JPS61278148A - ガラス被膜形成法 - Google Patents
ガラス被膜形成法Info
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- JPS61278148A JPS61278148A JP11952485A JP11952485A JPS61278148A JP S61278148 A JPS61278148 A JP S61278148A JP 11952485 A JP11952485 A JP 11952485A JP 11952485 A JP11952485 A JP 11952485A JP S61278148 A JPS61278148 A JP S61278148A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- glass coating
- wafer
- glass
- coating
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- Pending
Links
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Landscapes
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＬＳＩ等の半導体装置の多層配線形成にお
いて配線形成面を平坦化するために用いるに好適なガラ
ス被膜形成法に関するものである。
いて配線形成面を平坦化するために用いるに好適なガラ
ス被膜形成法に関するものである。
この発明は、半導体ウェハの上面に液状ガラスχ回転塗
布した後、半導体ウェハを回転烙せながらその周辺部に
エッチ液を滴下することにより、塗布したガラス被膜χ
ウェハ周辺部のみ遺択的に除去し、しかる後残存するガ
ラス被膜暑熱処理して固化させるようにしたものである
。この発明によれば、熱処理時にガラス被膜にクランク
が生ずるのを防止することができる。
布した後、半導体ウェハを回転烙せながらその周辺部に
エッチ液を滴下することにより、塗布したガラス被膜χ
ウェハ周辺部のみ遺択的に除去し、しかる後残存するガ
ラス被膜暑熱処理して固化させるようにしたものである
。この発明によれば、熱処理時にガラス被膜にクランク
が生ずるのを防止することができる。
従来、回転塗布法？用いて半導体９エバ上にガラス被膜
ケ形成することは知られている。例えば、多層配線平坦
化プロセスにあっては、第４図に示すよつに、半導体ウ
ェハｌの表面にＳｉ２０等の絶縁膜２を介して第１の配
線層３を形成した後、その上にＣＶＤ（ケミカル・イー
パー・デポジション）法等によりＰＳＧ（リンケイ酸ガ
ラス）等の層間絶縁膜４を形成し、この層間絶縁膜４の
配線に基づく段差をなだらかにするため回転塗布法によ
り液状ガラス（ケイ素化合物の浴液で、一般にスピン・
オン・ガラスと呼ばれているもの）を塗布してガラス被
＃５’２形成するつそして、この塗布したガラス被膜５
馨イーキング（熱処理）により固化させた後、その上に
第２の配線層６を形成する。
ケ形成することは知られている。例えば、多層配線平坦
化プロセスにあっては、第４図に示すよつに、半導体ウ
ェハｌの表面にＳｉ２０等の絶縁膜２を介して第１の配
線層３を形成した後、その上にＣＶＤ（ケミカル・イー
パー・デポジション）法等によりＰＳＧ（リンケイ酸ガ
ラス）等の層間絶縁膜４を形成し、この層間絶縁膜４の
配線に基づく段差をなだらかにするため回転塗布法によ
り液状ガラス（ケイ素化合物の浴液で、一般にスピン・
オン・ガラスと呼ばれているもの）を塗布してガラス被
＃５’２形成するつそして、この塗布したガラス被膜５
馨イーキング（熱処理）により固化させた後、その上に
第２の配線層６を形成する。
上記じた従来技術によると、半導体ウエノ・１の上面に
液状ガラスを回転塗布したとき、ガラス被膜５は、第５
図に示すようにウェハ周辺に対応する部分５Ａで厚く形
成されてしまう。このため、塗布後にペーキングン行な
うと、第６図に示すようにウェハ周辺のガラス被膜部分
５Ａに多数のクラックが入る。このようなりランク発生
は、層間絶縁膜として使用されるガラス被膜５に重大な
欠陥乞もたらすもので、配線の信頼性を低下させる一因
になっていた。
液状ガラスを回転塗布したとき、ガラス被膜５は、第５
図に示すようにウェハ周辺に対応する部分５Ａで厚く形
成されてしまう。このため、塗布後にペーキングン行な
うと、第６図に示すようにウェハ周辺のガラス被膜部分
５Ａに多数のクラックが入る。このようなりランク発生
は、層間絶縁膜として使用されるガラス被膜５に重大な
欠陥乞もたらすもので、配線の信頼性を低下させる一因
になっていた。
この発明は、上記した問題点を解決するためになされた
ものであって、簡単な工程の追加によゆガラス被膜のク
