JPH0258243A - 放熱板付半導体装置の製造方法 - Google Patents
放熱板付半導体装置の製造方法Info
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- JPH0258243A JPH0258243A JP20859188A JP20859188A JPH0258243A JP H0258243 A JPH0258243 A JP H0258243A JP 20859188 A JP20859188 A JP 20859188A JP 20859188 A JP20859188 A JP 20859188A JP H0258243 A JPH0258243 A JP H0258243A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 2
- 229920000954 Polyglycolide Polymers 0.000 description 14
- 235000010409 propane-1,2-diol alginate Nutrition 0.000 description 14
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放熱板をインサートモールドした樹脂封止型
半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造方法に関する。
樹脂封止型半導体装置の一例としてピングリッドアレイ
（以下ＰＧＡと略記する）について説明する。
（以下ＰＧＡと略記する）について説明する。
ＩＣチップを搭載したＰＧＡは近年それを交換して他の
機能に変換出来ることにより装置の応用範囲を広げるこ
とが行なわれてきており、この用途のためのＰＧＡの回
路基板としてセラミックが用いられてきた。
機能に変換出来ることにより装置の応用範囲を広げるこ
とが行なわれてきており、この用途のためのＰＧＡの回
路基板としてセラミックが用いられてきた。
このセラミック製の基板は、絶縁性に優れ、従って製品
としての信頼性が大きい反面、配線パターンを印刷、焼
付により行なうため収縮を伴ない、配線パターンを多く
したり細密パターン化することが困難であった。またパ
ターンの本数を多くすると可及的に大型化するとともに
、その単体での価格が高いという欠点があった。
としての信頼性が大きい反面、配線パターンを印刷、焼
付により行なうため収縮を伴ない、配線パターンを多く
したり細密パターン化することが困難であった。またパ
ターンの本数を多くすると可及的に大型化するとともに
、その単体での価格が高いという欠点があった。
このセラミック製の基板に代わるものとして近年、細密
パターン加工が可能で、かつ廉価な基板として樹脂基板
を用いたＰＧＡの開発が提案されており、本出願人は特
開昭６２−２４４１３９号公報にて下面側に複数のコン
タクトビンな有する樹脂基板のＩＣチップを載置した上
面と樹脂基板周囲の破断面とを成形樹脂によって完全に
被覆したパンケージング構造を提案した。
パターン加工が可能で、かつ廉価な基板として樹脂基板
を用いたＰＧＡの開発が提案されており、本出願人は特
開昭６２−２４４１３９号公報にて下面側に複数のコン
タクトビンな有する樹脂基板のＩＣチップを載置した上
面と樹脂基板周囲の破断面とを成形樹脂によって完全に
被覆したパンケージング構造を提案した。
しかし上記樹脂封止型のＰＧＡは、セラミック基板を用
いたＰＧＡに対し、細密パターン加工による小型化と廉
価とが可能であるにもかかわらず、未だに普及し得ない
理由として放熱特性の問題がある。
いたＰＧＡに対し、細密パターン加工による小型化と廉
価とが可能であるにもかかわらず、未だに普及し得ない
理由として放熱特性の問題がある。
すなわち、ＰＧＡに実装されるＩＣはチップサイズの大
きいＬＳＩであるため動作電流による発熱が多く、この
発熱を素早くパッケージ外へ放熱してやらないと前記Ｌ
ＳＩの温度が上昇することにより、その読出し速度が低
下したり、極端な場合はＬＳＩが熱破壊されてしまう問
題が発生する。
きいＬＳＩであるため動作電流による発熱が多く、この
発熱を素早くパッケージ外へ放熱してやらないと前記Ｌ
ＳＩの温度が上昇することにより、その読出し速度が低
下したり、極端な場合はＬＳＩが熱破壊されてしまう問
題が発生する。
上記問題を解決するものとして本出願人はすでに成形樹
脂の上面部に金属製の放熱部材をインサートモールドし
た樹脂封止型ＰＧＡの構造を特願昭６３−２５５１６号
及び特願昭６３−７２１９０号等により提案している。
脂の上面部に金属製の放熱部材をインサートモールドし
た樹脂封止型ＰＧＡの構造を特願昭６３−２５５１６号
及び特願昭６３−７２１９０号等により提案している。
第４図は放熱板８をインサートモールドした先願のＰＧ
Ａの成形状態を示す成形金型の要部断面図であり、上金
型９０には位置決め凹部９０ａと真空穴９０ｂとによっ
て構成される放熱板保持部が設けられており、前記放熱
板８が真空穴９０ｂの吸着力によって位置決め保持され
ている。
Ａの成形状態を示す成形金型の要部断面図であり、上金
