JPH0259563B2 - - Google Patents
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- JPH0259563B2 JPH0259563B2 JP58216416A JP21641683A JPH0259563B2 JP H0259563 B2 JPH0259563 B2 JP H0259563B2 JP 58216416 A JP58216416 A JP 58216416A JP 21641683 A JP21641683 A JP 21641683A JP H0259563 B2 JPH0259563 B2 JP H0259563B2
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- JP
- Japan
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- weight
- silver
- substrate
- cadmium
- metallization
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
- H05K3/247—Finish coating of conductors by using conductive pastes, inks or powders
- H05K3/248—Finish coating of conductors by using conductive pastes, inks or powders fired compositions for inorganic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
- C23C24/08—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat
- C23C24/10—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat with intermediate formation of a liquid phase in the layer
- C23C24/103—Coating with metallic material, i.e. metals or metal alloys, optionally comprising hard particles, e.g. oxides, carbides or nitrides
- C23C24/106—Coating with metal alloys or metal elements only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
-
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は厚膜ペースト組成物に関する。更に詳
しくは本発明は金属表面上の金属化物として使用
するための銀の微細粒子とカドミウム／アンチモ
ン合金の微細粒子との混合物を含有する組成物に
関する。
しくは本発明は金属表面上の金属化物として使用
するための銀の微細粒子とカドミウム／アンチモ
ン合金の微細粒子との混合物を含有する組成物に
関する。
銀の価格が高いので、その独特の性質の組合せ
を必要とする部分のみに銀を使用することが望ま
しい。ワイヤボンデイングパツドは比較的多量の
銀を使用するデバイス一例である。
を必要とする部分のみに銀を使用することが望ま
しい。ワイヤボンデイングパツドは比較的多量の
銀を使用するデバイス一例である。
厚膜ペースト組成物のスクリーン印刷により
0.01〜0.04mm厚さの範囲でそして0.2〜0.5mm程度
の小さな直径の焼成フイルムを簡単に生成させる
ことができる。しかしながら利用可能な厚膜銀組
成物は通常セラミツク基材上で焼成することによ
り導線、ワイヤボンデイングパツドまたはリード
取付用はんだ可能なパツドを形成するものであ
る。これらの厚膜銀金組成物は金属基材上で焼成
された場合、接着性に問題があるため機能的な金
属化物を生成しない。コネクター接点用金属化物
のための組成物は不経済な基材の清浄を行なわず
にまたは腐食性フラツクスを使用しなくても、銅
一卑金属基材の一定の範囲に十分に接着しなくて
はならない。そしてそれは下に存在する金属と良
好な電気的接触を形成しなくてはならない。厚膜
銀組成物に対する以上のような必要性が存在して
いる。
0.01〜0.04mm厚さの範囲でそして0.2〜0.5mm程度
の小さな直径の焼成フイルムを簡単に生成させる
ことができる。しかしながら利用可能な厚膜銀組
成物は通常セラミツク基材上で焼成することによ
り導線、ワイヤボンデイングパツドまたはリード
取付用はんだ可能なパツドを形成するものであ
る。これらの厚膜銀金組成物は金属基材上で焼成
された場合、接着性に問題があるため機能的な金
属化物を生成しない。コネクター接点用金属化物
のための組成物は不経済な基材の清浄を行なわず
にまたは腐食性フラツクスを使用しなくても、銅
一卑金属基材の一定の範囲に十分に接着しなくて
はならない。そしてそれは下に存在する金属と良
好な電気的接触を形成しなくてはならない。厚膜
銀組成物に対する以上のような必要性が存在して
いる。
本発明者は金属基材上に接着性で低接触抵抗性
の金属化物を生成させるための厚膜銀組成物を発
見した。この組成物は不活性液体ベヒクル中に分
散せしめられた微細分割された無機粉末より構成
されている。この無機粉末は (A) 65〜95重量％（無機固体分基準）の銀および (B) ５〜35重量％（無機固体分基準）のカドミウ
ム／アンチモン（Cd／Sb）合金 を包含している。
の金属化物を生成させるための厚膜銀組成物を発
見した。この組成物は不活性液体ベヒクル中に分
散せしめられた微細分割された無機粉末より構成
されている。この無機粉末は (A) 65〜95重量％（無機固体分基準）の銀および (B) ５〜35重量％（無機固体分基準）のカドミウ
ム／アンチモン（Cd／Sb）合金 を包含している。
この無機粉末のベヒクルに対する比率は所望さ
れる粘度によつて選択されるべきであるがしかし
通常は印刷可能なペーストの製造のためには60〜
95重量％の無機粉末および５〜40重量％のベヒク
ルが使用される。
れる粘度によつて選択されるべきであるがしかし
通常は印刷可能なペーストの製造のためには60〜
95重量％の無機粉末および５〜40重量％のベヒク
ルが使用される。
本組成物は不活性液体ベヒクル中に分散された
微細分割銀粒子とカドミウム／アンチモン
（Cd／Sb）合金の微細分割粒子より構成されてい
る。「微細分割」なる表現は実質的にすべての固
体物質が最大寸法10μ以下の粉末粒子として存在
することを意味している。そのような粉末により
平滑で解像力にすぐれたプリントを形成する組成
物が得られる。微細な解像力を必要としない用途
またはスクリーン印刷以外の適用技術（例えばシ
リンジ分配など）のためにはより大きな粒子を使
用することができる。ベヒクルは粉末配置の便宜
のためにのみ存在しそして本発明の粉末の乾燥混
合物を基材上に分配および配置することを含めて
他の適用技術も同等に有効である。
微細分割銀粒子とカドミウム／アンチモン
（Cd／Sb）合金の微細分割粒子より構成されてい
る。「微細分割」なる表現は実質的にすべての固
体物質が最大寸法10μ以下の粉末粒子として存在
することを意味している。そのような粉末により
平滑で解像力にすぐれたプリントを形成する組成
物が得られる。微細な解像力を必要としない用途
またはスクリーン印刷以外の適用技術（例えばシ
リンジ分配など）のためにはより大きな粒子を使
用することができる。ベヒクルは粉末配置の便宜
のためにのみ存在しそして本発明の粉末の乾燥混
合物を基材上に分配および配置することを含めて
他の適用技術も同等に有効である。
組成物中の銀は無機固体分の65〜95重量％、そ
して好ましくは75〜90重量％そしてより好ましく
は82〜88重量％を占めるべきである。
して好ましくは75〜90重量％そしてより好ましく
は82〜88重量％を占めるべきである。
Cd／Sbは無機固体分の５〜35重量％、そして
好ましくは10〜25重量％、そしてより好ましくは
12〜18重量％を構成すべきである。このカドミウ
ム／アンチモン合金は所望量のカドミウムおよび
アンチモン耐熱性るつぼ中で窒素雰囲気下に一緒
に溶融させて均質液体合金を生成させることによ
り製造される。この液体合金を放置して固化さ
せ、そして得られたインゴツトを粉砕し微細粉末
とする。あるいはまた微細合金粉末は均質液体合
金の霧化（アトマイゼーシヨン）により製造する
ことができる。
好ましくは10〜25重量％、そしてより好ましくは
12〜18重量％を構成すべきである。このカドミウ
ム／アンチモン合金は所望量のカドミウムおよび
アンチモン耐熱性るつぼ中で窒素雰囲気下に一緒
に溶融させて均質液体合金を生成させることによ
り製造される。この液体合金を放置して固化さ
せ、そして得られたインゴツトを粉砕し微細粉末
とする。あるいはまた微細合金粉末は均質液体合
金の霧化（アトマイゼーシヨン）により製造する
ことができる。
カドミウム／アンチモン合金のアンチモン含量
は25〜80重量％、そして好ましくは40〜75重量
％、そしてより好ましくは45〜65重量％である。
は25〜80重量％、そして好ましくは40〜75重量
％、そしてより好ましくは45〜65重量％である。
金属基材上での印刷組成物の焼成の間、Cd／
Sbは焼成サイクルの初めに約350〜550℃で溶融
しそして温度が更に上昇すると銀がこの液体中に
溶解して成分の間で合金を形成しそして良好に焼
結した凝集性の金属化物を生成する。この液体相
は金属基材をぬらしそして基材の最も表面の層を
一部溶解させて基材への良好な接着および電気的
接触を生ぜしめる。基材のいくらかは溶解するの
であるから、焼成後の金属化物組成は正確には焼
成前のその組成と同一ではない。この基材成分の
取り込み程度は基材の化学組成および金属化物の
厚さならびに加熱サイクルの性質により変動す
る。一般に基材の相互作用は比較的高い融点の基
材例えば銅−ニツケルの使用によりまたはより高
い融点の金属例えばニツケルでコーテイングされ
た基材の使用により最小ならしめることができ
る。焼結温度まで迅速に加熱すると、基材の溶融
とそれに由来する金属化物の浸み込みとを回避す
る助けにもなる。
Sbは焼成サイクルの初めに約350〜550℃で溶融
しそして温度が更に上昇すると銀がこの液体中に
溶解して成分の間で合金を形成しそして良好に焼
結した凝集性の金属化物を生成する。この液体相
は金属基材をぬらしそして基材の最も表面の層を
一部溶解させて基材への良好な接着および電気的
接触を生ぜしめる。基材のいくらかは溶解するの
であるから、焼成後の金属化物組成は正確には焼
成前のその組成と同一ではない。この基材成分の
取り込み程度は基材の化学組成および金属化物の
厚さならびに加熱サイクルの性質により変動す
る。一般に基材の相互作用は比較的高い融点の基
材例えば銅−ニツケルの使用によりまたはより高
い融点の金属例えばニツケルでコーテイングされ
た基材の使用により最小ならしめることができ
る。焼結温度まで迅速に加熱すると、基材の溶融
とそれに由来する金属化物の浸み込みとを回避す
る助けにもなる。
金属化物のCd／Sb含量が異常に高い場合には、
基材の溶融は過剰となりそして焼成サイクルの初
期に形成された液相が原画印刷部分の境界を越え
て流れ出す。低すぎるCd／Sb含量は不充分な焼
結および基材接着の結果となる。当業者は使用さ
れるべきCd／Sb量を使用される加熱サイクルお
よび金属基材によつて調整しなくてはならないこ
とを知るであろう。
基材の溶融は過剰となりそして焼成サイクルの初
期に形成された液相が原画印刷部分の境界を越え
て流れ出す。低すぎるCd／Sb含量は不充分な焼
結および基材接着の結果となる。当業者は使用さ
れるべきCd／Sb量を使用される加熱サイクルお
よび金属基材によつて調整しなくてはならないこ
とを知るであろう。
これら金属化物の有利な性質を変化させないそ
の他の金属を中程度の量において添加することは
許容されうる。特に白金またはパラジウムの添加
は通常の厚膜銀組成物中におけるようにこの金属
化物をさび、はんだ中の銀の移動および浸出に対
してより抵抗性にすることができると考えられ
る。
の他の金属を中程度の量において添加することは
許容されうる。特に白金またはパラジウムの添加
は通常の厚膜銀組成物中におけるようにこの金属
化物をさび、はんだ中の銀の移動および浸出に対
してより抵抗性にすることができると考えられ
る。
本発明の厚膜銀伝導体組成物に使用されるベヒ
クルは通常の銀伝導体組成物に一般に使用される
任意のものであることができ、そしてこれらとし
ては樹脂例えばエチルセルロース樹脂、ポリブチ
ルメタクリレート、ポリ−α−メチルスチレンま
たはポリ（エチレンビニルアセテート）の溶液ま
たは分散液があげられる。適当な溶媒または分散
媒は樹脂と物理的に相容性でなくてはならず、そ
して得られる溶液または分散液は銀金属化組成物
の他の成分に関して化学的に不活性でなくてはな
らない。濃厚化剤（シツクナー）および／または
安定剤および／または他の一般的添加剤（例えば
チクソトロピー剤および湿潤剤）を伴うかまたは
伴わない種々の有機液体のいずれか一つをこの有
機樹脂用担体として使用することができる。適当
な有機液体としては脂肪族アルコール（例えば１
−デカノール）、そのようなアルコールのエステ
ル（例えばアセテートまたはプロピオネート）、
グリコールエーテル（例えばジブチルカルビトー
ル）、テルピン（例えば松根油またはテルピネオ
ール）およびジアルキルフタレート（例えばジブ
チルフタレートまたはジメチルフタレート）があ
げられる。好ましいチクソトロピー剤としては水
素化されたひまし油があげられる。好ましい湿潤
剤としては大豆レシチン、トリエタノールアミン
およびトリブチルホスフエートがあげられる。安
定化剤は酸性副生成物による酸化および分解を阻
止しすなわち粘度を安定化させあるいはPHのバツ
フアー化を助けるために加えることができる。適
当な安定化剤の例としてはトリエタノールアミン
および２，６−ジ第３級ブチル−４−メチルフエ
ノール（例えばシエルイオノール ）があげられ
る。
クルは通常の銀伝導体組成物に一般に使用される
任意のものであることができ、そしてこれらとし
ては樹脂例えばエチルセルロース樹脂、ポリブチ
ルメタクリレート、ポリ−α−メチルスチレンま
たはポリ（エチレンビニルアセテート）の溶液ま
たは分散液があげられる。適当な溶媒または分散
媒は樹脂と物理的に相容性でなくてはならず、そ
して得られる溶液または分散液は銀金属化組成物
の他の成分に関して化学的に不活性でなくてはな
らない。濃厚化剤（シツクナー）および／または
安定剤および／または他の一般的添加剤（例えば
チクソトロピー剤および湿潤剤）を伴うかまたは
伴わない種々の有機液体のいずれか一つをこの有
機樹脂用担体として使用することができる。適当
な有機液体としては脂肪族アルコール（例えば１
−デカノール）、そのようなアルコールのエステ
ル（例えばアセテートまたはプロピオネート）、
グリコールエーテル（例えばジブチルカルビトー
ル）、テルピン（例えば松根油またはテルピネオ
ール）およびジアルキルフタレート（例えばジブ
チルフタレートまたはジメチルフタレート）があ
げられる。好ましいチクソトロピー剤としては水
素化されたひまし油があげられる。好ましい湿潤
剤としては大豆レシチン、トリエタノールアミン
およびトリブチルホスフエートがあげられる。安
定化剤は酸性副生成物による酸化および分解を阻
止しすなわち粘度を安定化させあるいはPHのバツ
フアー化を助けるために加えることができる。適
当な安定化剤の例としてはトリエタノールアミン
および２，６−ジ第３級ブチル−４−メチルフエ
ノール（例えばシエルイオノール ）があげられ
る。
以下の例は本発明を更に説明するものであるが
ここにすべての％は重量基準である。
ここにすべての％は重量基準である。
例
54.0ｇの塊状アンチモン（Fisher Cat.No.A846）
および46.2ｇのカドミウムシヨツト（Alfa Cat.
No.00669）を窒素雰囲気中で650℃にアルミナるつ
ぼ中で加熱することにより一緒に溶融させた。得
られたインゴツトを粉砕して400メツシユ以下の
粒子サイズとした。0.75ｇのCd／Sd粉末を4.5ｇ
の銀粉末と混合したがその際実質的にすべての銀
は粒子サイズが0.1μと5μの間であつた。約1.2ｇ
の重量のベヒクルを加えて平滑な良好に分散され
たペーストを生成させた。このベヒクルの組成物
は5.2％のエチルセルロース、11.6％のテルピネ
オール、52.8％のジブチルフタレートおよび30.4
％のジブチルカルビトールであつた。得られたペ
ーストをパターンつき200メツシユステンレスス
チールスクリーンを通して冷間圧延CDA合金725
銅−ニツケル片上に厚膜として印刷しそして窒素
雰囲気コンベア炉中で650℃のピーク温度でピー
クに５分そして全サイクル時間45分で焼成した。
焼成後この銀合金金属化物はペンシル消しゴムで
の磨耗、シヤープな道具によるプロービングおよ
び1/8″直径の芯棒のまわりでの基材の折り曲げに
より測定した場合銅−ニツケル基材に良好に接着
していた。パツドと基材との間の電気抵抗を高感
度オームメーターで測定した。測定しうる接触抵
抗はみられなかつた。このことは金属化物と基材
との間の優れた電気的接触を示している。
および46.2ｇのカドミウムシヨツト（Alfa Cat.
No.00669）を窒素雰囲気中で650℃にアルミナるつ
ぼ中で加熱することにより一緒に溶融させた。得
られたインゴツトを粉砕して400メツシユ以下の
粒子サイズとした。0.75ｇのCd／Sd粉末を4.5ｇ
の銀粉末と混合したがその際実質的にすべての銀
は粒子サイズが0.1μと5μの間であつた。約1.2ｇ
の重量のベヒクルを加えて平滑な良好に分散され
たペーストを生成させた。このベヒクルの組成物
は5.2％のエチルセルロース、11.6％のテルピネ
オール、52.8％のジブチルフタレートおよび30.4
％のジブチルカルビトールであつた。得られたペ
ーストをパターンつき200メツシユステンレスス
チールスクリーンを通して冷間圧延CDA合金725
銅−ニツケル片上に厚膜として印刷しそして窒素
雰囲気コンベア炉中で650℃のピーク温度でピー
クに５分そして全サイクル時間45分で焼成した。
焼成後この銀合金金属化物はペンシル消しゴムで
の磨耗、シヤープな道具によるプロービングおよ
び1/8″直径の芯棒のまわりでの基材の折り曲げに
より測定した場合銅−ニツケル基材に良好に接着
していた。パツドと基材との間の電気抵抗を高感
度オームメーターで測定した。測定しうる接触抵
抗はみられなかつた。このことは金属化物と基材
との間の優れた電気的接触を示している。
参考例 Ａ
6.5ｇの銀粉末および1.6ｇのベヒクルのペース
トを例記載のようにして印刷しそして焼成させ
た。焼成後、この金属化物はもろく、多孔性であ
りそして銅−ニツケル基材に良好には接着してい
ないことが見出されたがこのことはCd／Sb添加
の有効さを示している。
トを例記載のようにして印刷しそして焼成させ
た。焼成後、この金属化物はもろく、多孔性であ
りそして銅−ニツケル基材に良好には接着してい
ないことが見出されたがこのことはCd／Sb添加
の有効さを示している。
例
カドミウム／アンチモン合金を含有する銀ペー
ストが例記載の方法により製造された。
ストが例記載の方法により製造された。
得られたペーストをパターンつき325メツシユ
ステンレススチールスクリーンを通してCDA725
銅−ニツケル合金片上に厚膜パツドとして印刷し
た。このパツドは0.6mm×1.1mmの表面寸法を有し
ていた。この印刷部分を焦点合せ誘電加熱コイル
下に置いた。この集成体を焼成工程の間酸素除去
のために窒素ブランケツトで覆つた。エネルギー
を1.0秒間適用した。パツドは溶融しそして基材
にしつかりと接着した。ワイヤは0.025mm直径ア
ルミニウムワイヤ、市場的に入手可能な超音波ワ
イヤボンデイング装置および標準的機械条件の使
用によつて容易にパツドに結合された。
ステンレススチールスクリーンを通してCDA725
銅−ニツケル合金片上に厚膜パツドとして印刷し
た。このパツドは0.6mm×1.1mmの表面寸法を有し
ていた。この印刷部分を焦点合せ誘電加熱コイル
下に置いた。この集成体を焼成工程の間酸素除去
のために窒素ブランケツトで覆つた。エネルギー
を1.0秒間適用した。パツドは溶融しそして基材
にしつかりと接着した。ワイヤは0.025mm直径ア
ルミニウムワイヤ、市場的に入手可能な超音波ワ
イヤボンデイング装置および標準的機械条件の使
用によつて容易にパツドに結合された。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 存在する全無機固体分の重量基準で65〜95重
量％の銀粒子および５〜35重量％のカドミウム／
アンチモン合金粒子を印刷可能なペーストとなす
に充分な濃度にビヒクル中に分散させてなる、金
属表面の金属化に適した厚膜銀組成物。 ２ 銀粒子含量が75〜90重量％でありそしてカド
ミウム／アンチモン含量が10〜25重量％である、
前記特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ３ 銀粒子含量が82〜88重量％でありそしてカド
ミウム／アンチモン含量が12〜18重量％である、
前記特許請求の範囲第１項記載の組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US442954 | 1982-11-19 | ||
| US06/442,954 US4462827A (en) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | Thick film silver metallization composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59103204A JPS59103204A (ja) | 1984-06-14 |
| JPH0259563B2 true JPH0259563B2 (ja) | 1990-12-12 |
Family
ID=23758850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58216416A Granted JPS59103204A (ja) | 1982-11-19 | 1983-11-18 | 厚膜銀組成物 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4462827A (ja) |
| JP (1) | JPS59103204A (ja) |
| CA (1) | CA1216178A (ja) |
| DE (1) | DE3341523C2 (ja) |
| FR (1) | FR2544644B1 (ja) |
| GB (1) | GB2130247B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4881974A (en) * | 1987-11-05 | 1989-11-21 | Johnson Matthey, Inc. | Silver-glass paste |
| US4966625A (en) * | 1988-03-25 | 1990-10-30 | General Electric Company | Ferrite composite containing silver metallization |
| DE3843626A1 (de) * | 1988-12-23 | 1990-06-28 | Flachglas Ag | Verfahren zur herstellung einer verbund-kraftfahrzeugscheibe |
| DE3900787A1 (de) * | 1989-01-12 | 1990-07-19 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung eines keramischen elektrischen bauelementes |
| US5431718A (en) * | 1994-07-05 | 1995-07-11 | Motorola, Inc. | High adhesion, solderable, metallization materials |
| FR2726001B1 (fr) * | 1994-10-19 | 1996-11-29 | Solaic Sa | Encre conductrice comprenant des grains metalliques ayant des points de fusion differents |
| KR100711505B1 (ko) * | 2007-01-30 | 2007-04-27 | (주)이그잭스 | 도전막 형성을 위한 은 페이스트 |
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