JPH0259615B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0259615B2 JPH0259615B2 JP58217790A JP21779083A JPH0259615B2 JP H0259615 B2 JPH0259615 B2 JP H0259615B2 JP 58217790 A JP58217790 A JP 58217790A JP 21779083 A JP21779083 A JP 21779083A JP H0259615 B2 JPH0259615 B2 JP H0259615B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- marks
- mark
- alignment
- substrates
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
- G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
- G01B11/272—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes using photoelectric detection means
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133354—Arrangements for aligning or assembling substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、２つの物体の位置合わせ方法に関す
る。
る。
一般に透明電極は、液晶表示板をはじめとする
種々の表示板に使用されており、これら表示板の
用途は、光学機器、電子機器、時計等の文字板あ
るいは液晶テレビ大型デイスプレイ、温度計等の
広い分野にわたつている。このような表示板では
液晶等の材料を封入するために２つの基板が用い
られ、この基板にそれぞれ透明電極が形成されて
いるが、この透明電極のパターンが正確に合つて
いるかが製品の性能上重要になつてくる。
種々の表示板に使用されており、これら表示板の
用途は、光学機器、電子機器、時計等の文字板あ
るいは液晶テレビ大型デイスプレイ、温度計等の
広い分野にわたつている。このような表示板では
液晶等の材料を封入するために２つの基板が用い
られ、この基板にそれぞれ透明電極が形成されて
いるが、この透明電極のパターンが正確に合つて
いるかが製品の性能上重要になつてくる。
従来、この種の位置合わせは第１図に示すよう
に、一方の基板に位置合わせ用のマーク２０を印
刷し他方の基板に同様なマーク２１を印刷し、第
１図のようにマーク２１がマーク２０の中に入れ
ば２枚入基板の位置合わせが行なわれたと判断し
ているが、この判断は目視によつて行なつてお
り、従つて作業能率が悪く位置合わせ精度にも支
障があつた。
に、一方の基板に位置合わせ用のマーク２０を印
刷し他方の基板に同様なマーク２１を印刷し、第
１図のようにマーク２１がマーク２０の中に入れ
ば２枚入基板の位置合わせが行なわれたと判断し
ているが、この判断は目視によつて行なつてお
り、従つて作業能率が悪く位置合わせ精度にも支
障があつた。
他方半導体焼付装置において、マスクの半導体
集積回路パターンをウエハ上に焼付ける前の工程
として、マスクとウエハを正確に位置合わせ（ア
ライメント）する工程がある。
集積回路パターンをウエハ上に焼付ける前の工程
として、マスクとウエハを正確に位置合わせ（ア
ライメント）する工程がある。
従来のアライメント工程では、マスクとウエハ
にそれぞれ予め位置合わせ用マークを形成し、こ
のマーク上をレーザビームにより走査し、マーク
からの散乱光を検出することによりウエハとマス
クの相対的な位置ずれを測定している。そしてこ
の測定された位置ずれの量だけウエハを移動し、
マスクとウエハの正確な位置合わせを行なつてい
る。しかしながらこのような散乱光を検知する方
式は、ウエハ上がフオトレジスト膜等で被覆され
るため、これらによる反射、屈折の影響を受けた
り、またマークからの散乱光間の干渉、更にゴミ
の影響を受けやすく、正確な位置合わせを行なう
ことができないという欠点があつた。
にそれぞれ予め位置合わせ用マークを形成し、こ
のマーク上をレーザビームにより走査し、マーク
からの散乱光を検出することによりウエハとマス
クの相対的な位置ずれを測定している。そしてこ
の測定された位置ずれの量だけウエハを移動し、
マスクとウエハの正確な位置合わせを行なつてい
る。しかしながらこのような散乱光を検知する方
式は、ウエハ上がフオトレジスト膜等で被覆され
るため、これらによる反射、屈折の影響を受けた
り、またマークからの散乱光間の干渉、更にゴミ
の影響を受けやすく、正確な位置合わせを行なう
ことができないという欠点があつた。
本発明の目的は、上述従来例の欠点を除去し、
精度の高い位置合わせ方法を提供することにあ
る。
精度の高い位置合わせ方法を提供することにあ
る。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明す
る。第２図は、本発明の一実施例において用いら
れる位置合わせの原理を示す図であり、第２図Ａ
には、透明電極の材料より成り、大きさの異なる
円形の位置合わせ用マーク１ａ，２ａが、それぞ
れ形成されたガラス基板１，２の断面が一部図示
されている。マーク１ａ，２ａは、第３図に示す
ように、照明光の波長が長くなるに従つて、その
反射率（曲線１８）は漸減し、他方ガラス基板
１，２の反射率（曲線１９）は漸増する。尚、本
実施例ではガラス基板１，２は、マーク１ａ，２
ａより反射率の低いものが用いられている。ここ
で少なくともマーク１ａは透光性であり、第２図
の方向から照明されると、その反射光は、第２図
Ｂに示すように、２つの基板１，２のマーク１
ａ，２ａが重なる部分Ｃは、上の基板１のマーク
１ａからの反射と下と基板２のマーク２ａからの
反射が加算され最も高い光強度を示す。そして２
つの基板の一方のみにマークが形成されている
b′の部分からの基板２のみの部分a′と段階的に反
射光の強度は弱くなる（第２図Ｃ参照）。すなわ
ち２つの基板のマーク１ａ，２ａが重なつている
Ｃの部分と、基板の一方にマーク２ａの付いた
b′の部分と、基板のみのa′部分とを明確に区別す
ることが出来、２つのマーク１ａ，２ａのそれぞ
れの大きさ、形、また、相対な位置も確認するこ
とが出来る。従つて観察された反射光を、第２図
Ｂの３の方向へビデオ信号等を介して走査し、こ
の光強度の差を検出することにより、基板１と２
の位置合わせが可能となる。以下上記の２つのマ
ークの中心が合致したときに、２つの基板の正確
な位置決めが行なわれるものとして説明する。第
４図は、本発明の一実施例に係り、図の下のガラ
ス基板１と２を位置合わせを行うための装置の概
略構成図である。ガラス基板１，２は、それぞれ
不図示のステージ機構により、お互い平行でかつ
数ミクロンの間隙をおいて保持されている。ガラ
ス基板１，２には、それぞれ透明電極の材料より
成る２つの円形の位置合わせ用のマーク１Ｒ及び
１Ｌ，２Ｒ及び２Ｌが形成されており、マーク１
Ｒ，１Ｌはそれぞれマーク２Ｒ，２Ｌに対応して
いる。
る。第２図は、本発明の一実施例において用いら
れる位置合わせの原理を示す図であり、第２図Ａ
には、透明電極の材料より成り、大きさの異なる
円形の位置合わせ用マーク１ａ，２ａが、それぞ
れ形成されたガラス基板１，２の断面が一部図示
されている。マーク１ａ，２ａは、第３図に示す
ように、照明光の波長が長くなるに従つて、その
反射率（曲線１８）は漸減し、他方ガラス基板
１，２の反射率（曲線１９）は漸増する。尚、本
実施例ではガラス基板１，２は、マーク１ａ，２
ａより反射率の低いものが用いられている。ここ
で少なくともマーク１ａは透光性であり、第２図
の方向から照明されると、その反射光は、第２図
Ｂに示すように、２つの基板１，２のマーク１
ａ，２ａが重なる部分Ｃは、上の基板１のマーク
１ａからの反射と下と基板２のマーク２ａからの
反射が加算され最も高い光強度を示す。そして２
つの基板の一方のみにマークが形成されている
b′の部分からの基板２のみの部分a′と段階的に反
射光の強度は弱くなる（第２図Ｃ参照）。すなわ
ち２つの基板のマーク１ａ，２ａが重なつている
Ｃの部分と、基板の一方にマーク２ａの付いた
b′の部分と、基板のみのa′部分とを明確に区別す
ることが出来、２つのマーク１ａ，２ａのそれぞ
れの大きさ、形、また、相対な位置も確認するこ
