JPH0258861A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路装置、特に抵抗およびＰＮ接
合コンデンサの構造に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の半導体集積回路装置の抵抗およびＰＮ接
合コンデンサは、シリコン上またはポリシリコン上に、
ポロンまたは、リンおよびヒ素などをイオン注入および
拡散という不純物導入技術を用いて形成していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の半導体集積回路装置の抵抗は通常抵抗値
の大小により数種の層抵抗で形成している。この場合、
一種類の層抵抗を形成するには、層抵抗ごとにホトリソ
グラフィーと不純物導入工程を必要とする。この場合、
層抵抗の種類だけ、ホトリソグラフィーおよび不純物導
入工程をふやさなければならず、工程数によって層抵抗
の種類が制限されるという欠点がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の抵抗を有する半導体集積回路装置は、第１導電
型の基板上に形成された第２導電型の埋込層および第１
導電型拡散層あるいは酸化膜層によって形成された絶縁
分離領域に囲まれた第２導電型領域において、前記第２
導電型領域中に複数の第１導電型島状領域を形成し、前
記第２導電型領域の不純物濃度が少なくとも一つの第１
導電型島状領域の周囲で高いことを特徴としている。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。

エピタキシャル成長層ｌはその不純物濃度が、方の抵抗
の周囲で高く、他方の抵抗の周囲で低い構造となってい
る。

次に製造方法を説明する。

Ｐ型シリコン基板２上にＮ＋型埋込層３を形成した後、
エピタキシャル成長層１を形成する。このエピタキシャ
ル成長層１にＰ＋型拡散または酸化膜を用いて絶縁分離
領域４を形成した後、アルミをマスクとして、一方の抵
抗が出来るエピタキシャル成長層１にＡｓのイオン注入
を行う。次にＰ型抵抗領域５およびＰ＋型抵抗コンタク
ト領域６を形成して２種類の層抵抗の抵抗が出来上る。

さらに抵抗領域を°Ｐ型およびＰ＋型２種のイオン注入
にて形成すれば４種類の抵抗が出来上る。

第２図は本発明の実施例２の縦断面図である。

エピタキシャル成長層ｌは、その不純物濃度が一方のＰ
Ｎコンデンサの周囲で高く、他方の周囲で低い構造にな
っている。

この実施例では、エピタキシャル成長層１の不純物濃度
が高い部分と低い部分がある為、ＰＮ：２ンデンサを形
成すると、空乏層の出来方が異なる為、２種類の単位容
量を持つコンデンサが出来るという利点がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、エピタキシャル成長層の
不純物濃度の高い部分と低い部分を形成することにより
、容易に２種類の層抵抗ができるという効果がある。

さらに、抵抗領域をＰ型、Ｐ＋型の２種類のイオン注入
にて形成すれば４種類の抵抗が出来、掛算的に層抵抗の
種類をふやすことができる効果がある。また、このエピ
タキシャル成長層を用いてＰＮコンデンサを形成すると
、２種類の単位容量ができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は本発明
の実施例２の縦断面図である。 １・・・・・・エピタキシャル成長層（・・・不純物の
濃度が高い部分）、２・・・・・・Ｐ型シリコン基板、
３・・・・・・Ｎ＋型埋込層、４・・・・・・絶縁分離
領域（Ｐ型拡散領域あるいは酸化膜領域）、５・・・・
・・Ｐ型抵抗領域、６・・・・・・Ｐ４型抵抗コンタク
ト領域、７・・・・・・Ｐ型コンデンサ領域、８・・・
・・・Ｎ＋型コレクタ領域。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋 第　１　閏 ／コーク 竿　２　回

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　第１導電型の基板上に形成された第２導電型の埋込層
   および第１導電型拡散層あるいは酸化膜層によって形成
   された絶縁分離領域に囲まれた第２導電型領域において
   、前記第２導電型領域中に複数の第１導電型島状領域を
   形成し、前記第２導電型領域の不純物濃度が少なくとも
   一つの第１導電型島状領域の周囲で高いことを特徴とす
   る半導体集積回路装置。