JPH0256921A - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
- Publication number
- JPH0256921A JPH0256921A JP63207236A JP20723688A JPH0256921A JP H0256921 A JPH0256921 A JP H0256921A JP 63207236 A JP63207236 A JP 63207236A JP 20723688 A JP20723688 A JP 20723688A JP H0256921 A JPH0256921 A JP H0256921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- region
- blocker
- absorber
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
Ｘ線マスクの構造に関し、特に歪みを小さくできるよう
Ｘ線ブロッカ−領域を改良したＸ線マスクに関し、 Ｘ線ブロッカ−領域を有するＸ線マスクにおいて、歪み
が少なく、位置合わせ精度を向上できるＸ線マスクを提
供することを目的とし、回路パターンを形成した矩形状
フィールド領域の周囲にＸ線を遮蔽するＸ線ブロッカ−
領域を有するステッパー用のＸ線マスクにおいて、前記
フィールド領域の周縁にメカニカルアパチャー〇半影ボ
ケを吸収するに足る寸法の帯状矩形ブロッカ−領域を形
成し、かつ前記帯状ブロッカ−領域の外部に前記フィー
ルド領域内のパターン密度とほぼ同一値の密度を有する
任意パターンを形成してなることを特徴とするＸ線マス
クを含み構成する。
Ｘ線ブロッカ−領域を改良したＸ線マスクに関し、 Ｘ線ブロッカ−領域を有するＸ線マスクにおいて、歪み
が少なく、位置合わせ精度を向上できるＸ線マスクを提
供することを目的とし、回路パターンを形成した矩形状
フィールド領域の周囲にＸ線を遮蔽するＸ線ブロッカ−
領域を有するステッパー用のＸ線マスクにおいて、前記
フィールド領域の周縁にメカニカルアパチャー〇半影ボ
ケを吸収するに足る寸法の帯状矩形ブロッカ−領域を形
成し、かつ前記帯状ブロッカ−領域の外部に前記フィー
ルド領域内のパターン密度とほぼ同一値の密度を有する
任意パターンを形成してなることを特徴とするＸ線マス
クを含み構成する。
本発明は、Ｘ線マスクの構造に関し、特に歪みを小さく
できるようＸ線ブロッカ−領域を改良したＸ線マスクに
関する。
できるようＸ線ブロッカ−領域を改良したＸ線マスクに
関する。
（従来の技術）
従来、半導体製造の分野において、例えば、大規模集積
回路（ＶＬＳＩ）などの微細パターンを形成するために
、Ｘ線を用いてマスクパターンをウェハ上のレジストに
転写するＸ線露光技術が使用されている。
回路（ＶＬＳＩ）などの微細パターンを形成するために
、Ｘ線を用いてマスクパターンをウェハ上のレジストに
転写するＸ線露光技術が使用されている。
第６図は従来のＸ線露光を説明する全体図である。同図
において、所定の回路パターンを形成したＸ線マスク１
は、レジストを塗布したウェハ２表面に密着あるいは近
接され、金属ターゲット３に電子ビームを当てて発生さ
せたＸ線によって照射され、このＸ線マスク１を透過し
たＸ線によってマスクパターンがレジストに焼付けられ
る。
において、所定の回路パターンを形成したＸ線マスク１
は、レジストを塗布したウェハ２表面に密着あるいは近
接され、金属ターゲット３に電子ビームを当てて発生さ
せたＸ線によって照射され、このＸ線マスク１を透過し
たＸ線によってマスクパターンがレジストに焼付けられ
る。
第７図は従来のＸ線ブロッカ−を有するＸ線マスクの平
