JPH0256724B2 - - Google Patents
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- JPH0256724B2 JPH0256724B2 JP10026485A JP10026485A JPH0256724B2 JP H0256724 B2 JPH0256724 B2 JP H0256724B2 JP 10026485 A JP10026485 A JP 10026485A JP 10026485 A JP10026485 A JP 10026485A JP H0256724 B2 JPH0256724 B2 JP H0256724B2
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 54
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気的記憶装置に用いられる磁気記
録媒体に関する。
録媒体に関する。
近年、磁気記録媒体の高記録密度化の要請によ
り、金属磁性薄膜を磁性層とする連続薄膜形の磁
気記録媒体が注目を集めている。このような金属
磁性薄膜としては、スパツタリング法等により形
成したCoまたはCo−Ni，Co−Ni−ｐ，Co−ｐ
などの合金系の金属薄膜が知られているが、その
磁気特性を改善するために、非磁性支持体と上記
磁性層との間に下地層としてCr層を介在させる
ことが知られている（アイ・イ−・イ−・イ−・
トランザクシヨンズ・オン・マグネテイツクス、
MAG.15巻３号1135頁（IEEE Transactions on
Magnetics.Vo1.MAG.15，No.３，P.1135，
1979））。
り、金属磁性薄膜を磁性層とする連続薄膜形の磁
気記録媒体が注目を集めている。このような金属
磁性薄膜としては、スパツタリング法等により形
成したCoまたはCo−Ni，Co−Ni−ｐ，Co−ｐ
などの合金系の金属薄膜が知られているが、その
磁気特性を改善するために、非磁性支持体と上記
磁性層との間に下地層としてCr層を介在させる
ことが知られている（アイ・イ−・イ−・イ−・
トランザクシヨンズ・オン・マグネテイツクス、
MAG.15巻３号1135頁（IEEE Transactions on
Magnetics.Vo1.MAG.15，No.３，P.1135，
1979））。
しかし、このようなCr層を用いて高密度磁気
記録に適した、十分に高い保磁力を有する磁気記
録媒体を再現性よく得ることは困難であつた。こ
れは、Cr層からなる下地層と磁性層との界面が
酸素や水、CO2等の吸着に鋭敏であることから、
製造条件のわずかな変化に対して磁気特性が影響
を受けやすいためであり、また、Cr層の結晶性
のわずかな違いにより、その上に積層される磁性
層の結晶性に大な影響を及ぼすためであると考え
られる。
記録に適した、十分に高い保磁力を有する磁気記
録媒体を再現性よく得ることは困難であつた。こ
れは、Cr層からなる下地層と磁性層との界面が
酸素や水、CO2等の吸着に鋭敏であることから、
製造条件のわずかな変化に対して磁気特性が影響
を受けやすいためであり、また、Cr層の結晶性
のわずかな違いにより、その上に積層される磁性
層の結晶性に大な影響を及ぼすためであると考え
られる。
良好な磁気特性を有する高密度記録用磁気記録
媒体を安価に製造するためには、磁気特性が安定
で再現性よく製造されることが必要不可欠であ
る。
媒体を安価に製造するためには、磁気特性が安定
で再現性よく製造されることが必要不可欠であ
る。
このような問題点を解決するために、本発明に
よる磁気記録媒体は、下地層と磁性層との間に中
間層を設け、この中間層が下地層から磁性層に向
かつて、下地層の成分を実質的に漸次減少し、磁
性層の成分を実質的に漸次増大して成膜されてい
ることを特徴としている。
よる磁気記録媒体は、下地層と磁性層との間に中
間層を設け、この中間層が下地層から磁性層に向
かつて、下地層の成分を実質的に漸次減少し、磁
性層の成分を実質的に漸次増大して成膜されてい
ることを特徴としている。
下地層としてはCr又はMoを主成分とする膜が
好ましく、磁性層としてはCoを主成分とし又は
Coを含む合金を主成分とする膜が好ましい。
好ましく、磁性層としてはCoを主成分とし又は
Coを含む合金を主成分とする膜が好ましい。
また、中間層の膜厚としては30Å〜400Åであ
ることが好ましい。
