JPH0255478A - 光センサアレイ - Google Patents
光センサアレイInfo
- Publication number
- JPH0255478A JPH0255478A JP63207022A JP20702288A JPH0255478A JP H0255478 A JPH0255478 A JP H0255478A JP 63207022 A JP63207022 A JP 63207022A JP 20702288 A JP20702288 A JP 20702288A JP H0255478 A JPH0255478 A JP H0255478A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical sensor
- sensor array
- light
- optical
- thin film
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリや文字画像の読取シ入力装置に
用いる光センサアレイの改良に関するものである。
用いる光センサアレイの改良に関するものである。
従来の技術
原稿と等尺な一次元光センサアレイを有する密着型イメ
ージセンサの開発が近年ファクシミリなどの小型化・低
価格化を目的として進められ、すでに実用化されている
。このような密着型イメージセンサに用いられている光
センサの出力、Ｓ／Ｎ比、光応答速度および温度依存性
は、すべて光センサに照射される光強度に依存し、光強
度が強ければ強いほど向上する方向にあシ、特にＣｄ系
■−ＶＩ族化合物薄膜を用いた光センサの場合において
実質的に照射される光強度を増すことが重要な課題とな
っている。上記のような事情に鑑みて、特開昭６２−１
０２５５８号公報には、第３図に３７．７ 示したような構成によって実質的に光センサに照射され
る光強度を増すようにした例が示されている。すなわち
、光センサの形成のための基板１の光センサ４を形成し
た面とは反対側に反射膜７を設けることによって、たと
えば犯１に示したような入射光のうち光センサで吸収さ
れずに透過した光を反射膜７で反射させ、その反射光を
再び光センサに照射することができ、実質的な照射光強
度を増すことができる。
ージセンサの開発が近年ファクシミリなどの小型化・低
価格化を目的として進められ、すでに実用化されている
。このような密着型イメージセンサに用いられている光
センサの出力、Ｓ／Ｎ比、光応答速度および温度依存性
は、すべて光センサに照射される光強度に依存し、光強
度が強ければ強いほど向上する方向にあシ、特にＣｄ系
■−ＶＩ族化合物薄膜を用いた光センサの場合において
実質的に照射される光強度を増すことが重要な課題とな
っている。上記のような事情に鑑みて、特開昭６２−１
０２５５８号公報には、第３図に３７．７ 示したような構成によって実質的に光センサに照射され
る光強度を増すようにした例が示されている。すなわち
、光センサの形成のための基板１の光センサ４を形成し
た面とは反対側に反射膜７を設けることによって、たと
えば犯１に示したような入射光のうち光センサで吸収さ
れずに透過した光を反射膜７で反射させ、その反射光を
再び光センサに照射することができ、実質的な照射光強
度を増すことができる。
発明が解決しようとする課題
ファクシミリ等の情報伝送速度が向上するにつれて、密
着型イメージセンサ等による原稿読み取シ速度を向上さ
せる必要がある。Ｃｄ系ＩＩ−Ｖｌ族化合物薄膜を光セ
ンサアレイとして用いている場合は、そのために特に光
応答速度の向上が不可欠であり、課題である。上記に述
べたように光センサに実質的に照射される光強度を増す
ことはその課題の解決策の１つであるが、第３図のよう
な、光センサ４を形成した基板１の反対側に反射膜７を
設ける構成においては、基板１の厚さを光の波長程度ま
で薄くしなければならない。なぜなら、第３図の２２で
示したような入射光や、光センサと光センサの間隔から
回折して反射膜７に入射する光が、透光となって光セン
サに入射し、本来光センサが検知すべき光信号に対する
雑音信号となってしまう。その結果、画像の解像度や忠
実性を大きく低下させてしまうことになる。実際、基板
を光の波長程度にすることは実用上困難である。
着型イメージセンサ等による原稿読み取シ速度を向上さ
せる必要がある。Ｃｄ系ＩＩ−Ｖｌ族化合物薄膜を光セ
ンサアレイとして用いている場合は、そのために特に光
応答速度の向上が不可欠であり、課題である。上記に述
べたように光センサに実質的に照射される光強度を増す
ことはその課題の解決策の１つであるが、第３図のよう
な、光センサ４を形成した基板１の反対側に反射膜７を
設ける構成においては、基板１の厚さを光の波長程度ま
で薄くしなければならない。なぜなら、第３図の２２で
示したような入射光や、光センサと光センサの間隔から
回折して反射膜７に入射する光が、透光となって光セン
サに入射し、本来光センサが検知すべき光信号に対する
雑音信号となってしまう。その結果、画像の解像度や忠
実性を大きく低下させてしまうことになる。実際、基板
を光の波長程度にすることは実用上困難である。
したがって、本発明の課題は以上に述べた画質のた・
低下がなくかつ光反答速度のより速い、実用に耐え得る
光センサを得ることである。
光センサを得ることである。
課題を解決するための手段
透光性の絶縁基板上に島状に形成された反射膜アレイと
、それらの上に形成された透光性の絶縁層と島状に形成
された反射膜の真上に透光性の絶縁層を介して形成され
た光センサアレイを備えだ構成とする。
、それらの上に形成された透光性の絶縁層と島状に形成
された反射膜の真上に透光性の絶縁層を介して形成され
た光センサアレイを備えだ構成とする。
上記反射膜は、光が実際に照射される部分以外のところ
で接続された形状のものであってもよい。
で接続された形状のものであってもよい。
作 用
５Ａ−ゾ
上記のような構成によシ、光センサを透過した入射光を
、反射体によって反射させて再び光センサに入射させて
透過光を有効に利用でき、かつ反射体と光センサの距離
を光の波長程度できることや光センサのない部分には反
