JPH0252461A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0252461A JPH0252461A JP63205343A JP20534388A JPH0252461A JP H0252461 A JPH0252461 A JP H0252461A JP 63205343 A JP63205343 A JP 63205343A JP 20534388 A JP20534388 A JP 20534388A JP H0252461 A JPH0252461 A JP H0252461A
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- JP
- Japan
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- test
- signal
- terminals
- internal circuit
- during
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 14
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000275 quality assurance Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にバーンインテストを効
果的に実施できる様に設計された半導体装置に関する。
果的に実施できる様に設計された半導体装置に関する。
従来、半導体装置の品質保証のためのバーンインテスト
（以降はＢＴという）には、一定時間、高温炉内で一定
の電圧を印加するスタティックＢＴと、半導体装置の内
部回路を動作させながら一定時間、高温炉内で一定の電
圧を印加するダイナミックＢＴの２種類があり、半導体
装置内部の大部分の素子に信号電圧を印加することがで
きることから、ダイナミックＢＴがスタティックＢＴよ
りＢＴ効果が高いとされている。
（以降はＢＴという）には、一定時間、高温炉内で一定
の電圧を印加するスタティックＢＴと、半導体装置の内
部回路を動作させながら一定時間、高温炉内で一定の電
圧を印加するダイナミックＢＴの２種類があり、半導体
装置内部の大部分の素子に信号電圧を印加することがで
きることから、ダイナミックＢＴがスタティックＢＴよ
りＢＴ効果が高いとされている。
第２図は従来の半導体装置のダイナミックＢＴを実施す
るときの試験装置との接続図である。
るときの試験装置との接続図である。
従来の半導体装置１０においては、ダイナミックＢＴを
実施する場合、第２図に示すように、内部回路２を動作
させるためには多数のテストパターン信号が必要であり
、このため、これら多数のテストパターン信号を、ＢＴ
炉とテストパターン信号発生装置とを備えた専用の試験
装置２０がら外部回路接続用の端子Ｔ、、Ｔｏ、Ｔｌ〜
Ｔ７を介して供給する構成となっていた。
実施する場合、第２図に示すように、内部回路２を動作
させるためには多数のテストパターン信号が必要であり
、このため、これら多数のテストパターン信号を、ＢＴ
炉とテストパターン信号発生装置とを備えた専用の試験
装置２０がら外部回路接続用の端子Ｔ、、Ｔｏ、Ｔｌ〜
Ｔ７を介して供給する構成となっていた。
上述した従来の半導体装置１０は、ダイナミックＢＴを
実施する場合、内部回路２を動作させるために多数のテ
ストパターン信号を発生する専用の試験装置２０を必要
とする構成となっているので、ＢＴ効果は大きいが試験
装置２０等を含む製造コストが高くなるという欠点があ
る。
実施する場合、内部回路２を動作させるために多数のテ
ストパターン信号を発生する専用の試験装置２０を必要
とする構成となっているので、ＢＴ効果は大きいが試験
装置２０等を含む製造コストが高くなるという欠点があ
る。
本発明の目的は、試験装置のコストを安価にして製造コ
ストを低減することができ、かつ十分な品質保証ができ
る半導体装置を提供することにある。
ストを低減することができ、かつ十分な品質保証ができ
る半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、内部回路の複数の信号入力端と
それぞれ対応して接続する外部回路接続用の複数の端子
と、クロック信号を入力して所定の複数のテストパター
ン信号を出力するテスト信号発生回路と、テスト制御信
号により前記各テストパターン信号を前記各端子にそれ
ぞれ対応して伝達する複数ゲート回路とを有している。
それぞれ対応して接続する外部回路接続用の複数の端子
と、クロック信号を入力して所定の複数のテストパター
ン信号を出力するテスト信号発生回路と、テスト制御信
号により前記各テストパターン信号を前記各端子にそれ
ぞれ対応して伝達する複数ゲート回路とを有している。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図である。
テスト信号発生回路１は、テスト制御信号ＴＣによりテ
スト時にグートランジスタＱ。が導通状態となると、端
子Ｔｃからクロック信号ＣＫを入力して所定の複数のテ
ストパターン信号を出力する。
スト時にグートランジスタＱ。が導通状態となると、端
子Ｔｃからクロック信号ＣＫを入力して所定の複数のテ
ストパターン信号を出力する。
内部回路２は、複数の組合せ回路２１Ａ、２１θ、複数
のフリップフロップ２２（第１図においてはＦ／Ｆと略
記）及びスイッチ回路ＳＩＯ〜Ｓ、−，Ｓ２ｏ〜Ｓ２ｍ
を含み所定の機能を有している。この実施例においては
、スキャンパス回路の構成となっている。
のフリップフロップ２２（第１図においてはＦ／Ｆと略
記）及びスイッチ回路ＳＩＯ〜Ｓ、−，Ｓ２ｏ〜Ｓ２ｍ
を含み所定の機能を有している。この実施例においては
、スキャンパス回路の構成となっている。
端子Ｔ。、Ｔ、〜Ｔ１はそれぞれ内部回路２の各信号入
力端と接続し、通常動作時に、内部回路２へ外部回路か
らクロック信号ＣＫ及び各種信号■１〜■、を供給する
。
力端と接続し、通常動作時に、内部回路２へ外部回路か
らクロック信号ＣＫ及び各種信号■１〜■、を供給する
。
ゲートトランジスタロ１〜Ｑヨはテスト制御信号ＴＣに
よりテスト時に導通状態となり、テスト信号発生回路１
からの各テストパターン信号をそれぞれ対応して端子Ｔ
１〜Ｔ、へ伝達する。即ち、内部回路２の各信号入力端
へそれぞれテストパターン信号を供給する。
よりテスト時に導通状態となり、テスト信号発生回路１
からの各テストパターン信号をそれぞれ対応して端子Ｔ
１〜Ｔ、へ伝達する。即ち、内部回路２の各信号入力端
へそれぞれテストパターン信号を供給する。
通常動作時には、ゲートトランジスタＱｏ。
Ｑ＋〜Ｑ□はテスト制御信号ＴＣにより非導通状態とな
り、テスト信号発生回路１は内部回路２及び端子Ｔｏ、
Ｔ、〜Ｔ、ｎから切離される。
り、テスト信号発生回路１は内部回路２及び端子Ｔｏ、
Ｔ、〜Ｔ、ｎから切離される。
従って、ダイナミックＢＴ時、外部（試験装置）からク
ロック信号ＣＫ及びテスト制御信号ＴＣを供給するだけ
で、内部回路２のテストを実施するとかできるので、ダ
イナミックＢＴのための試験装置のテストパターン信号
発生装置を大幅に簡略化することができ、試験装置が安
価になると共に試験の操作が簡単になり、製造コストを
低減することができる。しかも、テスト信号発生回路１
から発生するテストパターン信号により、十分品質保証
することができる。
ロック信号ＣＫ及びテスト制御信号ＴＣを供給するだけ
で、内部回路２のテストを実施するとかできるので、ダ
イナミックＢＴのための試験装置のテストパターン信号
発生装置を大幅に簡略化することができ、試験装置が安
価になると共に試験の操作が簡単になり、製造コストを
低減することができる。しかも、テスト信号発生回路１
から発生するテストパターン信号により、十分品質保証
することができる。
以上説明したように本発明は、クロック信号を入力して
複数のテストパターン信号を発生するテス信号発生回路
を設け、テスト時、テスト制御信号によりこれら各テス
トパターン信号を内部回路の各信号入力端へ供給する構
成とすることにより、ダイナミックＢＴの実施に当り、
試験装置を安価にすることができまた操作も簡単になる
ので、製造コストを低減することができ、かつ十分な品
質保証をすることができる効果がある。
複数のテストパターン信号を発生するテス信号発生回路
を設け、テスト時、テスト制御信号によりこれら各テス
トパターン信号を内部回路の各信号入力端へ供給する構
成とすることにより、ダイナミックＢＴの実施に当り、
試験装置を安価にすることができまた操作も簡単になる
ので、製造コストを低減することができ、かつ十分な品
質保証をすることができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は従来
の半導体装置の一例を説明するための半導体装置と試験
装置との接続図である。 ■・・・テスト信号発生回路、２・・・内部回路、１０
・・・半導体装置、２０・・・試験装置、２１Ａ、２１
Ｂ・・・組合せ回路、２２・・・フリップフロップ、Ｑ
。 Ｑ ｔ 〜Ｑ −−ゲートトランジスタ、Ｓｌｏ〜Ｓ１
．、、。 ３２０〜３２ｍ”・スイッチ回路、’ｒ、、’ｒｏ、Ｔ
、 〜Ｔ、、Ｔ、、、Ｔ□００．端子。 代ｐｒ、ｌ、 ｊｔ−理工 内 原 ヱイ。
の半導体装置の一例を説明するための半導体装置と試験
装置との接続図である。 ■・・・テスト信号発生回路、２・・・内部回路、１０
・・・半導体装置、２０・・・試験装置、２１Ａ、２１
Ｂ・・・組合せ回路、２２・・・フリップフロップ、Ｑ
。 Ｑ ｔ 〜Ｑ −−ゲートトランジスタ、Ｓｌｏ〜Ｓ１
．、、。 ３２０〜３２ｍ”・スイッチ回路、’ｒ、、’ｒｏ、Ｔ
、 〜Ｔ、、Ｔ、、、Ｔ□００．端子。 代ｐｒ、ｌ、 ｊｔ−理工 内 原 ヱイ。
Claims (1)
- 内部回路の複数の信号入力端とそれぞれ対応して接続す
る外部回路接続用の複数の端子と、クロック信号を入力
して所定の複数のテストパターン信号を出力するテスト
信号発生回路と、テスト制御信号により前記各テストパ
ターン信号を前記各端子にそれぞれ対応して伝達する複
数ゲート回路とを有することを特徴する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205343A JPH0252461A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205343A JPH0252461A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252461A true JPH0252461A (ja) | 1990-02-22 |
Family
ID=16505324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63205343A Pending JPH0252461A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0252461A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100737918B1 (ko) * | 2001-01-30 | 2007-07-12 | 삼성전자주식회사 | 파형 모니터링 유닛을 갖는 웨이퍼 레벨 번-인 테스트시스템과 테스트 방법 |
| JP2007266204A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属ベース回路基板およびその製法、ならびにｌｅｄモジュール |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5745942A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-16 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device |
| JPS60170946A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-04 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPS6316276A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
-
1988
- 1988-08-17 JP JP63205343A patent/JPH0252461A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5745942A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-16 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device |
| JPS60170946A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-04 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPS6316276A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100737918B1 (ko) * | 2001-01-30 | 2007-07-12 | 삼성전자주식회사 | 파형 모니터링 유닛을 갖는 웨이퍼 레벨 번-인 테스트시스템과 테스트 방법 |
| JP2007266204A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属ベース回路基板およびその製法、ならびにｌｅｄモジュール |
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