JPH025254Y2 - - Google Patents
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- JPH025254Y2 JPH025254Y2 JP19321484U JP19321484U JPH025254Y2 JP H025254 Y2 JPH025254 Y2 JP H025254Y2 JP 19321484 U JP19321484 U JP 19321484U JP 19321484 U JP19321484 U JP 19321484U JP H025254 Y2 JPH025254 Y2 JP H025254Y2
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- temperature
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 16
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 18
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 2
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
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- Control Of Combustion (AREA)
- Direct Air Heating By Heater Or Combustion Gas (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
［考案の技術分野］
この考案は例えば設定温度に応じた室温制御動
作及び室温状態に関係なく弱動作や強動作ができ
る暖房装置や冷房装置などの空調装置に関する。
作及び室温状態に関係なく弱動作や強動作ができ
る暖房装置や冷房装置などの空調装置に関する。
［考案の技術的背景とその問題点］
従来、例えば室温設定用の操作ボリユームを設
けるとともにその操作ボリユームの最低温度設定
側に連続弱設定位置、最高温度設定側に連続強設
定位置を設け、かつ室温を検出する室温検出素子
を設け、操作ボリユームで設定した温度の許容範
囲よりも室温検出素子の検出する温度が高くなつ
たとき動作を停止し、その後操作ボリユームで設
定した温度の許容範囲よりも室温検出素子の検出
する温度が低くなつたとき動作を再開する暖房装
置においては燃焼動作中に所定の設定位置にある
操作ボリユームを連続弱位置にセツトしようと操
作すると、室温検出素子の検出する温度が設定温
度の許容範囲よりも高くなる現象が生じ、このた
め燃焼動作が停止されてしまい、その結果操作ボ
リユームを連続弱設定位置にセツトして再度燃焼
動作を開始させなければならず、操作が面倒にな
るとともにポストパージ動作（燃焼室のガス抜き
や冷却を行なう。）などによつて再燃焼動作を開
始するまでにある程度の時間待たなければならな
い煩わしさがあつた。
けるとともにその操作ボリユームの最低温度設定
側に連続弱設定位置、最高温度設定側に連続強設
定位置を設け、かつ室温を検出する室温検出素子
を設け、操作ボリユームで設定した温度の許容範
囲よりも室温検出素子の検出する温度が高くなつ
たとき動作を停止し、その後操作ボリユームで設
定した温度の許容範囲よりも室温検出素子の検出
する温度が低くなつたとき動作を再開する暖房装
置においては燃焼動作中に所定の設定位置にある
操作ボリユームを連続弱位置にセツトしようと操
作すると、室温検出素子の検出する温度が設定温
度の許容範囲よりも高くなる現象が生じ、このた
め燃焼動作が停止されてしまい、その結果操作ボ
リユームを連続弱設定位置にセツトして再度燃焼
動作を開始させなければならず、操作が面倒にな
るとともにポストパージ動作（燃焼室のガス抜き
や冷却を行なう。）などによつて再燃焼動作を開
始するまでにある程度の時間待たなければならな
い煩わしさがあつた。
［考案の目的］
この考案はこのような問題を解決するために為
されたもので、操作ボリユームの操作時に室温検
出素子の検出温度が操作ボリユームによる設定温
度の許容範囲を越えることがあつてもそれによつ
て動作が停止されることがなく操作性にすぐれた
空調装置を提供することを目的とする。
されたもので、操作ボリユームの操作時に室温検
出素子の検出温度が操作ボリユームによる設定温
度の許容範囲を越えることがあつてもそれによつ
て動作が停止されることがなく操作性にすぐれた
空調装置を提供することを目的とする。
［考案の概要］
この考案は、室温設定用の操作ボリユームを設
けるとともにその操作ボリユームの最低温度設定
側に連続弱設定位置、最高温度設定側に連続強設
定位置を設け、かつ室温を検出する室温検出素子
を設け、操作ボリユームで設定した温度の許容範
囲よりも室温検出素子の検出する温度が高くなつ
たとき動作を停止し、その後操作ボリユームで設
定した温度の許容範囲よりも室温検出素子の検出
する温度が低くなつたとき動作を再開する空調装
置において、操作ボリユームの設定温度の変更を
検出する手段と、この手段によつて設定温度の変
更が検出されたとき、所定の時間カウントを行な
うタイマと、このタイマの時間カウント時、操作
ボリユームで設定した温度と室温検出素子で検出
する温度の比較を禁止する手段とを設けたもので
ある。
けるとともにその操作ボリユームの最低温度設定
側に連続弱設定位置、最高温度設定側に連続強設
定位置を設け、かつ室温を検出する室温検出素子
を設け、操作ボリユームで設定した温度の許容範
囲よりも室温検出素子の検出する温度が高くなつ
たとき動作を停止し、その後操作ボリユームで設
定した温度の許容範囲よりも室温検出素子の検出
する温度が低くなつたとき動作を再開する空調装
置において、操作ボリユームの設定温度の変更を
検出する手段と、この手段によつて設定温度の変
更が検出されたとき、所定の時間カウントを行な
うタイマと、このタイマの時間カウント時、操作
ボリユームで設定した温度と室温検出素子で検出
する温度の比較を禁止する手段とを設けたもので
ある。
従つて、操作ボリユームを連続弱設定位置に移
動し、そのとき操作ボリユームで設定する温度の
許容範囲よりも室温検出素子で検出する温度が高
くなる状態が一時的にあつてもそのときの両温度
の比較が禁止されるので、これによつて動作が停
止することはない。そして操作ボリユームの連続
弱設定位置への移動後は温度状態に関係なく連続
弱動作が行われることになる。
動し、そのとき操作ボリユームで設定する温度の
許容範囲よりも室温検出素子で検出する温度が高
くなる状態が一時的にあつてもそのときの両温度
の比較が禁止されるので、これによつて動作が停
止することはない。そして操作ボリユームの連続
弱設定位置への移動後は温度状態に関係なく連続
弱動作が行われることになる。
［考案の実施例］
以下、この考案の実施例を図面を参照して説明
する。なお、この実施例は石油ストーブに本考案
を適用したものについて述べる。
する。なお、この実施例は石油ストーブに本考案
を適用したものについて述べる。
第１図に示すように、商用交流電源１に運転ス
イツチ２及び第１のリレー３の常開接点３１を直
列に介して石油を燃焼室内へ送り出す第１の電磁
ポンプ４、燃焼室内に供給された石油に点火動作
を行なう点火器５並びに燃焼室内に空気を供給す
るフアンモータ６をそれぞれ接続している。前記
第１の電磁ポンプ４に第２のリレー７の常開接点
７１を介して第１の電磁ポンプと同様に石油を燃
焼室内へ送り出す第２の電磁ポンプ８を並列に接
続している。一方、マイクロプロセツサ９、温度
設定用の操作ボリユーム１０、室温検出素子とし
てのサーミスタ１１を設け、前記操作ボリユーム
１０を＋Ｖ電源に抵抗１４を介して接続し、前記
サーミスタ１１を＋Ｖ電源に抵抗１５を介して接
続している。そして前記操作ボリユーム１０と抵
抗１４との接続点出力をＡ／Ｄ変換器１６を介し
て前記マイクロプロセツサ９に入力するととも
に、前記サーミスタ１１と抵抗１５との接続点出
力をＡ／Ｄ変換器１７を介して前記マイクロプロ
セツサ９に入力している。前記マイクロプロセツ
サ９はＡ／Ｄ変換器１６から連続強情報、連続弱
情報及び設定温度情報を取込み、Ａ／Ｄ変換器１
７から室温検出情報を取込み所定のプログラム制
御を行なうもので、インバータ１８を介して前記
第１のリレー３を制御し、インバータ１９を介し
て前記第２のリレー７を制御し、インバータ２０
を介して発光ダイオード２１を制御している。
イツチ２及び第１のリレー３の常開接点３１を直
列に介して石油を燃焼室内へ送り出す第１の電磁
ポンプ４、燃焼室内に供給された石油に点火動作
を行なう点火器５並びに燃焼室内に空気を供給す
るフアンモータ６をそれぞれ接続している。前記
第１の電磁ポンプ４に第２のリレー７の常開接点
７１を介して第１の電磁ポンプと同様に石油を燃
焼室内へ送り出す第２の電磁ポンプ８を並列に接
続している。一方、マイクロプロセツサ９、温度
設定用の操作ボリユーム１０、室温検出素子とし
てのサーミスタ１１を設け、前記操作ボリユーム
１０を＋Ｖ電源に抵抗１４を介して接続し、前記
サーミスタ１１を＋Ｖ電源に抵抗１５を介して接
続している。そして前記操作ボリユーム１０と抵
抗１４との接続点出力をＡ／Ｄ変換器１６を介し
て前記マイクロプロセツサ９に入力するととも
に、前記サーミスタ１１と抵抗１５との接続点出
力をＡ／Ｄ変換器１７を介して前記マイクロプロ
セツサ９に入力している。前記マイクロプロセツ
サ９はＡ／Ｄ変換器１６から連続強情報、連続弱
情報及び設定温度情報を取込み、Ａ／Ｄ変換器１
７から室温検出情報を取込み所定のプログラム制
御を行なうもので、インバータ１８を介して前記
第１のリレー３を制御し、インバータ１９を介し
て前記第２のリレー７を制御し、インバータ２０
を介して発光ダイオード２１を制御している。
前記操作ボリユーム１０は第２図に示す温度設
定操作部に組込まれ、この温度設定操作部には操
作ツマミ２２が設けられ、この操作ツマミ２２を
移動操作することによつて前記操作ボリユーム１
０の抵抗値が変化し、それによつて例えば12℃〜
30℃までの温度を設定するようにしている。ま
た、この温度設定操作部の操作ツマミ２２は最低
温度設定側に設けられた連続弱設定位置P1及び
最高温度設定側に設けられた連続強設定位置P2
にも移動できるようになつており、連続弱設定位
置P1に移動したときには前記マイクロプロセツ
サ９はその抵抗値によつて連続弱設定を読み込
み、また連続強設定位置P2に移動したときには
前記マイクロプロセツサ９はその抵抗値によつて
連続強設定を読み込むようにしている。前記操作
ツマミ２２には前記発光ダイオード２１が取付け
られている。
定操作部に組込まれ、この温度設定操作部には操
作ツマミ２２が設けられ、この操作ツマミ２２を
移動操作することによつて前記操作ボリユーム１
０の抵抗値が変化し、それによつて例えば12℃〜
30℃までの温度を設定するようにしている。ま
た、この温度設定操作部の操作ツマミ２２は最低
温度設定側に設けられた連続弱設定位置P1及び
最高温度設定側に設けられた連続強設定位置P2
にも移動できるようになつており、連続弱設定位
置P1に移動したときには前記マイクロプロセツ
サ９はその抵抗値によつて連続弱設定を読み込
み、また連続強設定位置P2に移動したときには
前記マイクロプロセツサ９はその抵抗値によつて
連続強設定を読み込むようにしている。前記操作
ツマミ２２には前記発光ダイオード２１が取付け
られている。
前記マイクロプロセツサ９は第３図に示すよう
に操作ボリユーム１０の設定温度TVRに対してサ
ーミスタ１１による検出温度TTHがTVR＋α℃を
越えたとき第１のリレー３をオフして燃焼動作を
停止させ、その後検出温度TTHがTVR−β℃より
も低下したとき第１のリレー３を再びオンして燃
焼動作を再開させるようにしている。すなわち、
設定温度TVRに対してTVR＋α℃〜TVR−β℃は許
容範囲を示している。
に操作ボリユーム１０の設定温度TVRに対してサ
ーミスタ１１による検出温度TTHがTVR＋α℃を
越えたとき第１のリレー３をオフして燃焼動作を
停止させ、その後検出温度TTHがTVR−β℃より
も低下したとき第１のリレー３を再びオンして燃
焼動作を再開させるようにしている。すなわち、
設定温度TVRに対してTVR＋α℃〜TVR−β℃は許
容範囲を示している。
前記マイクロプロセツサ９は具体的には第４図
に示すプログラム制御を行なう。先ず、Ａ／Ｄ変
換器１７からサーミスタ１１による室温の検出温
度TTHを読取る。次にＡ／Ｄ変換器１６から操作
ボリユーム１０による設定温度TVRを読取る。そ
して前回読取つた設定温度TVR′と今回読取つた設
定温度TVRとを比較し、両者が一致した場合には
操作ボリユーム１０の操作が行われていないと判
断し、かつ両者が一致しない場合には操作ボリユ
ーム１０の操作が行われたと判断する。そして操
作ボリユーム１０の操作が行われなかつた場合に
は次にその操作ボリユーム１０が連続強設定位置
P2（TVR＞Tmax）にあるか、連続弱設定位置P1
（TVR＜Tmin）にあるかをチエツクし、連続強設
定位置P2にあれば強弱フラグHLを「Ｈ」にセツ
トして第２のリレー７をオンし、第１、第２の電
磁ポンプ４，８の両方が動作するように制御す
る。また、連続弱設定位置P1にあれば強弱フラ
グHLを「Ｌ」にセツトして第２のリレー７をオ
フし、第１の電磁ポンプ４のみが動作するように
制御する。さらに、連続強設定位置P2にも連続
弱設定位置P1にも設定されていなければ次に検
出温度TTHが前回読取つた設定温度TVR′に＋αし
た温度よりも大きいか否かをチエツクする。そし
て大きければ第１のリレー３をオフ制御して消火
動作を行ない、かつオフフラグOFを「Ｈ」にセ
ツトする。また小さければ続いて検出温度TTHが
前回読取つた設定温度TVR′から−βした温度より
も小さいか否かをチエツクする。そして小さけれ
ば第１のリレー３をオン制御して燃焼動作を開始
し、かつオフフラグOFを「Ｌ」にセツトする。
また検出温度TTHがTVR′−β≦TTH≦TVR′＋αであ
ればオフフラグOFが「Ｈ」になつているか「Ｌ」
になつているかによつて第１のリレー３をオフ、
オン制御する。
に示すプログラム制御を行なう。先ず、Ａ／Ｄ変
換器１７からサーミスタ１１による室温の検出温
度TTHを読取る。次にＡ／Ｄ変換器１６から操作
ボリユーム１０による設定温度TVRを読取る。そ
して前回読取つた設定温度TVR′と今回読取つた設
定温度TVRとを比較し、両者が一致した場合には
操作ボリユーム１０の操作が行われていないと判
断し、かつ両者が一致しない場合には操作ボリユ
ーム１０の操作が行われたと判断する。そして操
作ボリユーム１０の操作が行われなかつた場合に
は次にその操作ボリユーム１０が連続強設定位置
P2（TVR＞Tmax）にあるか、連続弱設定位置P1
（TVR＜Tmin）にあるかをチエツクし、連続強設
定位置P2にあれば強弱フラグHLを「Ｈ」にセツ
トして第２のリレー７をオンし、第１、第２の電
磁ポンプ４，８の両方が動作するように制御す
る。また、連続弱設定位置P1にあれば強弱フラ
グHLを「Ｌ」にセツトして第２のリレー７をオ
フし、第１の電磁ポンプ４のみが動作するように
制御する。さらに、連続強設定位置P2にも連続
弱設定位置P1にも設定されていなければ次に検
出温度TTHが前回読取つた設定温度TVR′に＋αし
た温度よりも大きいか否かをチエツクする。そし
て大きければ第１のリレー３をオフ制御して消火
動作を行ない、かつオフフラグOFを「Ｈ」にセ
ツトする。また小さければ続いて検出温度TTHが
前回読取つた設定温度TVR′から−βした温度より
も小さいか否かをチエツクする。そして小さけれ
ば第１のリレー３をオン制御して燃焼動作を開始
し、かつオフフラグOFを「Ｌ」にセツトする。
また検出温度TTHがTVR′−β≦TTH≦TVR′＋αであ
ればオフフラグOFが「Ｈ」になつているか「Ｌ」
になつているかによつて第１のリレー３をオフ、
オン制御する。
一方、前述した操作ボリユーム１０の操作判断
において、操作ボリユーム１０の操作が行われた
と判断した場合には今回読取つた設定温度TVRを
TVR′に置換えるとともに、検出温度TTHが設定温
度TVR′に＋αした温度よりも大きいか否かをチエ
ツクする。そして小さければ次に操作ボリユーム
１０が連続強設定位置P2（TVR＞Tmax）にある
か、連続弱設定位置P1（TVR＜Tmin）にあるかの
チエツクを行なう。また大きければ内蔵されてい
るタイマに時間Tsをセツトし、そのタイマがそ
の時間Tsをカウントするまで前記発光ダイオー
ド２１を点灯させる。そして時間Tsが経過する
と発光ダイオード２１をオフ制御し、操作ボリユ
ーム１０が連続強設定位置（TVR＞Tmax）にあ
るか、連続弱設定位置（TVR＜Tmin）にあるか
のチエツクを行なう。このチエツクにおいて操作
ボリユーム１０が連続強設定位置P2にあれば強
弱フラグHLを「Ｈ」にセツトして第２のリレー
７をオンし、第１、第２の電磁ポンプ４，８の両
方が動作するように制御する。また、連続弱設定
位置P1にあれば強弱フラグHLを「Ｌ」にセツト
して第２のリレー７をオフし、第１の電磁ポンプ
４のみが動作するように制御する。さらに、連続
強設定位置にも連続弱設定位置にも設定されてい
なければ次に検出温度設定温度TTHが設定温度
TVRよりも大きいか否かをチエツクする。そして
大きければ強弱フラグHLを「Ｌ」にセツトして
第２のリレー７をオフし、第１の電磁ポンプ４の
みが動作するように制御する。また小さければ続
いて検出温度TTHが設定温度TVRから−βした温
度よりも小さいか否かをチエツクする。そして小
さければ強弱フラグHLを「Ｈ」にセツトし、第
２のリレー７をオン制御して第２の電磁ポンプ８
も動作するように制御する。また検出温度TTHが
TVR−β≦TTH≦TVRであれば強弱フラグHLが
「Ｈ」になつているか「Ｌ」になつているかによ
つて第２のリレー７をオン，オフ制御する。
において、操作ボリユーム１０の操作が行われた
と判断した場合には今回読取つた設定温度TVRを
TVR′に置換えるとともに、検出温度TTHが設定温
度TVR′に＋αした温度よりも大きいか否かをチエ
ツクする。そして小さければ次に操作ボリユーム
１０が連続強設定位置P2（TVR＞Tmax）にある
か、連続弱設定位置P1（TVR＜Tmin）にあるかの
チエツクを行なう。また大きければ内蔵されてい
るタイマに時間Tsをセツトし、そのタイマがそ
の時間Tsをカウントするまで前記発光ダイオー
ド２１を点灯させる。そして時間Tsが経過する
と発光ダイオード２１をオフ制御し、操作ボリユ
ーム１０が連続強設定位置（TVR＞Tmax）にあ
るか、連続弱設定位置（TVR＜Tmin）にあるか
のチエツクを行なう。このチエツクにおいて操作
ボリユーム１０が連続強設定位置P2にあれば強
弱フラグHLを「Ｈ」にセツトして第２のリレー
７をオンし、第１、第２の電磁ポンプ４，８の両
方が動作するように制御する。また、連続弱設定
位置P1にあれば強弱フラグHLを「Ｌ」にセツト
して第２のリレー７をオフし、第１の電磁ポンプ
４のみが動作するように制御する。さらに、連続
強設定位置にも連続弱設定位置にも設定されてい
なければ次に検出温度設定温度TTHが設定温度
TVRよりも大きいか否かをチエツクする。そして
大きければ強弱フラグHLを「Ｌ」にセツトして
第２のリレー７をオフし、第１の電磁ポンプ４の
みが動作するように制御する。また小さければ続
いて検出温度TTHが設定温度TVRから−βした温
度よりも小さいか否かをチエツクする。そして小
さければ強弱フラグHLを「Ｈ」にセツトし、第
２のリレー７をオン制御して第２の電磁ポンプ８
も動作するように制御する。また検出温度TTHが
TVR−β≦TTH≦TVRであれば強弱フラグHLが
「Ｈ」になつているか「Ｌ」になつているかによ
つて第２のリレー７をオン，オフ制御する。
このような構成の本考案実施例においては、操
作ツマミ２２を12℃〜30℃の範囲で設定している
場合にはマイクロプロセツサ９は操作ボリユーム
１０の設定によるＡ／Ｄ変換器１６から設定温度
TVRの情報を読取る。しかしてこの場合にはサー
ミスタ１１によつて検出される室温TTHがTVR＋
α℃を越えたとき第１のリレー３をオフして燃焼
動作を停止させ、その後検出温度TTHがTVR−β
℃よりも低下したとき第１のリレー３を再びオン
して燃焼動作を再開させる。このようにして室温
が略TTHに一定に保持されるようになる。このよ
うな室温自動調整制御を行なつているときに例え
ば操作ツマミ２２を連続弱設定位置P1に移動さ
せると、一時的にサーミスタ１１による検出温度
TTHがTVR＋α℃を越える状態となる。例えば操
作ツマミ２２で24℃を設定してこのとき室温がバ
ランスしていればサーミスタ１１の検出温度も略
24℃にある。この状態で操作ツマミ２２を連続弱
設定位置P1に移動させると途中で23℃〜12℃の
設定温度位置を通過することになる。しかしサー
ミスタ１１の検出温度は略24℃と変化しない。こ
のためサーミスタ１１による検出温度TTHがTVR
＋α℃を越える状態が発生する。
作ツマミ２２を12℃〜30℃の範囲で設定している
場合にはマイクロプロセツサ９は操作ボリユーム
１０の設定によるＡ／Ｄ変換器１６から設定温度
TVRの情報を読取る。しかしてこの場合にはサー
ミスタ１１によつて検出される室温TTHがTVR＋
α℃を越えたとき第１のリレー３をオフして燃焼
動作を停止させ、その後検出温度TTHがTVR−β
℃よりも低下したとき第１のリレー３を再びオン
して燃焼動作を再開させる。このようにして室温
が略TTHに一定に保持されるようになる。このよ
うな室温自動調整制御を行なつているときに例え
ば操作ツマミ２２を連続弱設定位置P1に移動さ
せると、一時的にサーミスタ１１による検出温度
TTHがTVR＋α℃を越える状態となる。例えば操
作ツマミ２２で24℃を設定してこのとき室温がバ
ランスしていればサーミスタ１１の検出温度も略
24℃にある。この状態で操作ツマミ２２を連続弱
設定位置P1に移動させると途中で23℃〜12℃の
設定温度位置を通過することになる。しかしサー
ミスタ１１の検出温度は略24℃と変化しない。こ
のためサーミスタ１１による検出温度TTHがTVR
＋α℃を越える状態が発生する。
しかしながら本実施例においてはこのような操
作ツマミ２２を連続弱設定位置P1に移動させる
場合にはTs秒の間発光ダイオード２１を点灯し
て設定温度の変更を知らせるとともに、その間サ
ーミスタ１１による検出温度TTHと操作ボリユー
ム１０による設定温度TVRとの比較を禁止してい
るので、燃焼動作が停止される状態は発生しな
い。そしてTs秒が経過すると直ちに設定温度TVR
が操作ボリユーム１０による最低設定温度Tmin
よりも小さくなつているか否かをチエツクし、小
さくなつていれば第２のリレー７をオフ制御して
第２の電磁ポンプ８を止め連続弱燃焼動作を行な
うようになる。
作ツマミ２２を連続弱設定位置P1に移動させる
場合にはTs秒の間発光ダイオード２１を点灯し
て設定温度の変更を知らせるとともに、その間サ
ーミスタ１１による検出温度TTHと操作ボリユー
ム１０による設定温度TVRとの比較を禁止してい
るので、燃焼動作が停止される状態は発生しな
い。そしてTs秒が経過すると直ちに設定温度TVR
が操作ボリユーム１０による最低設定温度Tmin
よりも小さくなつているか否かをチエツクし、小
さくなつていれば第２のリレー７をオフ制御して
第２の電磁ポンプ８を止め連続弱燃焼動作を行な
うようになる。
このように操作ツマミ２２を連続弱燃焼設定の
ために設定温度を低温側に移動させてもそれによ
つて消火動作を行なう虞れはなく、従つて再度燃
焼動作を開始させるような面倒がなく操作性を向
上できる。しかもそのような操作ツマミ２２の移
動が行われたことが発光ダイオード２１に知るこ
とができるので、たとえ他の人が操作ツマミ２２
を連続弱設定位置P1に設定することがあつても
そのような操作が行われたことを容易に知ること
ができる。
ために設定温度を低温側に移動させてもそれによ
つて消火動作を行なう虞れはなく、従つて再度燃
焼動作を開始させるような面倒がなく操作性を向
上できる。しかもそのような操作ツマミ２２の移
動が行われたことが発光ダイオード２１に知るこ
とができるので、たとえ他の人が操作ツマミ２２
を連続弱設定位置P1に設定することがあつても
そのような操作が行われたことを容易に知ること
ができる。
なお、前記実施例はこの考案を石油ストーブに
適用したものについて述べたが必ずしもこれに限
定されるものではなく、他の暖房装置にも適用で
き、また冷房装置にも適用できるものである。ま
た、前記実施例では操作ツマミの連続弱への移動
を発光ダイオードで知らせたが、他の発光素子を
使用してもよく、またブザーなど音によつて知ら
せてもよい。
適用したものについて述べたが必ずしもこれに限
定されるものではなく、他の暖房装置にも適用で
き、また冷房装置にも適用できるものである。ま
た、前記実施例では操作ツマミの連続弱への移動
を発光ダイオードで知らせたが、他の発光素子を
使用してもよく、またブザーなど音によつて知ら
せてもよい。
「考案の効果」
以上詳述したようにこの考案によれば、操作ボ
リユームの操作時に室温検出素子の検出温度が操
作ボリユームによる設定温度の許容範囲を越える
ことがあつてもそれによつて動作が停止されるこ
とがなく操作性にすぐれた空調装置を提供できる
ものである。
リユームの操作時に室温検出素子の検出温度が操
作ボリユームによる設定温度の許容範囲を越える
ことがあつてもそれによつて動作が停止されるこ
とがなく操作性にすぐれた空調装置を提供できる
ものである。
図はこの考案の実施例を示すもので、第１図は
要部回路図、第２図は設定操作部の構成を示す
図、第３図は設定温度の許容範囲を示すグラフ、
第４図はマイクロプロセツサによる燃焼制御を示
す流れ図である。 １……商用交流電源，３……第１のリレー、４
……第１の電磁ポンプ、７……第２のリレー、８
……第２の電磁ポンプ、９……マイクロプロセツ
サ、１０……操作ボリユーム、１１……サーミス
タ。
要部回路図、第２図は設定操作部の構成を示す
図、第３図は設定温度の許容範囲を示すグラフ、
第４図はマイクロプロセツサによる燃焼制御を示
す流れ図である。 １……商用交流電源，３……第１のリレー、４
……第１の電磁ポンプ、７……第２のリレー、８
……第２の電磁ポンプ、９……マイクロプロセツ
サ、１０……操作ボリユーム、１１……サーミス
タ。
Claims (1)
- 室温設定用の操作ボリユームを設けるとともに
その操作ボリユームの最低温度設定側に連続弱設
定位置、最高温度設定側に連続強設定位置を設
け、かつ室温を検出する室温検出素子を設け、前
記操作ボリユームで設定した温度の許容範囲より
も前記室温検出素子の検出する温度が高くなつた
とき動作を停止し、その後前記操作ボリユームで
設定した温度の許容範囲よりも前記室温検出素子
の検出する温度が低くなつたとき動作を再開する
空調装置において、前記操作ボリユームの設定温
度の変更を検出する手段と、この手段によつて設
定温度の変更が検出されたとき、所定の時間カウ
ントを行なうタイマと、このタイマの時間カウン
ト時、前記操作ボリユームで設定した温度と前記
室温検出素子で検出する温度の比較を禁止する手
段とを設けたことを特徴とする空調装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19321484U JPH025254Y2 (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19321484U JPH025254Y2 (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110966U JPS61110966U (ja) | 1986-07-14 |
| JPH025254Y2 true JPH025254Y2 (ja) | 1990-02-08 |
Family
ID=30750634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19321484U Expired JPH025254Y2 (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH025254Y2 (ja) |
-
1984
- 1984-12-20 JP JP19321484U patent/JPH025254Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61110966U (ja) | 1986-07-14 |
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