JPH0254676B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明は光学センサ付きのハイブリツド集積回
路装置の製造方法に係り、特に啓板上に発光ダイ
オードややフエトトランジスタ等の機能面のよう
に非透光性の絶縁物で覆うと支障を来す機能面を
有する装置を取付けたハイブリツド集積回路装置
の製造方法に関する。

(ロ) 従来技術 第１図は従来技術に係る電気的に外部と接続さ
れる端子のほかに外扮と機能する面を有する装置
を組込んだハイブリツド集積回路装置の製造方法
により製造された発光ダイオード実装のハイブリ
ツド集積回路装置の分解図である。

同図において、１０はエポキシ基板或いはアル
ミナ基板等の基板であつて、上部に発光ダイオー
ド２０、側面に図示しないトランジスタ、抵抗等
で構成された電気回路を、下辺部にリード端子３
０を備えており、プラスチツク製のケース４０内
に組み込まれる。組み込まれると発光ダイオード
２０の電気的に外部と接続される端子２５のほか
に外部と機能する面即ち発光面２１はケース４０
の開口部４１より露出し、リード端子３０はケー
ス４０の入口部４２より突出する。開口部４１と
発光ダイオード２０、並びに入口部４２と基板１
０の下方部とは各々接着剤によつて略気密状態に
固着される。

このように従来は、外部への露出を要する発光
面を有する発光ダイオード２０を基板１０に取付
けた後、防湿及び損傷保護のためにケース４０に
封入していた。しかし従来の外部と機能する面を
有する装置を組み込んだハイブリツド集積回路装
置の製造方法は次に述べるような欠点があつた。

発光面２１のごとく外部と機能する面と基板
１０との相対位置並びにケース４０と開口部４
１との相対位置に位置精度のバラツキが発生
し、発光ダイオード２０の基板への取付け並び
に基板１０のケース４０への組み込みに調整作
業を必要としていた。

ケース４０の開口部４１と発光ダイオード２
０ケース４０及びケース４０の入口部４２と基
板１０の下辺部とを接着剤で取付けていたた
め、耐湿性や機械的強度において不充分であつ
た。

ケース４０の加工及びこのケース４０への基
板１０への組み込み作業が必要で一括組立処理
ができずコスト的に割高になり量産性に難点が
あつた。

(ハ) 目的 本発明は電気的に外部と接続される端子のほか
に光学的に外部に機能する面を有する装置を組み
込んだハイブリツド集積回路装置の耐湿性及び機
械的強度を向上させ、且つ量産性に優れ、経済的
にこれを製造する方法を提供することを目的とす
る。

(ニ) 構成 本発明は、光学センサ付きのハイブリツド集積
回路装置の製造方法において、前記ハイブリツド
集積回路装置の基板に外部と電気的に接続される
端子を取り付けるとともに所定の検知方向性をも
つて外部と機能する検知面を有する少なくとも一
つの光半導体回路装置を実装した後、前記基板の
全表面を絶縁物で被覆し、次いで前記検知面の表
面を覆つている前記絶縁物を除去して、前記セン
サ素子のセンシング動作可能な前記検知方向性の
領域を露出させることを特徴とするハイブリツド
集積回路装置の製造方法である。

(ホ) 実施例 第２図は本発明に係るハイブリツド集積回路装
置の製造方法により製造された発光ダイオード実
装のハイブリツド集積回路装置の一部切欠き斜視
図である。

図において、第１図と同一部分は同一符号で示
してある。

発光ダイオード２０と、図示しないトランジス
タ、抵抗等で構成された回路及びリード端子３０
とを備えた基板１０はエポキシ樹脂またはフエノ
ール樹脂等の絶縁物６０で被覆されている。

完成された状態において、発光ダイオードの外
部に接続する面即ち発光面２１はこれを覆つてい
た被覆絶縁物の全部が削り落とされて外部に露出
している。同図によつてこの製造方法を説明す
る。

プリント配線が印刷形成された基板１０の上
に発光ダイオード２０、図示しない抵抗、ダイ
オード、トランジスタ等の装置とリード端子３
０を止着する。

半田付けする個所を除いて半田レジストを塗
布し、前記基板を溶融半田槽に浸漬して半田付
けし電気回路を完成する。

リード端子３０の基板部分５０を含め、前記
基板１０の全面をエポキシ樹脂等の絶縁物で粉
体塗装または浸漬によつて被覆する。

必要に応じ赤外線照射によつて前記エポキシ
樹脂等の絶縁物を乾燥させる。

発光ダイオード２０の発光面２１が露出する
ようにグラインダまたはサンドブラスト等によ
つて発光面２１を覆つている絶縁物の全部を削
り落とし、必要に応じてバフ仕上げで表面を平
滑にする。

なお、上記実施例では基板に、光学的に外部と
機能する面を有する装置として一つの発光ダイオ
ードを取り付けた場合を例にとり説明したが、該
装置は例えばフオトトランジスタ、フオトダイオ
ード等の光半導体装置でもよく、また、これらの
組み合わせでもよい。さらに該装置は基板の何処
に取り付けてもよく、したがつてその後、種類及
び基板への取付け位置に制限はなく本発明が適用
されうる。

(ヘ) 効果 本発明に係るハイブリツド集積回路装置の製造
方法によれば、従来使用していた封止用のケース
を省くことができるため、光学的に外部と機能す
る面とケース開口部を一致させる調整作業をなく
し、しかも強度の大きいエポキシ樹脂等の絶縁物
による完全密封被覆によつて耐湿性及び機械的強
度を向上させることができる。

さらにケースおよび前記調整作業を省くことに
よつて、製造コストを大幅に低減でき、また量産
性も大幅に向上させることができる。

他にケース使用時よりもスペースメリツトが大
きく、また装置の取付位置の自由度が増大する副
次的効果も享受できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来技術に係るハイブリツド集積回路
装置の製造方法により製造された発光ダイオード
実装のハイブリツド集積回路装置の一部切欠き分
解図。第２図は本発明に係るハイブリツド集積回
路装置の製造方法による実施例のハイブリツド集
積回路装置の一部切欠き斜視図。 １０……基板、２０……発光ダイオード、２１
……発光面、３０……リード端子、４０……ケー
ス、４１……ケースの開口部、４２……ケースの
入口部、６０……絶縁物。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 光学センサ付きのハイブリツド集積回路装置
   の製造方法において、前記ハイブリツド集積回路
   装置の基板に外部と電気的に接続される端子を取
   り付けるとともに所定の検知方向性をもつて外部
   と機能する検知面を有する少なくとも一つの光半
   導体回路装置を実装した後、前記基板の全表面を
   絶縁物で被覆し、次いで前記検知面の表面を覆つ
   ている前記絶縁物を除去して、前記センサ素子の
   センシング動作可能な前記検知方向性の領域を露
   出させることを特徴とするハイブリツド集積回路
   装置の製造方法。