JPH0255231A - ガラス光導波膜の作製方法 - Google Patents
ガラス光導波膜の作製方法Info
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- JPH0255231A JPH0255231A JP20578188A JP20578188A JPH0255231A JP H0255231 A JPH0255231 A JP H0255231A JP 20578188 A JP20578188 A JP 20578188A JP 20578188 A JP20578188 A JP 20578188A JP H0255231 A JPH0255231 A JP H0255231A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1415—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/60—Silica-free oxide glasses
- C03B2201/78—Silica-free oxide glasses containing germanium
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の産業上利用分野）
本発明はガラス光導波膜の作製方法、さらに詳細には基
板上に直接透明なガラス膜を作製する方法に関するもの
であり、石英ガラス基板やシリコン基板上に透明なガラ
ス膜を形成する技術、特に光通信用部品分野に広範囲な
応用を持つガラス先導波膜の作製に関するものである。
板上に直接透明なガラス膜を作製する方法に関するもの
であり、石英ガラス基板やシリコン基板上に透明なガラ
ス膜を形成する技術、特に光通信用部品分野に広範囲な
応用を持つガラス先導波膜の作製に関するものである。
（従来技術および問題点）
基板上に直接透明なガラス膜を堆積する技術は、半導体
産業において電子デバイス用膜の作製方法として開発さ
れてきた。この従来技術は大きく２つに分類できる。そ
の概念図を第５図に示す。
産業において電子デバイス用膜の作製方法として開発さ
れてきた。この従来技術は大きく２つに分類できる。そ
の概念図を第５図に示す。
第５図（ａ）は常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、ＭＯＣＶ
Ｄ法などで通常呼ばれている膜作製方法の概念図である
。
Ｄ法などで通常呼ばれている膜作製方法の概念図である
。
この方法の特徴は原料供給口５５より供給する原料（Ａ
またはＢ）の沸点よりは高く、かつ原料ＡとＢとの化学
反応で生成される合成物（膜そのもの）の凝固点よりは
低い温度範囲に、基板保持板５２上の基板５１の温度が
ヒータ電源５４に接続したヒータ５３で制御されている
ことである。
またはＢ）の沸点よりは高く、かつ原料ＡとＢとの化学
反応で生成される合成物（膜そのもの）の凝固点よりは
低い温度範囲に、基板保持板５２上の基板５１の温度が
ヒータ電源５４に接続したヒータ５３で制御されている
ことである。
そのため気相状態で基板表面に到達した原料は気相状態
を保ったまま、基板上で吸着・離脱反応を起こすと共に
原料間で反応する（ここではこの作製法を気相型と呼ぶ
）。したがって、この方法では気相原料の基板温度での
マイクレージョン（移動量）が大きく緻密な膜を堆積す
ることができるが、一般的に堆積速度か遅いという欠点
がある。
を保ったまま、基板上で吸着・離脱反応を起こすと共に
原料間で反応する（ここではこの作製法を気相型と呼ぶ
）。したがって、この方法では気相原料の基板温度での
マイクレージョン（移動量）が大きく緻密な膜を堆積す
ることができるが、一般的に堆積速度か遅いという欠点
がある。
このなめ、膜圧１μｍ以上を通常上・要とする光導波膜
をこの方法で作製すると多くの時間を要するという問題
点があった。
をこの方法で作製すると多くの時間を要するという問題
