JPS6239036A - ハイブリツドｉｃ - Google Patents
ハイブリツドｉｃInfo
- Publication number
- JPS6239036A JPS6239036A JP60178360A JP17836085A JPS6239036A JP S6239036 A JPS6239036 A JP S6239036A JP 60178360 A JP60178360 A JP 60178360A JP 17836085 A JP17836085 A JP 17836085A JP S6239036 A JPS6239036 A JP S6239036A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- hybrid
- resin
- substrate
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、ハイブリッドＩＣに関する。
（ロ）従来技術とその間層点
ハイブリッドＩＣは、異なった機能のＩＣチップを組み
合わせて高密度の実装ができる、回路設計の自由度が大
きい、高耐電圧、大電力が必要な回路に使用できるなど
の利点を有する。
合わせて高密度の実装ができる、回路設計の自由度が大
きい、高耐電圧、大電力が必要な回路に使用できるなど
の利点を有する。
ところで、このような特長を有するハイブリッドＩＣの
製造にあたっては、通常、配線パターンが形成された基
板上にＩＣチップを配置し、このＩＣチップ上の電極と
基板上のボンディングランドとをボンディングワイヤー
を介して電気的に接続する。次いで、ＩＣチップ、ボン
ディングワイヤー、ボンディングランドをエポキシ樹脂
等で覆って局所封止をし、さらに、これら全体をエポキ
シ樹脂でモールドすることが行なわれている。
製造にあたっては、通常、配線パターンが形成された基
板上にＩＣチップを配置し、このＩＣチップ上の電極と
基板上のボンディングランドとをボンディングワイヤー
を介して電気的に接続する。次いで、ＩＣチップ、ボン
ディングワイヤー、ボンディングランドをエポキシ樹脂
等で覆って局所封止をし、さらに、これら全体をエポキ
シ樹脂でモールドすることが行なわれている。
上記のように、ＩＣチップ部分を局所封止するのは、全
体を直接に樹脂でモールドすると、樹脂の硬化時の収縮
等によってＩＣチップ部分に大きな応力が加わりＩＣチ
ップが歪んだり、ボンディングワイヤーの接続部が剥が
れたりすることがあるのでこれを防止するためである。
体を直接に樹脂でモールドすると、樹脂の硬化時の収縮
等によってＩＣチップ部分に大きな応力が加わりＩＣチ
ップが歪んだり、ボンディングワイヤーの接続部が剥が
れたりすることがあるのでこれを防止するためである。
しかしながら、このように局所封止を予め行なう場合で
も、局所封止用の樹脂が直接１ｃチップ表面に塗布され
るので、ＩＣチップ表面が樹脂の含有成分等によって汚
染されることがある。また、依然として局所封止用の樹
脂の硬化時にＩＣチップやボンディングワイヤー等に応
力が加わる。このため、ハイブリッドＩＣの信頼性、素
子の劣化等の問題が未だ十分に解消されていない。
も、局所封止用の樹脂が直接１ｃチップ表面に塗布され
るので、ＩＣチップ表面が樹脂の含有成分等によって汚
染されることがある。また、依然として局所封止用の樹
脂の硬化時にＩＣチップやボンディングワイヤー等に応
力が加わる。このため、ハイブリッドＩＣの信頼性、素
子の劣化等の問題が未だ十分に解消されていない。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、ハイブリッドｔＣの信頼性の向上を図り、従来では
実現できなかった高性能なＩＣチップが搭載できるよう
にすることを目的とする。
て、ハイブリッドｔＣの信頼性の向上を図り、従来では
実現できなかった高性能なＩＣチップが搭載できるよう
にすることを目的とする。
（ハ）問題点を解決するための手段
本発明は、上記の目的を達成するために、配線パターン
が形成された基板上にＩＣチップを配置する一方、前記
基板に対して前記ＩＣチップおよびＩＣチップが電気的
に接続される前記配線パターンのボンディングランドを
覆う保護キャップを固着して局所封止部を構成し、この
局所封止部の外部を樹脂でモールド１．ている。
が形成された基板上にＩＣチップを配置する一方、前記
基板に対して前記ＩＣチップおよびＩＣチップが電気的
に接続される前記配線パターンのボンディングランドを
覆う保護キャップを固着して局所封止部を構成し、この
局所封止部の外部を樹脂でモールド１．ている。
（ニ）作用
本発明によれば、ＩＣチップとボンディングランドを含
む部分が保護キャップで覆われているので、樹脂でモー
ルドしても樹脂が直接１Ｇチツプなどに接触することが
ない。このため、対土用の樹脂によるＩＣチップの汚染
や、樹脂の硬化で発生ずる応力がＩＣチップやボンディ
ングワイヤーに加わるといったことが防止される。
む部分が保護キャップで覆われているので、樹脂でモー
ルドしても樹脂が直接１Ｇチツプなどに接触することが
ない。このため、対土用の樹脂によるＩＣチップの汚染
や、樹脂の硬化で発生ずる応力がＩＣチップやボンディ
ングワイヤーに加わるといったことが防止される。
（ホ）実施例
第１図は本発明の実施例に係るハイブリッドＩＣの断面
図、第２図は竿１図のハイブリッドＩＣの組み立て途中
の状態を示す斜視図である。これらの図において、符号
ｌはハイブリッドＩＣ１２は例えば、セラミック製の基
板、４はこの基板２上に配置されたＩＣチップ、６は基
板２上に形成された配線パターンである。配線パターン
らにはＩＣチップ４の固定位置の周りにこのＩＣチップ
４がボンディングワイヤー８を介して電気的に接続され
るボンディングランドｌＯが設けられている。
