JPH0252035A - 真空処理機器を通気するための方法と装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は真空チェンバ内での半導体ウェーハの処理に関
するもので、より広義には真空機器内で処理される加工
物の粒子汚染を減少させるための装置と方法に関するも
のである。

〔発明の背景〕

集積回路の製造には、真空内で高エネルギービームを半
導体ウェーハに適用することを含む多くの処理法が利用
される。これらの処理法にはイオン注入、イオンビーム
ミリング及び反応性イオンエツチングなどがある。

在来のイオン注入システム及びその他の半導体ウェーハ
製造機器は、イオン注入又はその他のエネルギー供給中
に高度の真空に維持された処理チェンバを利用する。こ
のような真空チェンバが処理のあとに通気されると、著
大な動的空気力が流入する通気ガスに生じるにれら動的
空気力はチェンバ内の諸表面上１例えばプラテン上、及
び真空チェンバや真空ロックの内部表面上などに存在す
る痕跡粒子を動かす。これにより動的空気力は粒子を可
動化させるので、粒子は処理中のウェーハ表面に付着す
るようになる。特に、制御されない通気操作の間に最初
に乱入するガスは痕跡粒子を舞い上がらせる衝撃波を生
じることがあるので、粒子がウェーハ表面に付着するこ
とになる。このような粒子の存在はウェーハ表面を汚染
し、その結果の半導体を役に立たなくする。

半導体ウェーハの粒子汚染は商業的半導体製造にとって
重要と認識されている問題である。それはウェーハ製造
の大きな部分を廃棄させる原因となＤ、従って歩留を低
下させるからである。粒子汚染の問題は、ＶＬＳ　Ｉ技
術が進歩し、回路寸法がますます小さくなると、なおさ
ら深刻になってくる。回路のライン幅が小さくなって粒
子径に近づくと、この形の汚染は故障率を増大させ、歩
留を低下させる。今日では０．５ミクロンはどの小さい
粒子が半導体ウェーハの廃棄を余儀なくさせ得るのであ
る。

粒子汚染を減少させることに向けられた１つのアプロー
チは、処理環境から粒子を除去するための沈殿及び濾過
設備を備えたクリーンルーム環境の使用である。しかし
、０．５ミクロン範囲の粒子の大多数はクリーンルーム
環境でも存在し得るものなのである。

汚染を最小にするための他の在来技術は真空チェンバ及
び真空ロック表面の厳格な清掃である。

その他の技術には、すべての材料取扱い機構がウェーハ
より下にあるように材料取扱いシステムを設計してウェ
ーハの上にほとんど粒子が落ちないようにすることであ
る。これらの技術は総粒子数を減少させはするが、全く
痕跡粒子がない処理チェンバを保証するものではない。

成る従来の半導体ウェーハ製造システムは、真空チェン
バ及び真空ロック内の乱流を減少させて粒子汚染を減少
させようとして１通気操作全体を通じて鋭く絞ったガス
流又は通気速度を利用する。

しかし、このようなシステムは長い通気時間１例えば成
る場合には約３分間もの通気時間となる結果、ウェーハ
産出高が低下する。対比的に全注入時間は典型的に１分
の何分の１か、成る場合にはウェーハ１枚当り１５秒以
下である。３分間の通気時間は総処理時間を約２５％遅
延させると見込まれる。かような処理時間の増大は、高
産出量の達成を主たる目的とする商業的半導体処理にお
いて致命的である。要するに、在来の半導体処理システ
ムは、高産出量と両立する低粒子汚染レベルを達成して
いない。

従って、高い処理速度とウェーハ産出量を維持しつつ２
粒子汚染を減少させる、半導体ウェーハ及びその他の加
工物のための真空処理方法及び装置に体する需要が存在
しているのである。

〔発明の目的〕

かくして本発明の目的は、改良された真空処理方法及び
装置を提供することである。

本発明の他の目的は、処理されている加工物の粒子汚染
を防止又は減少させつつ、真空チェンバ又は真空ロック
を急速に通気するための方法及び装置を提供することで
ある。