点があった。
さらに、基板表面で希釈な気相原料を効率的に反応させ
るために一般的に基板温度を高くする必要があるという
問題点もあった。
るために一般的に基板温度を高くする必要があるという
問題点もあった。
一方、第５図（ｂ）は蒸着法、ＭＢＥ法、スパッタ法な
どによる膜作製方法の概念図を示す。
どによる膜作製方法の概念図を示す。
この方法の特徴は、原料供給口５５より供給する原料（
Ａ又はＢ）の凝固点により低い温度に、基板保持板５２
上の基板５１の温度を、電源５４に接続したヒータ５３
で制御していることである。
Ａ又はＢ）の凝固点により低い温度に、基板保持板５２
上の基板５１の温度を、電源５４に接続したヒータ５３
で制御していることである。
したがって、気相状態で基板表面に達した原料は基板表
面で固相状態になり、他の原料と反応する（ここではこ
の作製法を固相型と呼ぶ）。
面で固相状態になり、他の原料と反応する（ここではこ
の作製法を固相型と呼ぶ）。
この方法では基板に吸着した原料か離脱する確率が小さ
く堆積効率が大きいという特徴があるか、原料の表面マ
イグレーションが小さく原料同士を効率的に反応させる
のが困難であるという問題点があった。即ち、任意組成
の膜を制御性良く作製することがこの方法では本質的に
困難である。
く堆積効率が大きいという特徴があるか、原料の表面マ
イグレーションが小さく原料同士を効率的に反応させる
のが困難であるという問題点があった。即ち、任意組成
の膜を制御性良く作製することがこの方法では本質的に
困難である。
ところで、光導波路用のガラス導波膜作製方法としては
次の２点が要求される。
次の２点が要求される。
■堆積速度か大きいこと。
■任意組成の膜を制御性良く作製できること。
■は光導波膜か電子デバイス用膜に比べて厚膜であると
いう点に起因している。■は光導波膜の特性を決定する
主な物理定数は屈折率であり、その屈折率か組成で決ま
るということに起因している。
いう点に起因している。■は光導波膜の特性を決定する
主な物理定数は屈折率であり、その屈折率か組成で決ま
るということに起因している。
したがって、光導波膜の作製方法に従来技術を適用する
場合には、以上述べてきたように気相型では堆積速度が
小さいという点に、固相型では任意の組成の膜を制御性
良く作製できないという点にそれぞれ本質的な問題点か
あった。
場合には、以上述べてきたように気相型では堆積速度が
小さいという点に、固相型では任意の組成の膜を制御性
良く作製できないという点にそれぞれ本質的な問題点か
あった。
以上のような問題点を解決した光導波膜の作製方法とし
て、ガラス微粒子を基板上に堆積して多孔質な膜を形成
した後、約１３００〜１４００℃の温度で熱処理して基
板上に透明なガラス膜を形成する方法が開示されている
（特願昭５６−２０２３４９号）。この方法は、先に記
した光導波膜作製の基本条件を満たした方法ではあるが
、電子デバイス用膜の作製方法に比べると次のような問
題がある。
て、ガラス微粒子を基板上に堆積して多孔質な膜を形成
した後、約１３００〜１４００℃の温度で熱処理して基
板上に透明なガラス膜を形成する方法が開示されている
（特願昭５６−２０２３４９号）。この方法は、先に記
した光導波膜作製の基本条件を満たした方法ではあるが
、電子デバイス用膜の作製方法に比べると次のような問
題がある。
■多孔質膜を作製した後に高温度中で透明ガラス化を行
なうので、作製工程が複雑になり、また基板上に直接透
明なガラス膜を形成することができない。
なうので、作製工程が複雑になり、また基板上に直接透
明なガラス膜を形成することができない。
■多孔質膜作製には酸水素炎の高温熱源を用いなければ
ならないので多孔質膜作製の温度が５００°Ｃ以上の高
温度となる。
ならないので多孔質膜作製の温度が５００°Ｃ以上の高
温度となる。
以上述べてきたように、従来技術は堆積速度と組成制御
を同時に満足させることが困難であるという問題点があ
った。そこで、本発明は基板上で原料を気相状態にする