型９０には位置決め凹部９０ａと真空穴９０ｂとによっ
て構成される放熱板保持部が設けられており、前記放熱
板８が真空穴９０ｂの吸着力によって位置決め保持され
ている。
又、下金型９１には凹部９１ａとコンタクトビンの退入
９１ｂとによって構成される基板保持部が設けられてお
り、凹部９１ａには下面側に複数のコンタクトビン２０
を備え、又上面側にＩＣチップ１を実装した樹脂基板２
が位置決め保持されている。
９１ｂとによって構成される基板保持部が設けられてお
り、凹部９１ａには下面側に複数のコンタクトビン２０
を備え、又上面側にＩＣチップ１を実装した樹脂基板２
が位置決め保持されている。
又、前記上金型９０と下金型９１とが密着するバーテン
グライン（ＰＬ）の位置には、前記下金型に形成された
凸部９１ｄにより成形樹脂６を注入するための湯口９１
ｃが設けられている。
グライン（ＰＬ）の位置には、前記下金型に形成された
凸部９１ｄにより成形樹脂６を注入するための湯口９１
ｃが設けられている。
従来この湯口９１ｃをバーテングライン（Ｐ Ｌ）の位
置に設ける理由としては、成形金型の構造を出来るだけ
単純化して製作費を安くするとともに、耐久性を良くす
るためである。
置に設ける理由としては、成形金型の構造を出来るだけ
単純化して製作費を安くするとともに、耐久性を良くす
るためである。
すなわち、成形金型の一般的な構成としては、第４図の
ごとく下金型に彫り込み加工忙よって回路基板等を収納
するための複雑な凹部を形成し、上金型にはあまり複雑
な彫り込み加工は施さない構造となっており前記湯口９
１ｃは下金型９１に彫り込み加工によって設けられた凸
部９１ｄと上金型９０の下面とによって構成されるサイ
ドゲート構成とするのが最も単純化された構造といえる
。
ごとく下金型に彫り込み加工忙よって回路基板等を収納
するための複雑な凹部を形成し、上金型にはあまり複雑
な彫り込み加工は施さない構造となっており前記湯口９
１ｃは下金型９１に彫り込み加工によって設けられた凸
部９１ｄと上金型９０の下面とによって構成されるサイ
ドゲート構成とするのが最も単純化された構造といえる
。
しかるに第４図に示す成形金型に於いて湯口９１ｃより
成形樹脂６を注入した場合を考えると、前記特開昭６２
−２４４１３９号公報のごとく放熱板８が存在しない場
合は成形樹脂６が樹脂基板２の上面側より注入すること
によって良好なインサートモールドが行われる。
成形樹脂６を注入した場合を考えると、前記特開昭６２
−２４４１３９号公報のごとく放熱板８が存在しない場
合は成形樹脂６が樹脂基板２の上面側より注入すること
によって良好なインサートモールドが行われる。
しかし第４図に示すごとく放熱板８が存在する場合は、
注入される成形樹脂６の流入圧力が矢印Ａで示すごとく
放熱板８の側面に加わることにより、前記放熱板８が位
置ずれを生じ、変位した状態でモールドされるという問
題が発生する。
注入される成形樹脂６の流入圧力が矢印Ａで示すごとく
放熱板８の側面に加わることにより、前記放熱板８が位
置ずれを生じ、変位した状態でモールドされるという問
題が発生する。
上記放熱板８の位置ずれは、前記真空穴９０ｂの吸着力
によって放熱板８に加えられる保持力よりも成形樹脂乙
の流入圧力の方が強（なることによって生ずるものであ
る。
によって放熱板８に加えられる保持力よりも成形樹脂乙
の流入圧力の方が強（なることによって生ずるものであ
る。
従って前記放熱板８の位置ずれを防止する方法としては
、前記下金型９１にノックビンを設け、このノックビン
により放熱板８を上金型９０に対して強く保持すること
が考えられる。しかしこの７ソクビンを設ける方式は成
形金型の構造が複雑になるとともに、成形品に対してノ
ックビンの跡が残る結果となり、外観上及び信頼性上の
問題が残る。
、前記下金型９１にノックビンを設け、このノックビン
により放熱板８を上金型９０に対して強く保持すること
が考えられる。しかしこの７ソクビンを設ける方式は成
形金型の構造が複雑になるとともに、成形品に対してノ
ックビンの跡が残る結果となり、外観上及び信頼性上の
問題が残る。
本発明の目的は、成形金型の構造を複雑にすることなく
、かつ放熱板の位置ずれを生じない放熱板付半導体装置
の製造方法を提供することにある。
、かつ放熱板の位置ずれを生じない放熱板付半導体装置
の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明の要旨は下記の通りで
ある。
ある。
複数のコンタクト端子を有する樹脂基板にＩＣチップを
実装し、該ＩＣチップを成形金型を用いて射出成形によ
り樹脂封止するとともに、前記射出成形によって形成さ
れた封止樹脂の上面部には、金属製の放熱板が、インサ
ートモールドによって一体化されている放熱板付半導体
装置の製造方法に於いて前記成形金型を構成する下金型
には前記樹脂基板を保持するための基板保持部を、又上
金型には前記放熱板を保持するための放熱板保持部を有
し、かつ前記上金型に保持された放熱板と、下金型に保
持された樹脂基板によって形成された空隙部に成形樹脂
を注入するための湯口を設けたことを特徴とする。
