JPH08186312A - レーザダイオード駆動回路 - Google Patents
レーザダイオード駆動回路Info
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- JPH08186312A JPH08186312A JP6339625A JP33962594A JPH08186312A JP H08186312 A JPH08186312 A JP H08186312A JP 6339625 A JP6339625 A JP 6339625A JP 33962594 A JP33962594 A JP 33962594A JP H08186312 A JPH08186312 A JP H08186312A
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- Japan
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- laser diode
- circuit
- switching
- drive circuit
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、レーザダイオード駆動回路につい
て、レーザ光の波形をきれいに整形する。 【構成】波形整形手段（３１）で波形整形された制御信
号に応じてスイツチング回路（Ｔｒ３、Ｔｒ４）を駆動
して、周波数特性が調節された電流を定電流回路（３
５）よりレーザダイオード（ＬＤ）に供給する。スイツ
チング回路（Ｔｒ３、Ｔｒ４）には、クランプ手段（３
３）でクランプされた切換え信号に応じて発生される高
周波信号が重畳された電流が電流源（Ｔｒ６）より供給
される。これによりレーザダイオード（ＬＤ）の発光パ
ルスの波形を一段ときれいに整形することができる。
て、レーザ光の波形をきれいに整形する。 【構成】波形整形手段（３１）で波形整形された制御信
号に応じてスイツチング回路（Ｔｒ３、Ｔｒ４）を駆動
して、周波数特性が調節された電流を定電流回路（３
５）よりレーザダイオード（ＬＤ）に供給する。スイツ
チング回路（Ｔｒ３、Ｔｒ４）には、クランプ手段（３
３）でクランプされた切換え信号に応じて発生される高
周波信号が重畳された電流が電流源（Ｔｒ６）より供給
される。これによりレーザダイオード（ＬＤ）の発光パ
ルスの波形を一段ときれいに整形することができる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術（図６及び図７） 発明が解決しようとする課題（図７） 課題を解決するための手段（図２） 作用（図２） 実施例 （１）全体構成（図１） （２）実施例によるレーザダイオード駆動回路（図２〜
図５） 発明の効果
図５） 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明はレーザダイオード駆動回
路に関し、例えば光磁気デイスク装置のレーザダイオー
ド駆動回路に適用し得る。
路に関し、例えば光磁気デイスク装置のレーザダイオー
ド駆動回路に適用し得る。
【０００３】
【従来の技術】従来、光磁気デイスク装置においては、
デイスク上に所望のデータを記録し再生する際に、レー
ザダイオード（ＬＤ）駆動回路によつてレーザダイオー
ドＬＤを駆動させてレーザ光を発光させている。図６に
示すように、磁界が必要な強さで出ている間にレーザ光
を発光すれば、デイスク上にデータをきれいに書き込む
ことができ、高密度記録が可能となる。
デイスク上に所望のデータを記録し再生する際に、レー
ザダイオード（ＬＤ）駆動回路によつてレーザダイオー
ドＬＤを駆動させてレーザ光を発光させている。図６に
示すように、磁界が必要な強さで出ている間にレーザ光
を発光すれば、デイスク上にデータをきれいに書き込む
ことができ、高密度記録が可能となる。
【０００４】このような点を考慮したＬＤ駆動回路とし
て定電流回路を差動駆動する構成のＬＤ駆動回路があ
り、このＬＤ駆動回路１の構成を図７に示す。トランジ
スタＴｒ１とトランジスタＴｒ２は電流スイツチング用
のトランジスタであり、差動接続されている。トランジ
スタＴｒ１のコレクタには抵抗Ｒ１が接続されており、
トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のベースには、逆極性の記
録データに対応する入力信号ｄ１、ｄ２がそれぞれ印加
される。
て定電流回路を差動駆動する構成のＬＤ駆動回路があ
り、このＬＤ駆動回路１の構成を図７に示す。トランジ
スタＴｒ１とトランジスタＴｒ２は電流スイツチング用
のトランジスタであり、差動接続されている。トランジ
スタＴｒ１のコレクタには抵抗Ｒ１が接続されており、
トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のベースには、逆極性の記
録データに対応する入力信号ｄ１、ｄ２がそれぞれ印加
される。
【０００５】トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の共通エミツ
タは電流値設定用のトランジスタＴｒ３及び抵抗Ｒ２を
介して所定の基準電位ＶCCに接続されている。またトラ
ンジスタＴｒ３のベースには所定の電圧ＶLPC が印加さ
れる。ここでトランジスタＴｒ３のベースに印加される
電圧ＶLPC からトランジスタＴｒ３のベース−エミツタ
間の電圧ＶBEを引いた電圧が抵抗Ｒ２に印加されるの
で、トランジスタＴｒ３のコレクタに流れる電流ｉはｉ
＝（ＶLPC −ＶBE）／Ｒ２となる。
タは電流値設定用のトランジスタＴｒ３及び抵抗Ｒ２を
介して所定の基準電位ＶCCに接続されている。またトラ
ンジスタＴｒ３のベースには所定の電圧ＶLPC が印加さ
れる。ここでトランジスタＴｒ３のベースに印加される
電圧ＶLPC からトランジスタＴｒ３のベース−エミツタ
間の電圧ＶBEを引いた電圧が抵抗Ｒ２に印加されるの
で、トランジスタＴｒ３のコレクタに流れる電流ｉはｉ
＝（ＶLPC −ＶBE）／Ｒ２となる。
【０００６】このＬＤ駆動回路１では、カレントミラー
回路を構成するトランジスタＴｒ４及びトランジスタＴ
ｒ５のエミツタにそれぞれ抵抗Ｒ３、抵抗Ｒ４を接続し
て定電流回路２を構成している。抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４と
の抵抗値の比はｎ対１（ｎは「１」より大きい値）に設
定されている。従つてトランジスタＴｒ４及びＴｒ５の
エミツタ−コレクタ間に流れる電流の比は１対ｎにな
る。
回路を構成するトランジスタＴｒ４及びトランジスタＴ
ｒ５のエミツタにそれぞれ抵抗Ｒ３、抵抗Ｒ４を接続し
て定電流回路２を構成している。抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４と
の抵抗値の比はｎ対１（ｎは「１」より大きい値）に設
定されている。従つてトランジスタＴｒ４及びＴｒ５の
エミツタ−コレクタ間に流れる電流の比は１対ｎにな
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところでＬＤ駆動回路
１では、入力信号ｄ１＝１、ｄ２＝０のときはトランジ
スタＴｒ１がオン、トランジスタＴｒ２がオフになり、
電流ｉは抵抗Ｒ１に流れる。このときトランジスタＴｒ
４には電流は流れず、レーザダイオードＬＤには電流は
流れない。また入力信号ｄ１＝０、ｄ２＝１のときは、
トランジスタＴｒ１がオフ、トランジスタＴｒ２がオン
になつて電流ｉがトランジスタＴｒ４に流れる。これに
よりトランジスタＴｒ５からレーザダイオードＬＤにｎ
×ｉの電流が流れる。すなわちレーザダイオードＬＤを
オンオフするとき、定電流回路２に流れる電流は、オン
のときは（ｎ＋１）×ｉであり、オフのときはｉに低減
する。
１では、入力信号ｄ１＝１、ｄ２＝０のときはトランジ
スタＴｒ１がオン、トランジスタＴｒ２がオフになり、
電流ｉは抵抗Ｒ１に流れる。このときトランジスタＴｒ
４には電流は流れず、レーザダイオードＬＤには電流は
流れない。また入力信号ｄ１＝０、ｄ２＝１のときは、
トランジスタＴｒ１がオフ、トランジスタＴｒ２がオン
になつて電流ｉがトランジスタＴｒ４に流れる。これに
よりトランジスタＴｒ５からレーザダイオードＬＤにｎ
×ｉの電流が流れる。すなわちレーザダイオードＬＤを
オンオフするとき、定電流回路２に流れる電流は、オン
のときは（ｎ＋１）×ｉであり、オフのときはｉに低減
する。
【０００８】ところが定電流回路２での電流比ｎによつ
て、定電流回路２の周波数特性はトランジスタが単体の
場合の１／ｎになる。このため電流比ｎを大きくすると
周波数特性が無くなり、レーザダイオードＬＤの発光パ
ルスの立上がり遅くなる問題があつた。またトランジス
タＴｒ４、Ｔｒ５とＬＤとの特性のばらつきがそのまま
特性に現れ、トランジスタＴｒ４、Ｔｒ５とＬＤの特性
がばらついたときその特性を補正することができない問
題があつた。またレーザ駆動回路１では、ＬＤオンオフ
信号がＥＣＬ（emitter coupled logic ）差動信号であ
るため消費電力が多い問題があつた。
て、定電流回路２の周波数特性はトランジスタが単体の
場合の１／ｎになる。このため電流比ｎを大きくすると
周波数特性が無くなり、レーザダイオードＬＤの発光パ
ルスの立上がり遅くなる問題があつた。またトランジス
