JPH0254755A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
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- JPH0254755A JPH0254755A JP20591188A JP20591188A JPH0254755A JP H0254755 A JPH0254755 A JP H0254755A JP 20591188 A JP20591188 A JP 20591188A JP 20591188 A JP20591188 A JP 20591188A JP H0254755 A JPH0254755 A JP H0254755A
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 24
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は少なくともＩｎ、Ｓｎ、Ｏを含む透明導電膜の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
（従来の技術）
従来、！ｎ、Ｓｎ、Ｏ系からなる透明導電膜（以下、Ｉ
ＴＯ膜という）は、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等に
より作成されている。このうち、スパッタ法ではＩｎ−
Ｓｎ合金ターゲットを用いる場合と、Ｉｎ２Ｏ３へ５ｎ
０２を混入させた酸化物ターゲットを用いる場合とがあ
るが、いずれの場合にも、スパッタ中にＡｒ等のスパッ
タを行なうための不活性ガス中に０２ガスを混入させ、
その混入量を調節することにより基板に形成されるＩＴ
Ｏ膜のＯ組成を制御して良好な導電性と透過率を得るこ
とか行なわれている。
ＴＯ膜という）は、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等に
より作成されている。このうち、スパッタ法ではＩｎ−
Ｓｎ合金ターゲットを用いる場合と、Ｉｎ２Ｏ３へ５ｎ
０２を混入させた酸化物ターゲットを用いる場合とがあ
るが、いずれの場合にも、スパッタ中にＡｒ等のスパッ
タを行なうための不活性ガス中に０２ガスを混入させ、
その混入量を調節することにより基板に形成されるＩＴ
Ｏ膜のＯ組成を制御して良好な導電性と透過率を得るこ
とか行なわれている。
（発明が解決しようとする課題）
スパッタ法によりＩＴＯ膜を製造する場合、基板を室温
乃至２００℃の比較低温としたまま製造出来れば耐熱性
の低い例えば合成樹脂等の基板にＩＴＯ膜を形成するこ
とが可能になって好ましい。しかしこのような低い温度
では、ＩＴＯ膜は非晶質或は結晶質に非晶質が混在した
状態の膜になり勝ちで、通電時に、膜中に生ずるダング
リングボンドに電導電子がトラップされ、導電性が低下
する不都合がある。
乃至２００℃の比較低温としたまま製造出来れば耐熱性
の低い例えば合成樹脂等の基板にＩＴＯ膜を形成するこ
とが可能になって好ましい。しかしこのような低い温度
では、ＩＴＯ膜は非晶質或は結晶質に非晶質が混在した
状態の膜になり勝ちで、通電時に、膜中に生ずるダング
リングボンドに電導電子がトラップされ、導電性が低下
する不都合がある。
本発明は、室温乃至２００℃の基板温度で形成されるＩ
ＴＯ膜の導電性を改善することをその目的とするもので
ある。
ＴＯ膜の導電性を改善することをその目的とするもので
ある。
（課題を解決するための手段）
本発明では、スパッタ法により室温乃至２００℃の基板
上に少なくともＩｎ、Ｓｎ、Ｏを含む透明導電膜を形成
する方法に於て、スパッタガス中に０□とＨ２の混合ガ
スを混入させることにより前記課題を解決するようにし
た。
上に少なくともＩｎ、Ｓｎ、Ｏを含む透明導電膜を形成
する方法に於て、スパッタガス中に０□とＨ２の混合ガ
スを混入させることにより前記課題を解決するようにし
た。
（作 用）
スパッタ室内に室温乃至２００℃に加熱した基板と例え
ば１．ｎ−Ｓｎ合金ターゲットを設け、Ａ「ガス等のス
パッタガスを導入してスパッタを行ない、該基板にＩＴ
Ｏ膜を形成する。このスパッタ法では、形成されるＩＴ
Ｏ膜は前記したように非晶質或は結晶質に非晶質が混在
した状態のものであり、導電性が悪いので、その改善の
ために本発明に於てはスパッタガス中に■２ガスと０□
ガスの混合ガスを混入し乍らスパッタを行なうようにし
た。スパッタガス中に前記Ｈ２ガス等を混入させると、
基板に形成される非晶質のＩＴＯ膜中に１１原子がとり
込まれ、１０、Ｓｎ、 Ｏ等の原子のダングリングボ
ンドが補償される。そのためＩＴＯ膜への通電時、ダン
グリングボンドにトラップされる電子が少なくなり、電
導電子の移動度と密度が増加するため導電性が向上する
。尚、基板温度が２００℃より高温になるとＩＴＯ膜は
完全に結晶化し、１１原子をとり込まなくなるのでＨ２
ガス等の導入効果はなくなる。
ば１．ｎ−Ｓｎ合金ターゲットを設け、Ａ「ガス等のス
パッタガスを導入してスパッタを行ない、該基板にＩＴ
Ｏ膜を形成する。このスパッタ法では、形成されるＩＴ
Ｏ膜は前記したように非晶質或は結晶質に非晶質が混在
した状態のものであり、導電性が悪いので、その改善の
ために本発明に於てはスパッタガス中に■２ガスと０□
ガスの混合ガスを混入し乍らスパッタを行なうようにし
た。スパッタガス中に前記Ｈ２ガス等を混入させると、
基板に形成される非晶質のＩＴＯ膜中に１１原子がとり
込まれ、１０、Ｓｎ、 Ｏ等の原子のダングリングボ
ンドが補償される。そのためＩＴＯ膜への通電時、ダン
グリングボンドにトラップされる電子が少なくなり、電
導電子の移動度と密度が増加するため導電性が向上する
。尚、基板温度が２００℃より高温になるとＩＴＯ膜は
完全に結晶化し、１１原子をとり込まなくなるのでＨ２
ガス等の導入効果はなくなる。
（実施例）
ｌｏｆｔ％５ｎ０２が混入したＩｎ２Ｏ３−５ｎ０２酸
化物ターゲツトをスパッタ室内に用意し、基板上にＤＣ
マグネトロンスパッタによりＩＴＯ膜の試料を作成した
。スパッタ中のアルゴンガス圧は５×ｔｏ−３Ｔｏｒｒ
、作成したＩＴＯ膜の厚さは１０００人で、その成膜速
度を９００人／ｌｌ１ｌｎとした。以上の条件は、従来
行なわれているＩＴＯ膜製造の最も代表的な方法である
。
化物ターゲツトをスパッタ室内に用意し、基板上にＤＣ
マグネトロンスパッタによりＩＴＯ膜の試料を作成した
。スパッタ中のアルゴンガス圧は５×ｔｏ−３Ｔｏｒｒ
、作成したＩＴＯ膜の厚さは１０００人で、その成膜速
度を９００人／ｌｌ１ｌｎとした。以上の条件は、従来
行なわれているＩＴＯ膜製造の最も代表的な方法である
。
以上の条件は一定にして、Ａｒガス中に種々の分圧で０
□ガス、Ｈ２ガスと０２ガスの？ａ ９ガスを混入させ
て室温（２０℃）の基板に成膜し、６膜の抵抗率を測定
した。
□ガス、Ｈ２ガスと０２ガスの？ａ ９ガスを混入させ
て室温（２０℃）の基板に成膜し、６膜の抵抗率を測定
した。
Ｈ２ガスと０□ガスの混合ガスを混入させるときは、■
２ガスの分圧を５ Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ及び２×１ｏ
づＴｏｒｒの２種の圧力とし、０□ガス分圧を変化させ
た。これにより得られたＩＴＯ膜の抵抗率は第１図示の
ようであった。ガスの種類が異なるので、抵抗率が最小
になるガス圧は異なるが、最小となる抵抗率の値はＨ２
ガスと０□ガスの混合ガスの方が０２ガスの場合よりも
小さい値を示す。
２ガスの分圧を５ Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ及び２×１ｏ
づＴｏｒｒの２種の圧力とし、０□ガス分圧を変化させ
た。これにより得られたＩＴＯ膜の抵抗率は第１図示の
ようであった。ガスの種類が異なるので、抵抗率が最小
になるガス圧は異なるが、最小となる抵抗率の値はＨ２
ガスと０□ガスの混合ガスの方が０２ガスの場合よりも
小さい値を示す。
次に、Ｈ２ガスをどの程度導入する必要があるかをみる
ために、Ｈ２２ガス圧を変化させて基板にＩＴＯ膜を形
成し抵抗率を測定した。その結果を第２図に示す。同図
に示した抵抗率の値は、それぞれのＨ２２ガス圧におい
て０２ガス分圧を変化させた時の最小値（第１図で矢印
で示した）を示している。この図から分るように導入す
るＨ２ガスは５ Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒの微量でも抵抗
率を下げるに効果があり、２ ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ以
上では抵抗値が一定になる。
ために、Ｈ２２ガス圧を変化させて基板にＩＴＯ膜を形
成し抵抗率を測定した。その結果を第２図に示す。同図
に示した抵抗率の値は、それぞれのＨ２２ガス圧におい
て０２ガス分圧を変化させた時の最小値（第１図で矢印
で示した）を示している。この図から分るように導入す
るＨ２ガスは５ Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒの微量でも抵抗
率を下げるに効果があり、２ ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ以
上では抵抗値が一定になる。
第３図は基板温度の抵抗率に及ぼす影響を示す。この場
合も、それぞれの基板温度での最小抵抗率を求めて示し
ている。同図から分るように、基板温度が室温〜２００
℃では０２ガスを導入した場合よりもＨ２ガスが混入し
た混合ガスを導入した場合の方が抵抗率が改善される。
合も、それぞれの基板温度での最小抵抗率を求めて示し
ている。同図から分るように、基板温度が室温〜２００
℃では０２ガスを導入した場合よりもＨ２ガスが混入し
た混合ガスを導入した場合の方が抵抗率が改善される。
しかし、２００℃よりも高い温度では０２ガスのみを導
入した場合と同等となり効果はない。
入した場合と同等となり効果はない。
尚、ターゲットとして１ｎ２０３−５ｎ０２酸化物ター
ゲツトを用いたがＩｎ−Ｓｎ合金ターゲットを用いても
同様の効果がある。
ゲツトを用いたがＩｎ−Ｓｎ合金ターゲットを用いても
同様の効果がある。
（発明の効果）
以上のように本発明によるときは、室温乃至２００℃の
基板上にスパッタ法によりＩｎ、Ｓｎ、Ｏ系透明導電膜
を形成する方法に於て、スパッタガス中に０□ガスと■
２ガスの混合ガスを混入させて成膜するようにしたので
、膜中にＩＩ原子がとり込まれ、Ｉｎ５Ｓｎ、 Ｏ等
の原子のダングリングボンドが補償され、導電性の良好
なＩＴＯ膜を得ることが出来る等の効果がある。
基板上にスパッタ法によりＩｎ、Ｓｎ、Ｏ系透明導電膜
を形成する方法に於て、スパッタガス中に０□ガスと■
２ガスの混合ガスを混入させて成膜するようにしたので
、膜中にＩＩ原子がとり込まれ、Ｉｎ５Ｓｎ、 Ｏ等
の原子のダングリングボンドが補償され、導電性の良好
なＩＴＯ膜を得ることが出来る等の効果がある。
第１図はスパッタガス中に混入したガスの種類及びガス
分圧と抵抗率の関係を示す線図、第２図はＨ２２ガス圧
と抵抗率の関係を示す線図、第３図は基板温度と抵抗率
の関係を示す線図である。 外３名
分圧と抵抗率の関係を示す線図、第２図はＨ２２ガス圧
と抵抗率の関係を示す線図、第３図は基板温度と抵抗率
の関係を示す線図である。 外３名
Claims (1)
- スパッタ法により室温乃至２００℃の基板上に少なくと
もＩｎ、Ｓｎ、Ｏ、を含む透明導電膜を形成する方法に
於て、スパッタガス中にＯ＿２とＨ＿２の混合ガスを混
入させることを特徴とする透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205911A JPH0726195B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63205911A JPH0726195B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254755A true JPH0254755A (ja) | 1990-02-23 |