実装し、該ＩＣチップを成形金型を用いて射出成形によ
り樹脂封止するとともに、前記射出成形によって形成さ
れた封止樹脂の上面部には、金属製の放熱板が、インサ
ートモールドによって一体化されている放熱板付半導体
装置の製造方法に於いて前記成形金型を構成する下金型
には前記樹脂基板を保持するための基板保持部を、又上
金型には前記放熱板を保持するための放熱板保持部を有
し、かつ前記上金型に保持された放熱板と、下金型に保
持された樹脂基板によって形成された空隙部に成形樹脂
を注入するための湯口を設けたことを特徴とする。
以下図面により本発明の実施例を詳述する。
（第１実施例）
第１図は本発明の第１実施例である放熱板をインサート
モールドしたＰＧＡの成形金型を示す要部断面図、第３
図は本発明のＰＧＡの斜視図である。
モールドしたＰＧＡの成形金型を示す要部断面図、第３
図は本発明のＰＧＡの斜視図である。
第１図に於いて第４図と異るところは前記下金型９１の
凸部９１ｄの高さを下げるとともに、この凸部９１ｄに
対応して前記上金型９０にも凸部９０ｄを形成したこと
であ・る。
凸部９１ｄの高さを下げるとともに、この凸部９１ｄに
対応して前記上金型９０にも凸部９０ｄを形成したこと
であ・る。
そして前記凸部９０ｄと凸部９１ｄとを各々適切な高さ
に設定することによって前記上金型９０妊保持された放
熱板８と下金型９１に保持された樹脂基板２とによって
形成された空隙部１０の位置に湯口９１ｃを設けたもの
である。
に設定することによって前記上金型９０妊保持された放
熱板８と下金型９１に保持された樹脂基板２とによって
形成された空隙部１０の位置に湯口９１ｃを設けたもの
である。
次に第１図に示す成形金型に於いて湯口９１Ｃより成形
樹脂６を注入した場合を考えると、湯口９１ｃより注入
された成形樹脂６の流入圧力は矢印Ｂで示すごとく放熱
板８の下面側に加わることにより放熱板８は上金型９０
の放熱板保持部に対して、より強く保持される結果とな
り、位置ずれの心配がな（なる。
樹脂６を注入した場合を考えると、湯口９１ｃより注入
された成形樹脂６の流入圧力は矢印Ｂで示すごとく放熱
板８の下面側に加わることにより放熱板８は上金型９０
の放熱板保持部に対して、より強く保持される結果とな
り、位置ずれの心配がな（なる。
従って第３図に示すごとく放熱板８が正しくインサート
モールドされたＰＧＡが完成し、そしてゲート残り６ａ
が成形樹脂乙の中間部に存在している。
モールドされたＰＧＡが完成し、そしてゲート残り６ａ
が成形樹脂乙の中間部に存在している。
（第２実施例）
第２図は本発明の第２実施例であるＰＧＡの成形金型を
示す要部断面図である。第１図と異るところは前記上金
型９０に放熱板８を収納するための凹部９０ｃを形成す
ることによってバーテングライン（ＰＬ）の位置を下方
に移動させ、止金型９０の下面と下金型９１に設けられ
た凸部９１ｄとによって湯口９１ｃを形成したものであ
る。
示す要部断面図である。第１図と異るところは前記上金
型９０に放熱板８を収納するための凹部９０ｃを形成す
ることによってバーテングライン（ＰＬ）の位置を下方
に移動させ、止金型９０の下面と下金型９１に設けられ
た凸部９１ｄとによって湯口９１ｃを形成したものであ
る。
上記構成に於いても第１実施例と同様湯口９１ｃが空隙
部１０の位置に設けられているため成形樹脂６の流入圧
力は矢印Ｂで示すごとく放熱板８を上金型９０の放熱板
保持部に対して強く保持させる効果を有する。
部１０の位置に設けられているため成形樹脂６の流入圧
力は矢印Ｂで示すごとく放熱板８を上金型９０の放熱板
保持部に対して強く保持させる効果を有する。
上記のごとく本発明によれば、成形金をの湯口の位置を
放熱板と樹脂基板とにより形成される空隙部に設定する
ことによって放熱板の位置ずれを防止することが出来る
ため、上金型に対する放熱板の保持を真空吸着のごとく
、極めて簡単な方式にて行うことが可能となる。
放熱板と樹脂基板とにより形成される空隙部に設定する
ことによって放熱板の位置ずれを防止することが出来る
ため、上金型に対する放熱板の保持を真空吸着のごとく
、極めて簡単な方式にて行うことが可能となる。
この結果、成形金型の構造としては、ノックビンを必要
としない単純な構成とすることが出来、又、完成された
成形品にはノックビンの跡や、放熱板の変位等が発生し
ないため、外観品質及び信頼性の優れた放熱板付半導体
装置を提供する上で大なる効果を有する。
としない単純な構成とすることが出来、又、完成された
成形品にはノックビンの跡や、放熱板の変位等が発生し
ないため、外観品質及び信頼性の優れた放熱板付半導体
装置を提供する上で大なる効果を有する。
第１図及び第２図は本発明の放熱板をインサートモール
ドしたＰＧＡの成形金型を示す要部断面図、第３図は本
発明ＰＧＡの外観斜視図、第４図は従来の放熱板をイン
サートモールドしたＰＧＡの成形金型を示す要部断面図
である。 １・・・・・・ＩＣチップ、 ２・・・・・・樹脂基
板、６・・・・・・成形樹脂、 ８・・・・・・放
熱板。 ９０・・・・・・上金型、 ？１・・・・・・下金
型。 第 図 第 図 Ｕ 第 図
ドしたＰＧＡの成形金型を示す要部断面図、第３図は本
発明ＰＧＡの外観斜視図、第４図は従来の放熱板をイン
サートモールドしたＰＧＡの成形金型を示す要部断面図
である。 １・・・・・・ＩＣチップ、 ２・・・・・・樹脂基
板、６・・・・・・成形樹脂、 ８・・・・・・放
熱板。 ９０・・・・・・上金型、 ？１・・・・・・下金
型。 第 図 第 図 Ｕ 第 図
Claims (1)
- 複数のコンタクト端子を有する樹脂基板にＩＣチップを
実装し、該ＩＣチップを成形金型を用いて射出成形によ
り樹脂封止するとともに、前記射出成形によって形成さ
れた封止樹脂の上面部には、金属製の放熱板が、インサ
ートモールドによって一体化されている放熱板付半導体
装置の製造方法に於いて前記成形金型を構成する下金型
には前記樹脂基板を保持するための基板保持部を、又上
金型には前記放熱板を保持するための放熱板保持部を有
し、かつ前記上金型に保持された放熱板と、下金型に保
持された樹脂基板によって形成された空隙部に成形樹脂
を注入するための湯口を設けたことを特徴とする放熱板
付半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208591A JP2585387B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 放熱板付半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208591A JP2585387B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 放熱板付半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258243A true JPH0258243A (ja) | 1990-02-27 |
| JP2585387B2 JP2585387B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=16558730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63208591A Expired - Lifetime JP2585387B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 放熱板付半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2585387B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5147821A (en) * | 1990-09-28 | 1992-09-15 | Motorola, Inc. | Method for making a thermally enhanced semiconductor device by holding a leadframe against a heatsink through vacuum suction in a molding operation |
| WO1997031394A1 (fr) * | 1996-02-22 | 1997-08-28 | Nitto Denko Corporation | Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP63208591A patent/JP2585387B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5147821A (en) * | 1990-09-28 | 1992-09-15 | Motorola, Inc. | Method for making a thermally enhanced semiconductor device by holding a leadframe against a heatsink through vacuum suction in a molding operation |
| WO1997031394A1 (fr) * | 1996-02-22 | 1997-08-28 | Nitto Denko Corporation | Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication |
| US6144108A (en) * | 1996-02-22 | 2000-11-07 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor device and method of fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2585387B2 (ja) | 1997-02-26 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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