タＴｒ４、Ｔｒ５とＬＤとの特性のばらつきがそのまま
特性に現れ、トランジスタＴｒ４、Ｔｒ５とＬＤの特性
がばらついたときその特性を補正することができない問
題があつた。またレーザ駆動回路１では、ＬＤオンオフ
信号がＥＣＬ（emitter coupled logic ）差動信号であ
るため消費電力が多い問題があつた。
【０００９】また図７に示すように、ＬＤ駆動回路１に
おいて、レーザダイオードＬＤのアノードに例えば周波
数が 500〔MHz 〕のモジユール信号（高周波信号）を印
加してレーザノイズを低減するものが提案されている。
ところがモジユール信号の周波数を変えたときにモジユ
ール信号の振幅が小さくなる問題があつた。またモジユ
ール切換え信号は貫通コンデンサを通して駆動されるた
め、モジユール信号を高速に切り換えようとするとオー
バーシユートしてモジユール信号の振幅が変わりレーザ
ダイオードＬＤの出力が変動する問題があつた。
おいて、レーザダイオードＬＤのアノードに例えば周波
数が 500〔MHz 〕のモジユール信号（高周波信号）を印
加してレーザノイズを低減するものが提案されている。
ところがモジユール信号の周波数を変えたときにモジユ
ール信号の振幅が小さくなる問題があつた。またモジユ
ール切換え信号は貫通コンデンサを通して駆動されるた
め、モジユール信号を高速に切り換えようとするとオー
バーシユートしてモジユール信号の振幅が変わりレーザ
ダイオードＬＤの出力が変動する問題があつた。
【００１０】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、レーザダイオードの発光パルスの波形をきれいに整
形し得るレーザダイオード駆動回路を提案しようとする
ものである。
で、レーザダイオードの発光パルスの波形をきれいに整
形し得るレーザダイオード駆動回路を提案しようとする
ものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、レーザダイオード（ＬＤ）のオン
オフを制御する制御信号に応じてスイツチング動作する
差動型のスイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））
と、スイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））のス
イツチング動作に応じてレーザダイオード（ＬＤ）に供
給する電流を制御する定電流回路（３５）と、定電流回
路（３５）に流れる電流の周波数特性を調節する周波数
特性調節手段（Ｃ２）とを設ける。
め本発明においては、レーザダイオード（ＬＤ）のオン
オフを制御する制御信号に応じてスイツチング動作する
差動型のスイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））
と、スイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））のス
イツチング動作に応じてレーザダイオード（ＬＤ）に供
給する電流を制御する定電流回路（３５）と、定電流回
路（３５）に流れる電流の周波数特性を調節する周波数
特性調節手段（Ｃ２）とを設ける。
【００１２】また本発明においては、レーザダイオード
（ＬＤ）のオンオフを制御する制御信号の波形を整形す
る波形整形手段（３１）と、当該波形整形手段（３１）
より出力される制御信号に応じてスイツチング動作する
差動型のスイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））
と、スイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））のス
イツチング動作に応じてレーザダイオード（ＬＤ）に供
給する電流を制御する定電流回路（３５）とを設ける。
（ＬＤ）のオンオフを制御する制御信号の波形を整形す
る波形整形手段（３１）と、当該波形整形手段（３１）
より出力される制御信号に応じてスイツチング動作する
差動型のスイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））
と、スイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））のス
イツチング動作に応じてレーザダイオード（ＬＤ）に供
給する電流を制御する定電流回路（３５）とを設ける。
【００１３】また本発明においては、レーザダイオード
（ＬＤ）のオンオフを制御する制御信号に応じてスイツ
チング動作する差動型のスイツチング回路（（Ｔｒ
３）、（Ｔｒ４））と、スイツチング回路（（Ｔｒ
３）、（Ｔｒ４））のスイツチング動作に応じてレーザ
ダイオード（ＬＤ）に供給する電流を制御する定電流回
路（３５）と、スイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ
４））に電流を供給する電流源（Ｔｒ６）と、スイツチ
ング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））に供給する電流に
高周波信号を重畳する高周波信号発生手段（３４）とを
設ける。
（ＬＤ）のオンオフを制御する制御信号に応じてスイツ
チング動作する差動型のスイツチング回路（（Ｔｒ
３）、（Ｔｒ４））と、スイツチング回路（（Ｔｒ
３）、（Ｔｒ４））のスイツチング動作に応じてレーザ
ダイオード（ＬＤ）に供給する電流を制御する定電流回
路（３５）と、スイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ
４））に電流を供給する電流源（Ｔｒ６）と、スイツチ
ング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））に供給する電流に
高周波信号を重畳する高周波信号発生手段（３４）とを
設ける。
【００１４】また本発明においては、レーザダイオード
（ＬＤ）のオンオフを制御する制御信号の波形を整形す
る波形整形手段（３１）と、当該波形整形手段（３１）
より出力される制御信号に応じてスイツチング動作する
差動型のスイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））
と、スイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））のス
イツチング動作に応じてレーザダイオード（ＬＤ）に供
給する電流を制御する定電流回路（３５）と、スイツチ
ング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））に電流を供給する
電流源（Ｔｒ６）と、スイツチング回路（（Ｔｒ３）、
（Ｔｒ４））に供給される電流に高周波信号を重畳する
高周波信号発生手段（３４）とを設ける。
（ＬＤ）のオンオフを制御する制御信号の波形を整形す
る波形整形手段（３１）と、当該波形整形手段（３１）
より出力される制御信号に応じてスイツチング動作する
差動型のスイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））
と、スイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））のス
イツチング動作に応じてレーザダイオード（ＬＤ）に供
給する電流を制御する定電流回路（３５）と、スイツチ
ング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））に電流を供給する
電流源（Ｔｒ６）と、スイツチング回路（（Ｔｒ３）、
（Ｔｒ４））に供給される電流に高周波信号を重畳する
高周波信号発生手段（３４）とを設ける。
【００１５】また本発明においては、レーザダイオード
（ＬＤ）のオンオフを制御する制御信号の波形を整形す
る波形整形手段（３１）と、当該波形整形手段（３１）
より出力される制御信号に応じてスイツチング動作する
差動型のスイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））
と、スイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））のス
イツチング動作に応じてレーザダイオード（ＬＤ）に供
給する電流を制御する定電流回路（３５）と、定電流回
路（３５）に流れる電流の周波数特性を調節する周波数
特性調節手段（Ｃ２）と、スイツチング回路（（Ｔｒ
３）、（Ｔｒ４））に電流を供給する電流源（Ｔｒ６）
と、スイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））に供
給する電流に高周波信号を重畳する高周波信号発生手段
（３４）とを設ける。
（ＬＤ）のオンオフを制御する制御信号の波形を整形す
る波形整形手段（３１）と、当該波形整形手段（３１）
より出力される制御信号に応じてスイツチング動作する
差動型のスイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））
と、スイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））のス
イツチング動作に応じてレーザダイオード（ＬＤ）に供
給する電流を制御する定電流回路（３５）と、定電流回
路（３５）に流れる電流の周波数特性を調節する周波数