ラック発生ケ防止すること７目的とするものであるつ この発明によるガラス被膜形成法は、半導体ウェハの上
面に液状ガラスを回転塗布してガラス被膜ケ形成する工
程と、半導体ウエノ・ン回転嘔せながらその周辺部にエ
ッチ液乞滴下することによりガラス被膜をウエノ・周辺
部のみ選択的にエッチ除去する工程と、半導体ウェハ上
に残存するガラス被膜Ｙ熱処理して固化爆せる工程と馨
含むものである。
ものであって、簡単な工程の追加によゆガラス被膜のク
ラック発生ケ防止すること７目的とするものであるつ この発明によるガラス被膜形成法は、半導体ウェハの上
面に液状ガラスを回転塗布してガラス被膜ケ形成する工
程と、半導体ウエノ・ン回転嘔せながらその周辺部にエ
ッチ液乞滴下することによりガラス被膜をウエノ・周辺
部のみ選択的にエッチ除去する工程と、半導体ウェハ上
に残存するガラス被膜Ｙ熱処理して固化爆せる工程と馨
含むものである。
この発明の方法によれば、熱処理工程の前にガラス被膜
をウェハ周辺部のみ選択的にエッチ除去するので、熱処
理時にガラス被膜にクランクが入るの乞防止することが
できる。
をウェハ周辺部のみ選択的にエッチ除去するので、熱処
理時にガラス被膜にクランクが入るの乞防止することが
できる。
また、ガラス被膜の選択的エッチ除去は、回転中の半導
体ウェハの周辺部にエッチ液ン滴下することによって達
成されるので、回転塗布工程に連続して簡単に実行する
ことができる。
体ウェハの周辺部にエッチ液ン滴下することによって達
成されるので、回転塗布工程に連続して簡単に実行する
ことができる。
第１図乃至第３図は、この発明の一実ｍ９１Ｊによるガ
ラス被膜形成工程を示すもので、各々の図番に対応する
工程＋１１〜（３）ヲ順次に説明する。
ラス被膜形成工程を示すもので、各々の図番に対応する
工程＋１１〜（３）ヲ順次に説明する。
＋１１まず、半導体ウェハ１０ヲ回転塗布装置の真空チ
ャック１２で平面的に吸着保持して回転させながらその
上にノズル１４から液状ガラス乞滴下することにより半
導体ウェハ１０の上面にガラス被膜１６ヲ所望の厚さに
形成する。この場合、ガラス被膜１６は、半導体ウェハ
１０の周辺部で厚く形成場れる。
ャック１２で平面的に吸着保持して回転させながらその
上にノズル１４から液状ガラス乞滴下することにより半
導体ウェハ１０の上面にガラス被膜１６ヲ所望の厚さに
形成する。この場合、ガラス被膜１６は、半導体ウェハ
１０の周辺部で厚く形成場れる。
（２）次に、上起工ａＦ１１にひきつづいて、回転中の
半導体ウェハ１００周辺部にノズル１８から例えば希フ
ン酸のようなエッチ液乞滴下することによりガラス被膜
１６ヲウ工ハ周辺の厚い部分のみ選択的にエッチ除去す
る。この場合、ノズル１８ヲ固定していても、滴下した
エッチ液が遠心力により外方に移動するので、ノズル固
定位置直下から外方のガラス被膜部分が円環状にエッチ
除去される。
半導体ウェハ１００周辺部にノズル１８から例えば希フ
ン酸のようなエッチ液乞滴下することによりガラス被膜
１６ヲウ工ハ周辺の厚い部分のみ選択的にエッチ除去す
る。この場合、ノズル１８ヲ固定していても、滴下した
エッチ液が遠心力により外方に移動するので、ノズル固
定位置直下から外方のガラス被膜部分が円環状にエッチ
除去される。
（３）次に、上記工程（２）にひきつづいて、回転中の
半導体ウェハ１００周辺部にノズルかから例えは純水の
ような洗浄液ケ滴下することにより先にエッチ液に触れ
たウェハ周辺部を洗浄する。
半導体ウェハ１００周辺部にノズルかから例えは純水の
ような洗浄液ケ滴下することにより先にエッチ液に触れ
たウェハ周辺部を洗浄する。
この後は、真空チャック１２から半導体ウェハ１０を取
外す。そして、半導体ウェハ１０ヲ適当なオープンに入
れて熱処理することによりガラス被膜１６ケ固化させる
。この場合、上記工程（２）でウェハ周辺の厚いガラス
被膜部分馨除去しておいたので、ガラス被膜１６にクラ
ンクが発生することはない。
外す。そして、半導体ウェハ１０ヲ適当なオープンに入
れて熱処理することによりガラス被膜１６ケ固化させる
。この場合、上記工程（２）でウェハ周辺の厚いガラス
被膜部分馨除去しておいたので、ガラス被膜１６にクラ
ンクが発生することはない。
以上のように、この発明によれば、半導体ウェハに液状
ガラス？回転塗布する工程と、塗布したガラス被ｍχ熱
処理する工程との間に、半導体ウェハを回転嘔せながら
その周辺部にエッチ液を滴下してウェハ周辺部のガラス
被膜部分馨選択的にエッチ除去する工８を設けたので、
熱処理時にガラス被膜にクラックが発生するのを未然に
防止しうると共に、選択エッチ処理乞回転塗布工程に連
続して簡単に行なえる効果が得られるものである。
ガラス？回転塗布する工程と、塗布したガラス被ｍχ熱
処理する工程との間に、半導体ウェハを回転嘔せながら
その周辺部にエッチ液を滴下してウェハ周辺部のガラス