図、第２図は竿１図のハイブリッドＩＣの組み立て途中
の状態を示す斜視図である。これらの図において、符号
ｌはハイブリッドＩＣ１２は例えば、セラミック製の基
板、４はこの基板２上に配置されたＩＣチップ、６は基
板２上に形成された配線パターンである。配線パターン
らにはＩＣチップ４の固定位置の周りにこのＩＣチップ
４がボンディングワイヤー８を介して電気的に接続され
るボンディングランドｌＯが設けられている。
１２は局所封止部であって、この局所封止部１２は、基
板２上にＩＣチップ４およびボンディングランド１０を
取り囲んでガラスでできた絶縁層１４が形成され、この
絶縁層１４の上にＩＣチップ４、ボンディングワイヤー
８およびボンディングランドｌＯを覆う金属製の保護キ
ャップ１６を接着剤１８で固着して構成されている。こ
れにより、ＩＣチップ４と保護キャップ１６との間に一
定容量の空間部２０が形成される。そして、上記局所封
止部１２および基板２の外部がエポキシ樹脂でできた封
止用樹脂２２でモールドされている。
板２上にＩＣチップ４およびボンディングランド１０を
取り囲んでガラスでできた絶縁層１４が形成され、この
絶縁層１４の上にＩＣチップ４、ボンディングワイヤー
８およびボンディングランドｌＯを覆う金属製の保護キ
ャップ１６を接着剤１８で固着して構成されている。こ
れにより、ＩＣチップ４と保護キャップ１６との間に一
定容量の空間部２０が形成される。そして、上記局所封
止部１２および基板２の外部がエポキシ樹脂でできた封
止用樹脂２２でモールドされている。
なお、２４は配線パターン６の一端部に接続されたリー
ドフレームである。
ドフレームである。
このハイブリッドＩＣＩの組み立てに際しては、配線パ
ターン６が形成された基板２上にガラスペーストを印刷
等によって塗布、焼成して絶縁層１４を形成し、次いで
、ＩＣチップ４を配置してＩＣチップ４とボンディング
ランド１０とをボンディングワイヤー８で電気的に接続
する。ボンディング後、絶縁層１４の上に接着剤１８を
塗布して保護キャップ１６を接着する。続いて、他の部
品を搭載した後、全体をエポキシ樹脂などの封止用樹脂
２２でモールドする。
ターン６が形成された基板２上にガラスペーストを印刷
等によって塗布、焼成して絶縁層１４を形成し、次いで
、ＩＣチップ４を配置してＩＣチップ４とボンディング
ランド１０とをボンディングワイヤー８で電気的に接続
する。ボンディング後、絶縁層１４の上に接着剤１８を
塗布して保護キャップ１６を接着する。続いて、他の部
品を搭載した後、全体をエポキシ樹脂などの封止用樹脂
２２でモールドする。
なお、この実施例では保護キャップ１６として金属製の
ものを使用しているので、ＩＣチップに対する電磁シー
ルの役ｌ］を果すことになるので都合がよい、１．かじ
、これに限定されるものではなく、保護キャップとして
は、プラスチック製やガラス製のものを使用することし
可能である。その場合には、絶縁層１４を省略すること
ができる。
ものを使用しているので、ＩＣチップに対する電磁シー
ルの役ｌ］を果すことになるので都合がよい、１．かじ
、これに限定されるものではなく、保護キャップとして
は、プラスチック製やガラス製のものを使用することし
可能である。その場合には、絶縁層１４を省略すること
ができる。
（へ）効果
以上のように本発明によれば、ＩＣチップを中心として
ボンディングワイヤー、ボンディングランドが保護キャ
ップで被覆されているので、封止用樹脂による汚染や応
力から有効に保護することができる。このため、ハイブ
リッドＩＣの信頼性が一層向上し、従来では実現できな
かった高性能なＩＣチップが搭載できるようになる等の
優れた効果が発揮される。
ボンディングワイヤー、ボンディングランドが保護キャ
ップで被覆されているので、封止用樹脂による汚染や応
力から有効に保護することができる。このため、ハイブ
リッドＩＣの信頼性が一層向上し、従来では実現できな
かった高性能なＩＣチップが搭載できるようになる等の
優れた効果が発揮される。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例のハイブリッドＩＣの断面図、
第２図は第１図のハイブリッドＩＣの組み立て途中の状
態を示す斜視図である。 ｌ・・・ハイブリッドＩＣ，２・・・基板、４・・・Ｉ
Ｃチップ、６・・・配線パターン、ｌＯ・・・ボンディ
ングランド、１２・・・局所封止部、Ｉ６・・・保護キ
ャップ、２２・・・封止用樹脂
第２図は第１図のハイブリッドＩＣの組み立て途中の状
態を示す斜視図である。 ｌ・・・ハイブリッドＩＣ，２・・・基板、４・・・Ｉ
Ｃチップ、６・・・配線パターン、ｌＯ・・・ボンディ
ングランド、１２・・・局所封止部、Ｉ６・・・保護キ
ャップ、２２・・・封止用樹脂
Claims (1)
- （１）配線パターンが形成された基板上にＩＣチップを
配置する一方、前記基板に対してＩＣチップおよびＩＣ
チップが電気的に接続される前記配線パターンのボンデ
ィングランドを覆う保護キャップを固着して局所封止部
を構成し、この局所封止部の外部を封止用樹脂でモール
ドしたことを特徴とするハイブリッドＩＣ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60178360A JPS6239036A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | ハイブリツドｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60178360A JPS6239036A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | ハイブリツドｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6239036A true JPS6239036A (ja) | 1987-02-20 |
Family
ID=16047124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60178360A Pending JPS6239036A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | ハイブリツドｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6239036A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03273667A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-04 | Mitsubishi Materials Corp | 樹脂封止型混成集積回路 |
| FR2723258A1 (fr) * | 1994-07-27 | 1996-02-02 | Sat | Dispositif d'encapsulation de composant micro-electronique |
| US5917246A (en) * | 1995-03-23 | 1999-06-29 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor package with pocket for sealing material |
| JP2015130492A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-07-16 | ローム株式会社 | 半導体モジュール |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP60178360A patent/JPS6239036A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03273667A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-04 | Mitsubishi Materials Corp | 樹脂封止型混成集積回路 |
| FR2723258A1 (fr) * | 1994-07-27 | 1996-02-02 | Sat | Dispositif d'encapsulation de composant micro-electronique |
| US5917246A (en) * | 1995-03-23 | 1999-06-29 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor package with pocket for sealing material |
| JP2015130492A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-07-16 | ローム株式会社 | 半導体モジュール |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03225854A (ja) | 半導体デバイス及びその製造方法 | |
| JPS6394645A (ja) | 電子装置 | |
| US6101098A (en) | Structure and method for mounting an electric part | |
| JPS6239036A (ja) | ハイブリツドｉｃ | |
| JP2895504B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2734424B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001168493A5 (ja) | ||
| JP3423174B2 (ja) | チップ・オン・ボード実装構造およびその製造方法 | |
| JP2904154B2 (ja) | 半導体素子を含む電子回路装置 | |
| JPS63244631A (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
| JP2914679B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2541494B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61198656A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62189798A (ja) | ハイブリツドｉｃの構成方法 | |
| JPH066465Y2 (ja) | 混成集積回路の組立構造 | |
| JP2513416B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04188656A (ja) | 混成集積回路の封止構造 | |
| JPH0521342B2 (ja) | ||
| JPH04252041A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JPH0330456A (ja) | 放熱構造形ハイブリッドｉｃ | |
| JPH0536299Y2 (ja) | ||
| JPH0546276Y2 (ja) | ||
| JPH0236280Y2 (ja) | ||
| JPS60242647A (ja) | 混成集積回路の実装方法 | |
| JPS61296743A (ja) | チツプキヤリア |