特性調節手段（Ｃ２）と、スイツチング回路（（Ｔｒ
３）、（Ｔｒ４））に電流を供給する電流源（Ｔｒ６）
と、スイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））に供
給する電流に高周波信号を重畳する高周波信号発生手段
（３４）とを設ける。
【００１６】
【作用】レーザダイオード（ＬＤ）のオンオフを制御す
る制御信号に応じてスイツチング回路（（Ｔｒ３）、
（Ｔｒ４））を駆動して定電流回路（３５）より周波数
特性が調節された電流をレーザダイオード（ＬＤ）に供
給する。これにより、レーザダイオード（ＬＤ）の発光
パルスの波形の立上がりを早くすることができる。また
定電流回路（３５）の電流比を大きくすることができる
ので低消費電力を実現し得る。
る制御信号に応じてスイツチング回路（（Ｔｒ３）、
（Ｔｒ４））を駆動して定電流回路（３５）より周波数
特性が調節された電流をレーザダイオード（ＬＤ）に供
給する。これにより、レーザダイオード（ＬＤ）の発光
パルスの波形の立上がりを早くすることができる。また
定電流回路（３５）の電流比を大きくすることができる
ので低消費電力を実現し得る。
【００１７】レーザダイオード（ＬＤ）のオンオフを制
御する制御信号の波形を波形整形手段（３１）で整形
し、当該波形整形した制御信号によつてスイツチング回
路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））を駆動する。これにより
シングルエンドＣＭＯＳ信号でレーザダイオード（Ｌ
Ｄ）を駆動することができるので、消費電力を低減し得
ると共に高周波の漏れを低減し得る。
御する制御信号の波形を波形整形手段（３１）で整形
し、当該波形整形した制御信号によつてスイツチング回
路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））を駆動する。これにより
シングルエンドＣＭＯＳ信号でレーザダイオード（Ｌ
Ｄ）を駆動することができるので、消費電力を低減し得
ると共に高周波の漏れを低減し得る。
【００１８】スイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ
４））に電流を供給する電流源（Ｔｒ６）に高周波信号
を与えて、電流源（Ｔｒ６）より定電流回路（３５）に
電流を供給する。これにより、定電流回路（３５）で高
周波信号の振幅を増幅してレーザダイオード（ＬＤ）に
供給することができるので、レーザダイオード（ＬＤ）
の発光パルスの波形をきれいに整形することができる。
４））に電流を供給する電流源（Ｔｒ６）に高周波信号
を与えて、電流源（Ｔｒ６）より定電流回路（３５）に
電流を供給する。これにより、定電流回路（３５）で高
周波信号の振幅を増幅してレーザダイオード（ＬＤ）に
供給することができるので、レーザダイオード（ＬＤ）
の発光パルスの波形をきれいに整形することができる。
【００１９】レーザダイオード（ＬＤ）のオンオフを制
御する制御信号の波形を整形し、当該波形整形した制御
信号によつてスイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ
４））を駆動する。スイツチング回路（（Ｔｒ３）、
（Ｔｒ４））には、高周波信号が重畳された電流が供給
される。これにより、シングルエンドＣＭＯＳ信号でレ
ーザダイオード（ＬＤ）を駆動し得ると共に高周波の漏
れを低減し得る。また高周波信号の振幅を定電流回路
（３５）で増幅し得るのでレーザダイオード（ＬＤ）の
発光パルスの波形をきれいに整形し得る。
御する制御信号の波形を整形し、当該波形整形した制御
信号によつてスイツチング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ
４））を駆動する。スイツチング回路（（Ｔｒ３）、
（Ｔｒ４））には、高周波信号が重畳された電流が供給
される。これにより、シングルエンドＣＭＯＳ信号でレ
ーザダイオード（ＬＤ）を駆動し得ると共に高周波の漏
れを低減し得る。また高周波信号の振幅を定電流回路
（３５）で増幅し得るのでレーザダイオード（ＬＤ）の
発光パルスの波形をきれいに整形し得る。
【００２０】波形整形された制御信号によつてスイツチ
ング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））を駆動し、周波数
特性が調節された電流を定電流回路（３５）よりレーザ
ダイオード（ＬＤ）に供給する。スイツチング回路
（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））には、高周波信号が重畳さ
れた電流が電流源（Ｔｒ６）より供給される。これによ
り、レーザダイオード（ＬＤ）の発光パルスの波形の立
上がりを早くし得ると共に高周波信号の振幅を定電流回
路（３５）で増幅し得るので、レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）の発光パルスの波形を一段ときれいに整形すること
ができる。またシングルエンドＣＭＯＳ信号でレーザダ
イオード（ＬＤ）を駆動し得ると共に高周波の漏れを低
減し得る。
ング回路（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））を駆動し、周波数
特性が調節された電流を定電流回路（３５）よりレーザ
ダイオード（ＬＤ）に供給する。スイツチング回路
（（Ｔｒ３）、（Ｔｒ４））には、高周波信号が重畳さ
れた電流が電流源（Ｔｒ６）より供給される。これによ
り、レーザダイオード（ＬＤ）の発光パルスの波形の立
上がりを早くし得ると共に高周波信号の振幅を定電流回
路（３５）で増幅し得るので、レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）の発光パルスの波形を一段ときれいに整形すること
ができる。またシングルエンドＣＭＯＳ信号でレーザダ
イオード（ＬＤ）を駆動し得ると共に高周波の漏れを低
減し得る。
【００２１】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００２２】（１）全体構成 図１において、１０は全体として本発明によるレーザダ
イオード駆動回路を適用する磁界変調式光磁気デスク装
置の概略構成を示している。光磁気デイスク１１はスピ
ンドルモータ１２により一定の回転数で回転駆動され
る。光ピツクアツプ１３はＬＤ及びフオトデイテクタを
内蔵しており、ＬＤ駆動回路１４の制御の下に、光磁気
デイスク１１に対してレーザ光を照射し、光磁気記録又
は再生に必要な所定強度の光スポツトを照射する。また
光ピツクアツプ１３は光磁気デイスク１１からの反射光
を検出し、その検出信号であるＲＦ信号（光強度信号）
をサーボ回路１５に供給し、ＭＯ信号を信号デコーダ１
６に供給する。
イオード駆動回路を適用する磁界変調式光磁気デスク装
置の概略構成を示している。光磁気デイスク１１はスピ
ンドルモータ１２により一定の回転数で回転駆動され
る。光ピツクアツプ１３はＬＤ及びフオトデイテクタを
内蔵しており、ＬＤ駆動回路１４の制御の下に、光磁気
デイスク１１に対してレーザ光を照射し、光磁気記録又
は再生に必要な所定強度の光スポツトを照射する。また
光ピツクアツプ１３は光磁気デイスク１１からの反射光
を検出し、その検出信号であるＲＦ信号（光強度信号）
をサーボ回路１５に供給し、ＭＯ信号を信号デコーダ１
６に供給する。
【００２３】サーボ回路１５は、光磁気デイスク１１に
例えばエンボス加工等でプリピツトして予め一定間隔で
形成されているクロツクピツトに応じたＲＦ信号を受
け、このクロツクピツトに同期し、かつ光磁気デイスク
１１上に記録しようとする信号の基本クロツクの周波数
に一致するクロツク（以下記録基本クロツクと呼ぶ）を
生成する。この記録基本クロツクはＬＤ駆動回路１４、
信号デコーダ１６、エンコーダ１７及びコントローラ１
８に供給される。またサーボ回路１５は、ＲＦ信号より
トラツキングエラー信号及びフオーカスエラー信号を生
成し、このエラー信号に対応して、光ピツクアツプ１３
のフオーカスサーボ、トラツキングサーボを制御する。
例えばエンボス加工等でプリピツトして予め一定間隔で
形成されているクロツクピツトに応じたＲＦ信号を受
け、このクロツクピツトに同期し、かつ光磁気デイスク
１１上に記録しようとする信号の基本クロツクの周波数
に一致するクロツク（以下記録基本クロツクと呼ぶ）を
生成する。この記録基本クロツクはＬＤ駆動回路１４、
信号デコーダ１６、エンコーダ１７及びコントローラ１
８に供給される。またサーボ回路１５は、ＲＦ信号より
トラツキングエラー信号及びフオーカスエラー信号を生
成し、このエラー信号に対応して、光ピツクアツプ１３
のフオーカスサーボ、トラツキングサーボを制御する。
【００２４】信号デコーダ１６は再生時、光ピツクアツ
プ１３より供給されたＭＯ信号を復調すると共に復号し
て、出力信号処理回路（図示せず）に出力する。出力信
号処理回路からの出力（読出しデータ）はコントローラ
１８を介してホストコンピユータ１９に転送される。コ
ントローラ１８はホストコンピユータ１９とのインタフ
エースを制御すると共に、サーボ回路１５より供給され
る記録基本クロツクを基準に光磁気デイスク１１に対す
る記録、再生動作を制御している。
プ１３より供給されたＭＯ信号を復調すると共に復号し