被膜部分馨選択的にエッチ除去する工８を設けたので、
熱処理時にガラス被膜にクラックが発生するのを未然に
防止しうると共に、選択エッチ処理乞回転塗布工程に連
続して簡単に行なえる効果が得られるものである。
第１図乃至第３図は、この発明の一実施例によるガラス
破膜形成工程馨示すウェハ断面図、第４図は、従来の多
層配線構造を示すウェハ断面図、 第５図は、液状ガラス塗布後のウェハ断面図、第６図は
、ベーキング後のウェハ上面図である。 １０・・・半導体ウェハ、１２・・・真空チャック、１
４・・・液状ガラス滴下ノズル、１６・・・ガラス被膜
、１８・・・エッチ液滴下ノズル、加・・・洗浄液滴下
ノズル。
破膜形成工程馨示すウェハ断面図、第４図は、従来の多
層配線構造を示すウェハ断面図、 第５図は、液状ガラス塗布後のウェハ断面図、第６図は
、ベーキング後のウェハ上面図である。 １０・・・半導体ウェハ、１２・・・真空チャック、１
４・・・液状ガラス滴下ノズル、１６・・・ガラス被膜
、１８・・・エッチ液滴下ノズル、加・・・洗浄液滴下
ノズル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）半導体ウェハの上面に液状ガラスを回転塗布して
ガラス被膜を形成する工程と、 （ｂ）前記半導体ウェハを回転させながらその周辺部に
エッチ液を滴下することにより前記ガラス被膜を前記半
導体ウェハの周辺部のみ選択的にエッチ除去する工程と
、 （ｃ）前記半導体ウェハ上に残存するガラス被膜を熱処
理することにより該ガラス被膜を固化させる工程と を含むガラス被膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11952485A JPS61278148A (ja) | 1985-06-01 | 1985-06-01 | ガラス被膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11952485A JPS61278148A (ja) | 1985-06-01 | 1985-06-01 | ガラス被膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61278148A true JPS61278148A (ja) | 1986-12-09 |
Family
ID=14763409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11952485A Pending JPS61278148A (ja) | 1985-06-01 | 1985-06-01 | ガラス被膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61278148A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63278234A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | シリカガラス液吐出装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52155058A (en) * | 1976-06-18 | 1977-12-23 | Mitsubishi Electric Corp | Film formation method |
| JPS57162336A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-06 | Fujitsu Ltd | Coating method of resist on wafer |
-
1985
- 1985-06-01 JP JP11952485A patent/JPS61278148A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52155058A (en) * | 1976-06-18 | 1977-12-23 | Mitsubishi Electric Corp | Film formation method |
| JPS57162336A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-06 | Fujitsu Ltd | Coating method of resist on wafer |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63278234A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | シリカガラス液吐出装置 |
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