ことで光導波用膜に適した堆積速度と組成制御性を有し
た透明なガラス光導波膜の作製方法を提供することを目
的としている。
を同時に満足させることが困難であるという問題点があ
った。そこで、本発明は基板上で原料を気相状態にする
ことで光導波用膜に適した堆積速度と組成制御性を有し
た透明なガラス光導波膜の作製方法を提供することを目
的としている。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するため、本発明によるガラス光導波
膜の作製方法は、５ｉＣ１４、ＧｅＣｌ４、ＰＯＣｌ３
． ＰＣｌ３、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３ ＴｉＣｌ４．５ｂ
Ｃ１ｓなとの金属ハロゲン化合物から選ばれた１種類も
しくは１種類以上の気相原料と水蒸気（Ｈ２Ｏ）を、該
気相原料の凝固点から沸点の間に温度制御された基板表
面に供給して、前記気相原料を基板表面で化学反応させ
、基板表面に直接透明なガラス膜を堆積することを特徴
としている。
膜の作製方法は、５ｉＣ１４、ＧｅＣｌ４、ＰＯＣｌ３
． ＰＣｌ３、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３ ＴｉＣｌ４．５ｂ
Ｃ１ｓなとの金属ハロゲン化合物から選ばれた１種類も
しくは１種類以上の気相原料と水蒸気（Ｈ２Ｏ）を、該
気相原料の凝固点から沸点の間に温度制御された基板表
面に供給して、前記気相原料を基板表面で化学反応させ
、基板表面に直接透明なガラス膜を堆積することを特徴
としている。
また本発明によるガラス光導波膜の作製方法によれば、
上述のように作製された光導波膜を高温熱処理すること
を特徴とする。
上述のように作製された光導波膜を高温熱処理すること
を特徴とする。
本発明をさらに詳しく説明する。
第１図は本発明の概念図を示す０本発明の基本構成は第
５図に示した従来技術と同じであるが、本発明と従来技
術との差は基板温度にある。即ち、本発明の特徴は、基
板温度が供給口１５よりの原料（Ａ又はＢ）の凝固点と
沸点との間にあり、かつ合成物の凝固点よりは低い温度
範囲に、基板保持盤１２上の基板１１の温度をヒータ１
３（ヒータ用電源１４と接続している）で制御しである
。
５図に示した従来技術と同じであるが、本発明と従来技
術との差は基板温度にある。即ち、本発明の特徴は、基
板温度が供給口１５よりの原料（Ａ又はＢ）の凝固点と
沸点との間にあり、かつ合成物の凝固点よりは低い温度
範囲に、基板保持盤１２上の基板１１の温度をヒータ１
３（ヒータ用電源１４と接続している）で制御しである
。
その結果、気相状態で基板表面に到達した原料は基板表
面で液相状態になり他の原料と反応する。
面で液相状態になり他の原料と反応する。
したがって、従来技術では基板表面で原料が気相状態、
または固相状態であるのとは異なり、本発明では原料が
基板表面で液相状態になることを特徴とし、光導波膜の
作製に適した原料の表面マイク°レーションを与える点
が大きく異なる。
または固相状態であるのとは異なり、本発明では原料が
基板表面で液相状態になることを特徴とし、光導波膜の
作製に適した原料の表面マイク°レーションを与える点
が大きく異なる。
本発明によるガラス形成原料である金属ハロゲン化物は
基本的に限定されるものではなく、たとえば５ｉＣ１４
，ＧｅＣｌ４． ＰＯＣｌ３． ＰＣｌ３、ＢＣｌ３、
ＢＢｒ３、ＴｉＣｌ４゜５ｂＣ１ｓなどの一種以上であ
ることができる。
基本的に限定されるものではなく、たとえば５ｉＣ１４
，ＧｅＣｌ４． ＰＯＣｌ３． ＰＣｌ３、ＢＣｌ３、
ＢＢｒ３、ＴｉＣｌ４゜５ｂＣ１ｓなどの一種以上であ
ることができる。
以下、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
（実施例１）
第２図に本発明による酸化物ガラス膜の作製方法を示す
、基板２１として３インチシリコンウェハーを用い、シ