面図、第８図はその断面図である。このＸ線マスク１は
、支持枠４上に、シリコン基板５、Ｘ線を透過するメン
ブレン６、中央部に矩形状のフィールド領域７を形成し
たＸ線ブロッカ−８が形成されている。そして、第９図
に示す如く、上記Ｘ線マスク１を用いて、ステッパーで
ウェハ２を順次露光していく。フィールド領域７の寸法
は、２０〜２５ｍｍ角程度、ウェハ２の大きさは、１５
０〜２００ｍｍΦ程度である。
面図、第８図はその断面図である。このＸ線マスク１は
、支持枠４上に、シリコン基板５、Ｘ線を透過するメン
ブレン６、中央部に矩形状のフィールド領域７を形成し
たＸ線ブロッカ−８が形成されている。そして、第９図
に示す如く、上記Ｘ線マスク１を用いて、ステッパーで
ウェハ２を順次露光していく。フィールド領域７の寸法
は、２０〜２５ｍｍ角程度、ウェハ２の大きさは、１５
０〜２００ｍｍΦ程度である。
このようなＸｖＡブロッカ−８を有する構造のＸ線マス
ク１においては、第１０図の斜線部分に示す如く、ステ
ッパーによる隣接する露光パターンが重複して四重焼き
によりオーバー露光になることがあり、これに対応する
ため、Ｘ線ブロッカ−８領域の吸収体金属を厚くするこ
とで、Ｘ線の透過率を下げ、上記オーバー露光を克服し
ている。
ク１においては、第１０図の斜線部分に示す如く、ステ
ッパーによる隣接する露光パターンが重複して四重焼き
によりオーバー露光になることがあり、これに対応する
ため、Ｘ線ブロッカ−８領域の吸収体金属を厚くするこ
とで、Ｘ線の透過率を下げ、上記オーバー露光を克服し
ている。
ところが、Ｘ線ブロッカ−８の吸収体金属の応力を完全
にＯで成膜することは不可能であり、吸収体金属の膜厚
の増大とともに力が大きくなり、マスク歪みが増大し位
置合わせ精度に影響を与えていた。
にＯで成膜することは不可能であり、吸収体金属の膜厚
の増大とともに力が大きくなり、マスク歪みが増大し位
置合わせ精度に影響を与えていた。
そこで、第６図に示す如く、Ｘ線マスク１と金属ターゲ
ット３との間にＸ線がフィールド領域７内にのみ照射さ
れるよう制限するメカニカルアパチャー１０を設けてい
る。
ット３との間にＸ線がフィールド領域７内にのみ照射さ
れるよう制限するメカニカルアパチャー１０を設けてい
る。
しかし、通常、金属ターゲット３から出るＸ線の径は、
所定の有限の大きさ（ｄ）を持つため、メカニカルアパ
チャー１０による半影ボケが生じ、ウェハ２のダイシン
グラインの形成に問題が生じる。
所定の有限の大きさ（ｄ）を持つため、メカニカルアパ
チャー１０による半影ボケが生じ、ウェハ２のダイシン
グラインの形成に問題が生じる。
例えば、金属ターゲット３から出るＸ線の大きさは３〜
５ｍｍ 、Φで、ウェハ２と金属ターゲット３との距離
が３００ｍｍ 、ウェハ２とメカニカルアパチャー１０
との距離が５０ｍｍの場合には、０ 、５ｍｍ程度の半
影ボケ（δ）が出るのに対して、通常許容されるダイシ
ングラインのボケの限度は５０μｍ程度である。
５ｍｍ 、Φで、ウェハ２と金属ターゲット３との距離
が３００ｍｍ 、ウェハ２とメカニカルアパチャー１０
との距離が５０ｍｍの場合には、０ 、５ｍｍ程度の半
影ボケ（δ）が出るのに対して、通常許容されるダイシ
ングラインのボケの限度は５０μｍ程度である。
従って、Ｘ線ブロッカ−８には、ステッパー動作におけ
る四重露光に対応するため、強いＸ線の遮蔽能力が要求
され、そのためにＸ線の吸収体金属を厚くする必要が生
じる。しかし、膜厚を厚くした場合には、そのＸ線の吸
収体金属の応力を完全に０で成膜することが困難であり
、膜厚の増大が応力の増大を招き、Ｘ線マスク１の歪み
を太き（する問題があった。すなわち、ダイシングライ
ンの半影ボケを吸収するに足る膜厚で、Ｘ線の吸収体金