射体も存在しないので迷光はない。したがって本発明に
よれば、光センサに照射される光強度を実質的に増すこ
とができ、これによって、Ｓ／Ｎ比、光応答速度、温度
依存性を向上させた一次元光センサアレイを得ることが
できる。
、反射体によって反射させて再び光センサに入射させて
透過光を有効に利用でき、かつ反射体と光センサの距離
を光の波長程度できることや光センサのない部分には反
射体も存在しないので迷光はない。したがって本発明に
よれば、光センサに照射される光強度を実質的に増すこ
とができ、これによって、Ｓ／Ｎ比、光応答速度、温度
依存性を向上させた一次元光センサアレイを得ることが
できる。
また、光が実際に照射される部分以外のところで接続さ
れた反射体を持つ構成の場合には、反射体に電位を与え
ることによって、光応答速度を向上させることができる
。
れた反射体を持つ構成の場合には、反射体に電位を与え
ることによって、光応答速度を向上させることができる
。
実施例
以下に本発明の実施例を述べる。
第１図は、本発明の一実施例の構成を示す図である。透
光性絶縁基板１、たとえばコーニング７０５９ガラス上
に、光センサアレイの形成ピンチと同ピツチで島状に反
射膜２をたとえばＣｒ薄６７．２ 膜を用いて１０００への厚さで形成する。その上に、透
光性絶縁層３を、たとえばＳ ｚ Ｏ２薄膜を用いて５
ｏ００人の厚さで形成し、さらに、Ｃｄ５ｏ、６Ｓｅｏ
、４光導電性薄膜を所定のピンチで反射膜２上に絶縁層
３を介して形成して光センサ４とし、対向電極（図示せ
ず）を形成する。以上のようにして得られた光センサア
レイの１素子の反射膜を設けない場合に比較して得られ
た各波長における光感度増加率を第４図に示している。
光性絶縁基板１、たとえばコーニング７０５９ガラス上
に、光センサアレイの形成ピンチと同ピツチで島状に反
射膜２をたとえばＣｒ薄６７．２ 膜を用いて１０００への厚さで形成する。その上に、透
光性絶縁層３を、たとえばＳ ｚ Ｏ２薄膜を用いて５
ｏ００人の厚さで形成し、さらに、Ｃｄ５ｏ、６Ｓｅｏ
、４光導電性薄膜を所定のピンチで反射膜２上に絶縁層
３を介して形成して光センサ４とし、対向電極（図示せ
ず）を形成する。以上のようにして得られた光センサア
レイの１素子の反射膜を設けない場合に比較して得られ
た各波長における光感度増加率を第４図に示している。
特に赤色において感度増加率が顕著であり、通常白黒画
像を得る時に用いる６６０ｎｍ付近の光源に対しては２
５％以上の光電流の増加が見られた。また、光応答速度
においても改善が見られた。
像を得る時に用いる６６０ｎｍ付近の光源に対しては２
５％以上の光電流の増加が見られた。また、光応答速度
においても改善が見られた。
第２図は本発明の他の実施例の構成を示す図である。（
ａ）は平面図、（ｂ）は（、）においてＡ−Ａ’で切断
した場合の断面図であシ、（Ｃ）は（ａ）においてＢ
−Ｂ’で切断した場合の断面図である。
ａ）は平面図、（ｂ）は（、）においてＡ−Ａ’で切断
した場合の断面図であシ、（Ｃ）は（ａ）においてＢ
−Ｂ’で切断した場合の断面図である。
構成は、前述の実施例のものとほとんど同じであるが、
反射膜が第２図（ａ）のＢ−Ｂ’のところで第２図（Ｃ
）のようにつながった、くし形の形状をして７へ−７ いる。この共通の配線６をとおしてバイアスを加えると
第５図のような結果が得られた。第５図は、横軸に第２
図のバイアス用配線６に印加した電圧で、縦軸に光セン
サ１素子の光電流工ｐｈと光応答速度の立ち上９時間τ
工、立ち下シ時間τｄ を示している。この効果にもと
づき光応答速度は、バイアス用配線６を通じて反射膜２
に負のバイアスを印加することによってさらに改善でき
る。まだ、それにともなって光電流が減少するが、実用
上問題はない。
反射膜が第２図（ａ）のＢ−Ｂ’のところで第２図（Ｃ
）のようにつながった、くし形の形状をして７へ−７ いる。この共通の配線６をとおしてバイアスを加えると
第５図のような結果が得られた。第５図は、横軸に第２
図のバイアス用配線６に印加した電圧で、縦軸に光セン
サ１素子の光電流工ｐｈと光応答速度の立ち上９時間τ
工、立ち下シ時間τｄ を示している。この効果にもと
づき光応答速度は、バイアス用配線６を通じて反射膜２
に負のバイアスを印加することによってさらに改善でき
る。まだ、それにともなって光電流が減少するが、実用
上問題はない。
実施例１及び２の両者において、第１図の必１に示した
ような入射光に対して、本発明のねらいとする実効的な
光強度の増加が得られ、かつλ２に示したような光につ
いては、基板裏側まで透過してしまい迷光による雑音信
号はほとんどなかった。また、光センサ間を通って回折
する光による迷光は、絶縁層を１μｍ以下にすることに
よって取シ除くことができ、画質の点で反射膜を設けな
いものと同等であった。
ような入射光に対して、本発明のねらいとする実効的な
光強度の増加が得られ、かつλ２に示したような光につ
いては、基板裏側まで透過してしまい迷光による雑音信
号はほとんどなかった。また、光センサ間を通って回折
する光による迷光は、絶縁層を１μｍ以下にすることに
よって取シ除くことができ、画質の点で反射膜を設けな
いものと同等であった。
発明の効果
本発明によれば、原稿の解像度、忠実度を低下させるこ
となくかつＳ／Ｎ比、光応答速度、温度特性のすぐれた
密着型イメージセンサ用−次元光センサアレイが実現で
きる。
となくかつＳ／Ｎ比、光応答速度、温度特性のすぐれた
密着型イメージセンサ用−次元光センサアレイが実現で
きる。
第１図は本発明の一実施例における光センサアレイの構
成を示す断面図、第２図（−）は本発明の他の実施例に
おける光センサアレイの平面図、同図［有］）および（
Ｃ）はその断面図、第３図は従来の光センサアレイの構
成を示す断面図、第４図は本発明の光センサの感度増加
率の光の波長依存性を示すグラフ、第６図は本発明の光
センサの反射膜に印加された電圧と光電特性との関係し
た図である。 １・・・・・・透光性絶縁基板、２・・・・・・反射膜
、３・・・・・・透光性絶縁層、４・・・・・・光セン
サ、６・・・・・・対向電極、６・・・・・・バイアス