リコンウェハーを石英製基板保持板２２に装着した。基
板保持板２２はカーボン製のヒータ２３の上においた。
、基板２１として３インチシリコンウェハーを用い、シ
リコンウェハーを石英製基板保持板２２に装着した。基
板保持板２２はカーボン製のヒータ２３の上においた。
ヒータ２３はヒータ用電源２４よりヒータ用電流を流す
ことにより均一に加熱でき、オンオフ制御で±１°Ｃの
温度制御ができる。また、ヒータ２３には回転機構を付
けてあり、ガラス膜堆積時には基板２１を１Ｏｒｐｍで
回転することで膜の均一性を向上させた。
ことにより均一に加熱でき、オンオフ制御で±１°Ｃの
温度制御ができる。また、ヒータ２３には回転機構を付
けてあり、ガラス膜堆積時には基板２１を１Ｏｒｐｍで
回転することで膜の均一性を向上させた。
原料として所望の金属ハロゲン化合物を選択すると、こ
の系は原料と同時に供給するＩ（２０の凝固点く１気圧
で０°Ｃ）から加水分解反応して酸化物となる。ここで
生成される酸化物の融点は通常、５００°Ｃ以上と高い
温度である。
の系は原料と同時に供給するＩ（２０の凝固点く１気圧
で０°Ｃ）から加水分解反応して酸化物となる。ここで
生成される酸化物の融点は通常、５００°Ｃ以上と高い
温度である。
本実施例では金属ハロゲン化合物として５ｉＣ１４とＧ
ｅＣｌ４について実験を行なった。原料（ＳｉＣ１４、
ＧｅＣｌ４）と水（Ｈ２Ｏ）をそれぞれ個別のサチュレ
ータＳ】、Ｓ２、Ｓ３にいれて、キャリアガスｋをそれ
ぞれの流量制御系３７を介して流すことによりサチュレ
ータＳ１、Ｓ２、Ｓ３内に所望の蒸気圧を持った気相原
料が原料供給口２５に供給される。サチュレータの温度
はすべて２０°Ｃに保持し、キャリアガス流量をそれぞ
れの流量制御系３７で変えることで供給する原料流量を
制御した。原料供給口２５は同心円状の４種のノズル構
造から構成され、中心部から８２０、分離用ｋ、金属ハ
ロゲン化合物、輸送用Ａｒをそれぞれ流した。本実施例
では分離用Ａｒとして３ 、ｐ／ｍｉｎ、輸送用にとし
て１０１／ｍｉｎをそれぞれ流した。なお３６は排気管
である。
ｅＣｌ４について実験を行なった。原料（ＳｉＣ１４、
ＧｅＣｌ４）と水（Ｈ２Ｏ）をそれぞれ個別のサチュレ
ータＳ】、Ｓ２、Ｓ３にいれて、キャリアガスｋをそれ
ぞれの流量制御系３７を介して流すことによりサチュレ
ータＳ１、Ｓ２、Ｓ３内に所望の蒸気圧を持った気相原
料が原料供給口２５に供給される。サチュレータの温度
はすべて２０°Ｃに保持し、キャリアガス流量をそれぞ
れの流量制御系３７で変えることで供給する原料流量を
制御した。原料供給口２５は同心円状の４種のノズル構
造から構成され、中心部から８２０、分離用ｋ、金属ハ
ロゲン化合物、輸送用Ａｒをそれぞれ流した。本実施例
では分離用Ａｒとして３ 、ｐ／ｍｉｎ、輸送用にとし
て１０１／ｍｉｎをそれぞれ流した。なお３６は排気管
である。
まず、５ｉＣＩ４のみを流し、堆積速度の基板温度依存
性を求めた。その結果を第３図に示す。
性を求めた。その結果を第３図に示す。
５ｉＣＩ４と８２０のキャリアガス流量はそれぞれ５０
．１００ｃｃ／ｍｉｎにした。この結果、本発明による
と（Ｌ）、従来法の気相型（Ｃ）に比べて非常に大きい
堆積速度が得られることがわかる。これは基板に吸着す
る原料の差に起因１．、本発明では基板上で原料が液相
状態であるので原料の離脱過程を本質的に含む従来法の
気相型に比べて堆積速度が大きくなる。ここでは５ｉＣ
１４の場合についてのみ記したが、他の金属ハロゲン化
合物についても同様である。
．１００ｃｃ／ｍｉｎにした。この結果、本発明による
と（Ｌ）、従来法の気相型（Ｃ）に比べて非常に大きい
堆積速度が得られることがわかる。これは基板に吸着す
る原料の差に起因１．、本発明では基板上で原料が液相
状態であるので原料の離脱過程を本質的に含む従来法の
気相型に比べて堆積速度が大きくなる。ここでは５ｉＣ
１４の場合についてのみ記したが、他の金属ハロゲン化
合物についても同様である。
次に、５ｉＣＩ４とＧｅＣｌ４を原料として流し、原料
流量比と膜の屈折率との関係を求めた。その結果を第４
図に示す。基板温度は４０℃にし、Ｈ２Ｏのキャリアガ
ス流量は１００ｃｃ／ｍｉｎにした。この結果から、本
発明により屈折率が正確にかつ広範囲に渡って制御でき
ることがわかる。 最後に、本発明にしたがってスラブ
型光導波路を作製した。基板温度を４０°Ｃにし、最初
に５ｉ０２膜を１０μｍ、次にＧｅＯ２−５ｉ０２膜を
堆積した。コアとクラッドとの比屈折率差が１％になる
ように５ｉＣ１４とＧｅＣｌ４との流量を設定し堆積速
度６８０人／ｍｉｎで作製した。
流量比と膜の屈折率との関係を求めた。その結果を第４
図に示す。基板温度は４０℃にし、Ｈ２Ｏのキャリアガ
ス流量は１００ｃｃ／ｍｉｎにした。この結果から、本
発明により屈折率が正確にかつ広範囲に渡って制御でき
ることがわかる。 最後に、本発明にしたがってスラブ
型光導波路を作製した。基板温度を４０°Ｃにし、最初
に５ｉ０２膜を１０μｍ、次にＧｅＯ２−５ｉ０２膜を
堆積した。コアとクラッドとの比屈折率差が１％になる
ように５ｉＣ１４とＧｅＣｌ４との流量を設定し堆積速
度６８０人／ｍｉｎで作製した。
この導波路の損失値をカットバック法で測定した結果０
．２ｄＢ／ｃｍであり、本発明の方法によって低損失な
光導波膜が作製できることが確認できた。
．２ｄＢ／ｃｍであり、本発明の方法によって低損失な
光導波膜が作製できることが確認できた。
（実施例２）
実施例１で作製したスラブ型光導波路を作製した後、該
導波路を電気炉にいれて温度７００°Ｃ５Ｈｅ雰囲気で
１時間熱処理した。熱処理後この導波路の損失値をカッ
トバック法で測定した結果損失値は０．１ｄＢ／ｃｍで
あり、熱処理前に比べて０．１ｄＢ／ｃｍ低損失になっ
た。これは熱処理することにより膜の密度が高くなった
ためである。したがって、実施例１で示した方法で作製
した膜を高温熱処理することにより損失面でより一層の
低損失化を図れることがわかる。
導波路を電気炉にいれて温度７００°Ｃ５Ｈｅ雰囲気で
１時間熱処理した。熱処理後この導波路の損失値をカッ
トバック法で測定した結果損失値は０．１ｄＢ／ｃｍで
あり、熱処理前に比べて０．１ｄＢ／ｃｍ低損失になっ
た。これは熱処理することにより膜の密度が高くなった
ためである。したがって、実施例１で示した方法で作製
した膜を高温熱処理することにより損失面でより一層の
低損失化を図れることがわかる。
（発明の効果）
以上説明したように、原料が基板表面で液相状態になる
ことを利用する本発明によれば、堆積速度が大きく、ま
た屈折率制御性に優れている利点があり、基板上に直接
透明なガラス光導波路用膜を作製する方法として最適で
ある。さらに、本発明による膜の作製方法によれば透明
なガラス膜の堆積機構は基板上の原料の液相特性に支配
されるので、基板上にテフロンなどの水の塗れ性が悪い
材料がある場合そこには堆積しない。したがって、本発
明を利用すればガラス膜の堆積箇所を任意に選択できる
という利点も生じる。
ことを利用する本発明によれば、堆積速度が大きく、ま
た屈折率制御性に優れている利点があり、基板上に直接
透明なガラス光導波路用膜を作製する方法として最適で
ある。さらに、本発明による膜の作製方法によれば透明
なガラス膜の堆積機構は基板上の原料の液相特性に支配
されるので、基板上にテフロンなどの水の塗れ性が悪い
材料がある場合そこには堆積しない。したがって、本発
明を利用すればガラス膜の堆積箇所を任意に選択できる
という利点も生じる。
第１図は本発明の概念図、第２図は実施例１の作製系、
第３図は５ｉＣ１４−Ｈ２Ｏ系における堆積速度の基板
温度依存性を示した図、第４図は本発明による屈折率制
御性を示した図、第５図は従来技術の概念図であり、（
ａ）は気相型反応、（ｂ）は固相型反応である。 １１．２１．５１・・・基板、 １２．２２．５２・・
・基板保持板、 １３．２３．５３・・・ヒータ、
１４．２４．５４・・・ヒータ用電源、１５．２５．５
５・・・原料供給口、 ２６・・・排気管、 ２７・・
