JPH0254977A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
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- JPH0254977A JPH0254977A JP20591688A JP20591688A JPH0254977A JP H0254977 A JPH0254977 A JP H0254977A JP 20591688 A JP20591688 A JP 20591688A JP 20591688 A JP20591688 A JP 20591688A JP H0254977 A JPH0254977 A JP H0254977A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009412 basement excavation Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
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- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体レーザの駆動回路に関し。
特に、ＧＨｚを超える高速ディジタル元通傷の送信部等
に用られる電界効果形トランジスタを用い次、半導体レ
ーザを駆動する回路に関する。
に用られる電界効果形トランジスタを用い次、半導体レ
ーザを駆動する回路に関する。
（従来の技術〕
ｔＸｚ図に従来の半導体レーザ駆動回路の一例を示す。
従来この種の半導体レーザの駆動回路は電界効果形トラ
ンジスタ１０ソース電極Ｓと基準電位９間にコンデンサ
３を接続し、ソース電極Ｓと電源７間に抵抗２を接続し
、電界効果形トランジスタｌのドレイン電極りと基準電
位間に、抵抗４と半導体レーザ５の直列回路を接続し。
ンジスタ１０ソース電極Ｓと基準電位９間にコンデンサ
３を接続し、ソース電極Ｓと電源７間に抵抗２を接続し
、電界効果形トランジスタｌのドレイン電極りと基準電
位間に、抵抗４と半導体レーザ５の直列回路を接続し。
抵抗４にコンデンサ８を並列接続し、さらに半導体レー
ザ５のカソードに直流バイアス供給回路６を接続し几構
成となっている。
ザ５のカソードに直流バイアス供給回路６を接続し几構
成となっている。
（発明が解決しようとする裸題）
この従来の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザ５の
発掘遅延等によるパターン効果を補償するために抵抗４
にスピードアップコンデンサ８が並列接続されているが
１周波数が高くなるにつれ、実装の影響や半導体レーザ
のバラツキが大きくなるので％光波形補償用コンデンサ
８の値も変えて最良の光波形とする必要がある。
発掘遅延等によるパターン効果を補償するために抵抗４
にスピードアップコンデンサ８が並列接続されているが
１周波数が高くなるにつれ、実装の影響や半導体レーザ
のバラツキが大きくなるので％光波形補償用コンデンサ
８の値も変えて最良の光波形とする必要がある。
しかしながら、従来の回路は第２図のような構成である
ので、コンデンサ８を取シ替えて光波形のパターン効果
を補償しなければならず、補償容量の連続的可変が不可
能であるという欠点がある。
ので、コンデンサ８を取シ替えて光波形のパターン効果
を補償しなければならず、補償容量の連続的可変が不可
能であるという欠点がある。
本発明の目的は上記欠点を解決するもので、電界効果形
トランジスタのドレインとレーザダイオードの間の抵抗
抱子間の容量を連続的に変えることができる半導体レー
ザ駆動回路を提供することにある。
トランジスタのドレインとレーザダイオードの間の抵抗
抱子間の容量を連続的に変えることができる半導体レー
ザ駆動回路を提供することにある。
Ｃ１１題を解決する友めの手段）
前記目的を達成する几めに本発明による半導体レーザ駆
動回路は電界効果トランジスタのソース電極と基準電位
との間に第１のコンデンサを接続し、前記ソース電極と
電源との間に第１の抵抗を接続し、前記電界効果トラン
ジスタのドレイン電極と基準電位との間に、第２の抵抗
とレーザダイオードの直列回路を接続し、前記第２の抵
抗とレーザダイオードの共通接続点に直流バイアス供給
回路を接続し、さらに前記第２の抵抗と並列に第２のコ
ンデンサｔ−接続してなフ、前記電界効果形トランジス
タのゲートにパルス電流を供給することにより前記レー
ザダイオードを発掘させる半導体レーザ駆動回路ｌこお
論て、前記第２のコンデンサの代わシに前記＄２の抵抗
に並列に第２の電界効果形トランジスタを接続し、前記
第２の電界効果形トランジスタのゲート電圧を制御する
ことにょう、前記第２の抵抗の抱子間ｌこ４又る容ｆＩ
ｋｔ一連続的に変化させろよう番こ構成しである。
動回路は電界効果トランジスタのソース電極と基準電位
との間に第１のコンデンサを接続し、前記ソース電極と
電源との間に第１の抵抗を接続し、前記電界効果トラン
ジスタのドレイン電極と基準電位との間に、第２の抵抗
とレーザダイオードの直列回路を接続し、前記第２の抵
抗とレーザダイオードの共通接続点に直流バイアス供給
回路を接続し、さらに前記第２の抵抗と並列に第２のコ
ンデンサｔ−接続してなフ、前記電界効果形トランジス
タのゲートにパルス電流を供給することにより前記レー
ザダイオードを発掘させる半導体レーザ駆動回路ｌこお
論て、前記第２のコンデンサの代わシに前記＄２の抵抗
に並列に第２の電界効果形トランジスタを接続し、前記
第２の電界効果形トランジスタのゲート電圧を制御する
ことにょう、前記第２の抵抗の抱子間ｌこ４又る容ｆＩ
ｋｔ一連続的に変化させろよう番こ構成しである。
（実施例〉
以下、図面を参照して本発明をさらに詳しく説明する。
第１図は本発明による半導体レーザ駆動回路の一実施例
を示す回路図である。
を示す回路図である。
図において、１．７は電界効果形トランジスタ（以下Ｐ
ＥＴと略称する。）、２．４は抵抗器。
ＥＴと略称する。）、２．４は抵抗器。
３はコンデンサ、５は半導体レーザダイオード。
６は直流バイアス供給回路である。
ＦＥＴ１のゲート電極Ｇにパルス信号が入力されると、
入力パルス信号に応じ九駆動パルス電流が得られる。そ
の駆動パルス電流が半導体レーザダイオード５に注入さ
れると半導体レーザダイオード５が発振する。しかしな
がら半導体レーザダイオード５は１ビツト目のパルスに
対し発掘遅延が生じ１発光が遅れる九め、パターン効果
が生じ光波形は劣化する。
入力パルス信号に応じ九駆動パルス電流が得られる。そ
の駆動パルス電流が半導体レーザダイオード５に注入さ
れると半導体レーザダイオード５が発振する。しかしな
がら半導体レーザダイオード５は１ビツト目のパルスに
対し発掘遅延が生じ１発光が遅れる九め、パターン効果
が生じ光波形は劣化する。
本発明はこれ會補償する几めに第２のＦＥＴ７ｔ−抵抗
４ζこ並列に接続している。これによシＦＢＴ７のドレ
イン−ソース間容量ある論はゲート−ソース間、ゲート
−ドレイン間容量と。
４ζこ並列に接続している。これによシＦＢＴ７のドレ
イン−ソース間容量ある論はゲート−ソース間、ゲート
−ドレイン間容量と。
抵抗４により駆動パルス電流波形のスピードをあげると
ともに、１ビツト目のパルスにオーバーシュートを持ｔ
せている。
ともに、１ビツト目のパルスにオーバーシュートを持ｔ
せている。
一般に高周波領域においては、実装の影響や半導体レー
ザダイオード５のバラツキが太き論ので、パターン効果
による光波形の劣化量は一様ではない。
ザダイオード５のバラツキが太き論ので、パターン効果
による光波形の劣化量は一様ではない。
そのｔめ、補償する容量を可変する必要性が生じ、高周
波になればなるほど容量値は小さくなり通常のディスク
リート部品での実現が困難となる。
波になればなるほど容量値は小さくなり通常のディスク
リート部品での実現が困難となる。
本発明では、この光波形補償用の容量を第２０ＦＥＴ７
のドレイン−ソース間容量あるいは。
のドレイン−ソース間容量あるいは。
ゲート−ソース間容量、およびゲート−ドレイン間容量
で実現している。これらの容量は電流の関数になってお
ｐ、ＦＩ３Ｔ７のゲート電圧を制御することにより、連
続的に変えることができる。
で実現している。これらの容量は電流の関数になってお
ｐ、ＦＩ３Ｔ７のゲート電圧を制御することにより、連
続的に変えることができる。
（発明の効果］
以上、説明し友ように本発明は、電界効果形トランジス
タのドレイン電極とレーザダイオードとの間の抵抗に並
列接続されたスピードアップコンデンサの代りに第２の
電界効果形トランジスタを接続し、第２の電界効果形ト
ランジスタのドレインーソース間容量、ゲート−ソース
間容量、ゲートードレイン間容量をゲート電圧で制御す
ることにより容ｔ’を連続的に変えることが可能となり
、電圧を変えるだけで容易に光波形を補償し、最適化で
きるという効果がある。
タのドレイン電極とレーザダイオードとの間の抵抗に並
列接続されたスピードアップコンデンサの代りに第２の
電界効果形トランジスタを接続し、第２の電界効果形ト
ランジスタのドレインーソース間容量、ゲート−ソース
間容量、ゲートードレイン間容量をゲート電圧で制御す
ることにより容ｔ’を連続的に変えることが可能となり
、電圧を変えるだけで容易に光波形を補償し、最適化で
きるという効果がある。
第１図は本発明によ°る半導体レーザ駆動回路の一冥施
例を示す回路図、第２図は従来の半導体レーザ駆動回路
の一例を示す図である。 １．７・・・電界効果形トランジスタ ２．４・・・抵抗 ３．８・・・コンデンサ５・・
・半導体レーザダイオード ６・・・［Ｒバイアス供給回路 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 井 ） ロ 壽 ２図
例を示す回路図、第２図は従来の半導体レーザ駆動回路
の一例を示す図である。 １．７・・・電界効果形トランジスタ ２．４・・・抵抗 ３．８・・・コンデンサ５・・
・半導体レーザダイオード ６・・・［Ｒバイアス供給回路 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 井 ） ロ 壽 ２図
Claims (1)
- 電界効果トランジスタのソース電極と基準電位との間に
第１のコンデンサを接続し、前記ソース電極と電源との
間に第１の抵抗を接続し、前記電界効果トランジスタの
ドレイン電極と基準電位との間に、第２の抵抗とレーザ
ダイオードの直列回路を接続し、前記第２の抵抗とレー
ザダイオードの共通接続点に直流バイアス供給回路を接
続し、さらに前記第２の抵抗と並列に第２のコンデンサ
を接続してなり、前記電界効果形トランジスタのゲート
にパルス電流を供給することにより前記レーザダイオー
ドを発振させる半導体レーザ駆動回路において、前記第
２のコンデンサの代わりに前記第２の抵抗に並列に第２
の電界効果形トランジスタを接続し、前記第２の電界効
果形トランジスタのゲート電圧を制御することにより、
前記第２の抵抗の端子間に与える容量を連続的に変化さ
せることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20591688A JP2684697B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20591688A JP2684697B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254977A true JPH0254977A (ja) | 1990-02-23 |
| JP2684697B2 JP2684697B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=16514872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20591688A Expired - Lifetime JP2684697B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2684697B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08186312A (ja) * | 1994-12-30 | 1996-07-16 | Sony Corp | レーザダイオード駆動回路 |
| US6202979B1 (en) | 1998-09-15 | 2001-03-20 | Stabilus Gmbh | Valve |
| JP2013110282A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Canon Inc | 発光素子の駆動回路および発光装置 |
| CN110401103A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-11-01 | 光梓信息科技（上海）有限公司 | 脉冲激光驱动器 |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP20591688A patent/JP2684697B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08186312A (ja) * | 1994-12-30 | 1996-07-16 | Sony Corp | レーザダイオード駆動回路 |
| US6202979B1 (en) | 1998-09-15 | 2001-03-20 | Stabilus Gmbh | Valve |
| JP2013110282A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Canon Inc | 発光素子の駆動回路および発光装置 |
| US9332600B2 (en) | 2011-11-21 | 2016-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving circuit for light emitting element, and light emitting device |
| CN110401103A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-11-01 | 光梓信息科技（上海）有限公司 | 脉冲激光驱动器 |
| WO2021017671A1 (en) * | 2019-07-26 | 2021-02-04 | Photonic Technologies (Shanghai) Co., Ltd. | Pulsed laser driver |
| US11581693B2 (en) | 2019-07-26 | 2023-02-14 | Photonic Technologies (Shanghai) Co., Ltd. | Pulsed laser driver |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2684697B2 (ja) | 1997-12-03 |
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