| JPH0726195B2 JPH0726195B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=16514794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63205911A Expired - Lifetime JPH0726195B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0726195B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001086731A1 (de) * | 2000-05-12 | 2001-11-15 | Unaxis Deutschland Gmbh | Indium-zinn-oxid (ito)-schicht und verfahren zur herstellung derselben |
| EP1184481A3 (en) * | 2000-08-28 | 2003-12-03 | Centro De Investigaciones Energeticas Medioambientales Y Tecnologicas (C.I.E.M.A.T.) | Method for obtaining transparent, electrically conducting oxides by means of sputtering |
| US7057102B2 (en) * | 2000-11-10 | 2006-06-06 | Citizen Watch Co., Ltd. | Solar cell module and portable electronic apparatus with it |
| WO2009116580A1 (ja) | 2008-03-19 | 2009-09-24 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
| CN102473761A (zh) * | 2009-09-18 | 2012-05-23 | 三洋电机株式会社 | 太阳能电池、太阳能电池模块和太阳能电池系统 |
| WO2013122036A1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | 長州産業株式会社 | 光起電力素子及びその製造方法 |
| CN113529034A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-10-22 | 光驰科技(上海)有限公司 | 一种近红外导电滤光片的镀膜方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202418A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-07 | 凸版印刷株式会社 | 透明電極基板の製造法 |
| JPS62227082A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜の形成方法 |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP63205911A patent/JPH0726195B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202418A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-07 | 凸版印刷株式会社 | 透明電極基板の製造法 |
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| JP2003532997A (ja) * | 2000-05-12 | 2003-11-05 | ウンアクシス ドイチェランド ゲーエムベーハー | インジウム−スズ酸化物（ｉｔｏ）フィルム及びその製造方法 |
| US6849165B2 (en) | 2000-05-12 | 2005-02-01 | Unaxis Deutschland Gmbh | Indium-tin oxide (ITO) layer and method for producing the same |
| US7285342B2 (en) | 2000-05-12 | 2007-10-23 | Unaxis Deutschland Gmbh | Indium-tin oxide (ITO) film and process for its production |
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| WO2009116580A1 (ja) | 2008-03-19 | 2009-09-24 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
| CN102473761A (zh) * | 2009-09-18 | 2012-05-23 | 三洋电机株式会社 | 太阳能电池、太阳能电池模块和太阳能电池系统 |
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| CN113529034A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-10-22 | 光驰科技(上海)有限公司 | 一种近红外导电滤光片的镀膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0726195B2 (ja) | 1995-03-22 |
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