・流量制御系、Ｓｌ、Ｓ２、Ｓ３・・・サチュレータ。 第１区
第３図は５ｉＣ１４−Ｈ２Ｏ系における堆積速度の基板
温度依存性を示した図、第４図は本発明による屈折率制
御性を示した図、第５図は従来技術の概念図であり、（
ａ）は気相型反応、（ｂ）は固相型反応である。 １１．２１．５１・・・基板、 １２．２２．５２・・
・基板保持板、 １３．２３．５３・・・ヒータ、
１４．２４．５４・・・ヒータ用電源、１５．２５．５
５・・・原料供給口、 ２６・・・排気管、 ２７・・
・流量制御系、Ｓｌ、Ｓ２、Ｓ３・・・サチュレータ。 第１区
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、気相状態の金属ハロゲン化合物ガラス形成原料の一
種類以上と水蒸気（Ｈ＿２Ｏ）を、該気相原料の凝固点
から沸点の間に温度制御された基板表面に供給して、前
記気相原料を基板表面で化学反応させ、基板表面に直接
透明なガラス膜を堆積することを特徴とするガラス光導
波膜の作製方法。 ２、気相状態の金属ハロゲン化合物ガラス形成原料の一
種類以上を、該気相原料の凝固点から沸点の間に温度制
御された基板表面に供給して、前記気相原料を基板表面
で化学反応させ、基板表面に直接透明なガラス膜を堆積
し、ガラス光導波膜を作製した後、該ガラス光導波膜を
高温熱処理することを特徴とするガラス光導波膜の作製
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20578188A JP2623308B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | ガラス光導波膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20578188A JP2623308B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | ガラス光導波膜の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0255231A true JPH0255231A (ja) | 1990-02-23 |
| JP2623308B2 JP2623308B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=16512565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20578188A Expired - Lifetime JP2623308B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | ガラス光導波膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2623308B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07196334A (ja) * | 1993-02-17 | 1995-08-01 | Canada | 感光性を増大した光ファイバおよびその製造法 |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP20578188A patent/JP2623308B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07196334A (ja) * | 1993-02-17 | 1995-08-01 | Canada | 感光性を増大した光ファイバおよびその製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2623308B2 (ja) | 1997-06-25 |
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