属の応力を下げるとともに、Ｘ線ブロッカ−８領域の構
造を改良する必要がある。
る四重露光に対応するため、強いＸ線の遮蔽能力が要求
され、そのためにＸ線の吸収体金属を厚くする必要が生
じる。しかし、膜厚を厚くした場合には、そのＸ線の吸
収体金属の応力を完全に０で成膜することが困難であり
、膜厚の増大が応力の増大を招き、Ｘ線マスク１の歪み
を太き（する問題があった。すなわち、ダイシングライ
ンの半影ボケを吸収するに足る膜厚で、Ｘ線の吸収体金
属の応力を下げるとともに、Ｘ線ブロッカ−８領域の構
造を改良する必要がある。
そこで、本発明は、Ｘ線ブロッカ−領域を有するＸ線マ
スクにおいて、歪みが少なく、位置合わせ精度を向上で
きるＸ線マスクを提供することを目的とする。
スクにおいて、歪みが少なく、位置合わせ精度を向上で
きるＸ線マスクを提供することを目的とする。
［課題を解決する手段］
上記課題は、回路パターンを形成した矩形状フィールド
領域の周囲にＸ線を遮蔽するＸ線ブロッカ−領域を有す
るステッパー用のＸ線マスクにおいて、前記フィールド
領域の周縁にメカニカルアパチャーの半影ボケを吸収す
るに足る寸法の帯状矩形ブロッカ−領域を形成し、かつ
前記帯状ブロッカ−領域の外部に前記フィールド領域内
のパターン密度とほぼ同一値の密度を有する任意パター
ンを形成してなることを特徴とするＸ線マスクによって
解決される。
領域の周囲にＸ線を遮蔽するＸ線ブロッカ−領域を有す
るステッパー用のＸ線マスクにおいて、前記フィールド
領域の周縁にメカニカルアパチャーの半影ボケを吸収す
るに足る寸法の帯状矩形ブロッカ−領域を形成し、かつ
前記帯状ブロッカ−領域の外部に前記フィールド領域内
のパターン密度とほぼ同一値の密度を有する任意パター
ンを形成してなることを特徴とするＸ線マスクによって
解決される。
第１図は本発明のＸ線マスクの原理を説明する平面図、
第２図はその断面図である。これらの図において、１１
は支持枠、１２はシリコン基板、１３はＸ線を透過する
メンブレン、１４は中央に矩形状フィールド領域１５を
形成したＸ線吸収体からなるＸ線ブロッカ−である。こ
の矩形状フィールド領域１５のメンブレン１３には、所
定の回路パターンが形成されている。フィールド領域１
５以外のメンブレン１４領域は、Ｘ線ブロッカ−１４Ｔ
領域であり、マスクコントラストが例えば、２０以上と
なるように、厚い膜厚の吸収体で形成されている。例え
ば、Ｘ線がＰｄ Ｌα線に対しては、膜厚が１．２μｍ
程度である。そして、マスク歪みを小さ（するため、吸
収体の応力（σ３）及び膜厚（１，）をできるだけ小さ
くする以外に、ＸＨブロッカ−１４領域の吸収体のパタ
ーン密度（ρ、）とフィールド領域１５内メンブレン１
３上のパターン密度（ρ１）との差（ρ、−ρ、）及び
吸収体の長さ（鍔）が小さくなるように構成されている
。
第２図はその断面図である。これらの図において、１１
は支持枠、１２はシリコン基板、１３はＸ線を透過する
メンブレン、１４は中央に矩形状フィールド領域１５を
形成したＸ線吸収体からなるＸ線ブロッカ−である。こ
の矩形状フィールド領域１５のメンブレン１３には、所
定の回路パターンが形成されている。フィールド領域１
５以外のメンブレン１４領域は、Ｘ線ブロッカ−１４Ｔ
領域であり、マスクコントラストが例えば、２０以上と
なるように、厚い膜厚の吸収体で形成されている。例え
ば、Ｘ線がＰｄ Ｌα線に対しては、膜厚が１．２μｍ
程度である。そして、マスク歪みを小さ（するため、吸
収体の応力（σ３）及び膜厚（１，）をできるだけ小さ
くする以外に、ＸＨブロッカ−１４領域の吸収体のパタ
ーン密度（ρ、）とフィールド領域１５内メンブレン１
３上のパターン密度（ρ１）との差（ρ、−ρ、）及び
吸収体の長さ（鍔）が小さくなるように構成されている
。
本発明では、Ｘ線マスクの吸収体の応力によるマスク歪
み（ε）は、第３図の両端固定の梁として近似すること
ができる。
み（ε）は、第３図の両端固定の梁として近似すること
ができる。
ここでν１はメンブレンのポアソン比、ρ１はメンブレ
ン上のパターン密度、ｔｌはメンブレンの膜厚、Ｅｌは
メンブレンのヤング率、σ、は吸収体の応力、１．は吸
収体の膜厚、ｉはフィールド領域の長さ、−は吸収体の
長さ、ρ、は吸収体のパターン密度を示す。
ン上のパターン密度、ｔｌはメンブレンの膜厚、Ｅｌは
メンブレンのヤング率、σ、は吸収体の応力、１．は吸
収体の膜厚、ｉはフィールド領域の長さ、−は吸収体の
長さ、ρ、は吸収体のパターン密度を示す。
従って、吸収体の応力（σ、）、吸収体の膜厚（１，）
、パターン密度差（ρ１− ρ、、）及び吸収体の長さ
（−）を小さくすることで、マスク歪み（ε）が小さく
なる。
、パターン密度差（ρ１− ρ、、）及び吸収体の長さ
（−）を小さくすることで、マスク歪み（ε）が小さく
なる。
以下、本発明を図示の一実施例により具体的に説明する
。
。
第４図は本発明実施例のＸ線マスクの平面図である。な
お、第１図及び第２図に対応する部分は同一の符号を記
す。
お、第１図及び第２図に対応する部分は同一の符号を記
す。
同図において、Ｘ線マスクは、支持枠１１、シリコン基
板１２、Ｘ線を透過するメンブレン１３、中央に矩形状
フィールド領域１５を形成したＸ線吸収体からなるＸ線
ブロッカ−１４を有し、メカニカルアパーチャによって
発生する矩形状フィールド領域１５周縁の半影ボケを完
全に除去するに必要な最小の領域を吸収体のベタパター
ンにより作成され、この領域が帯状矩形ブロッカ−２１
領域に形成されている。そして、その外側のＸ線ブロッ
カ−１４領域のパターン密度（ρ、）は、矩形状フィー
ルド領域１５のパターン密度（ρ１）にできるだけ近く
なるよう、その領域に任意パターンが形成されている。
板１２、Ｘ線を透過するメンブレン１３、中央に矩形状
フィールド領域１５を形成したＸ線吸収体からなるＸ線
ブロッカ−１４を有し、メカニカルアパーチャによって
発生する矩形状フィールド領域１５周縁の半影ボケを完
全に除去するに必要な最小の領域を吸収体のベタパター
ンにより作成され、この領域が帯状矩形ブロッカ−２１
領域に形成されている。そして、その外側のＸ線ブロッ
カ−１４領域のパターン密度（ρ、）は、矩形状フィー
ルド領域１５のパターン密度（ρ１）にできるだけ近く
なるよう、その領域に任意パターンが形成されている。
このような、任意パターンは、例えば、吸収体パターン
密度が５０χときには、第５図に示す如（、格子状に形
成することができる。
密度が５０χときには、第５図に示す如（、格子状に形
成することができる。
次に、上記Ｘ線マスクの製造方法について説明する。
外径が４インチのシリコン基板１２の（１１１）面から
４°傾斜した面に、コールドウオールＣＶＤ （気相成
長）法により、５ｉＨＣｈ、Ｃ，Ｈ，、Ｈ２を用いて、
温度が１ｏ００’ｃ、圧力が２００Ｐａ （パスカル）
の条件で、メンブレン１３としてＳｉＣを２μｍ程度の
膜厚にヘテロエピタキシャル成長させた。
４°傾斜した面に、コールドウオールＣＶＤ （気相成
長）法により、５ｉＨＣｈ、Ｃ，Ｈ，、Ｈ２を用いて、
温度が１ｏ００’ｃ、圧力が２００Ｐａ （パスカル）
の条件で、メンブレン１３としてＳｉＣを２μｍ程度の
膜厚にヘテロエピタキシャル成長させた。
次に、支持枠１２として内周６０ｍｍΦ、外周１１０Ｉ
Φ、厚さ５ｍｍのＳｉＣセラミックスリングをエポキシ
系接着剤にて接着し、ＨＰ／ＨＮＯｚ／ＣＨ：＋Ｃ００
）Ｉ（１，５：２：１）を用いてメンブレン１３領域の
シリコン６０ｍｍΦをエツチングした。
Φ、厚さ５ｍｍのＳｉＣセラミックスリングをエポキシ
系接着剤にて接着し、ＨＰ／ＨＮＯｚ／ＣＨ：＋Ｃ００
）Ｉ（１，５：２：１）を用いてメンブレン１３領域の
シリコン６０ｍｍΦをエツチングした。
次に、スパッターにて膜厚１．２μｍでＸ線吸収体とし
て重金属からなるＴａ（タンタル）をブランク全面に成
膜し、パターンを描画して、Ｃｈ／ＣＣＩ。
て重金属からなるＴａ（タンタル）をブランク全面に成
膜し、パターンを描画して、Ｃｈ／ＣＣＩ。
のＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エツチング）を用い
て上記Ｔａを加工した。矩形状フィールド領域１５は２
５ｍｍ角であり、第４図の帯状矩形ブロッカ−２１領域
は幅４１１１１１１で形成した。そして、帯状矩形ブロ
ッカ−２１外部の吸収体パターン密度を矩形状フィール
ド領域１５内の吸収体パターン密度と同一になるよう作
成した。そのときのパターンは、任意に形成できるが、
少なくともそのパターン密度のゆらぎ寸法を１ｍｍ以内
となるよう形成した。
て上記Ｔａを加工した。矩形状フィールド領域１５は２
５ｍｍ角であり、第４図の帯状矩形ブロッカ−２１領域
は幅４１１１１１１で形成した。そして、帯状矩形ブロ
ッカ−２１外部の吸収体パターン密度を矩形状フィール
ド領域１５内の吸収体パターン密度と同一になるよう作
成した。そのときのパターンは、任意に形成できるが、
少なくともそのパターン密度のゆらぎ寸法を１ｍｍ以内
となるよう形成した。
上記構成のＸ線マスクによれば、χ線ブロッカー１４領
域のパターン密度（ρｂ）が、矩形状フィールド領域１
５の吸収体パターン密度（ρ１）にできるだけ近くなる
よう、任意パターンが形成されていることにより、マス
ク歪みを小さくすることができ、かつ帯状矩形ブロッカ
−２１領域によりメカニカルアパーチャによって発生す
る半影ボケを完全に除去することが可能になる。
域のパターン密度（ρｂ）が、矩形状フィールド領域１
５の吸収体パターン密度（ρ１）にできるだけ近くなる
よう、任意パターンが形成されていることにより、マス
ク歪みを小さくすることができ、かつ帯状矩形ブロッカ
−２１領域によりメカニカルアパーチャによって発生す
る半影ボケを完全に除去することが可能になる。
なお、本発明においては、Ｘ線ブロッカ−（１４）領域
に、フィールド領域（１５）内のパターン密度と同−又
は近い値の密度を有゛する任意パターンが形成されてい
ればよい。
に、フィールド領域（１５）内のパターン密度と同−又
は近い値の密度を有゛する任意パターンが形成されてい
ればよい。
また、帯状矩形ブロッカ−２１領域は、少なくともフィ
ールド領域の周囲にメカニカルアパーチャによって発生
する半影ボケを除去するだけの幅に形成されていればよ
い。
ールド領域の周囲にメカニカルアパーチャによって発生
する半影ボケを除去するだけの幅に形成されていればよ
い。
さらに、メンブレン１３は、ＳｉＣ以外の軽元素材料と
して、５ｉＪ４、ＢＮなどを用いることができ、吸収体
もＴａ以外にＡｕなども使用できる。Ｘ線マスクの製造
方法は、任意にでき、形状、寸法なども実施例に限定さ
れない。
して、５ｉＪ４、ＢＮなどを用いることができ、吸収体
もＴａ以外にＡｕなども使用できる。Ｘ線マスクの製造
方法は、任意にでき、形状、寸法なども実施例に限定さ
れない。
以上説明した様に本発明によれば、作成する半導体装置
の回路パターンに対して、最も小さ（なるようなマスク
構造を提供することができ、例えば、０．５μｍ以下の
量産転写技術における位置合わせ精度に寄与するところ
が大きい。
の回路パターンに対して、最も小さ（なるようなマスク
構造を提供することができ、例えば、０．５μｍ以下の