て、出力信号処理回路（図示せず）に出力する。出力信
号処理回路からの出力（読出しデータ）はコントローラ
１８を介してホストコンピユータ１９に転送される。コ
ントローラ１８はホストコンピユータ１９とのインタフ
エースを制御すると共に、サーボ回路１５より供給され
る記録基本クロツクを基準に光磁気デイスク１１に対す
る記録、再生動作を制御している。
【００２５】光ピツクアツプ１３より照射されるレーザ
光の延長線上には、記録時に磁界ヘツドドライバ２０の
制御に応じた外部磁界を、光磁気デイスク１１に印加す
る磁界ヘツド２１が配置される。ＬＤ駆動回路１４はコ
ントローラ１８より供給される制御信号によつて制御さ
れ、光ピツクアツプ１３のレーザダイオードＬＤを駆動
する。またエンコーダ１７はコントローラ１８より供給
される書込みデータをエンコードして磁界ヘツドドライ
バ２０に供給している。
光の延長線上には、記録時に磁界ヘツドドライバ２０の
制御に応じた外部磁界を、光磁気デイスク１１に印加す
る磁界ヘツド２１が配置される。ＬＤ駆動回路１４はコ
ントローラ１８より供給される制御信号によつて制御さ
れ、光ピツクアツプ１３のレーザダイオードＬＤを駆動
する。またエンコーダ１７はコントローラ１８より供給
される書込みデータをエンコードして磁界ヘツドドライ
バ２０に供給している。
【００２６】記録時、ホストコンピユータ１９より転送
される書込みデータはエンコーダ１７でエンコードされ
て磁界ヘツドドライバ２０を介して磁界ヘツド２１に供
給される。これにより磁界ヘツド２１は、例えば論理
「１」を記録するときＮ極の磁界を発生し、論理「０」
を記録するときＳ極の磁界を発生する。このときコント
ーラ１８は磁界ヘツド２１が磁界を変調するタイミング
に合わせてＬＤ駆動回路１４に制御信号を送つてＬＤ駆
動回路１４を駆動させ、ＬＤ駆動回路１４によつてレー
ザダイオードＬＤをオンオフする。この結果、光磁気デ
イスク１１上に光磁気的に論理「１」と論理「０」とが
記録される。
される書込みデータはエンコーダ１７でエンコードされ
て磁界ヘツドドライバ２０を介して磁界ヘツド２１に供
給される。これにより磁界ヘツド２１は、例えば論理
「１」を記録するときＮ極の磁界を発生し、論理「０」
を記録するときＳ極の磁界を発生する。このときコント
ーラ１８は磁界ヘツド２１が磁界を変調するタイミング
に合わせてＬＤ駆動回路１４に制御信号を送つてＬＤ駆
動回路１４を駆動させ、ＬＤ駆動回路１４によつてレー
ザダイオードＬＤをオンオフする。この結果、光磁気デ
イスク１１上に光磁気的に論理「１」と論理「０」とが
記録される。
【００２７】再生時、コントローラ１８はＬＤ駆動回路
１４を介して光ピツクアツプ１３のレーザダイオードＬ
Ｄを基本的には連続的に点灯させる。しかし実際上は、
ＬＤを連続的に点灯させるといわゆるＳＣＯＯＰ効果に
よるノイズが発生するので、これを制御するために高周
波信号を重畳する。この結果、高周波で点灯又は消灯さ
れるレーザ光が光磁気デイスク１１に照射され、これに
より得られる反射光を光ピツクアツプ１３が受光し、そ
の検出信号であるＲＦ信号をサーボ回路１５に供給し、
ＭＯ信号を信号デコーダ１６に供給する。
１４を介して光ピツクアツプ１３のレーザダイオードＬ
Ｄを基本的には連続的に点灯させる。しかし実際上は、
ＬＤを連続的に点灯させるといわゆるＳＣＯＯＰ効果に
よるノイズが発生するので、これを制御するために高周
波信号を重畳する。この結果、高周波で点灯又は消灯さ
れるレーザ光が光磁気デイスク１１に照射され、これに
より得られる反射光を光ピツクアツプ１３が受光し、そ
の検出信号であるＲＦ信号をサーボ回路１５に供給し、
ＭＯ信号を信号デコーダ１６に供給する。
【００２８】（２）実施例によるレーザダイオード駆動
回路 図２において、３０は全体として本発明の実施例による
ＬＤ駆動回路の構成を示している。ＬＤ駆動回路３０
は、ＬＤオンオフ信号（ＬＤＯＮ）の波形を整形する波
形整形部３１と、レーザダイオードＬＤを駆動するレー
ザ駆動部３２と、モジユール切替え信号（ＭＤＥＮ）を
クランプするクランプ部３３と、モジユール信号発生部
３４とよつて構成されている。
回路 図２において、３０は全体として本発明の実施例による
ＬＤ駆動回路の構成を示している。ＬＤ駆動回路３０
は、ＬＤオンオフ信号（ＬＤＯＮ）の波形を整形する波
形整形部３１と、レーザダイオードＬＤを駆動するレー
ザ駆動部３２と、モジユール切替え信号（ＭＤＥＮ）を
クランプするクランプ部３３と、モジユール信号発生部
３４とよつて構成されている。
【００２９】波形整形部３１において、抵抗Ｒ１の一端
は接地に接続されたコンデンサＣ１に接続されており、
その他端はＰＮＰトランジスタＴｒ１のベースに接続さ
れている。トランジスタＴｒ１のコレクタは接地に接続
されており、そのエミツタには抵抗Ｒ２が接続されてい
る。またトランジスタＴｒ１のエミツタ及び抵抗Ｒ２間
にはＮＰＮトランジスタＴｒ２のベースが接続されてお
り、トランジスタＴｒ２のベースラインには接地に接続
された抵抗Ｒ３が接続されている。
は接地に接続されたコンデンサＣ１に接続されており、
その他端はＰＮＰトランジスタＴｒ１のベースに接続さ
れている。トランジスタＴｒ１のコレクタは接地に接続
されており、そのエミツタには抵抗Ｒ２が接続されてい
る。またトランジスタＴｒ１のエミツタ及び抵抗Ｒ２間
にはＮＰＮトランジスタＴｒ２のベースが接続されてお
り、トランジスタＴｒ２のベースラインには接地に接続
された抵抗Ｒ３が接続されている。
【００３０】トランジスタＴｒ２のエミツタは抵抗Ｒ４
を介して接地に接続されている。またトランジスタＴｒ
２のエミツタ及び抵抗Ｒ４間には、ＮＰＮトランジスタ
Ｔｒ３のベースが接続されていると共に抵抗Ｒ５の一端
が接続されている。この波形整形部３１では、コンデン
サＣ１を介して入力されるＬＤオンオフ信号の波形を、
抵抗Ｒ２及びＲ３と抵抗Ｒ４及びＲ５を用いてレベルス
ライスしている。
を介して接地に接続されている。またトランジスタＴｒ
２のエミツタ及び抵抗Ｒ４間には、ＮＰＮトランジスタ
Ｔｒ３のベースが接続されていると共に抵抗Ｒ５の一端
が接続されている。この波形整形部３１では、コンデン
サＣ１を介して入力されるＬＤオンオフ信号の波形を、
抵抗Ｒ２及びＲ３と抵抗Ｒ４及びＲ５を用いてレベルス
ライスしている。
【００３１】レーザ駆動部３２において、ＮＰＮトラン
ジスタＴｒ３及びＴｒ４は差動対を構成している。トラ
ンジスタＴｒ３のコレクタには抵抗Ｒ６が接続されてお
り、トランジスタＴｒ４のコレクタには抵抗Ｒ７を介し
てダイオードＤのカソードに接続されている。またトラ
ンジスタＴｒ４のベースには、抵抗Ｒ８及びＲ９が接続
されており、抵抗Ｒ９は接地に接続されている。すなわ
ちレーザ駆動部３２では、トランジスタＴｒ３のベース
の電圧値に対して、抵抗８及びＲ９で決まるトランジス
タＴｒ４の電圧をしきい値に、トランジスタＴｒ３及び
Ｔｒ４がスイツチング動作するシングルエンドスイツチ
ング回路である。従つて消費電力及び高周波の漏れを低
減し得る。
ジスタＴｒ３及びＴｒ４は差動対を構成している。トラ
ンジスタＴｒ３のコレクタには抵抗Ｒ６が接続されてお
り、トランジスタＴｒ４のコレクタには抵抗Ｒ７を介し
てダイオードＤのカソードに接続されている。またトラ
ンジスタＴｒ４のベースには、抵抗Ｒ８及びＲ９が接続
されており、抵抗Ｒ９は接地に接続されている。すなわ
ちレーザ駆動部３２では、トランジスタＴｒ３のベース
の電圧値に対して、抵抗８及びＲ９で決まるトランジス
タＴｒ４の電圧をしきい値に、トランジスタＴｒ３及び
Ｔｒ４がスイツチング動作するシングルエンドスイツチ
ング回路である。従つて消費電力及び高周波の漏れを低
減し得る。
【００３２】またトランジスタＴｒ４のコレクタ及び抵
抗Ｒ７間にＰＮＰトランジスタＴｒ５のベースが接続さ
れている。トランジスタＴｒ５のエミツタ抵抗Ｒ１０に
はコンデンサＣ２が並列に接続されている。またトラン
ジスタＴｒ５のコレクタはレーザダイオードＬＤのアノ
ードに接続されており、レーザダイオードＬＤのカソー
ド側は接地に接続されている。すなわちダイオードＤ、
抵抗Ｒ７、ＰＮＰトランジスタＴｒ５、抵抗Ｒ１０及び
コンデンサＣ２によつて定電流回路３５が構成されてい
る。
抗Ｒ７間にＰＮＰトランジスタＴｒ５のベースが接続さ
れている。トランジスタＴｒ５のエミツタ抵抗Ｒ１０に
はコンデンサＣ２が並列に接続されている。またトラン
ジスタＴｒ５のコレクタはレーザダイオードＬＤのアノ
ードに接続されており、レーザダイオードＬＤのカソー
ド側は接地に接続されている。すなわちダイオードＤ、
抵抗Ｒ７、ＰＮＰトランジスタＴｒ５、抵抗Ｒ１０及び
コンデンサＣ２によつて定電流回路３５が構成されてい
る。
【００３３】ここで抵抗Ｒ７の抵抗値と抵抗Ｒ１０の抵
抗値との比はｎ：１に設定されている。従つてダイオー
ドＤに流れる電流とトランジスタＴｒ５のエミツタ−コ
レクタ間に流れる電流の比は１対ｎになる。またコンデ
ンサＣ２の値は、抵抗Ｒ１０を電流比ｎを満たすように
設定し、この抵抗Ｒ１０の抵抗値に対して必要な帯域よ
り求める。
抗値との比はｎ：１に設定されている。従つてダイオー
ドＤに流れる電流とトランジスタＴｒ５のエミツタ−コ
レクタ間に流れる電流の比は１対ｎになる。またコンデ
ンサＣ２の値は、抵抗Ｒ１０を電流比ｎを満たすように
設定し、この抵抗Ｒ１０の抵抗値に対して必要な帯域よ
り求める。
