JPH0254896A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
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- JPH0254896A JPH0254896A JP63204960A JP20496088A JPH0254896A JP H0254896 A JPH0254896 A JP H0254896A JP 63204960 A JP63204960 A JP 63204960A JP 20496088 A JP20496088 A JP 20496088A JP H0254896 A JPH0254896 A JP H0254896A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、主として液晶表示装置に組み込まれたうえで
背面照明用（バフクライト）として使用される電界発光
素子に関する。
背面照明用（バフクライト）として使用される電界発光
素子に関する。
〈従来の技術〉
従来から、この種の電界発光素子としては、背面電極と
絶縁層と発光層と透明電極とを順次積層することによっ
て積層体を構成し、この積層体の表裏両面を一対の樹脂
外被としての透明パッケージフィルムで封止してなる断
面構造を有するものが知られている。そして、この電界
発光素子の絶縁層はチタン酸バリウムからなる絶縁体材
料をシアノエチルセルロースやシアノエチルプルランと
いうようなバインダ材料からなる有機バインダに分散混
入することによって構成され、また、その発光層は硫化
亜鉛や硫化ストロンチウムなどを主成分とする発光体材
料を前記と同一のバインダ材料からなる有機バインダに
分散混入することによって構成されるのが一般的となっ
ている。
絶縁層と発光層と透明電極とを順次積層することによっ
て積層体を構成し、この積層体の表裏両面を一対の樹脂
外被としての透明パッケージフィルムで封止してなる断
面構造を有するものが知られている。そして、この電界
発光素子の絶縁層はチタン酸バリウムからなる絶縁体材
料をシアノエチルセルロースやシアノエチルプルランと
いうようなバインダ材料からなる有機バインダに分散混
入することによって構成され、また、その発光層は硫化
亜鉛や硫化ストロンチウムなどを主成分とする発光体材
料を前記と同一のバインダ材料からなる有機バインダに
分散混入することによって構成されるのが一般的となっ
ている。
なお、このような有機バインダとしてシアノエチルセル
ロースやシアノエチルプルランが用いられるのは、これ
らのバインダ材料が大きな誘電率を有しているためであ
り、このことによって電界発光素子を構成する背面電極
と透明電極との間に高電圧を印加することができ、発光
層中の発光体粒子にかかる電界が高められる結果、電界
発光素子の高輝度化が図れることに基づくものである。
ロースやシアノエチルプルランが用いられるのは、これ
らのバインダ材料が大きな誘電率を有しているためであ
り、このことによって電界発光素子を構成する背面電極
と透明電極との間に高電圧を印加することができ、発光
層中の発光体粒子にかかる電界が高められる結果、電界
発光素子の高輝度化が図れることに基づくものである。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、前記電界発光素子の高輝度化を実現するにあ
たっては、これに印加す−る電圧を高くす−る必要があ
るが、これに伴って供給電源が大型化してコストが高く
なるルポかりか、電子機器における電界発光素子の組み
込みスペースが増大してしまうという不都合があった。
たっては、これに印加す−る電圧を高くす−る必要があ
るが、これに伴って供給電源が大型化してコストが高く
なるルポかりか、電子機器における電界発光素子の組み
込みスペースが増大してしまうという不都合があった。
そこで、このような不都合を回避するためには、高周波
を印加して電界発光素子の輝度の向上を図ることが考え
られるが、有機バインダとして用いられる一般的なバイ
ンダ材料であるシアノエチルセルロースやシアノエチル
プルランは大きな誘電率とともに大きな誘電損失（ｔａ
ｎ δ）をも有しているので、所定値以上の高周波を印
加して駆動すると破壊してしまうため、実用的ではなか
った。
を印加して電界発光素子の輝度の向上を図ることが考え
られるが、有機バインダとして用いられる一般的なバイ
ンダ材料であるシアノエチルセルロースやシアノエチル
プルランは大きな誘電率とともに大きな誘電損失（ｔａ
ｎ δ）をも有しているので、所定値以上の高周波を印
加して駆動すると破壊してしまうため、実用的ではなか
った。
本発明はかかる事情に鑑みて創案されたものであって、
高周波の印加によって安定的に駆動することができ、供
給電源の小型化を図ることが可能な電界発光素子の提供
を目的としている６く課題を解決するための手段〉 本発明は、このような目的を達成するために、絶縁層と
発光層とを一対の電極間に積層し、これらを樹脂外被で
一体的に封止してなる電界発光素子において、前記絶縁
層および発光層を構成する打機バインダの少なくとも一
方が誘電損失の小さいバインダ材料からなることに特徴
を存するものである。なお、前記バインダ材料の周波数
１０ Ｋ Ｈｚにおける誘電損失は、１０４以下である
ことが好ましい。
高周波の印加によって安定的に駆動することができ、供
給電源の小型化を図ることが可能な電界発光素子の提供
を目的としている６く課題を解決するための手段〉 本発明は、このような目的を達成するために、絶縁層と
発光層とを一対の電極間に積層し、これらを樹脂外被で
一体的に封止してなる電界発光素子において、前記絶縁
層および発光層を構成する打機バインダの少なくとも一
方が誘電損失の小さいバインダ材料からなることに特徴
を存するものである。なお、前記バインダ材料の周波数
１０ Ｋ Ｈｚにおける誘電損失は、１０４以下である
ことが好ましい。
く作用〉
上記構成によれば、電界発光素子の絶縁層および発光層
を構成する打機バインダの少なくとも一方がｍＴＡ…失
の小さいバインダ材料からなっているので、この電界発
光素子に対して従来例よりも高い周波数を印加して駆動
することができ、より一層の高輝度化が図れるとともに
、供給電源の小型化が図れることになる。
を構成する打機バインダの少なくとも一方がｍＴＡ…失
の小さいバインダ材料からなっているので、この電界発
光素子に対して従来例よりも高い周波数を印加して駆動
することができ、より一層の高輝度化が図れるとともに
、供給電源の小型化が図れることになる。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例を図面に基づき詳細に説明する。
第１図は電界発光素子の概略構造を示す断面図であり、
この電界発光素子１は背面電極２と絶縁層３と発光層４
と透明電極５とを順次積層することによって積層体６を
構成し、この積層体６の表裏両面を一対の樹脂外被とし
ての透明パフケージフィルム７．７で封止した構造とな
っている。そして、この電界発光素子ｌの背面電極２は
アルミニウムやニッケルなどの金属箔から形成され、そ
の遇明電捲５は透明ポリエステルフィルム５ａなどの内
表面にインジウム・錫酸化物ＣＩＴＯ）などの電極膜５
ｂを被着することによって形成されている。
この電界発光素子１は背面電極２と絶縁層３と発光層４
と透明電極５とを順次積層することによって積層体６を
構成し、この積層体６の表裏両面を一対の樹脂外被とし
ての透明パフケージフィルム７．７で封止した構造とな
っている。そして、この電界発光素子ｌの背面電極２は
アルミニウムやニッケルなどの金属箔から形成され、そ
の遇明電捲５は透明ポリエステルフィルム５ａなどの内
表面にインジウム・錫酸化物ＣＩＴＯ）などの電極膜５
ｂを被着することによって形成されている。
一方、この電界発光素子１の絶縁層３はチタン酸バリウ
ムからなる絶縁体材料を第１表（次ページ参照）に示す
ような誘電損失（ｔａｎ δ）の小さいバインダ材料の
いずれかからなる有機バインダに分散混入することによ
って構成されており、また、その発光層４は硫化亜鉛や
硫化ストロンチウムなどを主成分とする発光体材料を同
じ（第１表に示すバインダ材料からなる有機バインダに
分散混入することによって構成されている。
ムからなる絶縁体材料を第１表（次ページ参照）に示す
ような誘電損失（ｔａｎ δ）の小さいバインダ材料の
いずれかからなる有機バインダに分散混入することによ
って構成されており、また、その発光層４は硫化亜鉛や
硫化ストロンチウムなどを主成分とする発光体材料を同
じ（第１表に示すバインダ材料からなる有機バインダに
分散混入することによって構成されている。
第１表
なお、この第１表は誘電損失の小さい、すなわら、周波
数１０ Ｋ Ｈｚにおける誘電損失が少なくとも１０−
”以下であるバインダ材料を一覧的に例示した表であり
、この表においては、従来から使用されている一般的な
バインダ材料であるシアノエチルプルランを比較対象と
して掲げている。
数１０ Ｋ Ｈｚにおける誘電損失が少なくとも１０−
”以下であるバインダ材料を一覧的に例示した表であり
、この表においては、従来から使用されている一般的な
バインダ材料であるシアノエチルプルランを比較対象と
して掲げている。
つぎに、第１表中のポリスチレンを誘電損失の小さいバ
インダ材料の一例として用いて絶縁Ｎ３および発光層４
を構成する際の具体例について説明する。
インダ材料の一例として用いて絶縁Ｎ３および発光層４
を構成する際の具体例について説明する。
まず、絶縁層３を構成するには、例えば、緑色を有する
硫化亜鉛・１ｉ（ＺｎＳ：Ｃｕ）の粉末と顆粒状のポリ
スチレンとを互いの重量比が４＝１となるように混合し
、これらの混合物を溶媒としてのメチルケトンもしくは
トルエンに分散させてなる絶縁ペーストを形成する。そ
して、この絶縁ペーストをそのまま背面電極２上に印刷
して乾燥させたり、予めシート状に成形したうえで熱圧
着する方法などによって積層する。一方、発光層４を構
成する際には、チタン酸バリウム（ＢａＴｉ０３）の粉
末と顆粒状のポリスチレンとを互いの重量比が３：ｌと
なるように混合し、上記溶媒に分散させることによって
発光ペーストを形成したのち、上記同様の方法によって
積層する。
硫化亜鉛・１ｉ（ＺｎＳ：Ｃｕ）の粉末と顆粒状のポリ
スチレンとを互いの重量比が４＝１となるように混合し
、これらの混合物を溶媒としてのメチルケトンもしくは
トルエンに分散させてなる絶縁ペーストを形成する。そ
して、この絶縁ペーストをそのまま背面電極２上に印刷
して乾燥させたり、予めシート状に成形したうえで熱圧
着する方法などによって積層する。一方、発光層４を構
成する際には、チタン酸バリウム（ＢａＴｉ０３）の粉
末と顆粒状のポリスチレンとを互いの重量比が３：ｌと
なるように混合し、上記溶媒に分散させることによって
発光ペーストを形成したのち、上記同様の方法によって
積層する。
ところで、本発明の発明者らが以上説明した構成の電界
発光素子および従来構成とされた電界発光素子それぞれ
の有する印加周波数と発光輝度との関連についての特性
実験を行ったところ、従来品においては周波数１０〜２
０ Ｋ Ｈｚの電圧印加によって素子破壊が生じるのに
対し、本発明品では５０〜６０ＫＩｌｚというような高
い周波数を印加しても安定的に駆動できることが明らか
になった。
発光素子および従来構成とされた電界発光素子それぞれ
の有する印加周波数と発光輝度との関連についての特性
実験を行ったところ、従来品においては周波数１０〜２
０ Ｋ Ｈｚの電圧印加によって素子破壊が生じるのに
対し、本発明品では５０〜６０ＫＩｌｚというような高
い周波数を印加しても安定的に駆動できることが明らか
になった。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、電界発光素子の
絶縁層および発光層を構成する有機バインダの少なくと
も一方が誘電損失の小さいバインダ材料からなっている
ので、この電界発光素子に対して従来例よりも高い周波
数を印加して安定的に駆動することができる。そして、
このことにより、電界発光素子のより一層の高輝度化が
図れるばかりか、供給電源の小型化を図ることができる
という効果が得られる。
絶縁層および発光層を構成する有機バインダの少なくと
も一方が誘電損失の小さいバインダ材料からなっている
ので、この電界発光素子に対して従来例よりも高い周波
数を印加して安定的に駆動することができる。そして、
このことにより、電界発光素子のより一層の高輝度化が
図れるばかりか、供給電源の小型化を図ることができる
という効果が得られる。
第１図は、本発明に係る電界発光素子の概略構造を示す
断面図である。 図における符号１は電界発光素子、２は背面電極、３は
絶縁層、４は発光層、５は透明電橋、７は透明パッケー
ジフィルム（樹脂外被）である。
断面図である。 図における符号１は電界発光素子、２は背面電極、３は
絶縁層、４は発光層、５は透明電橋、７は透明パッケー
ジフィルム（樹脂外被）である。
Claims (1)
- （１）絶縁層と発光層とを一対の電極間に積層し、これ
らを樹脂外被で一体的に封止してなる電界発光素子にお
いて、 前記絶縁層および発光層を構成する有機バインダの少
なくとも一方が誘電損失の小さいバインダ材料からなる
ことを特徴とする電界発光素子．
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63204960A JPH0254896A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63204960A JPH0254896A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 電界発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254896A true JPH0254896A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16499156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63204960A Pending JPH0254896A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254896A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012064480A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Tatsumo Kk | 分散型ｅｌ素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP63204960A patent/JPH0254896A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012064480A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Tatsumo Kk | 分散型ｅｌ素子の製造方法 |
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