本発明のさらに他の目的は、増大された通気速さ及び処
理速度を維持する一方、真空機器の真空ロック内におけ
る乱流状の通気流を減少させる方法及び装置を提供する
ことである。

〔発明の概要〕

本発明は以上の目的及びその他の目的を達成するため、
真空処理チェンバの制御された通気のための装置と方法
をもたらすものである。本発明の一態様は、通気中のチ
ェンバ内のガスの状態を感知するための感知素子、及び
この感知素子に応答する通気速さ制御素子を設けること
を含む。制御素子は、ソニカリー・チョークド・フロー
（ｓｏｎｉｃａｌｌｙ−ｃｈｏｋｅｄ　ｆｌｏｗ）の選
択された最大通気速さ閾値に接近する通気速さを達成し
、それにより強化された非ソニカリー・チョークド通気
を達成するものである。

本発明の他の態様では、チェンバ内のガス圧を感知する
ための、そしてこのガス圧を表わす圧力信号を発生する
ためのチェンバ圧感知素子を設ける。本発明のこの態様
では、またガスのチェンバ内への流入速さを感知するた
めの、そしてこの速さを表わすための流速信号を発生す
るためのガス流感知素子を設ける。

本発明はまた、適用制御信号に応答してチェンバ内への
ガス流入速さを規制するように配列した制御素子を含む
。この制御素子は、チェンバ圧感知素子及び通気感知素
子に接続されて、ガス圧信号及びガス流速信号に応答し
た適用制御信号を発生し、ソニカリー・チョークド・フ
ローの選択最大流速閾値に近づくチェンバ内へのガス流
入速さを達成し、これにより強化された非ソニカリー・
チョークド・ガス流を達成する。

制御素子は、チェンバ圧の関数としてガス流速を制御す
るため、そして特に増加するチェンバ圧に直線関係で、
さもなければ比例して、ガス流を増加させるため適用制
御信号を発生するための圧力応答素子を含んでいる。

本発明のさらに他の態様では、制御素子がチェンバへの
ガス流入速さを選択的に減少させるため弁素子を含み、
ガス流感知手段が規制素子とチェンバの間のチェンバ連
通ガス通路に沿って位置づけられた感知手段を含み、チ
ェンバへのガス流入速さを表わす圧力パラメータを測定
するようになっている。

本発明のさらに別の態様によれば、制御素子はソニカリ
ー・チョークド・フローの流速閾値を自動的に計算する
マイクロプロセッサ素子を含んでいる。このマイクロプ
ロセッサ素子は、チェンバ圧感知素子の電気回路内で圧
力信号を読み取るための第１入力素子と、ガス流感知素
子の電気回路内で流速信号を読み取るための第２入力素
子と、ソニカリー・チョークド・フローの流速閾値を数
学的に決定するため圧力信号と流速信号とに応答する数
学論理回路と、制御信号を発生する出力素子とを含み得
る。

本発明はまた真空処理チェンバの通気を制御する方法を
も提供し、この方法は通気中のチェンバ内のガスの状態
を感知し、感知されたガスの状態に応答してソニカリー
・チョークド・フローの選択最大通気速さ閾値に近づく
通気速さを達成し、強化された非ソニカリー・チョーク
ド通気を実現することから成る。

本発明の特定の実施態様は、チェンバ内のガス圧を感知
してチェンバ内ガス圧を表わす圧力信号を発生すること
；チェンバ内へのガス流入速さを感知してこの流入速さ
を表わす流速信号を発生すること；チェンバへのガス流
入速さを規制する適用制御信号に応答すること；及び、
圧力信号及び流速信号に応答する制御信号を発生して、
ソニカリー・チョークド・フローの選択最大流速閾値に
近づくガス流の速さを達成し、以って強化された非ソニ
カリー・チョークド・ガス流を実現すること、の諸工程
を含む。

