉防止手段を処
す。
第1に、1M7028121回路(1)全体を接地電位
を印加したシールド電極(21)で覆うことにより、局
部発振回路(2)からの不要輻射を防止し且つ1M70
28121回路(1)への干渉信号を遮へいする。その
際、グランドライン(13)と電源ライン(14)を第
1層目配線層で、シールド電極(21)を第2層目配線
層で夫々行なおうとすると、区画ライン(17)がある
為、1M7028121回路(1)内のマット(18)
間の接続配線は設計自由度が厳しい。そこで、1M70
28121回路(1)は区画ライン(17)を除去する
ことにより、全体を2層配線構造で済ませる。但し、全
体の占有面積は変えない。
第2に、局部発振回路(2)部分は専用のシール=20 ド電極(21)を設けることにより、シールド電極(2
1)を介しての信号干渉を防止する。
第3に、局部発振回路(2)は専用のグランド電極パッ
ド(19a)を設けることにより、配線が共通インピー
ダンスを持つことによる相互干渉を防止する。
第4に、局部発振回路(2)を最も隅へ配置することに
より、局部発振回路(2)への干渉を最小限に抑える。
第5に、基板へのリーク電流を吸出す吸出し電極を設け
ることにより、リーク電流による相互干渉を防止する。
第6に、1M7028121回路(1)をダミーアイラ
ンドで囲むことにより、リーク電流の侵入を抑制する。
以上の手段を処した1M7028121回路(1)部分
の断面図を第4図に示す。
第4図において、(41)はP型半導体基板、(42)
はN型エピタキシャル層、(43)はN+型型埋領領域
(44)は基板(41)に接続するP+型分離領域、り
45)は素子形成用のアイランド、(46)はダミーア
イランド、(47)(48)は回路素子形成用のPまた
はN型拡散領域、(49)はエピタキシャル層(42)
を覆う酸化膜、(50〉は第1層目配線層による素子間
接続配線、(13)はグランドライン、(51)は吸出
し電極、(52)は層間絶縁膜、(21)は第2層目配
線によるシールド電極である。シールド電極(21)は
第1層目配線層によるグランドライン(13)により接
地電位GNDが与えられ、局部発振回路(2)とその他
のいくつかで複数に分割されている。吸出し電極(51
)はリーク発生源と思われる素子の即近等に設け、分離
領域(44)とオーミックコンタクトしてリーク電流を
吸出すと共にグランドライン(13〉に接続される。ま
た、スルーホールを介してシールド電極(21)に接続
し、シールド電極(21)を介してリーク電流をグラン
ドライン(13)に吸出す。ダミーアイランド(46)
は電源電位VCCが与えられるかまたは何の電位も印加
しないフローティングとし、FMフロントエンド回路(
1)全体を囲む他、局部発振回路(2)だけを囲む様に
も形成する。
この様にFMフロントエンド回路(1)に多数の干渉対
策を処す他、分割領域(12)を利用しての干渉対策も
可能である。第5図は分割領域(12)の占有面積を利
用しこのラインに沿って多数本のダミーアイランド(5
3)を形成したものである。このダミーアイランド(5
3)はFMフロントエンド回路(1)を囲む及び局部発
振回路(2)を囲むダミーアイランド(26〉と同等の
ものであり、中央の分割領域(12)と区画ライン(■
)に平行の分割領域(12a)全てに配設する。この様
にすれば、ダミーアイランド(53)のN型層による抵
抗成分が介在する他、PN接合の電位障壁が前記抵抗成
分を増大させるので、距離的に離間した以上に各回路ブ
ロック間の干渉を抑制できる。
第6図は上記FMフロントエンド回路(1)をも内蔵し
たICを用いて構成したFM/AM受信機である。同図
において、(54)は受信する周波数を選択し同調した
RF倍信号FMフロントエンド回路(1)の混合回路(
3)またはAMチューナ回路(7)の混合回路へ出力す
る同調回路、(55)(56)は表面弾性波フィルタ(
57)から成り、混合回路(3)の出力信号からFM−
IF倍信号けを取出す第1.第2フィルタ回路、(58
)はFM・局部発振回路(2)の発振周波数を決定する
局部発振回路(2)の受動回路素子、(59)はマルチ
プレクスデコーダ回路(6)の電圧制御発振回路(VC
O)の発振周波数を決定する水晶振動子、(60〉はA
M−IF倍信号けを通過させるフィルタ回路、(61)
はAMチューナ回路(7〉の局部発振回路の受動回路素
子、(62)はL及びRチャンネルの出力端子である。
この他、素子定数的に集積化が困難な値を持つコンデン
サや抵抗が外付けされて全体の回路が実現する。
上記構成によれば、基本的に集積化困難な大容量値のコ
ンデンサ、抵抗、バリスタ等の受動回路素子を外付けす
る他、同調回路(」)だけを外付けするだけでFM/A
Mチューナが実現できるので、部品点数を減少すること
により安価なチューナを構成できる。
(ト)発明の効果 以上説明した如く、本発明によれば、互いに回路干渉を
生じ易い回路ブロックを最大限に離間すると共に全ての
回路ブロックを効率的に収納することができ、回路干渉
を最小限に抑えることによりFMフロントエンド回路(
1)をも内蔵したICを提供できる利点を有する。
また、マット(18)を基本としマット(18)を組み
合せることでIC全体のレイアウトを行うので、各回路
ブロック毎または各マット(18)毎の並行設計が可能
となりパターン設計期間の大幅な短縮が図れる。また、
回路変更も回路ブロック毎またはマット(18〉毎に行
えるので、IC全体の設計変更は不要であり、変更部分
以外は前機種の信頼性を保ったまま流用できる。その為
、上記FMフロントエンド回路(1)内蔵ICを短期間
で設計できる利点を有する。
さらに、分割領域(12)を利用することで、相互干渉
を最小限に抑えることができる利点をも有する。
そして、上記ICはFMフロントエンド回路(1)の能
動回路素子をも収納できるので、外付部品が少なくて済
み、従って安価で高性能のFM/AMラジオ受信機を構
成できる利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明を説明する為の平面図、第3
図はマルチプレクスデコーダ回路(6)を示す回路図、
第4図はFMフロントエンド回路(1)部分の要部断面
