JPH039538A - 半導体装置用樹脂封止金型 - Google Patents
半導体装置用樹脂封止金型Info
- Publication number
- JPH039538A JPH039538A JP14635489A JP14635489A JPH039538A JP H039538 A JPH039538 A JP H039538A JP 14635489 A JP14635489 A JP 14635489A JP 14635489 A JP14635489 A JP 14635489A JP H039538 A JPH039538 A JP H039538A
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- Japan
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- semiconductor element
- resin
- element mounting
- mold
- mounting part
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- Pending
Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 title abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title abstract description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用樹脂封止金型に関する。
従来、この種の樹脂封止金型は、第７図の縦断面図に示
すように上金型１と下金型２とからなっている。この金
型は、上下二つの金型の間に挟まれて設置された半導体
素子７を所定形状の樹脂モールドＩＣとして封止するた
めの中空部（以下キャビティ部３という）と、樹脂の通
路となるランナ一部４と、ランナ一部４から各キャビテ
ィ部３への注入口となるゲート部５とから構成されてい
る。
すように上金型１と下金型２とからなっている。この金
型は、上下二つの金型の間に挟まれて設置された半導体
素子７を所定形状の樹脂モールドＩＣとして封止するた
めの中空部（以下キャビティ部３という）と、樹脂の通
路となるランナ一部４と、ランナ一部４から各キャビテ
ィ部３への注入口となるゲート部５とから構成されてい
る。
上述した従来の半導体装置用樹脂封止金型は、封入樹脂
がキャビティ部の横一方向から充填されるため、半導体
素子搭載部が樹脂圧力で傾くという欠点がある。
がキャビティ部の横一方向から充填されるため、半導体
素子搭載部が樹脂圧力で傾くという欠点がある。
この傾きがひどい場合には、第９図の縦断面図。
に示すように、リードｌθと半導体素子７とを電気的に
接続する金属細線８を切断したり、また金属細線８がパ
ッケージ表面である樹脂１３から露出してしまうことも
ある。
接続する金属細線８を切断したり、また金属細線８がパ
ッケージ表面である樹脂１３から露出してしまうことも
ある。
近年、マイコンやゲートアレイなどの半導体素子の集積
度が急増し、半導体素子の面積も急激に大きくなってい
る。それに伴い、パッケージのビン数も急激に増えてい
る。
度が急増し、半導体素子の面積も急激に大きくなってい
る。それに伴い、パッケージのビン数も急激に増えてい
る。
この超多ビンの樹脂モールドパッケージは、設計の際に
半導体素子搭載部を大きく、外部リード間ピッチを狭く
、内部リードの幅を細く且つ長さを短く設計されている
。
半導体素子搭載部を大きく、外部リード間ピッチを狭く
、内部リードの幅を細く且つ長さを短く設計されている
。
更に多ビンにしようとするとリードフレームの加工精度
を越えるため、第８図の縦断面図に示すように、銅配線
１２などの微細配線を巡らしたプリント基板１１を半導
体素子搭載部９の上に設置した半導体装置も考案されて
いる。
を越えるため、第８図の縦断面図に示すように、銅配線
１２などの微細配線を巡らしたプリント基板１１を半導
体素子搭載部９の上に設置した半導体装置も考案されて
いる。
このような超多ビンパッケージは、半導体素子搭載部が
従来より大きいため、小さな樹脂圧力でも半導体素子搭
載部が傾いてしまい、前記欠点が生じ易い。
従来より大きいため、小さな樹脂圧力でも半導体素子搭
載部が傾いてしまい、前記欠点が生じ易い。
本発明は、上下金型でリードフレームを挟みこの上下金
型で形成される中空部に樹脂を封入して樹脂封止を行う
半導体装置用樹脂封止金型において、前記中空部を形成
する上下金型のそれぞれの主型面に半導体素子搭載部を
押さえる突起部を設けた半導体装置用樹脂封止金型であ
る。
型で形成される中空部に樹脂を封入して樹脂封止を行う
半導体装置用樹脂封止金型において、前記中空部を形成
する上下金型のそれぞれの主型面に半導体素子搭載部を
押さえる突起部を設けた半導体装置用樹脂封止金型であ
る。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す斜視図である。第
２図は半導体素子を搭載したリードフレームを挟み込ん
でいる時の上記実施例の縦断面図であり、第３図はその
下金型の平面図である。第４図（ａ）、（ｂ）は上記実
施例の突起部の位置が異なる上金型及び下金型の平面図
である。
２図は半導体素子を搭載したリードフレームを挟み込ん
でいる時の上記実施例の縦断面図であり、第３図はその
下金型の平面図である。第４図（ａ）、（ｂ）は上記実
施例の突起部の位置が異なる上金型及び下金型の平面図
である。
第１図において、上金型１と下金型２のキャビティ部３
の主型面には、円錐状の突起部６がそれぞれ設けられて
゛いる。この例では、突起部６は上下金型共それぞれ同
じ位置に配置されているが、第４図（ａ）、（ｂ）に示
すように、上下それぞれ違う位置でも楕わない。
の主型面には、円錐状の突起部６がそれぞれ設けられて
゛いる。この例では、突起部６は上下金型共それぞれ同
じ位置に配置されているが、第４図（ａ）、（ｂ）に示
すように、上下それぞれ違う位置でも楕わない。
第２図において、上金型１及び下金型２にある突起部６
は、半導体素子搭載部９とその上に設置されているプリ
ント基板】１を上下方向から押さえている。この突起部
６は金属細線８に接触しない位置に配置する。
は、半導体素子搭載部９とその上に設置されているプリ
