JPH0252421B2 - - Google Patents

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JPH0252421B2
JPH0252421B2 JP63260714A JP26071488A JPH0252421B2 JP H0252421 B2 JPH0252421 B2 JP H0252421B2 JP 63260714 A JP63260714 A JP 63260714A JP 26071488 A JP26071488 A JP 26071488A JP H0252421 B2 JPH0252421 B2 JP H0252421B2
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pressure
tube
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    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Description

【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕 本発明は高温高圧の条件下でシリコン半導体デ
バイス等の物体を酸化又はアニーリングするため
に用いられる装置の分野に係り、特に、加熱器の
構造に関する。 〔背景技術〕 シリコン半導体デバイス等の物体を収容した酸
化を行なうための装置は市販されており一般に高
圧反応器と呼ばれている。高圧反応器は半導体デ
バイス等を収容するための容器を有し、容器内に
適当な気体が高圧で導入される。加熱素子の形の
「炉」が温度を上昇させるために容器の近くに設
けられる。高温高圧の下で気体の作用によりデバ
イスに所望の酸化が行なわれる。 中で気体が半導体と反応する石英管と炉との組
合わせから成る従来技術を記載した例は、米国特
許第3345223号；第3354004号；第3322501号；第
Re28402号；第3557286号明細書である。これら
の文献は直線状の反応管と炉とを開示している
が、単一気体流、逆行閉止部（retrograde
closure）改良された炉構造及び他の本発明の特
徴を含まない。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、装置内の至る所で本質的に一
様な圧力を自動的に与える単一気体流路を有する
改良された高圧反応器を提供する事である。 本発明の他の目的は、圧力容器内の気体が反応
管に戻るのを防ぐために圧力容器内の反応管に逆
行閉止部を有する改良された高圧反応器を提供す
る事である。 本発明の他の目的は、２つの同心加熱素子を有
する改良された加熱炉を有する改良された高圧反
応器を提供する事である。 本発明の他の目的は、反応器から排出される気
体が反応器に入る気体を予備加熱するために用い
られる改良された高圧反応器を提供する事であ
る。 本発明の他の目的は、反応器内の物体を動かす
ための磁気的に結合された機構を有する改良され
た高圧反応器を提供する事である。 〔発明の開示〕 第１図を参照すると、例えば鋼鉄から作られた
圧力容器１０を有し、その中に石英製の反応管１
２が設置された高圧反応器あるいは酸化装置が示
されている。反応管の内部には、酸化もしくはア
ニール等を行なうべき物体を保持するためのウエ
ハ・ボート１４が置かれる。ウエハ・ボート１４
はロツド１６に接続され、それによつて動かす事
ができる。 ２つの別個に制御され、同心的に配置された炉
即ち加熱素子１８及び２０が反応管１２を取り囲
む。炉１８及び２０の各々は端部及び中心に３つ
の加熱素子を有する。圧力容器１０の一端はウエ
ハ・ボート１４に接近するために蝶番式の扉が設
けられている。反応管１２の一端は、反応管１２
内及び圧力容器１０内の圧力を同じ値に維持する
ために反応管から出る気体のドリフト速度対拡散
送度比を高くするための逆行閉止部２２を有す
る。 逆行閉止部２２は第２図に、より詳細に示され
ており、詳細は後述する。反応管１２の他端は細
長い管２４を経て圧力容器１０の壁を貫通し、気
体源２６に接続される。気体源２６は加圧気体ボ
ンベ２６−１，２６−２，２６−３及び２６−４
から成る供給源として描かれているが、圧縮器等
の任意の適当な気体源を用いる事ができる。 ウ
エハ・ボート１４に一端が接続されたロツド１６
には磁性体片２８が取り付けられている。一対の
磁石３０及び３２が、管２４及び後述する圧力容
器１０用の気体排出管である周囲の管３４の外側
に配置される。磁石３０及び３２はモータ（図示
せず）に接続され、図面内で左右に動かされる。
磁石３０及び３２に磁気的に結合された磁性体片
２８はこの左右の動きに追従する。磁性体片はロ
ツド１６を介してウエハ・ボート１４に接続され
ているので、磁石のモータを制御する操作員の意
のままにウエハ・ボート１４は反応管１２内で左
右に動かされる。 反応管１２内の例えば1000℃に至る高温は、外
部リード３６に接続された電気的加熱素子から成
る炉１８及び２０によつて発生される。熱損失又
は熱伝達は対流により圧力の増加と共に大きくな
る事が知られている。もしいくつかの従来の高圧
反応器のように１つの炉しか用いなければ、炉と
圧力容器の外壁との間の温度差により対流による
熱損失が起きるであろう。これは甚だしい温度の
不均一を生じ、そして過度の電力の使用を必要と
する。第１図の装置においては内側の炉１８の周
囲に第２の炉２０が設けられ、少し低い温度に維
持される。従つて小さな温度差しか存在せず、炉
１８からの熱損失も小さい。又圧力容器１０全体
を囲む壁温度制御システムが設けられ、第１図の
ように空気等の温度制御された流体が圧力容器１
０上を通過される。この空気あるいは温度制御流
体は高温に保たれるが、この温度は反応管１２の
壁の温度よりも低い。例えばもし第２の炉の温度
が500〜1000℃の範囲内であれば、外側の炉２０
と圧力容器の壁との間の温度差が大き過ぎないよ
うにそして外側の炉２０と圧力容器の壁との間の
対流による熱損失が減少するように冷却物体は
300℃で導入され得る。従つて反応管１２からの
熱損失は最小化される。 温度の効率化の機構に加えて、第１図の装置は
単一気体流技術が用いられた独特の圧力機構を有
する。より具体的には石英反応管１２内の気体圧
力と圧力容器１０内の気体圧力は事実上同一の圧
力に保たれ、単一の気体圧力源によつて制御され
る。従来技術の装置は内側の反応管及び外側の圧
力容器に別個の圧力調整器を用いていた。反応管
の破壊を防止するために外側の圧力容器内の圧力
は内側の反応管内の圧力よりも小さくてはならな
いので、従来技術の装置で２つの別個の調整器を
用いる事は外側の圧力容器に関する圧力調整器が
故障した場合に破壊が生じる可能性を与えた。こ
の可能性は、本発明の単一圧力気体流機構を用い
れば避けられる。 第１図を参照すると、源２６からの気体は通常
の弁３８及びフイルタ４０及び接続器４１を経て
装置に入る。気体は接続器４１を経て直接内側の
管２４内に導入され、圧力の下で反応管１２に流
入する。次に気体は反応管１２の端部にある逆行
閉止部２２を流出して、外側の圧力容器１０内に
入る。逆行閉止部２２は気体が反応管１２から圧
力容器１０内に流出する事を許すが、圧力容器１
０から反応管１２内に逆流する事は許さないよう
に設計される。逆行閉止部２２詳細は後で第２図
を参照して説明する。気体は次に外側の圧力容器
１０から第１図の構造の左側を通り管３４に入
り、排出口４２を経て装置外に出る。気体は、管
３４の中を出て行く時、管２４の上を通り、到来
する気体を予備加熱するのに役立つ。排出管路は
通常の背圧調整器４４及び調整のための可変リー
ク４６を含む。同様に通常の安全弁４８及びゲー
ジ５０が、フエイル・セーフ破壊板５２と共に、
圧力容器１０に設けられる。圧力スイツチ５６に
よつて制御される通常のソレノイド弁５４は動作
の終了時に装置から圧力を逃がすために設けられ
る。。また通常の熱電対リード５８は装置内の
種々の場所における温度を測定するために設けら
れる。 第２図を参照すると、逆行閉止部２２のより詳
細な図が示されている。反応管１２の開口端には
円筒状のキヤツプ素子２２−１があつて、反応管
１２の外壁上を逆に伸びている。第２の円筒状キ
ヤツプ素子２２−２は反応管１２の壁に固定さ
れ、キヤツプ素子２２−１上を逆に伸びている。 典型的な構造では反応管１２は内径91mm外径96
mmである。キヤツプ素子２２−１は内径103mm外
径107mmで、キヤツプ素子２２−２は内径108mm外
径114mmである。従つて反応管１２から来た気体
は３つの断面積の減少する領域、即ち π912／４＝65cm2 π1032／４−π962／４＝11cm2 π1082／４−π1072／４＝1.7cm2 を通過する。同心素子の典型的な直線的重なり距
離は20cmである。第２図の構造は第３図のように
説明することができる。 逆行閉止部２２の目的は圧力容器１０から反応
管１２への気体の逆流を阻止する事である。これ
は圧力容器１０中の気体は炉１８及び２０中の及
びその周囲の充填材料により汚染されるが、反応
管１２中の気体は高純度でなければならないから
である。 そのような逆流を防止し且つ依然として単一気
体流を維持し得るために、気体が反応管１２から
圧力容器１０に移動する時の気体のドリフト速度
VDRは気体の拡散速度VDよりも大きくなければな
らない。 そのような条件が第２図及び第３図に示す逆行
閉止部の構造によつて満たされる事は、以下のパ
ラメータの表を参照することによつて確証され
る。以下の表中の計算は５／min及び１／
minの流速に関して与えられる。
【表】
【表】 従つて到来する気体のドリフト速度VDRは拡散
速度VDよりも非常に大きく、たとえ単一気体流
が用いられる圧力容器内及び反応管内の圧力がほ
とんど等しくても、圧力容器から反応管への不純
な気体の逆流は存在しない。 第１図及び第２図の逆行閉止部は、反応管１２
からの気体の経路に関して蛇行した調節板を形成
する２つの素子２２−１及び２２−２を含む。も
し他の実施例で必要もしくは所望ならば、素子２
２−１及び２２−２よりも大きな直径の同様の素
子を素子２２−２の上に同心的に取り付け、圧力
容器１０に至る前に気体が通過するための面積の
減少した段を更に設ける事もできる。 以上説明して来たのは、単一気体流機構、改良
された炉構造、ウエハ・ボートを動かすための磁
気的に接続された機構、圧力容器から反応管への
逆流を防止する逆行閉止部、及び排出される気体
が流入する気体を予備加熱する同心の気体入出管
を有する新規且つ独特の高圧反応器である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の１実施例の図、第２図は第１
図の装置の一部２２の図、第３図は第２図の構造
の説明図である。 １０……圧力容器、１２……反応管、１４……
ウエハ・ボート、１８，２０……加熱器を構成す
る第１、第２の炉、２２……逆行閉止部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 試料を収容する反応管が加熱器によつて囲ま
    れた状態で圧力容器内に封入されている酸化反応
    用あるいはアニール処理用の反応装置であつて、 前記反応管内に設けられて前記試料を支持する
    支持手段と、一端が前記支持手段に結合され前記
    反応管及び圧力容器の一端を貫通して伸びる接続
    手段と、前記反応管内で前記接続手段及び前記支
    持手段を移動させるべく前記接続手段の他端に磁
    気的に結合された磁気的結合手段と、前記圧力容
    器を貫通して前記反応管の一端まで伸びる気体導
    入管と、前記圧力容器から前記気体導入管の回り
    を同心的に伸びる気体排出管と、を備えた前記の
    反応装置。
JP63260714A 1981-04-06 1988-10-18 反応装置 Granted JPH01132127A (ja)

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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4436509A (en) 1982-05-10 1984-03-13 Rca Corporation Controlled environment for diffusion furnace
US4459104A (en) * 1983-06-01 1984-07-10 Quartz Engineering & Materials, Inc. Cantilever diffusion tube apparatus and method
US4526534A (en) * 1983-06-01 1985-07-02 Quartz Engineering & Materials, Inc. Cantilever diffusion tube apparatus and method
US4573431A (en) * 1983-11-16 1986-03-04 Btu Engineering Corporation Modular V-CVD diffusion furnace
JPS6164130A (ja) * 1984-09-06 1986-04-02 Toshiba Corp 熱処理炉
JPS62112330A (ja) * 1985-11-11 1987-05-23 Rohm Co Ltd 高速スイツチング素子の製造方法
US4651441A (en) * 1986-04-01 1987-03-24 Mettler Instrumente Ag Drying oven including shuttle transporting means
JPS6455821A (en) * 1987-08-26 1989-03-02 Dainippon Screen Mfg Rapid cooling type heat treating apparatus
US5167717A (en) * 1989-02-15 1992-12-01 Charles Boitnott Apparatus and method for processing a semiconductor wafer
EP0437110B1 (en) * 1990-01-08 2001-07-11 Lsi Logic Corporation Structure for filtering process gases for use with a chemical vapour deposition chamber
US5167716A (en) * 1990-09-28 1992-12-01 Gasonics, Inc. Method and apparatus for batch processing a semiconductor wafer
US5228940A (en) * 1990-10-03 1993-07-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Fine pattern forming apparatus
US5246532A (en) * 1990-10-26 1993-09-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus
JP2501948B2 (ja) * 1990-10-26 1996-05-29 三菱電機株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US5118286A (en) * 1991-01-17 1992-06-02 Amtech Systems Closed loop method and apparatus for preventing exhausted reactant gas from mixing with ambient air and enhancing repeatability of reaction gas results on wafers
GB9217607D0 (en) * 1992-08-19 1992-09-30 Univ Edingburgh Improved furnace and control method therefor
US5451258A (en) * 1994-05-11 1995-09-19 Materials Research Corporation Apparatus and method for improved delivery of vaporized reactant gases to a reaction chamber
NL1005541C2 (nl) 1997-03-14 1998-09-18 Advanced Semiconductor Mat Werkwijze voor het koelen van een oven alsmede oven voorzien van een koelinrichting.
KR100783841B1 (ko) * 2000-05-31 2007-12-10 동경 엘렉트론 주식회사 열처리 시스템
JP5205910B2 (ja) * 2006-10-31 2013-06-05 三菱マテリアル株式会社 トリクロロシラン製造装置
WO2011130785A1 (en) * 2010-04-20 2011-10-27 Corbett Research Pty Ltd Temperature control method and apparatus