図、第5図は本発明を説明する為の平面図、第6図は本
発明のラジオ受信機を示す回路図、第7図はFM/AM
チューナ回路を示す回路図である。 (1〉はFMフロントエンド回路、 (2)は局部発振
回路、 (4)はFM・IF増幅回路、 (5)はノイ
ズキャンセル回路、(6)はマルチプレクスデコーダ回
路、 (7)はAMチューナ回路、 (12〉(12a
)は分割領域、(13)はグランドライン、(17)は
区画ライン、  (18)はマット、  (19)はグ
ランド電極パッド、 (54)は同調回路である。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)受信周波数信号と局部発振回路の発振周波数信号
    とを混合してRF信号からIF信号へ周波数変換するF
    Mフロントエンド回路ブロックと、前記IF信号を増幅
    ・振幅制限してステレオコンポジット信号に復調するF
    M・IF増幅回路ブロックと、前記ステレオコンポジッ
    ト信号からLチャンネル、Rチャンネルの左右ステレオ
    信号を発生させるマルチプレクスデコーダ回路ブロック
    と、AM放送を受信しオーディオ信号を出力するAMチ
    ューナ回路ブロックと、前記FMフロントエンド回路ま
    たはFM・IF増幅回路とは信号周波数の大きく異なる
    回路ブロックとを備え、前記FMフロントエンド回路ブ
    ロックを半導体チップ隅部の矩形領域へ配置し、前記矩
    形領域の1辺に夫々接して前記FMフロントエンド回路
    を取り囲むように前記AMチューナ回路ブロックと前記
    信号干渉を生じにくい回路ブロックを配置し、前記AM
    チューナ回路ブロックの1辺と前記信号周波数の大きく
    異なる回路ブロックの1辺に接して前記FMフロントエ
    ンド回路ブロックの対角線上に位置するように前記FM
    ・IF増幅回路ブロックを配置し、前記AMチューナ回
    路ブロックまたは前記信号周波数の大きく異なる回路ブ
    ロックのどちらか一方を挾んで前記FMフロントエンド
    回路ブロックと対向する位置に前記マルチプレクス回路
    ブロックを配置したことを特徴とするFM/AMチュー
    ナ用半導体集積回路。
  2. (2)半導体チップの中央を略一直線で延在する分割領
    域により前記半導体チップを第1と第2の領域に分割し
    、前記分割領域とは直交する方向に電源ラインとグラン
    ドラインをペアで延在させた区画ラインを複数本並設す
    ることにより前記第1と第2の領域を実質的に同一サイ
    ズの複数個の領域に分割して夫々の領域をマットとし、 局部発振回路と混合回路を含みRF信号をIF信号へ周
    波数変換するFMフロントエンド回路ブロックと、前記
    IF信号を増幅・振幅制限ステレオコンポジット信号に
    復調するFM・IF増幅回路ブロックと、前記ステレオ
    コンポジット信号からLチャンネル、Rチャンネルの左
    右ステレオ信号を発生させるマルチプレクス回路ブロッ
    クと、AM放送を選局しAF信号を出力するAMチュー
    ナ回路ブロックと、前記FMフロントエンド回路または
    FM・IF増幅回路とは信号周波数の大きく異なる回路
    ブロックとを夫々整数個のマットに納めると共に、 前記FMフロントエンド回路ブロックを前記半導体チッ
    プの隅部へ配置し、夫々が前記FMフロントエンド回路
    ブロックの1辺と夫々接して前記FMフロントエンド回
    路を取り囲むように前記AMチューナ回路ブロックと前
    記信号周波数の大きく異なる回路ブロックを配置し、前
    記AMチューナ回路ブロックと前記信号周波数の大きく
    異なる回路ブロックの1辺に接して前記FMフロントエ
    ンド回路ブロックの対角線上に位置するように前記FM
    ・IF増幅回路ブロックを配置し、前記AMチューナ回
    路ブロックまたは前記信号周波数の大きく異なる回路ブ
    ロックのどちらか一方を挾んで前記フロントエンド回路
    ブロックと対向する位置に前記マルチプレクス回路ブロ
    ックを配置したことを特徴とするFM/AMチューナ用
    半導体集積回路。
  3. (3)前記信号周波数の大きく異なるはノイズキャンセ
    ル回路であることを特徴とする請求項第1項または第2
    項に記載のFM/AMチューナ用半導体集積回路。
  4. (4)請求項第1項または第2項に記載のFM/AMチ
    ューナ用半導体集積回路に外付部品を付加したことを特
    徴とするラジオ受信機。
JP63173010A 1988-06-21 1988-07-12 Fm/amチューナ用半導体集積回路 Expired - Lifetime JPH0666415B2 (ja)

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DE68929148T DE68929148T2 (de) 1988-06-21 1989-06-20 Integrierte Halbleiterschaltung
US07/675,031 US5155570A (en) 1988-06-21 1991-01-25 Semiconductor integrated circuit having a pattern layout applicable to various custom ICs

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60183453U (ja) * 1984-05-14 1985-12-05 オムロン株式会社 光伝送用集積回路装置
JPS61292341A (ja) * 1985-06-20 1986-12-23 Toshiba Corp 半導体集積回路
JPS62293660A (ja) * 1986-06-13 1987-12-21 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

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