ることが好ましい。
（作 用）
このような中間層を下地層と磁性層との間に介
在させることにより、良好な磁気特性を有する記
録媒体が再現性よく得られる。これは、上記中間
層の存在により、製造件の変化に対する磁気特性
影響を少なくすると共に、磁性層の結晶性の再現
性が容易得られるようになつたためであると推定
される。
在させることにより、良好な磁気特性を有する記
録媒体が再現性よく得られる。これは、上記中間
層の存在により、製造件の変化に対する磁気特性
影響を少なくすると共に、磁性層の結晶性の再現
性が容易得られるようになつたためであると推定
される。
（実施例）
第１図は本発明による磁気記録媒体の一実施例
を示す断面図である。本実施例では、先ず、ソー
ダライムガラス基板からなる非磁性支持体１上
に、Crをターゲツトとしてマグネトロン・スパ
ツタリング法（Arガス圧：６×10-1pa、電力：
10W／cm2）により、Crからなる非磁性の下地層
２（膜厚：3000Å）を成膜する。引き続いて、
Crターゲツトと15wt％のNiを含むCo−Ni合金タ
ーゲツトとを用いて、同時にマグネトロン・スパ
ツタリング法により、Cr−Co−Niからなる中間
層３（膜厚：100Å）を前述したCr層２上に成膜
する。その際、中間層３の成膜開始時はCr用カ
ソードの電力を3W／cm2，Co−Ni合金用カソード
の電力を零にして、漸次、Cr用カソードの電力
を低下させるに従い、Co−Ni合金用カソード電
力を5W／cm2まで上昇させる。そしてCr用カソー
ドの電力が零になつた時点で、中間層３の成膜を
終了する。この中間層３の成膜中、Cr−Co−Ni
が実質的に均一に分布し、かつ全体の膜厚も実質
的に均等になるように、下地層２付き基板１をタ
ーゲツト上方で回転させる。引き続いて、Co−
Ni合金用カソードの電力を一定（5W／cm2）にし
て、Co−Niからなる磁性層４（膜厚：400Å）を
中間層３上に成膜する。次に、上記成膜と同様マ
グネトロン・スパツタリング法により、炭素薄膜
からなる保護層５（膜厚：500Å）を前述した磁
性層４上に成膜する。
を示す断面図である。本実施例では、先ず、ソー
ダライムガラス基板からなる非磁性支持体１上
に、Crをターゲツトとしてマグネトロン・スパ
ツタリング法（Arガス圧：６×10-1pa、電力：
10W／cm2）により、Crからなる非磁性の下地層
２（膜厚：3000Å）を成膜する。引き続いて、
Crターゲツトと15wt％のNiを含むCo−Ni合金タ
ーゲツトとを用いて、同時にマグネトロン・スパ
ツタリング法により、Cr−Co−Niからなる中間
層３（膜厚：100Å）を前述したCr層２上に成膜
する。その際、中間層３の成膜開始時はCr用カ
ソードの電力を3W／cm2，Co−Ni合金用カソード
の電力を零にして、漸次、Cr用カソードの電力
を低下させるに従い、Co−Ni合金用カソード電
力を5W／cm2まで上昇させる。そしてCr用カソー
ドの電力が零になつた時点で、中間層３の成膜を
終了する。この中間層３の成膜中、Cr−Co−Ni
が実質的に均一に分布し、かつ全体の膜厚も実質
的に均等になるように、下地層２付き基板１をタ
ーゲツト上方で回転させる。引き続いて、Co−
Ni合金用カソードの電力を一定（5W／cm2）にし
て、Co−Niからなる磁性層４（膜厚：400Å）を
中間層３上に成膜する。次に、上記成膜と同様マ
グネトロン・スパツタリング法により、炭素薄膜
からなる保護層５（膜厚：500Å）を前述した磁
性層４上に成膜する。
本実施例による磁気記録媒体を試料数20個製作
し、保磁力Hcを測定した結果、Hc＝600〜700
Oeの範囲内にあつた。一方、本実施例における
中間層３のみを成膜しない従来例によれば、同様
の試料数に対してHc＝450〜650 0eであり、本実
施例のものと比較して、保磁力Hcが比較的低い
と共に、そのバラツキが大きい。なお、本実施例
のものの角形比（残留磁束密度Br／飽和磁束密
度Bs）は約0.8であり、従来例のものとほぼ同等
であつた。
し、保磁力Hcを測定した結果、Hc＝600〜700
Oeの範囲内にあつた。一方、本実施例における
中間層３のみを成膜しない従来例によれば、同様
の試料数に対してHc＝450〜650 0eであり、本実
施例のものと比較して、保磁力Hcが比較的低い
と共に、そのバラツキが大きい。なお、本実施例
のものの角形比（残留磁束密度Br／飽和磁束密
度Bs）は約0.8であり、従来例のものとほぼ同等
であつた。