【００３４】このようにコンデンサＣ２をトランジタＴ
ｒ５のエミツタ抵抗Ｒ１０に並列に接続することによ
り、図３に示すように、ＬＤの発光波形の立上がりを早
くすることができると共に、トランジスタのばらつきに
よる特性の劣化を吸収することができる。また初めから
コンデンサＣ２を接続した形で定数を決めておけば、レ
ーザダイオードＬＤがオーバーシユートしやすい場合に
はコンデンサＣ２の容量を減らし、トランジスタの周波
数特性が足りない場合にはコンデンサＣ２の容量を増や
すことにより周波数特性を調整することができる。また
コンデンサＣ２を付加したことにより、電流比ｎを大き
くすることかできるので消費電力を低減することができ
る。
ｒ５のエミツタ抵抗Ｒ１０に並列に接続することによ
り、図３に示すように、ＬＤの発光波形の立上がりを早
くすることができると共に、トランジスタのばらつきに
よる特性の劣化を吸収することができる。また初めから
コンデンサＣ２を接続した形で定数を決めておけば、レ
ーザダイオードＬＤがオーバーシユートしやすい場合に
はコンデンサＣ２の容量を減らし、トランジスタの周波
数特性が足りない場合にはコンデンサＣ２の容量を増や
すことにより周波数特性を調整することができる。また
コンデンサＣ２を付加したことにより、電流比ｎを大き
くすることかできるので消費電力を低減することができ
る。
【００３５】ここでレーザ駆動部３２では、トランジス
タＴｒ３のベースの電圧値がしきい値（抵抗Ｒ８及びＲ
９で決まる電圧）より高い場合には抵抗Ｒ６に電流が流
れ、しきい値より下がると抵抗Ｒ６からダイオードＤ、
トランジスタＴｒ５に電流が流れてレーザダイオードＬ
Ｄがレーザ光を発生する。すなわち入力信号は負論理で
ある。
タＴｒ３のベースの電圧値がしきい値（抵抗Ｒ８及びＲ
９で決まる電圧）より高い場合には抵抗Ｒ６に電流が流
れ、しきい値より下がると抵抗Ｒ６からダイオードＤ、
トランジスタＴｒ５に電流が流れてレーザダイオードＬ
Ｄがレーザ光を発生する。すなわち入力信号は負論理で
ある。
【００３６】トラジスタＴｒ３及びトランジスタＴｒ４
の共通エミツタは電流源トランジスタＴｒ６のコレクタ
に接続されており、ＮＰＮトランジスタＴｒ６のエミツ
タは抵抗Ｒ１１を介して接地に接続されている。またト
ランジスタＴｒ６のエミツタ抵抗Ｒ１１には並列にコン
デンサＣ３が接続されている。
の共通エミツタは電流源トランジスタＴｒ６のコレクタ
に接続されており、ＮＰＮトランジスタＴｒ６のエミツ
タは抵抗Ｒ１１を介して接地に接続されている。またト
ランジスタＴｒ６のエミツタ抵抗Ｒ１１には並列にコン
デンサＣ３が接続されている。
【００３７】次にクランプ部３３において、抵抗Ｒ１２
の一端は貫通コンデンサＣ４を介して接地に接続されて
おり、その他端はＰＮＰトランジスタＴｒ７のベースに
接続されている。トランジスタＴｒ７のコレクタは接地
に接続されており、そのエミツタは抵抗Ｒ１３の一端に
接続されている。抵抗Ｒ１３の他端は接地に接続された
コンデンサＣ５の一端に接続されている。またトランジ
スタＴｒ７のエミツタ及び抵抗Ｒ１３間には抵抗Ｒ１４
の一端が接続されている。抵抗Ｒ１４の他端は接地に接
続された抵抗Ｒ１５の一端に接続されると共に、ＮＰＮ
トランジスタＴｒ８のベースに接続されている。
の一端は貫通コンデンサＣ４を介して接地に接続されて
おり、その他端はＰＮＰトランジスタＴｒ７のベースに
接続されている。トランジスタＴｒ７のコレクタは接地
に接続されており、そのエミツタは抵抗Ｒ１３の一端に
接続されている。抵抗Ｒ１３の他端は接地に接続された
コンデンサＣ５の一端に接続されている。またトランジ
スタＴｒ７のエミツタ及び抵抗Ｒ１３間には抵抗Ｒ１４
の一端が接続されている。抵抗Ｒ１４の他端は接地に接
続された抵抗Ｒ１５の一端に接続されると共に、ＮＰＮ
トランジスタＴｒ８のベースに接続されている。
【００３８】このクランプ部３３では、ＰＮＰトランジ
スタＴｒ７でモジユール切替え信号をクランプする。こ
れにより、後段のモジユール信号発生部３４より発生さ
れるモジユール信号の切り替えを高速化し得ると共にレ
ーザダイオードＬＤの出力のオーバーシユートを回避す
ることができる。またモジユール信号の高周波の漏れを
低減することができる。ここでＰＮＰトランジスタＴｒ
７を付加しない場合のレーザダイオードＬＤの出力の波
形（Ａ）及びＰＮＰトランジスタＴｒ７を付加した場合
のレーザダイオードＬＤの出力の波形（Ｂ）を図４に示
す。ここで図３及び図４に示したレーザダイオードＬＤ
の出力の測定結果は図５に示す測定環境で測定した結果
を示す。
スタＴｒ７でモジユール切替え信号をクランプする。こ
れにより、後段のモジユール信号発生部３４より発生さ
れるモジユール信号の切り替えを高速化し得ると共にレ
ーザダイオードＬＤの出力のオーバーシユートを回避す
ることができる。またモジユール信号の高周波の漏れを
低減することができる。ここでＰＮＰトランジスタＴｒ
７を付加しない場合のレーザダイオードＬＤの出力の波
形（Ａ）及びＰＮＰトランジスタＴｒ７を付加した場合
のレーザダイオードＬＤの出力の波形（Ｂ）を図４に示
す。ここで図３及び図４に示したレーザダイオードＬＤ
の出力の測定結果は図５に示す測定環境で測定した結果
を示す。
【００３９】モジユール信号発生部３４において、ＮＰ
ＮトランジスタＴｒ８のベースは抵抗Ｒ１４の他端に接
続されている。このトランジスタＴｒ８のベース及び抵
抗Ｒ１４間には、コンデンサＣ６を介して接地に接続さ
れたコイルＬ１の一端及びコンデサＣ７の一端が接続さ
れている。またコンデンサＣ７の他端はコンデンサＣ８
を介して接地に接続されている。
ＮトランジスタＴｒ８のベースは抵抗Ｒ１４の他端に接
続されている。このトランジスタＴｒ８のベース及び抵
抗Ｒ１４間には、コンデンサＣ６を介して接地に接続さ
れたコイルＬ１の一端及びコンデサＣ７の一端が接続さ
れている。またコンデンサＣ７の他端はコンデンサＣ８
を介して接地に接続されている。
【００４０】トランジスタＴｒ８のコレクタは抵抗Ｒ１
６の一端に接続されていると共にコンデンサＣ５及び抵
抗Ｒ１３の一端に接続されている。またトランジスタＴ
ｒ８のエミツタは抵抗Ｒ１７を介して接地に接続されて
いるコイルＬ２の一端に接続されている。またコイルＬ
２の一端はコンデンサＣ７及びＣ８間に接続されてい
る。またトランジスタＴｒ８のエミツタ及びコイルＬ２
間にはコンデンサＣ９の一端が接続されている。コンデ
ンサＣ９の他端は抵抗Ｒ１６の他端に接続されていると
共に、ＮＰＮトランジスタＴｒ９のコレクタ及びベース
に接続されている。
６の一端に接続されていると共にコンデンサＣ５及び抵
抗Ｒ１３の一端に接続されている。またトランジスタＴ
ｒ８のエミツタは抵抗Ｒ１７を介して接地に接続されて
いるコイルＬ２の一端に接続されている。またコイルＬ
２の一端はコンデンサＣ７及びＣ８間に接続されてい
る。またトランジスタＴｒ８のエミツタ及びコイルＬ２
間にはコンデンサＣ９の一端が接続されている。コンデ
ンサＣ９の他端は抵抗Ｒ１６の他端に接続されていると
共に、ＮＰＮトランジスタＴｒ９のコレクタ及びベース
に接続されている。
【００４１】トランジスタＴｒ９のベースはそのコレク
タに接続されていると共にＮＰＮトランジスタＴｒ６の
ベースに接続されている。トランジスタＴｒ９のエミツ
タは抵抗Ｒ１８を介して接地に接続されている。従つて
トランジスタＴｒ９及びＴｒ６でカレントミラーが構成
されている。
タに接続されていると共にＮＰＮトランジスタＴｒ６の
ベースに接続されている。トランジスタＴｒ９のエミツ
タは抵抗Ｒ１８を介して接地に接続されている。従つて
トランジスタＴｒ９及びＴｒ６でカレントミラーが構成
されている。
【００４２】上述の構成より理解できるように、実施例
によるＬＤ駆動回路３０では、電流源トランジスタＴｒ
６にモジユール信号を重畳している。従つてモジユール
信号は電流比ｎの定電流回路３５を通るので、この定電
流回路３５でモジユール信号の振幅を増幅することがで
きる。またトランジスタＴｒ６のエミツタ抵抗Ｒ１１に
並列にコンデンサＣ３が接続されているため、必要十分
な振幅を確保することができる。
によるＬＤ駆動回路３０では、電流源トランジスタＴｒ
６にモジユール信号を重畳している。従つてモジユール
信号は電流比ｎの定電流回路３５を通るので、この定電
流回路３５でモジユール信号の振幅を増幅することがで
きる。またトランジスタＴｒ６のエミツタ抵抗Ｒ１１に
並列にコンデンサＣ３が接続されているため、必要十分
な振幅を確保することができる。
【００４３】すなわちコンデンサＣ３を付加したことに
より、直流成分的には抵抗比で決まる電流増幅回路、高
周波的にはトランジスタＴｒ２の電流増幅率ｈfeで決ま
る増幅回路を兼用でき、モジユール信号の振幅を拡大す
ることができる。またトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のエ
ミツタの抵抗値が高周波的に「０」になるので、トラン
ジスタＴｒ６のベースから見た入力インピーダンスも電
流増幅率ｈfe×０で高周波的にかなり小さな値になり、
モジユール信号のほとんどがトランジスタＴｒ６に流
れ、抵抗Ｒ１６を介して外に漏れるモジユール信号を低
減することができる。
より、直流成分的には抵抗比で決まる電流増幅回路、高
周波的にはトランジスタＴｒ２の電流増幅率ｈfeで決ま
る増幅回路を兼用でき、モジユール信号の振幅を拡大す
ることができる。またトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のエ
ミツタの抵抗値が高周波的に「０」になるので、トラン
ジスタＴｒ６のベースから見た入力インピーダンスも電
流増幅率ｈfe×０で高周波的にかなり小さな値になり、
モジユール信号のほとんどがトランジスタＴｒ６に流
れ、抵抗Ｒ１６を介して外に漏れるモジユール信号を低
減することができる。
【００４４】またモジユール信号がオンのときＰＮＰト
ランジスタＴｒ７はオフになるため高周波の漏れが少な
くなりＦＣＣも有利になる。さらにモジユール信号発生
部３４がレーザダイオードＬＤと直接カツプリングして
いないのでレーザダイオードＬＤのばらつきに対して定
電流回路３５が影響を受けることがない。
ランジスタＴｒ７はオフになるため高周波の漏れが少な
くなりＦＣＣも有利になる。さらにモジユール信号発生
部３４がレーザダイオードＬＤと直接カツプリングして
いないのでレーザダイオードＬＤのばらつきに対して定
電流回路３５が影響を受けることがない。
【００４５】以上の構成において、ＬＤオンオフ信号が
「Ｈ」レベルのときトランジスタＴｒ１がオンしてトラ
ンジスタＴｒ２のベースの電圧が低下し、これによりト
ランジスタＴｒ３がオフする。従つてダイオードＤより
トランジスタＴｒ４のコレクタ−エミツタ間に電流が流
れ、トランジスタＴｒ５がオンする。その結果トランジ
スタＴｒ５よりレーザダイオードＬＤに電流が流れ、レ
ーザダイオードＬＤがレーザ光を発生する。
「Ｈ」レベルのときトランジスタＴｒ１がオンしてトラ
ンジスタＴｒ２のベースの電圧が低下し、これによりト
ランジスタＴｒ３がオフする。従つてダイオードＤより
トランジスタＴｒ４のコレクタ−エミツタ間に電流が流
れ、トランジスタＴｒ５がオンする。その結果トランジ
スタＴｒ５よりレーザダイオードＬＤに電流が流れ、レ
ーザダイオードＬＤがレーザ光を発生する。
【００４６】ここでレーザパワー制御信号に応じた電圧
ＶLPC がトランジスタＴｒ６のベースに印加されている
ので、ダイオードＤよりトランジスタＴｒ４を介してト
ランジスタＴｒ６に流れる電流は電圧ＶLPC で決まる。
従つてレーザオンオフ信号が「Ｈ」レベルのとき、電圧
ＶLPC で決まる電流のｎ倍の電流がレーザダイオードＬ
Ｄに流れる。
ＶLPC がトランジスタＴｒ６のベースに印加されている
ので、ダイオードＤよりトランジスタＴｒ４を介してト
ランジスタＴｒ６に流れる電流は電圧ＶLPC で決まる。
従つてレーザオンオフ信号が「Ｈ」レベルのとき、電圧
ＶLPC で決まる電流のｎ倍の電流がレーザダイオードＬ
Ｄに流れる。
【００４７】これに対して、ＬＤオンオフ信号が「Ｌ」
レベルのとき、抵抗Ｒ２及びＲ３で決まるバイアス電圧
がトランジスタＴｒ２のベースに印加され、トランジス
タＴｒ２のベースの電圧に応じた電圧がトランジスタＴ
ｒ３のベースに印加される。このとき、トランジスタＴ
ｒ３のベースの電圧は抵抗Ｒ８及びＲ９で決まる電圧よ
り高いのでトランジスタＴｒ３はオンする。従つて電流
は抵抗Ｒ６に流れ、レーザダイオードＬＤは発光しな
い。
レベルのとき、抵抗Ｒ２及びＲ３で決まるバイアス電圧
がトランジスタＴｒ２のベースに印加され、トランジス
タＴｒ２のベースの電圧に応じた電圧がトランジスタＴ
ｒ３のベースに印加される。このとき、トランジスタＴ
ｒ３のベースの電圧は抵抗Ｒ８及びＲ９で決まる電圧よ
り高いのでトランジスタＴｒ３はオンする。従つて電流
は抵抗Ｒ６に流れ、レーザダイオードＬＤは発光しな
い。
【００４８】以上のことより、記録モード時には、レー
ザオンオフ信号のレベルに応じてレーザダイオードＬＤ
はレーザ光を発生し、デイスクにデータが記録される。
また再生モード時には、常に「Ｈ」レベルのレーザオン
オフ信号が入力され、トランジスタＴｒ３はオフ、トラ
ンジスタＴｒ４はオン状態になり、レーザダイオードＬ
Ｄは常に駆動されている。
ザオンオフ信号のレベルに応じてレーザダイオードＬＤ
はレーザ光を発生し、デイスクにデータが記録される。
また再生モード時には、常に「Ｈ」レベルのレーザオン
オフ信号が入力され、トランジスタＴｒ３はオフ、トラ
ンジスタＴｒ４はオン状態になり、レーザダイオードＬ
Ｄは常に駆動されている。
【００４９】以上の構成によれば、トランジスタＴｒ５
のエミツタ抵抗Ｒ１０にコンデンサＣ２を並列に接続し
たことにより、ＬＤオンオフ信号のパルス波形の立ち上
がりを早くすることができると共に、トランジスタのば
らつきによる特性の劣化を吸収することができる。また
定電流回路３５の電流比ｎを大きくすることができるの
で、低消費電力を実現することができる。
のエミツタ抵抗Ｒ１０にコンデンサＣ２を並列に接続し
たことにより、ＬＤオンオフ信号のパルス波形の立ち上
がりを早くすることができると共に、トランジスタのば
らつきによる特性の劣化を吸収することができる。また
定電流回路３５の電流比ｎを大きくすることができるの
で、低消費電力を実現することができる。
【００５０】また上述の構成によれば、電流源トランジ
スタＴｒ６にモジユール信号を重畳したことにより、レ
ーザダイオードＬＤのばらつきによる定電流回路３５の
影響を回避することができる。またトランジスタＴｒ６
のエミツタ抵抗１１に並列にコンデンサＣ３を接続した
ことにより、モジユール信号の振幅を十分に確保できる
と共に、トランジスタＴｒ６のベースのインピーダンス
を下げることができるので高周波の漏れを低減させるこ
とができる。
スタＴｒ６にモジユール信号を重畳したことにより、レ
ーザダイオードＬＤのばらつきによる定電流回路３５の
影響を回避することができる。またトランジスタＴｒ６
のエミツタ抵抗１１に並列にコンデンサＣ３を接続した
ことにより、モジユール信号の振幅を十分に確保できる
と共に、トランジスタＴｒ６のベースのインピーダンス
を下げることができるので高周波の漏れを低減させるこ
とができる。
【００５１】また上述の構成によれば、トランジスタＴ
ｒ３のベースの電圧値に対して抵抗８及びＲ９で決まる
電圧をしきい値に、トランジスタＴｒ３、Ｔｒ４がスイ
ツチング動作するシングルエンドスイツチング回路を用
いたことにより、ＬＤ駆動回路３０の消費電力を低減す
ることができると共に、高周波の漏れを低減することが
できる。
ｒ３のベースの電圧値に対して抵抗８及びＲ９で決まる
電圧をしきい値に、トランジスタＴｒ３、Ｔｒ４がスイ
ツチング動作するシングルエンドスイツチング回路を用
いたことにより、ＬＤ駆動回路３０の消費電力を低減す
ることができると共に、高周波の漏れを低減することが
できる。
【００５２】また上述の構成によれば、モジユール切換
信号をＰＮＰトランジスタＴｒ７でクランプしたことに
より、モジユール信号を高速に切り替えることができる
と共に、レーザダイオードＬＤの出力のオーバーシユー
トを回避することができる。また高周波の漏れを低減す
ることができる。
信号をＰＮＰトランジスタＴｒ７でクランプしたことに
より、モジユール信号を高速に切り替えることができる
と共に、レーザダイオードＬＤの出力のオーバーシユー
トを回避することができる。また高周波の漏れを低減す
ることができる。
【００５３】従つてＬＤ駆動回路３０においては、レー
ザダイオードＬＤのレーザ光の波形を一段と精度よく整
形することができるので、デイスク上にデータをきれい
に書き込むことができ、高密度記録が可能となる。
ザダイオードＬＤのレーザ光の波形を一段と精度よく整
形することができるので、デイスク上にデータをきれい
に書き込むことができ、高密度記録が可能となる。
【００５４】なお上述の実施例においては、ＬＤ駆動回
路３０を波形整形部３１、レーザ駆動部３２、クランプ
部３３及びモジユール信号発生部３４で構成した場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、レーザ駆動部
３２でＬＤ駆動回路３０を構成してもよい。
路３０を波形整形部３１、レーザ駆動部３２、クランプ
部３３及びモジユール信号発生部３４で構成した場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、レーザ駆動部
３２でＬＤ駆動回路３０を構成してもよい。
【００５５】また上述の実施例においては、ＬＤ駆動回
路３０を波形整形部３１、レーザ駆動部３２、クランプ
部３３及びモジユール信号発生部３４で構成した場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、波形整形部３
１及びレーザ駆動部３２でＬＤ駆動回路３０を構成して
もよい。
路３０を波形整形部３１、レーザ駆動部３２、クランプ
部３３及びモジユール信号発生部３４で構成した場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、波形整形部３
１及びレーザ駆動部３２でＬＤ駆動回路３０を構成して
もよい。
【００５６】また上述の実施例においては、ＬＤ駆動回
路３０を波形整形部３１、レーザ駆動部３２、クランプ
部３３及びモジユール信号発生部３４で構成した場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、レーザ駆動部
３２及びモジユール信号発生部３４でＬＤ駆動回路３０
を構成してもよい。またレーザ駆動部３２、モジユール
信号発生部３４及びクランプ部３３でＬＤ駆動回路３０