ント基板】１を上下方向から押さえている。この突起部
６は金属細線８に接触しない位置に配置する。
第５図及び第６図は、本発明の第２の実施例の縦断面図
であり、第５図は樹脂を封入する前の状態を示し、第６
図は封入した直後の状態を示している。
であり、第５図は樹脂を封入する前の状態を示し、第６
図は封入した直後の状態を示している。
この実施例では、突起部６が上下に可動する構造を備え
ている。この金型を使用して、硬化したモールド樹脂を
離型する際、第６図のように上金型１と下金型２に存在
する突起部６が主型面下まで引っ込む。
ている。この金型を使用して、硬化したモールド樹脂を
離型する際、第６図のように上金型１と下金型２に存在
する突起部６が主型面下まで引っ込む。
このように突起部がキャビティ部の主型面の下まで引っ
込むため、第１の実施例に比べ封止した半導体装置を金
型から取り出し易いという利点がある。
込むため、第１の実施例に比べ封止した半導体装置を金
型から取り出し易いという利点がある。
以上説明したように本発明は、金型のキャビティ部の主
型面に半導体素子搭載部を押さえる突起部を有すること
により、封入時の樹脂圧力に対し半導体素子搭載部が傾
かないという効果がある。
型面に半導体素子搭載部を押さえる突起部を有すること
により、封入時の樹脂圧力に対し半導体素子搭載部が傾
かないという効果がある。
第２の利点として、半導体素子搭載部が傾かないので、
半導体素子及び半導体素子搭載部をパッケージ高さの中
央に置く必要がなく、中央よりも上や下に置くことがで
きるため、半導体装置の設計や組立の自由度が向上する
という効果がある。
半導体素子及び半導体素子搭載部をパッケージ高さの中
央に置く必要がなく、中央よりも上や下に置くことがで
きるため、半導体装置の設計や組立の自由度が向上する
という効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す斜視図、第２図は
その縦断面図、第３図はその下金型の平面図、第４図（
ａ）、（ｂ）はそれぞれその上金型及び下金型の平面図
、第５図及び第６図はそれぞれ本発明の第２の実施例を
示す縦断面図、第７図、第８図及び第９図はそれぞれ従
来の半導体装置用樹脂封止金型を示す縦断面図である。 １・・・上金型、２・・・下金型、３・・・キャビティ
部、４・・・ランナ一部、５・・・ゲート部、６・・・
突起部、７・・・半導体素子、８・・・金属細線、９・
・・半導体素子搭載部、１０・・・リード、１１・・・
プリント基板、１２・・・銅配線、１３・・・樹脂。
その縦断面図、第３図はその下金型の平面図、第４図（
ａ）、（ｂ）はそれぞれその上金型及び下金型の平面図
、第５図及び第６図はそれぞれ本発明の第２の実施例を
示す縦断面図、第７図、第８図及び第９図はそれぞれ従
来の半導体装置用樹脂封止金型を示す縦断面図である。 １・・・上金型、２・・・下金型、３・・・キャビティ
部、４・・・ランナ一部、５・・・ゲート部、６・・・
突起部、７・・・半導体素子、８・・・金属細線、９・
・・半導体素子搭載部、１０・・・リード、１１・・・
プリント基板、１２・・・銅配線、１３・・・樹脂。
Claims (1)
- 上下金型でリードフレームを挟みこの上下金型で形成さ
れる中空部に樹脂を封入して樹脂封止を行う半導体装置
用樹脂封止金型において、前記中空部を形成する上下金
型のそれぞれの主型面に半導体素子搭載部を押さえる突
起部を設けたことを特徴とする半導体装置用樹脂封止金
型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14635489A JPH039538A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 半導体装置用樹脂封止金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14635489A JPH039538A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 半導体装置用樹脂封止金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH039538A true JPH039538A (ja) | 1991-01-17 |
Family
ID=15405821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14635489A Pending JPH039538A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 半導体装置用樹脂封止金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH039538A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268101A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法、電子装置、リ−ドフレ−ム並びに実装基板 |
| JP2008091763A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法および実装基板の製造方法 |
| WO2025173402A1 (ja) * | 2024-02-15 | 2025-08-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-07 JP JP14635489A patent/JPH039538A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268101A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法、電子装置、リ−ドフレ−ム並びに実装基板 |
| JP2008091763A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法および実装基板の製造方法 |
| WO2025173402A1 (ja) * | 2024-02-15 | 2025-08-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法 |
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