本実施例の中間層３の組成分布は、ガラス基板
上に中間層３のみを本実施例と同様に成膜した試
料をオージエ電子分光法より測定した結果、第２
図に示すように、中間層３の深さ方向に進むに従
つて、Cr組成曲線６が漸次増大し、Co−Ni組成
曲線７が漸次減少している。
上に中間層３のみを本実施例と同様に成膜した試
料をオージエ電子分光法より測定した結果、第２
図に示すように、中間層３の深さ方向に進むに従
つて、Cr組成曲線６が漸次増大し、Co−Ni組成
曲線７が漸次減少している。
中間層３の膜厚は、本実施例では100Åあつた
が、その膜厚範囲については30Å〜400Åである
ことが望ましい。30Åより薄くした場合、保磁力
Hcの再現性が悪くなる。一方、厚くした場合、
保磁力Hcの再現性が良くなるが、その値が小さ
くなる傾向があるため、400Å以下であることが
望ましい。
が、その膜厚範囲については30Å〜400Åである
ことが望ましい。30Åより薄くした場合、保磁力
Hcの再現性が悪くなる。一方、厚くした場合、
保磁力Hcの再現性が良くなるが、その値が小さ
くなる傾向があるため、400Å以下であることが
望ましい。
本発明は、本実施例に限定されるものではな
く、先ず、非磁性支持体については、ソーダライ
ムガラスの他に、アルミノシリケートガラスなど
の各種の多成分系ガラス又は石英ガラスや、Al
又はAl合金若しくはNi−Ｐなどをメツキした。
Al合金、ポリエチレンテレフタレート、シリコ
ンなどの基板を使用してもよい。下地層について
はCrの他に、Moなどの非磁性材料を使用しても
よく、この膜厚は所定の磁気特性が得られる限
り、製造上薄い方が望ましいが、特に限定される
ものではない、磁性層についてはCo−Niの他に、
Co−Ni合金の成分比を変えたものやCo単体、又
はCoやCo−Niを主成分としてFeがPtを混合した
合金、Co−Ptなど他のCo系合金を使用してもよ
く、この膜厚も特に限定されない。下地層と磁性
層との間に介在される中間層ついては、上述した
下地層と磁性層の各材料を適宜選定して、下地層
から中間層に向かつて、下地層の成分を漸次減少
し、磁性層の成分を漸次増大して成膜すればよ
い。保護層は炭素薄膜の他に、Cr／Ｃ複合層、
SiO2層、Cr／SiO2複合層、Cr／Ｃ／SiO2複合層、
Cr／SiO2／Ｃ複合層、SiO2／Ｃ複合層などにし
てもよく、この膜厚も特に限定されない、そし
て、成膜法についてはスパツタリング法の他に、
真空蒸着法、イオンプレーテイング法などを使用
してもよい。
く、先ず、非磁性支持体については、ソーダライ
ムガラスの他に、アルミノシリケートガラスなど
の各種の多成分系ガラス又は石英ガラスや、Al
又はAl合金若しくはNi−Ｐなどをメツキした。
Al合金、ポリエチレンテレフタレート、シリコ
ンなどの基板を使用してもよい。下地層について
はCrの他に、Moなどの非磁性材料を使用しても
よく、この膜厚は所定の磁気特性が得られる限
り、製造上薄い方が望ましいが、特に限定される
ものではない、磁性層についてはCo−Niの他に、
Co−Ni合金の成分比を変えたものやCo単体、又
はCoやCo−Niを主成分としてFeがPtを混合した
合金、Co−Ptなど他のCo系合金を使用してもよ
く、この膜厚も特に限定されない。下地層と磁性
層との間に介在される中間層ついては、上述した
下地層と磁性層の各材料を適宜選定して、下地層
から中間層に向かつて、下地層の成分を漸次減少
し、磁性層の成分を漸次増大して成膜すればよ
い。保護層は炭素薄膜の他に、Cr／Ｃ複合層、
SiO2層、Cr／SiO2複合層、Cr／Ｃ／SiO2複合層、
Cr／SiO2／Ｃ複合層、SiO2／Ｃ複合層などにし
てもよく、この膜厚も特に限定されない、そし
て、成膜法についてはスパツタリング法の他に、
真空蒸着法、イオンプレーテイング法などを使用
してもよい。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、実質的
に非磁性支持体上に順次成膜体される下地層と磁
性層との間に、下地層から磁性層に向かつて、下
地層の成分を実質的に漸次減少し、磁性層の成分
を実質的に漸次増大して成膜した中間層を介在し
ていることから、優れた磁気特性を有する磁気記
録媒体が再現性よく得られる。
に非磁性支持体上に順次成膜体される下地層と磁
性層との間に、下地層から磁性層に向かつて、下
地層の成分を実質的に漸次減少し、磁性層の成分
を実質的に漸次増大して成膜した中間層を介在し
ていることから、優れた磁気特性を有する磁気記
録媒体が再現性よく得られる。
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図
は前実施例の中間層の深さ方向における組成分布
を示す図である。 １……非磁性支持体、２……下地層、３……中
間層、４……磁性層、５……保護層。
は前実施例の中間層の深さ方向における組成分布
を示す図である。 １……非磁性支持体、２……下地層、３……中
間層、４……磁性層、５……保護層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性支持体上に非磁性の下地層及び磁性層
を順次成膜してなる磁気記録媒体において、下地
層と磁性層との間に中間層を設け、かつ中間層
が、下地層から磁性層に向かつて、下地層の成分
を実質的に漸次減少し、磁性層の成分を実質的に
漸次増大して成膜されていることを特徴とする磁
気記録媒体。 ２ 下地層がCr又はMoを主成分とする膜からな
り、かつ磁性層がCoを主成分とし又はCoを含む
合金を主成分とする膜からなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 ３ 中間層の膜厚が30Å〜400Åであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10026485A JPS61258331A (ja) | 1985-05-11 | 1985-05-11 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10026485A JPS61258331A (ja) | 1985-05-11 | 1985-05-11 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258331A JPS61258331A (ja) | 1986-11-15 |
| JPH0256724B2 true JPH0256724B2 (ja) | 1990-12-03 |
Family
ID=14269343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10026485A Granted JPS61258331A (ja) | 1985-05-11 | 1985-05-11 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61258331A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0518459A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-26 | Tokai Rika Co Ltd | 自動変速機のシフトレバーロツク装置 |
| JPH0557508U (ja) * | 1991-12-28 | 1993-07-30 | デルタ工業株式会社 | 自動車用チェンジレバーのシフトロック装置 |
| JPH0557510U (ja) * | 1991-12-28 | 1993-07-30 | デルタ工業株式会社 | 自動車用チェンジレバーのシフトロック装置 |
-
1985
- 1985-05-11 JP JP10026485A patent/JPS61258331A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0518459A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-26 | Tokai Rika Co Ltd | 自動変速機のシフトレバーロツク装置 |
| JPH0557508U (ja) * | 1991-12-28 | 1993-07-30 | デルタ工業株式会社 | 自動車用チェンジレバーのシフトロック装置 |
| JPH0557510U (ja) * | 1991-12-28 | 1993-07-30 | デルタ工業株式会社 | 自動車用チェンジレバーのシフトロック装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61258331A (ja) | 1986-11-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |