JPS6337622A - 半導体デバイスの製造方法及び製造装置 - Google Patents
半導体デバイスの製造方法及び製造装置Info
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- JPS6337622A JPS6337622A JP17987986A JP17987986A JPS6337622A JP S6337622 A JPS6337622 A JP S6337622A JP 17987986 A JP17987986 A JP 17987986A JP 17987986 A JP17987986 A JP 17987986A JP S6337622 A JPS6337622 A JP S6337622A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半暇、琴体デバイスの製造装置（以下単にヒ）
卑体梨造装置という）に関するものである。
卑体梨造装置という）に関するものである。
ＬＳＩなどの半導体デバイスの製造工程中、製造過陛に
おける半導体素子の酸化、拡散或いはＣＶＤ （気相成
長）等の処理工程においては、加熱された反応管内に窒
素、酸素、シラン、アンモニア、ホスフィン、亜酸他室
１等の反応ガスを導入して前記処理を行なう。
おける半導体素子の酸化、拡散或いはＣＶＤ （気相成
長）等の処理工程においては、加熱された反応管内に窒
素、酸素、シラン、アンモニア、ホスフィン、亜酸他室
１等の反応ガスを導入して前記処理を行なう。
反応管には、一般に石英ガラスが用いられるが、前記の
各処理工程は温度、前記反応ガスのＩＩ、混合比の他に
該反応ガスの濃度及び圧力に太き（依存する。
各処理工程は温度、前記反応ガスのＩＩ、混合比の他に
該反応ガスの濃度及び圧力に太き（依存する。
従来の半導体製造装置ではこの′０１度及び圧力のコン
トロールは反応管の閉じられた端部に孔を開けこの孔の
大きさ及び個数によって決められたが、この決定は面倒
であり又一旦決めて反応管を製作すると、容易に変更で
きないという欠点があった。
トロールは反応管の閉じられた端部に孔を開けこの孔の
大きさ及び個数によって決められたが、この決定は面倒
であり又一旦決めて反応管を製作すると、容易に変更で
きないという欠点があった。
本発明は上述した従来の欠点を除去し前記反応容器にお
ける排気のコンダクタンスを任！に設定できる半導体装
置を提供することを目的とする。
ける排気のコンダクタンスを任！に設定できる半導体装
置を提供することを目的とする。
〔問題点を解決する為の手段及びその作用〕前記の目的
を達成する為に本発明の半導体製造装置は反応ガスの導
入口及び排出口を何する反応容器で、スリーブ状の反応
用内管を有し、該反応用内管の排気側端部と前記排気用
外管の内壁との間隙を調節することにより任、Ｅの排気
コンダクタンスを得ることを特徴とする。このような排
気コンダクタンスの制御により前記反応ガスの導入側と
排出側との圧力バランスの保持及び調節が容易になり、
前記処理工程の最適条件を見出しうる。
を達成する為に本発明の半導体製造装置は反応ガスの導
入口及び排出口を何する反応容器で、スリーブ状の反応
用内管を有し、該反応用内管の排気側端部と前記排気用
外管の内壁との間隙を調節することにより任、Ｅの排気
コンダクタンスを得ることを特徴とする。このような排
気コンダクタンスの制御により前記反応ガスの導入側と
排出側との圧力バランスの保持及び調節が容易になり、
前記処理工程の最適条件を見出しうる。
また本発明の半導体製造装置は前記スリーブ状の反応用
内管の排気Ｉｌｌｌｌ端居曲部を設けたことを特徴とす
る。該屈曲部により排気側に於て堆積しがちな反応生成
物を排気通路寄りに堆積させ前記反応用内管内に落下す
るのを防ぎ、かつ排気通路内の堆積物が剥離し逆流する
のを防ぐ効果を有する。
内管の排気Ｉｌｌｌｌ端居曲部を設けたことを特徴とす
る。該屈曲部により排気側に於て堆積しがちな反応生成
物を排気通路寄りに堆積させ前記反応用内管内に落下す
るのを防ぎ、かつ排気通路内の堆積物が剥離し逆流する
のを防ぐ効果を有する。
以下に図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図及び第２図に本発明を縦型炉に通用した実施例を
示す。第１図は反応用内管の排気側端部が中心軸に対し
垂直に切断されている場合を示し、第２図は該端部を外
部に開いた屈曲部を有する末広がりとした場合を示す。
示す。第１図は反応用内管の排気側端部が中心軸に対し
垂直に切断されている場合を示し、第２図は該端部を外
部に開いた屈曲部を有する末広がりとした場合を示す。
いずれの場合も反応用内管はスリーブ状の形状を有する
。第１図及び第２図に於て、ＩＡは管状の加熱炉１の炉
体、ＩＢは適宜な抵抗体からなるヒーター。２は加熱炉
１内に納められている反応容器で例えば石英ガラスから
なる排気用外管３と反応用内管４で構成される。該外管
３及び内管４は空間５で隔てられ、この空間は前記反応
ガスの排気通路となる。
。第１図及び第２図に於て、ＩＡは管状の加熱炉１の炉
体、ＩＢは適宜な抵抗体からなるヒーター。２は加熱炉
１内に納められている反応容器で例えば石英ガラスから
なる排気用外管３と反応用内管４で構成される。該外管
３及び内管４は空間５で隔てられ、この空間は前記反応
ガスの排気通路となる。
前記排気用外管３の上端は閉じられており均熱な閉空間
を形成している。下端はフランジ６、ＯリングＯＲ等に
よって気密封止されている。９は外管３の下部に設けら
れたガス排出口であり排気系に接続され反応管の真空排
気にも用いられる０反応用内管４は両端が開放であり下
端部はガイドリング１４により安定に保持されている。
を形成している。下端はフランジ６、ＯリングＯＲ等に
よって気密封止されている。９は外管３の下部に設けら
れたガス排出口であり排気系に接続され反応管の真空排
気にも用いられる０反応用内管４は両端が開放であり下
端部はガイドリング１４により安定に保持されている。
反応用内管４の上端部と排気用外管３との間隙部４Ｂに
より反応ガス通路５への入口断面望を調節し反応ガス通
路のコンダクタンスを制御する。前記間隙４Ｂは反応用
内管４の下に適当な厚さのスペーサー（リング）１０を
挿入することにより任意に設定される。
より反応ガス通路５への入口断面望を調節し反応ガス通
路のコンダクタンスを制御する。前記間隙４Ｂは反応用
内管４の下に適当な厚さのスペーサー（リング）１０を
挿入することにより任意に設定される。
また第２図の外側に開いた屈曲部４Ａは反応生成物が反
応用内管４内に逆流することを抑える効果を持つ。
応用内管４内に逆流することを抑える効果を持つ。
これまで反応容器として二重管で構成された例について
説明してきたが本発明の構成は二重管に限らず単一管で
構成された、或いは二重管以上の多重管で構成された反
応容器を有する半導体製造装置にも通用できる。又縦型
炉に限らず横型炉にも通用できる。第３図に二重管で構
成された場合の横型炉に通用した例を示す。
説明してきたが本発明の構成は二重管に限らず単一管で
構成された、或いは二重管以上の多重管で構成された反
応容器を有する半導体製造装置にも通用できる。又縦型
炉に限らず横型炉にも通用できる。第３図に二重管で構
成された場合の横型炉に通用した例を示す。
第１図及び第２図は本発明を縦型炉に通用した一実施例
の概要を示す縦断面図である。 第３ズは横型炉に通用した一例を示す。横型炉に適用す
る場合は反応用内管４の外側に支持脚１２を設け、外管
３と内管４が同心円上に配置されるようにする。 １・・・・加熱炉 ＩＡ・・・炉体 １Ｂ・・・ヒーター ２・・・・反応容器 ３・・・・排気用外管 ４・・・・反応用内管 ４Ａ・・・反応用内管の屈曲部 ４Ｂ・・・反応ガス排気通路のコンダクタンスを決める
反応用内管の上端部と排気用外管の内壁との間隙５・・
・・反応ガスの排気通路 ６．７・・フランジ ８・・・・反応ガス導入口 ９・・・・反応ガス排出口 １０・・・・スペーサー（リング） １１・・・・支持台 １２・・・・支持脚 １３・・・・炉支持台 １４・・・・ガイドリング ｇ・・・・反応ガス ＯＲ・・・０リング
の概要を示す縦断面図である。 第３ズは横型炉に通用した一例を示す。横型炉に適用す
る場合は反応用内管４の外側に支持脚１２を設け、外管
３と内管４が同心円上に配置されるようにする。 １・・・・加熱炉 ＩＡ・・・炉体 １Ｂ・・・ヒーター ２・・・・反応容器 ３・・・・排気用外管 ４・・・・反応用内管 ４Ａ・・・反応用内管の屈曲部 ４Ｂ・・・反応ガス排気通路のコンダクタンスを決める
反応用内管の上端部と排気用外管の内壁との間隙５・・
・・反応ガスの排気通路 ６．７・・フランジ ８・・・・反応ガス導入口 ９・・・・反応ガス排出口 １０・・・・スペーサー（リング） １１・・・・支持台 １２・・・・支持脚 １３・・・・炉支持台 １４・・・・ガイドリング ｇ・・・・反応ガス ＯＲ・・・０リング
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）反応ガスの導入口及び排出口を有する反応容器で、
該反応容器がスリーブ状の反応用内管とそれを覆う排気
用外管とで構成され、 該反応用内管と排気用外管とが或空間をもって隔てられ
、該空間は反応ガスの通路を形成するが、前記排気用外
管の内壁と前記スリーブ状の反応用内管の排気側の端部
との間隙を調節することにより、前記反応ガス排気通路
のコンダクタンスを任意に設定できるようにした半導体
製造装置。 ２）前記スリーブ状の反応用内管の排気側端部に外側に
開いた屈曲部を設け、該屈曲部により反応生成物が剥離
して反応用内管内に落下及び逆流するのを防止すること
を特徴とする特許請求範囲第１項記載の半導体製造装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61179879A JP2646079B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 半導体デバイスの製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61179879A JP2646079B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 半導体デバイスの製造方法及び製造装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7227257A Division JP2635019B2 (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 半導体デバイスの製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337622A true JPS6337622A (ja) | 1988-02-18 |
| JP2646079B2 JP2646079B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=16073496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61179879A Expired - Lifetime JP2646079B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 半導体デバイスの製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2646079B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220437A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Tel Sagami Ltd | 縦型炉 |
| JPH029118A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-12 | Tel Sagami Ltd | 縦型熱処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62245624A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Hitachi Ltd | 縦型処理装置 |
| JPS62245626A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Furendo Tec Kenkyusho:Kk | 半導体製造装置 |
-
1986
- 1986-08-01 JP JP61179879A patent/JP2646079B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62245624A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Hitachi Ltd | 縦型処理装置 |
| JPS62245626A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Furendo Tec Kenkyusho:Kk | 半導体製造装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220437A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Tel Sagami Ltd | 縦型炉 |
| JPH029118A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-12 | Tel Sagami Ltd | 縦型熱処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2646079B2 (ja) | 1997-08-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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