発生工程は、ガス流をチェンバ圧の関数として制御する
、特にガス流を増加するチェンバ圧と直線的に又は比例
的に増加させる、適用制御信号の発生を含み得る。適用
制御信号に応答する工程は、チェンバへ流入するガス流
速を表わす圧力パラメータを測定することを含み得る。

本発明の他の実施において、適用制御信号を発生する工
程はソニカリー・チョークド・フローの流速閾値を自動
的に計算する工程を含む。計算工程は、圧力信号と流速
信号を読み取ってソニカリー・チョークド・フローの流
速閾値を計算すること、及びソニカリー・チョークド・
フローの流速閾値を表わすものである適用制御信号を発
生することを含み得る。

本発明によれば、加工物かのその中で処理されつつある
真空チェンバは、チェンバ内の圧が処理のための高真空
から通気圧に上昇する時１通気ガスの流れを動的に制御
することにより通気される。

通気圧は典型的に大気圧であＤ、加工物がチェンバへ装
入され且つ取り出される時の状態である。

動的制御は、通気されつつある空間内に音波衝撃条件を
作り出す水準のすぐ下の最大高水準通気流を与える。こ
の通気水準は、チェンバ圧が上昇する時、低水準から漸
進的に高水準へ増加するように相応的に制御される。通
気制御はオープンループ型であり得るが、最も多くの場
合について好適には調整されたクローズトループ型であ
る。いずれの場合も、その結果のいわゆるプルフィル（
Ｐｒｏｆｉｌｅ）通気は１粒子の音波的散乱を回避する
ことにより加工物の粒子汚染を激減させる。それはまた
比較的迅速で、従らて短い通気時間を可能にし、これに
より真空処理の高産出量を強化するものである。

本発明は従って諸要素の構造、組合せの特長を実現する
諸工程及び装置と、これら諸工程を実行するのに適した
諸部材の配置から成るものであって、以下に例示し、特
許請求の範囲に規定した通りのものである。

以下では、本発明を集積回路の製造における半導体ウェ
ーハの真空処理に関連させて説明するが。

本発明はこの特定例だけに限定されるものではなく、そ
の他の真空処理機器及び方法における通気にも等しく適
用され得るものである。

〔実施例〕

第１図は在来の通気法を略伝するもので、これはプラテ
ン４上に載せた半導体ウェーハ２を処理するための真空
チェンバ１２について利用される方法である。真空内で
のイオン注入又はその他の処理が完了すると、真空チェ
ンバ１２はガス８をガスｇ２４から流れ制御弁２０、調
整器オリフィスプレート１４及びチェンバ連通通路９を
経て導入することにより通気される。

真空チェンバ１２が通気される時、大きな動的空気力が
発生する。この現象は第１図に詳しく描かれている。制
御されない通気サイクル中は、通気ガス８が通路９から
真空チェンバ１２へ入ると、衝撃波６がチェンバ１２内
に形成される。衝撃波６の動的空気力は痕跡粒子７をプ
ラテン４及びチェンバ１２の内表面に束縛している力に
打ち勝って粒子７を可動化させ得る。すると粒子７がウ
ェーハ上に付着してウェーハを汚染し不良品を生じる結
果となる。

第１図に示したような短い管で小口径を通って高速ガス
流を流す物理システムにおいて、管の一側の圧力Ｐ１が
比較的低く、管の反対側の圧力Ｐ２が比較的高い（例え
ば大気圧に近い）時は、管内の流速は音速に達するまで
増加する。この条件では、次式（１）により定義される
圧力比（ｒ）ｒ　＝　Ｐ　１　／　Ｐ　２　　　　　式
（１）は臨界値に近づき、圧力Ｐ１がさらに低下しても
流速又は流れの速さの増加を生じないが、Ｐ２がさらに
増加すると、増加したエネルギーの衝撃波を生じる。こ
の臨界圧力比（ｒｅ）は−価のガスについて約０．４９
から多価ガスについて約０．６０までの範囲にあると計
算されている。窒素Ｎ２については０．５３であＤ、こ
れは半導体製造に普通に使用されている通気ガスである
。