用配線、７・・・・・・従来の反射膜。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名第 図 第 図 第 図 ５及 夷 へ（ｎ）’ＩＩ） ｒｐ力ｎ電、７ｆ− （Ｖ）
成を示す断面図、第２図（−）は本発明の他の実施例に
おける光センサアレイの平面図、同図［有］）および（
Ｃ）はその断面図、第３図は従来の光センサアレイの構
成を示す断面図、第４図は本発明の光センサの感度増加
率の光の波長依存性を示すグラフ、第６図は本発明の光
センサの反射膜に印加された電圧と光電特性との関係し
た図である。 １・・・・・・透光性絶縁基板、２・・・・・・反射膜
、３・・・・・・透光性絶縁層、４・・・・・・光セン
サ、６・・・・・・対向電極、６・・・・・・バイアス
用配線、７・・・・・・従来の反射膜。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名第 図 第 図 第 図 ５及 夷 へ（ｎ）’ＩＩ） ｒｐ力ｎ電、７ｆ− （Ｖ）
Claims (5)
- （１）透光性絶縁基板と、前記透光性絶縁基板上に形成
された反射体と、前記反射体上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に前記絶縁層を介して直線上に並べて形成
された島状の光センサとを備えたことを特徴とする光セ
ンサアレイ。 - （２）反射体が、島状の光センサの直下に島状に形成さ
れてなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光センサアレイ。 - （３）反射体が、光センサが形成されている直下以外の
部分でつながった金属薄膜からなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光センサアレイ。 - （４）絶縁層が、１μｍ以下の厚さであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項から第３項のいずれかに記載
の光センサアレイ。 - （５）光センサが、II−VI族化合物薄膜からなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光センサアレイ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207022A JPH0744664B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 光センサアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207022A JPH0744664B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 光センサアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0255478A true JPH0255478A (ja) | 1990-02-23 |
| JPH0744664B2 JPH0744664B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=16532909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63207022A Expired - Fee Related JPH0744664B2 (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 光センサアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744664B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011065362A1 (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-03 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62186559A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Tokyo Electric Co Ltd | 光電変換素子 |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP63207022A patent/JPH0744664B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62186559A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Tokyo Electric Co Ltd | 光電変換素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011065362A1 (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-03 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP5351282B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2013-11-27 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8766337B2 (en) | 2009-11-27 | 2014-07-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| EP2506303A4 (en) * | 2009-11-27 | 2017-11-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0744664B2 (ja) | 1995-05-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |