JPH0258213A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0258213A JPH0258213A JP63209023A JP20902388A JPH0258213A JP H0258213 A JPH0258213 A JP H0258213A JP 63209023 A JP63209023 A JP 63209023A JP 20902388 A JP20902388 A JP 20902388A JP H0258213 A JPH0258213 A JP H0258213A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- section
- exposure
- resist
- peripheral section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の製造方法及びに製造装置に関す
るものである。特にパターンを形成すべきウェハーの全
面にフォトレジストを付したウェハーの周辺部を選択的
に減光する事に関するものである。
るものである。特にパターンを形成すべきウェハーの全
面にフォトレジストを付したウェハーの周辺部を選択的
に減光する事に関するものである。
［従来の技術］
従来の半導体装置の製造方法は特開昭６１−７９２２７
の様にフォトレジストを全面に塗布したウェハーの周辺
部を選択的に露光するものであった。
の様にフォトレジストを全面に塗布したウェハーの周辺
部を選択的に露光するものであった。
〔発明が解決しよ５とする課題］
しかし、従来の技術は固くてもろい樹脂を用いているポ
ジタイプフォトレジストに対してのもので、ウェハーの
周辺部を全周露光するものであった。
ジタイプフォトレジストに対してのもので、ウェハーの
周辺部を全周露光するものであった。
しかし、ウェハーに付したフォトレジストがポジタイプ
ではな（ネガタイプフォトレジストの場合で、さらには
ウェハーの周辺部の全周を露光する必要がな（一部のみ
で十分な場合があり、従来の技術では適切な処理ができ
ない。第５図に示したよ５に、１：１反射投影型露光装
ｆ（たとえば、キャノン製ミラープロジェクションアラ
イナ−ＭＰＡ−６００ＦＡ）の場合、ウェハーに付した
フォトレジストに所定のパターン形成を行なっための露
光の時、焦点（ＩＦＯσＵＳ）を合わすためにウェハー
を露光装置のウェハーディスクに３本または４本あるツ
メ１１に押えつけて行なっていた。第４図に６本ツメ１
１の場合のツメによる未露光部１３とウニ・・−１の位
置関係を示した。このツメ１１０所は、金属で出来てい
てば光される事がなくネガタイプフォトレジストの場合
は現像すると、ツメ１１が当る部分はネガタイプフォト
レジストはなくなるわけである。この場合、工程がパッ
シベーション膜のエツチングとすると第５図のように、
ウェハー上に形成された半導体装置１４のパターンの一
部１５の上のパッシベーション膜を除去する事になり、
このエツチングによって半導体装置１４の金属配線層パ
ターンの下にある、絶縁膜をある程度のオーバーエツチ
ングすることによってエツチングすることになり、前記
金属配線層パターンが短かい場合は、ウニ・・−より剥
離し４１を性異物が発生する事になる。この発生した前
記導電性異物がウェハーに付着すると、金属配線層の上
ならば金属配線層のパターンの短絡となり半導体装置の
不良の原因となる。また、短絡とならなくとも、ウェハ
ー上の突起物としてフォト・リングラフィ工程における
フォトレジストの膜厚にむらを生じさせ正常なフォトリ
ングラフィ工程のパターン形成を阻害しやはり形成され
たパターンの短絡や断線等のパターン欠陥をもたらし、
歩留りの低下を引き起こすものである。
ではな（ネガタイプフォトレジストの場合で、さらには
ウェハーの周辺部の全周を露光する必要がな（一部のみ
で十分な場合があり、従来の技術では適切な処理ができ
ない。第５図に示したよ５に、１：１反射投影型露光装
ｆ（たとえば、キャノン製ミラープロジェクションアラ
イナ−ＭＰＡ−６００ＦＡ）の場合、ウェハーに付した
フォトレジストに所定のパターン形成を行なっための露
光の時、焦点（ＩＦＯσＵＳ）を合わすためにウェハー
を露光装置のウェハーディスクに３本または４本あるツ
メ１１に押えつけて行なっていた。第４図に６本ツメ１
１の場合のツメによる未露光部１３とウニ・・−１の位
置関係を示した。このツメ１１０所は、金属で出来てい
てば光される事がなくネガタイプフォトレジストの場合
は現像すると、ツメ１１が当る部分はネガタイプフォト
レジストはなくなるわけである。この場合、工程がパッ
シベーション膜のエツチングとすると第５図のように、
ウェハー上に形成された半導体装置１４のパターンの一
部１５の上のパッシベーション膜を除去する事になり、
このエツチングによって半導体装置１４の金属配線層パ
ターンの下にある、絶縁膜をある程度のオーバーエツチ
ングすることによってエツチングすることになり、前記
金属配線層パターンが短かい場合は、ウニ・・−より剥
離し４１を性異物が発生する事になる。この発生した前
記導電性異物がウェハーに付着すると、金属配線層の上
ならば金属配線層のパターンの短絡となり半導体装置の
不良の原因となる。また、短絡とならなくとも、ウェハ
ー上の突起物としてフォト・リングラフィ工程における
フォトレジストの膜厚にむらを生じさせ正常なフォトリ
ングラフィ工程のパターン形成を阻害しやはり形成され
たパターンの短絡や断線等のパターン欠陥をもたらし、
歩留りの低下を引き起こすものである。
また、前記ツメによる未露光部１５の部分はウェハーの
周辺部から５〜６ｒｒｒｍと長い物であり、従来の技術
によってウニ／・−の周辺部を５〜６脳選択的に露光し
てフォトレジストを除去すると、特に４インチ（１００
ｏ＋ｍ）ウェハーの場合は、半導体装置を形成できる領
域が８８ｍｍから９０１ｓという事になり、ウェハー１
枚の中に形成できる半導体装置の数が減少してしまいと
ても許用できるものではない。
周辺部から５〜６ｒｒｒｍと長い物であり、従来の技術
によってウニ／・−の周辺部を５〜６脳選択的に露光し
てフォトレジストを除去すると、特に４インチ（１００
ｏ＋ｍ）ウェハーの場合は、半導体装置を形成できる領
域が８８ｍｍから９０１ｓという事になり、ウェハー１
枚の中に形成できる半導体装置の数が減少してしまいと
ても許用できるものではない。
本発明はこのような従来の技術の問題点を）・イ決する
もので、その目的は半導体装置のウェハーからの取れ数
を減らさずに導電性異物による歩留り低下を防止する技
術を提供することにある。
もので、その目的は半導体装置のウェハーからの取れ数
を減らさずに導電性異物による歩留り低下を防止する技
術を提供することにある。
［課頭を解決するための手段］
本発明の半導体装置の製造方法は、ウェハーの周辺部の
一部のみ選択的に露光する事により前述の問題を解決す
る。
一部のみ選択的に露光する事により前述の問題を解決す
る。
［実施例］
第１図は本発明の実施例の構成図である。回転している
ウェハー１のファセット部６を７アセノト検出部４で検
出しその信号を受けたコントロール部９がクエ・・−１
の１７＋（辺部２の所定の位置が来たらシャッター６を
開く信号を送ってシャッター６を開として露光部５より
ＵＶ光が照射され、ウェハー１の全面に付したネガタイ
プフォトレジストのウェハー１の周辺部２の所定の６ケ
所が露光され現像後においてもネガタイプフォトレジス
トは１：１反射投影型露光装置（キャノンｉＪ！ＩＭ
Ｐ Ａ（５００１ＦＡ）のツメの当たる、本来ならＵＶ
光照射されずに現像後ネガタイプフォトレジストが残ら
なかった所が残るようになった。第２図にウェハー周辺
部のツメによる未露光部と露光部の関係を示した。８閣
角の露光部５でツメによる未露光部１５０所のみを露光
した露光領域１６である。
ウェハー１のファセット部６を７アセノト検出部４で検
出しその信号を受けたコントロール部９がクエ・・−１
の１７＋（辺部２の所定の位置が来たらシャッター６を
開く信号を送ってシャッター６を開として露光部５より
ＵＶ光が照射され、ウェハー１の全面に付したネガタイ
プフォトレジストのウェハー１の周辺部２の所定の６ケ
所が露光され現像後においてもネガタイプフォトレジス
トは１：１反射投影型露光装置（キャノンｉＪ！ＩＭ
Ｐ Ａ（５００１ＦＡ）のツメの当たる、本来ならＵＶ
光照射されずに現像後ネガタイプフォトレジストが残ら
なかった所が残るようになった。第２図にウェハー周辺
部のツメによる未露光部と露光部の関係を示した。８閣
角の露光部５でツメによる未露光部１５０所のみを露光
した露光領域１６である。
破線で示した所が従来の技術で行なったポジタイプフォ
トレジストのウェハーの周辺部の３ｗＩＲの選択的露光
により形成されたパターン形成のない領域である。半導
体装置１４は、この破線の所まで形成されているが、本
実施例による露光の露光領域１６では、ツメによる未露
光部の左右に若干の影Ｕを与えるのみで、半導体装置の
取れ数もウェハーの周辺部を５〜６間選択的１ｃａ光す
る場合に比べれは微減少である。また、もう１つの目的
もウェハーのツメ５１が当たる所を露光する事によりツ
メの部分にもネガタイプフォトレジストを形成テキ、パ
ッシベーション膜のエツチング時に発生する金属配線層
パターンの剥離による導電性異物も防止する事ができた
。
トレジストのウェハーの周辺部の３ｗＩＲの選択的露光
により形成されたパターン形成のない領域である。半導
体装置１４は、この破線の所まで形成されているが、本
実施例による露光の露光領域１６では、ツメによる未露
光部の左右に若干の影Ｕを与えるのみで、半導体装置の
取れ数もウェハーの周辺部を５〜６間選択的１ｃａ光す
る場合に比べれは微減少である。また、もう１つの目的
もウェハーのツメ５１が当たる所を露光する事によりツ
メの部分にもネガタイプフォトレジストを形成テキ、パ
ッシベーション膜のエツチング時に発生する金属配線層
パターンの剥離による導電性異物も防止する事ができた
。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、ウェハーの周辺部の
一部のみを選択的に露光することにより導電性異物の発
生の防止を可能にし、歩留勺の低下もな（なる。また、
半導体装置の取れ数の減少も抑止するという効果を有す
るものである。また、本発明の効果をウェハーの周辺部
の一部の特に１：１反射投影型露光装置のツメの所を露
光する事について述べたが、実施例のよ５に１つの露光
部ではなくツメの数だけ露光部を用いてツメの位置に当
たる所を一度に露光する事によりスループットの向上を
計れるという多重露光部に応用できるものであり、露光
部の数や方式、形式、形状により本発明の効果は影響を
受けるものではない。
一部のみを選択的に露光することにより導電性異物の発
生の防止を可能にし、歩留勺の低下もな（なる。また、
半導体装置の取れ数の減少も抑止するという効果を有す
るものである。また、本発明の効果をウェハーの周辺部
の一部の特に１：１反射投影型露光装置のツメの所を露
光する事について述べたが、実施例のよ５に１つの露光
部ではなくツメの数だけ露光部を用いてツメの位置に当
たる所を一度に露光する事によりスループットの向上を
計れるという多重露光部に応用できるものであり、露光
部の数や方式、形式、形状により本発明の効果は影響を
受けるものではない。
笛１図は本発明の実施例の構成図。
第２図は本発明の実施例のウェハー周辺部のツメによる
未しに元部と露光部の関係の概要図。 第３図は１：１反射投影型パ光装置のツメによる未ｄ元
部とウェハーの関係のａ！Ｅｆｆ図。 第４図は１：１反射投影型送光装置のツｈのウェハー内
配置側口。 第５図はウェハーの周辺部の概要図。 １………ウエハー ２・・・・・・・・・周辺部 ６・・・・・・・・・ファセット部 ４・・・・・・・・・ファセット検出部５・・・・・・
・・・露光部 ６・・・・・・・・・シャッター ７・・・・・・・・・ＵＶ光源 ８・・・・・・・・・石英７アイバー ９・・・・・・・・・コントロール部 １０ ・・・・・・ １１・・・・・・ツメ（断面） １２・・・・・ウェハーチャック １５・・・・・・ツメによる未露光部 １４・・・・・・半導体装置 １５・・・・・・パッシベーション膜欠落部１６・・・
・・・露光領域
未しに元部と露光部の関係の概要図。 第３図は１：１反射投影型パ光装置のツメによる未ｄ元
部とウェハーの関係のａ！Ｅｆｆ図。 第４図は１：１反射投影型送光装置のツｈのウェハー内
配置側口。 第５図はウェハーの周辺部の概要図。 １………ウエハー ２・・・・・・・・・周辺部 ６・・・・・・・・・ファセット部 ４・・・・・・・・・ファセット検出部５・・・・・・
・・・露光部 ６・・・・・・・・・シャッター ７・・・・・・・・・ＵＶ光源 ８・・・・・・・・・石英７アイバー ９・・・・・・・・・コントロール部 １０ ・・・・・・ １１・・・・・・ツメ（断面） １２・・・・・ウェハーチャック １５・・・・・・ツメによる未露光部 １４・・・・・・半導体装置 １５・・・・・・パッシベーション膜欠落部１６・・・
・・・露光領域
Claims (1)
- （１）パターンを形成すべきウェハーの全面にフォトレ
ジストを付した前記ウェハーの周辺部を選択的に露光す
る工程において、前記露光をウェハーの周辺部の一部の
み行なう事を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209023A JPH0258213A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209023A JPH0258213A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258213A true JPH0258213A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=16565988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63209023A Pending JPH0258213A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258213A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62278705A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | 多木化学株式会社 | 透明導電材料 |
| JPH02288221A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-28 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板の周辺露光装置 |
| US7553474B2 (en) | 2004-08-17 | 2009-06-30 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Method for producing metal oxide sol |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP63209023A patent/JPH0258213A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62278705A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | 多木化学株式会社 | 透明導電材料 |
| JPH02288221A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-28 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板の周辺露光装置 |
| US7553474B2 (en) | 2004-08-17 | 2009-06-30 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Method for producing metal oxide sol |
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