こうして第１図に関し、真空チェンバ圧（Ｐｌ）と、外
部圧又は通気圧（Ｐ２）、例えばガス源２４の圧との臨
界比において、通路９内の流速はウェーハ２の表面で音
速にまで増加する。この条件を“ソニカリー・チョーク
ド・フロー”　（ｓｏｎｉｃａｌｌｙｃｈｏｋｅｄ　ｆ
ｌｏｗ）という、衝撃波６はソニカリー・チョークド・
フローの速度に達した時に発生する。

衝撃波はチェンバ１２内の乱流を鋭く増加させ１粒子７
とこれが休止しているチェンバ１２内の表面との間の引
力を次第に打ち破る。

本発明によれば、通気ガスの流速又は通気速さは、前記
ソニカリー・チョークド・フローの流速閾値又は圧力閾
値に近づくが越えないように動的に制御される。この通
気ガス流の制御によって第１図に示したような衝撃波を
減少させ、消滅させることさえできる。本発明はこれに
より乱流と、その結果の汚染を著しく減少させる。さら
に、この通気の選択的な制御は非ソニカリー・チョーク
ド通気速さを最大限にし、これにより機器の処理サイク
ルを短縮し、相応して産出量を増加させるものである。

第２図はかような通気速さの制御を行なうための本発明
に係るプロフィル通気システムを略伝する図である。図
示のプロフィル通気システム１０は。

真空チェンバ１２内の圧Ｐ１を感知して、このチェンバ
圧Ｐ１を表わすチェンバ圧信号２８を発生させるため圧
力センサ１６を利用する。このセンサは普通の真空ゲー
ジでよい。本発明の好適実施例においては、普通の設計
のシステムコンピュータ３２が、センサ１６の信号２８
を受は取って、これを読み取Ｄ、処理するように接続さ
れている１本発明について利用されるシステムコンピュ
ータ３２は普通のマイクロプロセッサ、コンピュータ、
アナログ回路、計算装置等々でよく、本発明の記述に従
い当業者の知識に従って構成され、プログラム化さｔＬ
得る。

図示の通気システムＩＯはまた通気圧力センサ１８をも
有し、これは例えば普通の圧力ゲージでよく、ガス源２
４から流れ制御弁２０を通って供給される通気ガス８の
圧力である所の制御された通気圧を感知するためのもの
である。圧力センサＩ８は好適に流れ制御弁２０とレギ
ュレータ・オリフィスプレート１４（これは通常と同様
に達成可能な最大固定通気速さを設定する）との間の地
点での圧を感知するように配置される。図示の圧力セン
サ■８は制御された通気圧（Ｐ２）を表わす圧力信号３
０を発生する。これら圧力信号３０はシステムコンピュ
ータ３２の他の入力に割当てられる。

受けとった通気圧信号３０とチェンバ圧信号２８とに応
答して、システムコンピュータ３２は流れ＃復信号２６
を発生し、これは弁アクチユエータ２２に送られる。ア
クチュエータ２２は流れ制御弁２０に連結されていて、
痛路９へ入れられる通気ガス８の速さを緩和し、又は動
的に規制する。システムコンピュータ３２が流れ制御信
号を発生するアルゴリズムは後に第３図に関し詳説する
。

第３図は、第２図の通気システム１０の好適実施例によ
って与えられる制御ループのブロック図である。第３図
に示すように、システムコンピュータ３２はチェンバ圧
Ｐ１を・表わす圧力信号２８と、制御された通気圧を表
わす圧力信号３０とを受は取る。

上記式（１）に従い、システムコンピュータ３２は圧力
信号Ｐ１とＰ２との大きさを比較し、連続的に出力制御
信号２６を調節して１ｗｔ測される比（Ｐｉ／Ｐ２）を
制御されつつある特定の通気ガスについての臨界圧力比
に本質的に維持するようにする。

現実の実施においては、制御はこの臨界比より選択され
た閾値量だけ大きい圧力比を維持する。この閾値は、少
なくとも一部、既知の流体制御システムの設計による現
実の制御システムのパラメータを反映し、例示的には選
択された比の値の１０％であり得る。

具体的に５もしシステムコンピュータ３２で通気速さが
最適より小さい（すなわち比ＰＬ／Ｐ２が選択した値を
選択された閾値より以上に越えている）ことを検出した
とすると、システムコンピュータ３２はアクチュエータ
２２に流れ制御弁２０を次第に開かせる制御信号２６を
送る。増大した弁の開きは、システムコンピュータ３２
が所望の（Ｐｌ、／Ｐ２）圧力比を検出する点まで通気
圧Ｐ２を増加させる。

さらに、通気操作が進行して真空チェンバ内の圧力がガ
ス源２４の圧力に近づくと、すなわちチェンバ圧Ｐ１が
増加すると、システムコンピュータ３２は信号２６によ
ってアクチュエータ２２を作動させて、制御弁２０の開
きを増加させる。この作用により１通気流速は増加する
。対応して、制御された通気圧Ｐ２は増加し、そして（
ＰＬ／Ｐ２）圧力比は選択された値を維持する。

この作用と共に、システムコンピュータ３２は、時間／
ガス流、圧力／ガス流の曲線を第４Ａ図、第４Ｂ図にそ
れぞれ示すように与える。第４Ａ図のグラフは、本発明
の第２図の実施例によＤ、第３図に関し説明したように
動作させた時、与えられる時間／ガス流速の曲線への一
例を示している。

曲線Ａは、処理チェンバへの、従って通路９内のガス流
（例えば標準立方センナメートル毎秒で表わした）を時
間の関数としてプロットしたものである。通気ガス流は
時間Ｔｏ（チェンバ１２の通気が始まる時点）で最小値
をもつ。第２図及び第３図のシステム１０は弁２０を作
動させて、（ＰＬ／Ｐ２）圧力比を選択されたレベルに
維持するように通気流率を増加させる。通気流率の図示
した増加は連続的である。時間Ｔ１において、流率はオ
リフィスプレートによって設定される最大レベルにある
。

第４Ｂ図のグラフは、同じ時間間隔Ｔｏ−Ｔｌにわたる
、通気ガス流速のチェンバ圧力（Ｐｌ）のｒＭ数として
の曲ｇＢを示している。このグラフは、本発明のもたら
すシステムが、チェンバ圧Ｐ１増加の関数として増加す
るチェンバへの通気ガス流を達成していることを示して
いる。この作用は比ＰＬ／Ｐ２を選択された値に維持す
ることの目的にかなうものである。上式（１）が示して
いるように１通気流速は通気サイクルの始点（圧力Ｐ１
が最小）で絞られるべきである。当業者に理解されるよ
うに、通気操作の始点におけるチェンバの真空条件は比
較的ごくわずかな気体分子だけをウェーハ近傍にもたら
し、保護法境界層を作っている。

従って、通気ガスがチェンバに入ると、この貧弱な境界
層は急速に消失し、ウェーハの表面における局所速度は
急速に音速に近づく。

上述のように本発明に従い、通気ガスの関数として圧力
比ＰＬ／Ｐ２を選択された値に維持することはソニカリ
ー・チョークド・フローをなくシ５その結果の衝撃波及
び過度の乱流をなくして粒子を可動化させないようにす
る。これによりウェーハその他処理されつつある加工物
が、どうしても存在する粒子によって汚染される傾向を
１減させる。その他の重大な特徴は、本発明による最適
Ｐ１／Ｐ２比の維持が、音速チョークされない最大通気
流を達成するということである。これにより迅速な通気
、従って処理速度の向上と産出量の増大とが達成される
。

第４Ａ図、第４Ｂ図に示したような通気曲線を生じるよ
うに通気率を規制することは通気時間を約半分にまで短
縮させ、しかも実質的に粒子汚染を生じない。これは通
気サイクルを通して通気率を著しく減少させるという、
成る従来技術の通気システムと対照的である。通気時間
半減は、イオン注入のめたの全体的処理時間を１０％又
はそれ以上のオーダーでスピードアンプするものである
。

当業者には理解されるように、本発明を好適なりローズ
ドループ制御方式について説明してきたが１本発明はオ
ープンループ制御でも実施し得るものである。このよう
なオーブンループシステムの１つでは、制御弁２０の開
きが、計算に基づき、又は予め測定したシステムパラメ
ータ例えばチェンバ容積、処理ガスのタイプ、処理ガス
の供給圧などに基づき、特定比ＰＬ／Ｐ２を維持するよ
うに時間の関数として変化させられる。

以上から明らかなように本発明は前記した目的を有効に
達成するもので、特に半導体ウェーハの真空処理におい
て乱流による粒子汚染を減少させる一方、高処理速度と
産出量を維持するものである。

なお、種々の変更修正が可能であるが、例えば第２図及
び第３図に示した圧力センサ１８の代わりに流速センサ
を使用してもよい。システムコンピュータ３２はそれに
応じて変更し、かようなセンサからの流速情報に応答し
てこれを処理するようにすればよい。また、明瞭のため
オリフィスプレート１４について記述したが、すべての
実施例で必ずこの別体部品が必要なわけではなく、例え
ば導管９そのものがオリフィス要素として機能すること
もあり得る。動作順序などは本発明の範囲を逸脱するこ
となく変更可能であＤ、図示し説明した所は限定ではな
く例示的なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の半導体ウェーハ処理のための真空チェン
バの通気プロセスにおける動的空気力による粒子の移動
を説明する略伝図。 第２図は本発明に係る通気システムの基本概念を示す概
念図、 第３図は第２図の通気システムの好適実施例の制御ルー
プの接続ブロック図、 第４Ａ図は第２図の通気システムにより与えられる時間
／流率の関係を示すグラフ。 第４Ｂ図は第２図の通気システムにより与えられるチェ
ンバ圧／流率の関係を示すグラフである。 １０・・・通気システム １６・・・圧力センサ ２０・・・流れ制御弁 ２４・・・ガス源 ２８・・・チェンバ圧信号 ３２・・・システムコンピュータ １２・・・真空チェンバ １８・・・圧力センサ ２２・・・アクチュエータ ２６・・・流れ制御信号 ３０・・・ガス流信号

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、交互に排気と通気をされ得る処理チェンバを有する
   半導体処理装置において、 Ａ、該チェンバ内のガス条件を感知するための感知手段
   と、 Ｂ、前記感知手段に応答してソニカリー・チョークド・
   フロー（ｓｏｎｉｃａｌｌｙ−ｃｈｏｋｅｄ　ｆｌｏｗ
   ）の選択最大通気速さ閾値に接近する通気速さを達成し
   、以って強化された非ソニカリー・チョークド通気を達
   成する通気速さ制御手段とから成る改良装置。 ２、チェンバ連通ガス通路を通じてガスをチェンバに導
   入導出するようにした交互に排気と通気をされ得る処理
   チェンバを有する半導体処理装置において、 Ａ、前記チェンバ内のガス圧を感知し且つ該ガス圧を表
   わす圧力信号を発生するためのチェンバ圧感知手段と、 Ｂ、前記チェンバへ流入するガス流速を感知し且つこの
   ガス流の速さを表わす流速信号を発生するためのガス流
   感知手段と、 Ｃ、適用制御信号に応答して前記チェンバ内へ流入する
   ガス流の速さを規制する規制手段と、 Ｄ、前記チェンバ圧感知手段及び前記ガス流感知手段に
   接続されていて、前記圧力信号及び前記流速信号に応答
   する前記適用制御信号を発生するための制御手段であっ
   て、ソニカリー・チョークド・フローの選択最大流速閾
   値に接近するチェンバ流入ガスの速さを実現し、以って
   強化された非ソニカリー・チョークド・ガス流を達成さ
   せるための制御手段と から成る改良装置。 ３、前記制御手段がガス流をチェンバ圧の関数として制
   御する前記適用制御信号を発生するための圧力応答手段
   を含む請求項２に記載の改良装置。 ４、前記圧力応答手段がチェンバ圧の増加と共にガス流
   を増加させる前記適用制御信号を発生させるための手段
   を含む請求項３に記載の改良装置。 ５、前記規制手段がチェンバへ流入するガス流の速さを
   選択的に減少させる弁手段を含む請求項２に記載の改良
   装置。 ６、前記ガス流感知手段が、チェンバへ流入するガス流
   の速さを表わす圧力パラメータを測定するため、前記規
   制手段とチェンバの間でチェンバ連通ガス通路に沿って
   配置された圧力感知手段を含む請求項５に記載の改良装
   置。 ７、前記規制手段がソニカリー・チョークド・フローの
   前記流速閾値を自動的に計算するためのマイクロプロセ
   ッサ手段を含む請求項２に記載の改良装置。 ８、前記マイクロプロセッサ手段が、 Ａ、前記圧力信号を読み取るため前記チェンバ圧感知手
   段の電気回路内に設けた第１入力手段と、 Ｂ、前記流速信号を読み取るため前記ガス流感知手段の
   電気回路内に設けた第２入力手段と、 Ｃ、前記ソニカリー・チョークド・フローの流速閾値を
   計算するため前記圧力信号及び流速信号に応答する算数
   論理手段と、 Ｄ、前記適用制御信号を発生するための出力手段とから
   成る請求項７に記載の改良装置。 ９、処理チェンバを交互に排気し通気する工程を含む半
   導体処理方法において、 Ａ、前記チェンバ内のガス条件を感知すること、 Ｂ、感知されたガス条件に応答して、ソニカリー・チョ
   ークド・フローの選択最大通気速さ閾値に接近する通気
   速さを達成し、以って強化された非ソニカリー・チョー
   クド通気を達成すること から成る改良方法。 １０、処理チェンバをこれにガスを導入導出するための
   チェンバ連通ガス通路を通じて交互に排気し通気する工
   程を含む半導体処理方法において、 Ａ、チェンバ内のガス圧を感知して、該ガス圧を表わす
   圧力信号を発生すること、 Ｂ、チェンバへ流入するガス流速を感知して、該流速を
   表わす流速信号を発生すること、 Ｃ、チェンバへ流入するガス流の速さを規制するため適
   用制御信号に応答すること、及びＤ、前記圧力信号及び
   流速信号に応答する前記適用制御信号を発生して、ソニ
   カリー・チョークド・フローの選択最大流速閾値に接近
   するチェンバ流入ガスの速さを達成し、以って強化され
   た非ソニカリー・チョークド・フローを達成すること の諸工程から成る改良方法。 １１、前記発生工程がガス流をチェンバ圧の関数として
   制御する前記適用制御信号を発生することを含む請求項
   １０に記載の改良方法。 １２、前記発生工程が増加するチェンバ圧と直線関係で
   ガス流を増加させる前記適用制御信号を発生する工程を
   含む請求項１１に記載の改良方法。 １３、前記適用制御信号に応答する工程がチェンバへ流
   入するガス流の速さを選択的に減少させる工程を含む請
   求項１０に記載の改良方法。 １４、前記チェンバへ流入するガス流速を感知する工程
   がチェンバの外部の地点でチェンバへ流入するガスの速
   さを表わす圧力パラメータを測定する工程を含む請求項
   １０に記載の改良方法。 １５、前記適用制御信号を発生する工程が前記ソニカリ
   ー・チョークド・フロー流速閾値を自動的に計算する工
   程を含む請求項１０に記載の改良方法。 １６、前記ソニカリー・チョークド・フロー流速閾値を
   自動的に計算する工程が、 Ａ、前記圧力信号を読み取り、 Ｂ、前記流速信号を読み取り、 Ｃ、前記圧力信号と流速信号に応答して前記ソニカリー
   ・チョークド・フロー流速閾値の計算を行ない、 Ｄ、前記ソニカリー・チョークド・フロー流速閾値を表
   わすものである前記適用制御信号を発生する 諸工程を含む請求項１５に記載の改良方法。