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1068695B (de) * 1958-02-06 1959-11-12 Farbwerke Hoechst Aktiengesellschaft vormals Meister Lucius 6. Brüning, Frankfurt/M Verfahren zur Herstellung von Fluoräthylenen
US3112919A (en) * 1960-10-27 1963-12-03 Vac Hyd Proc Corp Vacuum furnace
US3322501A (en) * 1964-07-24 1967-05-30 Ibm Preparation of gallium arsenide with controlled silicon concentrations
US3354004A (en) * 1964-11-17 1967-11-21 Ibm Method for enhancing efficiency of recovery of semi-conductor material in perturbable disproportionation systems
US3345223A (en) * 1965-09-28 1967-10-03 Ibm Epitaxial deposition of semiconductor materials
GB1153372A (en) * 1966-06-21 1969-05-29 Associated Semiconductor Mft Improvements in or relating to Methods of Heat Treating Semiconductor Bodies.
USRE28402E (en) 1967-01-13 1975-04-29 Method for controlling semiconductor surface potential
US3577286A (en) * 1967-10-11 1971-05-04 Ibm Semiconductor preparation and deposition process
US3662708A (en) * 1970-03-23 1972-05-16 Airco Inc Apparatus for supporting a substrate holder
US4018184A (en) * 1975-07-28 1977-04-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for treatment of semiconductor wafer
JPS5824711B2 (ja) * 1976-11-11 1983-05-23 株式会社日立国際電気 炉の温度制御装置
US4154192A (en) * 1976-12-10 1979-05-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Manufacturing apparatus for semiconductor devices
US4167915A (en) * 1977-03-09 1979-09-18 Atomel Corporation High-pressure, high-temperature gaseous chemical apparatus
US4268538A (en) * 1977-03-09 1981-05-19 Atomel Corporation High-pressure, high-temperature gaseous chemical method for silicon oxidation
US4204893A (en) * 1979-02-16 1980-05-27 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Process for depositing chrome doped epitaxial layers of gallium arsenide utilizing a preliminary formed chemical vapor-deposited chromium oxide dopant source
US4235841A (en) * 1979-02-21 1980-11-25 Autoclave Engineers, Inc. Double chambered high pressure furnace

Also Published As

Publication number Publication date
JPS57173947A (en) 1982-10-26
JPH0122980B2 (ja) 1989-04-28
JPH01132127A (ja) 1989-05-24
US4351805A (en) 1982-09-28
DE3275106D1 (en) 1987-02-19
EP0062174B1 (en) 1987-01-14
EP0062174A1 (en) 1982-10-13

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