を構成してもよい。
路３０を波形整形部３１、レーザ駆動部３２、クランプ
部３３及びモジユール信号発生部３４で構成した場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、レーザ駆動部
３２及びモジユール信号発生部３４でＬＤ駆動回路３０
を構成してもよい。またレーザ駆動部３２、モジユール
信号発生部３４及びクランプ部３３でＬＤ駆動回路３０
を構成してもよい。
【００５７】また上述の実施例においては、ＬＤ駆動回
路３０を波形整形部３１、レーザ駆動部３２、クランプ
部３３及びモジユール信号発生部３４で構成した場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、波形整形部３
１、レーザ駆動部３２及びモジユール信号発生部３４で
ＬＤ駆動回路３０を構成してもよい。
路３０を波形整形部３１、レーザ駆動部３２、クランプ
部３３及びモジユール信号発生部３４で構成した場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、波形整形部３
１、レーザ駆動部３２及びモジユール信号発生部３４で
ＬＤ駆動回路３０を構成してもよい。
【００５８】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、レーザダ
イオードのオンオフ信号を制御する制御信号に応じてス
イツチング回路を駆動して定電流回路より周波数特性が
調節された電流をレーザダイオードに供給することによ
り、レーザダイオードの発光パルスの波形の立上がりを
早くすることができる。また定電流回路の電流比を大き
くすることができるので低消費電力を実現し得る。
イオードのオンオフ信号を制御する制御信号に応じてス
イツチング回路を駆動して定電流回路より周波数特性が
調節された電流をレーザダイオードに供給することによ
り、レーザダイオードの発光パルスの波形の立上がりを
早くすることができる。また定電流回路の電流比を大き
くすることができるので低消費電力を実現し得る。
【００５９】また本発明によれば、レーザダイオードの
オンオフを制御する制御信号の波形を整形し、当該波形
整形した制御信号によつてスイツチング回路を駆動する
ことにより、シングルエンドＣＭＯＳ信号でレーザダイ
オードを駆動することができるので消費電力を低減し得
ると共に高周波を低減し得る。
オンオフを制御する制御信号の波形を整形し、当該波形
整形した制御信号によつてスイツチング回路を駆動する
ことにより、シングルエンドＣＭＯＳ信号でレーザダイ
オードを駆動することができるので消費電力を低減し得
ると共に高周波を低減し得る。
【００６０】また本発明によれば、スイツチング回路に
電流を供給する電流源に高周波信号を与えて、電流源よ
り定電流回路に電流を供給することにより、定電流回路
で高周波信号の振幅を増幅し得るのでレーザダイオード
の発光パルスの波形をきれいに整形することができる。
電流を供給する電流源に高周波信号を与えて、電流源よ
り定電流回路に電流を供給することにより、定電流回路
で高周波信号の振幅を増幅し得るのでレーザダイオード
の発光パルスの波形をきれいに整形することができる。
【００６１】また本発明によれば、レーザダイオードの
オンオフを制御する制御信号の波形を整形し、当該波形
整形した制御信号によつてスイツチング回路を駆動す
る。スイツチング回路には、高周波信号が重畳された電
流が供給される。これにより、シングルエンドＣＭＯＳ
信号でレーザダイオードを駆動し得ると共に高周波の漏
れを低減し得る。また高周波信号の振幅を定電流回路で
増幅し得るのでレーザダイオードの発光パルスの波形を
きれいに整形することができる。
オンオフを制御する制御信号の波形を整形し、当該波形
整形した制御信号によつてスイツチング回路を駆動す
る。スイツチング回路には、高周波信号が重畳された電
流が供給される。これにより、シングルエンドＣＭＯＳ
信号でレーザダイオードを駆動し得ると共に高周波の漏
れを低減し得る。また高周波信号の振幅を定電流回路で
増幅し得るのでレーザダイオードの発光パルスの波形を
きれいに整形することができる。
【００６２】また本発明によれば、波形整形された制御
信号によつてスイツチング回路を駆動し、周波数特性が
調節された電流を定電流回路よりレーザダイオードに供
給する。スイツチング回路には、高周波信号が重畳され
た電流が供給される。これにより、レーザダイオードの
発光パルスの波形の立上がりを早くし得ると共に高周波
信号の振幅を定電流回路で増幅し得るので、レーザダイ
オードの発光パルスの波形を一段ときれいに整形するこ
とができる。またシングルエンドＣＭＯＳ信号でレーザ
ダイオードを駆動し得ると共に高周波の漏れを低減し得
る。
信号によつてスイツチング回路を駆動し、周波数特性が
調節された電流を定電流回路よりレーザダイオードに供
給する。スイツチング回路には、高周波信号が重畳され
た電流が供給される。これにより、レーザダイオードの
発光パルスの波形の立上がりを早くし得ると共に高周波
信号の振幅を定電流回路で増幅し得るので、レーザダイ
オードの発光パルスの波形を一段ときれいに整形するこ
とができる。またシングルエンドＣＭＯＳ信号でレーザ
ダイオードを駆動し得ると共に高周波の漏れを低減し得
る。
【図１】本発明の実施例によるＬＤ駆動回路を適用する
磁界変調光磁気デイスク装置の説明に供するブロツク図
である。
磁界変調光磁気デイスク装置の説明に供するブロツク図
である。
【図２】本発明の実施例によるＬＤ駆動回路の構成を示
す回路図である。
す回路図である。
【図３】コンデンサＣ２を付加したことによるレーザダ
イオードＬＤのパルス波形を示す特性曲線図である。
イオードＬＤのパルス波形を示す特性曲線図である。
【図４】ＰＮＰトランジスタＴｒ７の有無によるレーザ
ダイオードＬＤのパルス波形を示す特性曲線図である。
ダイオードＬＤのパルス波形を示す特性曲線図である。
【図５】図３及び図４に示すレーザダイオードのパルス
波形を測定した際に用いた測定環境を示す略線図であ
る。
波形を測定した際に用いた測定環境を示す略線図であ
る。
【図６】磁界とレーザダイオードの発光パルスとの関係
の説明に供するグラフである。
の説明に供するグラフである。
【図７】従来のＬＤ駆動回路の一例を示す回路図であ
る。
る。
１、１４、３０……ＬＤ駆動回路、２、３５……定電流
回路、１０……磁界変調光磁気デイスク装置、１１……
光磁気デイスク、１２……スピンドルモータ、１３……
光ピツクアツプ、１５……サーボ回路、１６……信号デ
コーダ、１７……エンコーダ、１８……コントローラ、
１９……ホストコンピユータ、２０……磁界ヘツドドラ
イバ、２１……磁界ヘツド、３１……波形整形部、３２
……レーザ駆動部、３３……クランプ部、３４……モジ
ユール信号発生部。
回路、１０……磁界変調光磁気デイスク装置、１１……
光磁気デイスク、１２……スピンドルモータ、１３……
光ピツクアツプ、１５……サーボ回路、１６……信号デ
コーダ、１７……エンコーダ、１８……コントローラ、
１９……ホストコンピユータ、２０……磁界ヘツドドラ
イバ、２１……磁界ヘツド、３１……波形整形部、３２
……レーザ駆動部、３３……クランプ部、３４……モジ
ユール信号発生部。
Claims (18)
- 【請求項１】レーザダイオードのオンオフを制御する制
御信号に応じてスイツチング動作する差動型のスイツチ
ング回路と、 上記スイツチング回路のスイツチング動作に応じて上記
レーザダイオードに供給する電流を制御する定電流回路
と、 上記定電流回路に流れる電流の周波数特性を調節する周
波数特性調節手段とを具えることを特徴とするレーザダ
イオード駆動回路。 - 【請求項２】上記周波数特性調節手段は、上記レーザダ
イオードに直列に接続された、上記定電流回路の抵抗成
分に並列に接続されることを特徴とする請求項１に記載
のレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項３】レーザダイオードのオンオフを制御する制
御信号の波形を整形する波形整形手段と、 当該波形整形手段より出力される上記制御信号に応じて
スイツチング動作する差動型のスイツチング回路と、 上記スイツチング回路のスイツチング動作に応じて上記
レーザダイオードに供給する電流を制御する定電流回路
とを具えることを特徴とするレーザダイオード駆動回
路。 - 【請求項４】レーザダイオードのオンオフを制御する制
御信号に応じてスイツチング動作する差動型のスイツチ
ング回路と、 上記スイツチング回路のスイツチング動作に応じて上記
レーザダイオードに供給する電流を制御する定電流回路
と、 上記スイツチング回路に電流を供給する電流源と、 上記スイツチング回路に供給する上記電流に高周波信号
を重畳する高周波信号発生手段とを具えることを特徴と
するレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項５】上記高周波信号をオンオフする切換え信号
を所定レベルクランプして当該切換え信号を上記高周波
信号発生手段に与えるクランプ手段を具えることを特徴
とする請求項４に記載のレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項６】上記クランプ手段は、ＰＮＰトランジスタ
でなることを特徴とする請求項５に記載のレーザダイオ
ード駆動回路。 - 【請求項７】上記高周波信号の振幅を調節する振幅調節
手段を具えることを特徴とする請求項４に記載のレーザ
ダイオード駆動回路。 - 【請求項８】上記電流源はＮＰＮトランジスタでなり、
上記振幅調節手段は上記ＮＰＮトランジスタのエミツタ
抵抗に並列に接続されることを特徴とする請求項７に記
載のレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項９】レーザダイオードのオンオフを制御する制
御信号の波形を整形する波形整形手段と、 当該波形整形手段より出力される上記制御信号に応じて
スイツチング動作する差動型のスイツチング回路と、 上記スイツチング回路のスイツチング動作に応じて上記
レーザダイオードに供給する電流を制御する定電流回路
と、 上記スイツチング回路に電流を供給する電流源と、 上記スイツチング回路に供給される上記電流に高周波信
号を重畳する高周波信号発生手段とを具えることを特徴
とするレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項１０】上記高周波信号をオンオフする切換え信
号を所定レベルクランプして当該切換え信号を上記高周
波信号発生手段に与えるクランプ手段を具えることを特
徴とする請求項９に記載のレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項１１】上記クランプ手段は、ＰＮＰトランジス
タでなることを特徴とする請求項１０に記載のレーザダ
イオード駆動回路。 - 【請求項１２】上記高周波信号の振幅を調節する振幅調
節手段を具えることを特徴とする請求項９に記載のレー
ザダイオード駆動回路。 - 【請求項１３】上記電流源はＮＰＮトランジスタでな
り、上記振幅調節手段は上記ＮＰＮトランジスタのエミ
ツタ抵抗に並列に接続されることを特徴とする請求項１
２に記載のレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項１４】レーザダイオードのオンオフを制御する
制御信号の波形を整形する波形整形手段と、 当該波形整形手段より出力される上記制御信号に応じて
スイツチング動作する差動型のスイツチング回路と、 上記スイツチング回路のスイツチング動作に応じて上記
レーザダイオードに供給する電流を制御する定電流回路
と、 上記定電流回路に流れる電流の周波数特性を調節する周
波数特性調節手段と、 上記スイツチング回路に電流を供給する電流源と、 上記スイツチング回路に供給する上記電流に高周波信号
を重畳する高周波信号発生手段とを具えることを特徴と
するレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項１５】上記高周波信号をオンオフする切換え信
号を所定レベルクランプして当該切換え信号を上記高周
波信号発生手段に与えるクランプ手段を具えることを特
徴とする請求項１４に記載のレーザダイオード駆動回
路。 - 【請求項１６】上記クランプ手段は、ＰＮＰトランジス
タでなることを特徴とする請求項１５に記載のレーザダ
イオード駆動回路。 - 【請求項１７】上記高周波信号の振幅を調節する振幅調
節手段を具えることを特徴とする請求項１４に記載のレ
ーザダイオード駆動回路。 - 【請求項１８】上記電流源はＮＰＮトランジスタでな
り、上記振幅調節手段は上記ＮＰＮトランジスタのエミ
ツタ抵抗に並列に接続されることを特徴とする請求項１
７に記載のレーザダイオード駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6339625A JPH08186312A (ja) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | レーザダイオード駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6339625A JPH08186312A (ja) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | レーザダイオード駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08186312A true JPH08186312A (ja) | 1996-07-16 |
Family
ID=18329274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6339625A Pending JPH08186312A (ja) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | レーザダイオード駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08186312A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003032455A1 (fr) * | 2001-10-02 | 2003-04-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Circuit d'attaque d'un element d'emission de lumiere |
| JP2018186112A (ja) * | 2017-04-24 | 2018-11-22 | 日本電信電話株式会社 | Ｄｍｌドライバ |
| JP2019216186A (ja) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | 富士通株式会社 | 駆動回路および光モジュール |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5792883A (en) * | 1980-12-01 | 1982-06-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser driving circuit |
| JPS6317581A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子の駆動回路 |
| JPS6455884A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Laser-diode driving circuit |
| JPH0254977A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Nec Corp | 半導体レーザ駆動回路 |
| JPH0645675A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Sony Corp | レーザダイオード駆動回路 |
-
1994
- 1994-12-30 JP JP6339625A patent/JPH08186312A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5792883A (en) * | 1980-12-01 | 1982-06-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser driving circuit |
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| JPS6455884A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Laser-diode driving circuit |
| JPH0254977A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Nec Corp | 半導体レーザ駆動回路 |
| JPH0645675A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Sony Corp | レーザダイオード駆動回路 |
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| WO2003032455A1 (fr) * | 2001-10-02 | 2003-04-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Circuit d'attaque d'un element d'emission de lumiere |
| US7535266B2 (en) | 2001-10-02 | 2009-05-19 | Hamamatsu Phontonics K.K. | Light emitting device driving circuit |
| JP2018186112A (ja) * | 2017-04-24 | 2018-11-22 | 日本電信電話株式会社 | Ｄｍｌドライバ |
| JP2019216186A (ja) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | 富士通株式会社 | 駆動回路および光モジュール |
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