JPH0252431A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0252431A JPH0252431A JP20534588A JP20534588A JPH0252431A JP H0252431 A JPH0252431 A JP H0252431A JP 20534588 A JP20534588 A JP 20534588A JP 20534588 A JP20534588 A JP 20534588A JP H0252431 A JPH0252431 A JP H0252431A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 229910007156 Si(OH)4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に酸化シリコ
ン膜の形成方法に関する。
ン膜の形成方法に関する。
従来、半導体装置の製造工程において、半導体ウェハー
上に酸化シリコン膜（以下シリカ膜と記す）を形成する
には、シリコン化合物溶液を半導体ウェハー上に滴下し
、半導体ウェハーを回転させることにより、シリコン化
合物溶液を半導体ウェハー表面にひきのばし、その後２
００〜１０００℃の熱処理によりシリカ膜を半導体ウェ
ハー表面に形成する方法が主に用いられていた。
上に酸化シリコン膜（以下シリカ膜と記す）を形成する
には、シリコン化合物溶液を半導体ウェハー上に滴下し
、半導体ウェハーを回転させることにより、シリコン化
合物溶液を半導体ウェハー表面にひきのばし、その後２
００〜１０００℃の熱処理によりシリカ膜を半導体ウェ
ハー表面に形成する方法が主に用いられていた。
上述した従来のシリカ膜形成方法では、半導体ウェハー
の周辺部にもシリコン化合物溶液の膜が形成されている
ため、熱処理時に半導体ウェハーを支持する治具と半導
体ウェハー周辺部の接触により、接触部に付着していた
シリコン化合物の成分がパーティクルとなって放出され
る。そして、このパーティクルが半導体ウェハー表面に
再付着し、不良の原因となるため、高い良品歩留が得ら
れないという欠点があった。
の周辺部にもシリコン化合物溶液の膜が形成されている
ため、熱処理時に半導体ウェハーを支持する治具と半導
体ウェハー周辺部の接触により、接触部に付着していた
シリコン化合物の成分がパーティクルとなって放出され
る。そして、このパーティクルが半導体ウェハー表面に
再付着し、不良の原因となるため、高い良品歩留が得ら
れないという欠点があった。
本発明の半導体装置の製造方法は、回転塗布法によりシ
リコン化合物溶液を半導体ウェハー上に塗布し、熱処理
して酸化シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法で
あって、シリコン化合物溶液を塗布したのち半導体ウェ
ハー周辺部のシリコン化合物溶液膜を除去するものであ
る。
リコン化合物溶液を半導体ウェハー上に塗布し、熱処理
して酸化シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法で
あって、シリコン化合物溶液を塗布したのち半導体ウェ
ハー周辺部のシリコン化合物溶液膜を除去するものであ
る。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体ウェハー近傍の断面図である
。
めの工程順に示した半導体ウェハー近傍の断面図である
。
まず第１図（ａ）に示すように、回転チャック３に半導
体ウェハー１を固定したのち、半導体ウェハー１の中央
部にシリコン化合物溶液を滴下する。次で回転チャック
３を回転させ、遠心力でシリコン化合物溶液をウェハー
面内に均一に引き゛のばす。この時余分なシリコン化合
物溶液は半導体ウェハー１の外に飛ばされるが、シリコ
ン化合物溶液膜２は半導体ウェハー１の周辺部及び端部
にも形成される。
体ウェハー１を固定したのち、半導体ウェハー１の中央
部にシリコン化合物溶液を滴下する。次で回転チャック
３を回転させ、遠心力でシリコン化合物溶液をウェハー
面内に均一に引き゛のばす。この時余分なシリコン化合
物溶液は半導体ウェハー１の外に飛ばされるが、シリコ
ン化合物溶液膜２は半導体ウェハー１の周辺部及び端部
にも形成される。
次に第１図（ｂ）に示すように、回転する半導体ウェハ
ー１の周辺部に、ノズル４Ａ、４Ｂからシリコン化合物
溶液膜の除去液をあてて、周辺部及び端部のシリコン化
合物溶液膜の除去を行う。
ー１の周辺部に、ノズル４Ａ、４Ｂからシリコン化合物
溶液膜の除去液をあてて、周辺部及び端部のシリコン化
合物溶液膜の除去を行う。
この除去液としてはフッ酸を含む酸またはアルコールが
適当である。
適当である。
このようにして周辺部のシリコン化合物溶液膜が除去さ
れた半導体ウェハー１を第２図に示すように、ウェハー
支持治具５に立てて、０□またはＨ２Ｏの雰囲気中で２
００〜１０００℃の熱処理を行なう。この工程でシリカ
成分以外の溶剤は蒸発し、 Ｓｉ（ＯＨ）４→ ｓ ｉ ０２ ＋２Ｈ２０↑の化学
反応でシリカ膜が形成される。この熱処理工程で半導体
ウェハー１の周辺部とウェハー支持治具５とが接触する
が、半導体ウェハー１の周辺部のシリコン化合物溶液膜
はあらかじめ除去されついるので、従来のようにシリカ
成分がパーティクルとなって放出されることはなくなる
。従って従来の方法に比べ高い良品歩留を得ることがで
きる。
れた半導体ウェハー１を第２図に示すように、ウェハー
支持治具５に立てて、０□またはＨ２Ｏの雰囲気中で２
００〜１０００℃の熱処理を行なう。この工程でシリカ
成分以外の溶剤は蒸発し、 Ｓｉ（ＯＨ）４→ ｓ ｉ ０２ ＋２Ｈ２０↑の化学
反応でシリカ膜が形成される。この熱処理工程で半導体
ウェハー１の周辺部とウェハー支持治具５とが接触する
が、半導体ウェハー１の周辺部のシリコン化合物溶液膜
はあらかじめ除去されついるので、従来のようにシリカ
成分がパーティクルとなって放出されることはなくなる
。従って従来の方法に比べ高い良品歩留を得ることがで
きる。
以上説明したように本発明は、半導体ウェハー上にシリ
コン化合物溶液を塗布したのち、熱処理する前に半導体
ウェハー周辺部のシリコン化合物溶液膜を除去すること
により、熱処理工程でウェハー支持治具との接触により
シリカ成分かパーティクルとなって放出されることがな
くなるため、歩留の向上した半導体装置が得られる。
コン化合物溶液を塗布したのち、熱処理する前に半導体
ウェハー周辺部のシリコン化合物溶液膜を除去すること
により、熱処理工程でウェハー支持治具との接触により
シリカ成分かパーティクルとなって放出されることがな
くなるため、歩留の向上した半導体装置が得られる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの半導体ウェハー近傍の断面図、第２図は熱処理時の
半導体ウェハーとウェハー支持治具の断面図である。 １・・・半導体ウェハー、２・・・シリコン化合物溶液
膜、３・・・回転チャック、４Ａ、４Ｂ・・・ノズル、
５・・・ウェハー支持治具。
めの半導体ウェハー近傍の断面図、第２図は熱処理時の
半導体ウェハーとウェハー支持治具の断面図である。 １・・・半導体ウェハー、２・・・シリコン化合物溶液
膜、３・・・回転チャック、４Ａ、４Ｂ・・・ノズル、
５・・・ウェハー支持治具。
Claims (1)
- 回転塗布法によりシリコン化合物溶液を半導体ウェハー
上に塗布し、熱処理して酸化シリコン膜を形成する半導
体装置の製造方法において、シリコン化合物溶液を塗布
したのち半導体ウェハー周辺部のシリコン化合物溶液膜
を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20534588A JP2752643B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20534588A JP2752643B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252431A true JPH0252431A (ja) | 1990-02-22 |
| JP2752643B2 JP2752643B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=16505352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20534588A Expired - Lifetime JP2752643B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2752643B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004006318A1 (ja) * | 2002-07-08 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Limited | 処理装置及び処理方法 |
| WO2009133936A1 (ja) | 2008-04-30 | 2009-11-05 | 株式会社ブリヂストン | 変性重合体を含有するゴム組成物を使用したタイヤ |
| WO2010126095A1 (ja) | 2009-04-28 | 2010-11-04 | 株式会社ブリヂストン | 空気入りタイヤ |
| WO2011010665A1 (ja) | 2009-07-22 | 2011-01-27 | 株式会社ブリヂストン | 空気入りタイヤ |
| WO2011010662A1 (ja) | 2009-07-22 | 2011-01-27 | 株式会社ブリヂストン | タイヤ |
-
1988
- 1988-08-17 JP JP20534588A patent/JP2752643B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004006318A1 (ja) * | 2002-07-08 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Limited | 処理装置及び処理方法 |
| WO2009133936A1 (ja) | 2008-04-30 | 2009-11-05 | 株式会社ブリヂストン | 変性重合体を含有するゴム組成物を使用したタイヤ |
| WO2010126095A1 (ja) | 2009-04-28 | 2010-11-04 | 株式会社ブリヂストン | 空気入りタイヤ |
| WO2011010665A1 (ja) | 2009-07-22 | 2011-01-27 | 株式会社ブリヂストン | 空気入りタイヤ |
| WO2011010662A1 (ja) | 2009-07-22 | 2011-01-27 | 株式会社ブリヂストン | タイヤ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2752643B2 (ja) | 1998-05-18 |
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