量産転写技術における位置合わせ精度に寄与するところ
が大きい。
第１図は本発明のＸ線マスクの原理を説明する平面図、
第２図は第１図のＸ線マスクの断面図、第３図はＸ線マ
スクを両端固定梁としたときの図、 第４図は本発明実施例のＸ線マスクの平面図、第５図は
吸収体パターン密度が５０χを示す図、第６図は従来の
Ｘ線露光を説明する全体図、第７図は従来のＸ線ブロッ
カ−を有するＸ線マスクの平面図、 第８図は第７図のＸ線マスクの断面図、第９図はウェハ
の露光状態を示す図、 第１０図は四重露光を説明する図 である。 図中、 １１は支持枠、 １２はシリコン基板、 １３はメンブレン、 １４はＸ線ブロッカ− １５は矩形状フィールド領域 ２１は帯状矩形ブロッカ− を示す。 第４各ＪＩＰＩ（７１Ｘ承（］又りの虎、ア乳を帆朋Ｕ
）平面図第１図 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 久木元 彰 同 大菅義之 晃ｓ”ａのＸ線−マスクの喧（至図 第２図 Ｘ線マスクを内縞同定梁とし！こと３の図第 図 桧炉ｙ涛包イヶｌ／’）Ｘ形引マスクの子面図第 図 （Ｌ米の×射にプロ＋７ｊＪ−５有ＴろＸ線マスクの平
面図第 図 第７図のＸ線マスクのｌｆｒ＋’ｍ図 第 図 吸収体パクーンミ崖カ＜゛労さ示Ｔ図 第 図 ８の×Ｒ症九をご仁愛ｔする４５神イ刺第 図 ウニへの会九１欠月２を示Ｔ図 第９図 ＝重露光をｇＬ鳩よる図 第１０図
スクを両端固定梁としたときの図、 第４図は本発明実施例のＸ線マスクの平面図、第５図は
吸収体パターン密度が５０χを示す図、第６図は従来の
Ｘ線露光を説明する全体図、第７図は従来のＸ線ブロッ
カ−を有するＸ線マスクの平面図、 第８図は第７図のＸ線マスクの断面図、第９図はウェハ
の露光状態を示す図、 第１０図は四重露光を説明する図 である。 図中、 １１は支持枠、 １２はシリコン基板、 １３はメンブレン、 １４はＸ線ブロッカ− １５は矩形状フィールド領域 ２１は帯状矩形ブロッカ− を示す。 第４各ＪＩＰＩ（７１Ｘ承（］又りの虎、ア乳を帆朋Ｕ
）平面図第１図 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 久木元 彰 同 大菅義之 晃ｓ”ａのＸ線−マスクの喧（至図 第２図 Ｘ線マスクを内縞同定梁とし！こと３の図第 図 桧炉ｙ涛包イヶｌ／’）Ｘ形引マスクの子面図第 図 （Ｌ米の×射にプロ＋７ｊＪ−５有ＴろＸ線マスクの平
面図第 図 第７図のＸ線マスクのｌｆｒ＋’ｍ図 第 図 吸収体パクーンミ崖カ＜゛労さ示Ｔ図 第 図 ８の×Ｒ症九をご仁愛ｔする４５神イ刺第 図 ウニへの会九１欠月２を示Ｔ図 第９図 ＝重露光をｇＬ鳩よる図 第１０図
Claims (1)
- 回路パターンを形成した矩形状フィールド領域（１５）
の周囲にＸ線を遮蔽するＸ線ブロッカー（１４）領域を
有するステッパー用のＸ線マスクにおいて、前記フィー
ルド領域（１５）の周縁にメカニカルアパチャーの半影
ボケを吸収するに足る寸法の帯状矩形ブロッカー（２１
）領域を形成し、かつ前記帯状ブロッカー（２１）領域
の外部に前記フィールド領域（１５）内のパターン密度
とほぼ同一値の密度を有する任意パターンを形成してな
ることを特徴とするＸ線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207236A JPH0256921A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207236A JPH0256921A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | Ｘ線マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256921A true JPH0256921A (ja) | 1990-02-26 |
Family
ID=16536478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63207236A Pending JPH0256921A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | Ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0256921A (ja) |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP63207236A patent/JPH0256921A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5728492A (en) | Mask for projection system using charged particle beam | |
| JP3470963B2 (ja) | 投影電子ビーム・リソグラフィ・マスク | |
| JP3297360B2 (ja) | 膜マスク及びこれの製造方法 | |
| JPS59101833A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH0256921A (ja) | Ｘ線マスク | |
| JPH03235321A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JP2853247B2 (ja) | Ｘ線露光用マスクの支持膜及びｘ線露光用マスク | |
| JPS61198722A (ja) | Ｘ線露光マスク及びその製造方法 | |
| JPH0368531B2 (ja) | ||
| JPH02252229A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPH04240716A (ja) | Ｘ線マスク | |
| JP3219619B2 (ja) | Ｘ線マスクと該マスクの製造方法、ならびに該マスクを用いたデバイス生産方法 | |
| JPH0992599A (ja) | Ｘ線露光用マスクの作製方法及び該ｘ線露光用マスクを用いたｘ線露光方法、及びｘ線露光装置、及びこれ等を用いた半導体ディバイスの製造方法及びそれで作られた半導体ディバイス | |
| JPH0298123A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JP2557566B2 (ja) | 露光用マスクの製造方法 | |
| JP2952063B2 (ja) | Ｘ線マスク | |
| JP2943217B2 (ja) | Ｘ線露光マスクとその製造方法 | |
| JPS61272925A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPS6365621A (ja) | Ｘ線露光マスク | |
| JP2639374B2 (ja) | Ｘ線露光マスクの製造方法 | |
| JPS6222262B2 (ja) | ||
| JP2538902B2 (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPS595628A (ja) | メンブラン・マスク | |
| JPH0465816A (ja) | Ｘ線マスク | |
| JP2674180B2 (ja) | Ｘ線露光用マスクの構造および製造方法 |