JPH0254581A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH0254581A JPH0254581A JP63205350A JP20535088A JPH0254581A JP H0254581 A JPH0254581 A JP H0254581A JP 63205350 A JP63205350 A JP 63205350A JP 20535088 A JP20535088 A JP 20535088A JP H0254581 A JPH0254581 A JP H0254581A
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- JP
- Japan
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- transfer
- shift register
- electrode
- solid
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像素子に関し、特にＣＣＤ垂直シフトレ
ジスタの転送電極の構造に関するものである。
ジスタの転送電極の構造に関するものである。
従来のＣＣＤ垂直シフトレジスタ（以下単にシフトレジ
スタという）の電８ｉｉ構造について図面を用いて説明
する。
スタという）の電８ｉｉ構造について図面を用いて説明
する。
第３図は、従来のシフトレジスタを説明するための平面
図である。
図である。
シフトレジスタ上の第１層目の多結晶シリコン膜からな
る第２の転送電極３下の電荷を蓄積する容量と、第２層
目の多結晶シリコン膜からなる第１の転送電極２の下の
電荷を蓄積する容量とを単位面積当りで比較すると、第
１の転送電極２の下のゲート酸化膜は、第２の転送電極
で覆われていない部分の酸化膜を１度つけなおして形成
されるので、第１の転送電極２の下の半導体基板の不純
物濃度が減少する結果、第１の転送電極２の下の容量（
単位面積当り）の方が小さくなる。
る第２の転送電極３下の電荷を蓄積する容量と、第２層
目の多結晶シリコン膜からなる第１の転送電極２の下の
電荷を蓄積する容量とを単位面積当りで比較すると、第
１の転送電極２の下のゲート酸化膜は、第２の転送電極
で覆われていない部分の酸化膜を１度つけなおして形成
されるので、第１の転送電極２の下の半導体基板の不純
物濃度が減少する結果、第１の転送電極２の下の容量（
単位面積当り）の方が小さくなる。
一方、第１の転送電極２は、ホトダイオード５から、シ
フトレジスタへの読み出し電極としての役割もある。ト
ランスファゲート領域４は、チャネルストッパのボロン
が注入されていない領域であり、長時間使用していると
発生する白きす対策のため、トランスアゲート領域４と
、第２の転送型ｆ！３とは重ならない構造となっている
。
フトレジスタへの読み出し電極としての役割もある。ト
ランスファゲート領域４は、チャネルストッパのボロン
が注入されていない領域であり、長時間使用していると
発生する白きす対策のため、トランスアゲート領域４と
、第２の転送型ｆ！３とは重ならない構造となっている
。
従来のシフトレジスタ上の転送電極は、第３図のように
、長方形をしているため、ホトダイオードからの読み出
しが十分行われるように、トランスファゲート領域４を
広くとると、必然的に、単位面積当りの容量の大きな第
２の転送電極３の面積が小さくなり、シフトレジスタ全
体の容量（１画素当りでは第１．第２の転送電極の容量
の合成値）も小さくなってしまう。
、長方形をしているため、ホトダイオードからの読み出
しが十分行われるように、トランスファゲート領域４を
広くとると、必然的に、単位面積当りの容量の大きな第
２の転送電極３の面積が小さくなり、シフトレジスタ全
体の容量（１画素当りでは第１．第２の転送電極の容量
の合成値）も小さくなってしまう。
上述した従来の固体撮像装置は、白きすの発生を避ける
ためトランスファゲート領域の面積を大きくすると、単
位面積当りの容量の大きな第２の転送電極の面積が相対
的に小さくなりシフトレジスタ全体の容量も小さくなる
ので、転送電荷量が少なくなり出力信号を大きくできな
いという欠点がある。
ためトランスファゲート領域の面積を大きくすると、単
位面積当りの容量の大きな第２の転送電極の面積が相対
的に小さくなりシフトレジスタ全体の容量も小さくなる
ので、転送電荷量が少なくなり出力信号を大きくできな
いという欠点がある。
本発明の目的は、ＣＣＤ垂直シフトレジスタの容量を大
きくできる固体撮像素子を提供することにある。
きくできる固体撮像素子を提供することにある。
本発明の固体撮像素子は、半導体基板上にゲート絶縁膜
を介してそれぞれ設けられた第２層目の導電膜からなり
読み出しゲート電極を兼ねる第１の転送電極及び第１層
目の導電膜からなる第２の転送電極を１画素あたり１対
宛備えてなるＣＣＤ垂直シフトレジスタを有する固体撮
像素子において、前記第２の転送電極は、トランスファ
ゲート領域近傍から離れたところに張出しを有している
というものである。
を介してそれぞれ設けられた第２層目の導電膜からなり
読み出しゲート電極を兼ねる第１の転送電極及び第１層
目の導電膜からなる第２の転送電極を１画素あたり１対
宛備えてなるＣＣＤ垂直シフトレジスタを有する固体撮
像素子において、前記第２の転送電極は、トランスファ
ゲート領域近傍から離れたところに張出しを有している
というものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す平面図である。
この実施例は、半導体基板１１上にゲート絶縁膜（図示
しない）を介してそれぞれ設けられた第２層目の多結晶
シリコン膜からなり読み出しゲート電極を兼ねる第１の
転送電極１２及び第１層目の多結晶シリコン膜からなる
第２の転送電極１３を１画素あたり１対宛備えてなるＣ
ＣＤ垂直シフトレジスタを有する固体撮像素子において
、第２の転送電極１３は、トランスファゲート領域１４
近傍から離れたところに長方形の張出し１３ａを有して
いるというものである。張出し１３ａはトランスファゲ
ート領域１４がら離れなところにあるので、トランスフ
ァゲート領域１４の面積は従来例と同じにでき白きず発
生の問題は生じないし、ＣＣＤ垂直シフトレジスタの容
量は、大きくできる。
しない）を介してそれぞれ設けられた第２層目の多結晶
シリコン膜からなり読み出しゲート電極を兼ねる第１の
転送電極１２及び第１層目の多結晶シリコン膜からなる
第２の転送電極１３を１画素あたり１対宛備えてなるＣ
ＣＤ垂直シフトレジスタを有する固体撮像素子において
、第２の転送電極１３は、トランスファゲート領域１４
近傍から離れたところに長方形の張出し１３ａを有して
いるというものである。張出し１３ａはトランスファゲ
ート領域１４がら離れなところにあるので、トランスフ
ァゲート領域１４の面積は従来例と同じにでき白きず発
生の問題は生じないし、ＣＣＤ垂直シフトレジスタの容
量は、大きくできる。
第２図は、本発明の第２の実施例を示す平面図である。
第２の転送電極２３は、三角形の張出し２３ａを有し、
全体で台形に近い形をしている。この実施例では、第２
の転送電極の端２３ｂ全体が、電荷の転送方向に対して
垂直に近くなっているため、電荷転送を行う際、無理な
く転送できるという利点がある。
全体で台形に近い形をしている。この実施例では、第２
の転送電極の端２３ｂ全体が、電荷の転送方向に対して
垂直に近くなっているため、電荷転送を行う際、無理な
く転送できるという利点がある。
以上説明したように本発明は、第１層目の導電膜からな
る第２の転送電極に張出しを設けることにより、白きず
発生原因となるトランスファゲート領域を避けて第２の
転送電極を広げることができるので、ＣＣＤ垂直シフト
レジスタの容量を大きくでき、従って出力信号を大きく
でき固体撮像素子の特性を改善できる効果がある。
る第２の転送電極に張出しを設けることにより、白きず
発生原因となるトランスファゲート領域を避けて第２の
転送電極を広げることができるので、ＣＣＤ垂直シフト
レジスタの容量を大きくでき、従って出力信号を大きく
でき固体撮像素子の特性を改善できる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す平面図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す、第３図は従来例を示す平
面図である。 １．１１．２１・・・半導体基板、２，１２．２２・・
・第１の転送電極、３，１３．２３・・・第２の転送電
極、１３ａ、２３ａ・・・張出し、４，１４．２４・・
・トランスファゲート領域、５，１５．２５・・・ホト
ダイオード、６，１６．２６・・・電荷転送領域。
本発明の第２の実施例を示す、第３図は従来例を示す平
面図である。 １．１１．２１・・・半導体基板、２，１２．２２・・
・第１の転送電極、３，１３．２３・・・第２の転送電
極、１３ａ、２３ａ・・・張出し、４，１４．２４・・
・トランスファゲート領域、５，１５．２５・・・ホト
ダイオード、６，１６．２６・・・電荷転送領域。
Claims (1)
- 半導体基板上にゲート絶縁膜を介してそれぞれ設けられ
た第２層目の導電膜からなり読み出しゲート電極を兼ね
る第１の転送電極及び第１層目の導電膜からなる第２の
転送電極を１画素あたり１対宛備えてなるＣＣＤ垂直シ
フトレジスタを有する固体撮像素子において、前記第２
の転送電極は、トランスファゲート領域近傍から離れた
ところに張出しを有していることを特徴とする固体撮像
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205350A JPH0254581A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205350A JPH0254581A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254581A true JPH0254581A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16505424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63205350A Pending JPH0254581A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254581A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156568A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Nec Yamagata Ltd | 固体撮像装置 |
-
1988
- 1988-08-17 JP JP63205350A patent/JPH0254581A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156568A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Nec Yamagata Ltd | 固体撮像装置 |
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