とが出来る。従つて観察された反射光を、第２図
Ｂの３の方向へビデオ信号等を介して走査し、こ
の光強度の差を検出することにより、基板１と２
の位置合わせが可能となる。以下上記の２つのマ
ークの中心が合致したときに、２つの基板の正確
な位置決めが行なわれるものとして説明する。第
４図は、本発明の一実施例に係り、図の下のガラ
ス基板１と２を位置合わせを行うための装置の概
略構成図である。ガラス基板１，２は、それぞれ
不図示のステージ機構により、お互い平行でかつ
数ミクロンの間隙をおいて保持されている。ガラ
ス基板１，２には、それぞれ透明電極の材料より
成る２つの円形の位置合わせ用のマーク１Ｒ及び
１Ｌ，２Ｒ及び２Ｌが形成されており、マーク１
Ｒ，１Ｌはそれぞれマーク２Ｒ，２Ｌに対応して
いる。
第４図の装置の構成を説明すると、光源９Ｒ，
９Ｌの光路に沿つて、それぞれ赤外光を遮断する
フイルタ１０Ｒ，１０Ｌ、コンデンサレンズ１１
Ｒ，１１Ｌ、ハーフミラー１４Ｒ，１４Ｌが配置
され、ハーフミラー１４Ｒ，１４Ｌにより反射し
た光路に沿つて、それぞれ絞り１３Ｒ，１３Ｌ、
結像レンズ１２Ｒ，１２Ｌが配置され、結像レン
ズ１２Ｒ，１２Ｌを透過した光束は、それぞれガ
ラス基板１，２上に結像される。尚、本実施例で
用いられるガラス基板及びマークは、第３図で示
すように、短い波長の照明光で高い反射光の光度
差を示すので、赤外光を遮断するフイルタ１０
Ｒ，１０Ｌを用いている。またこの照明系は、明
視野照明法を採つている。明視野照明とは、結像
レンズ１２Ｒ，１２Ｌの後ろ側の焦点位置に絞り
１３Ｒ，１３Ｌを置いて、照明光に対しテレセン
トリツク光学系を形成させ、照明光の正反射光に
よつて物体を観察する照明方法である。
９Ｌの光路に沿つて、それぞれ赤外光を遮断する
フイルタ１０Ｒ，１０Ｌ、コンデンサレンズ１１
Ｒ，１１Ｌ、ハーフミラー１４Ｒ，１４Ｌが配置
され、ハーフミラー１４Ｒ，１４Ｌにより反射し
た光路に沿つて、それぞれ絞り１３Ｒ，１３Ｌ、
結像レンズ１２Ｒ，１２Ｌが配置され、結像レン
ズ１２Ｒ，１２Ｌを透過した光束は、それぞれガ
ラス基板１，２上に結像される。尚、本実施例で
用いられるガラス基板及びマークは、第３図で示
すように、短い波長の照明光で高い反射光の光度
差を示すので、赤外光を遮断するフイルタ１０
Ｒ，１０Ｌを用いている。またこの照明系は、明
視野照明法を採つている。明視野照明とは、結像
レンズ１２Ｒ，１２Ｌの後ろ側の焦点位置に絞り
１３Ｒ，１３Ｌを置いて、照明光に対しテレセン
トリツク光学系を形成させ、照明光の正反射光に
よつて物体を観察する照明方法である。
基板１，２で反射した光路に沿つて、それぞれ
ハーフミラー１４Ｒ，１４Ｌ、撮像管１５Ｒ，１
５Ｌが配置され、撮像管１５Ｒ，１５Ｌにより撮
影された画像は、カメラコントロールユニツト１
６により、１つの画面が２つに分割されて、モニ
タテレビ１７に撮し出される。
ハーフミラー１４Ｒ，１４Ｌ、撮像管１５Ｒ，１
５Ｌが配置され、撮像管１５Ｒ，１５Ｌにより撮
影された画像は、カメラコントロールユニツト１
６により、１つの画面が２つに分割されて、モニ
タテレビ１７に撮し出される。
撮像管１５Ｒ，１５Ｌのビデオ信号は、後述す
るように基板１と２の相対的な位置検出を行う中
央処理装置（CPU）１８に入力され、中央処理
装置１８の演算結果に従つてモータ１９が駆動さ
れ、基板１，２をそれぞれ保持する不図示のステ
ージ機構を作動して基板１と２の位置合わせを行
う。
るように基板１と２の相対的な位置検出を行う中
央処理装置（CPU）１８に入力され、中央処理
装置１８の演算結果に従つてモータ１９が駆動さ
れ、基板１，２をそれぞれ保持する不図示のステ
ージ機構を作動して基板１と２の位置合わせを行
う。
上記構成の動作を説明すると、基板１，２は、
先ず予め粗位置合わせされて、マーク１Ｒ及び２
Ｒ、マーク１Ｌ及び２Ｌが、それぞれ結像レンズ
１２Ｒ及び１２Ｌの投影野内に配置され、位置誤
差が生じていると、モニタテレビ１７には、第５
図の上方で示すように基板１のマーク１Ｒ，１Ｌ
と基板２のマーク２Ｒ，２Ｌとにずれが生じて撮
し出される。以下説明の簡略化のためにマーク１
Ｒと２Ｒとの関係について述べる。
先ず予め粗位置合わせされて、マーク１Ｒ及び２
Ｒ、マーク１Ｌ及び２Ｌが、それぞれ結像レンズ
１２Ｒ及び１２Ｌの投影野内に配置され、位置誤
差が生じていると、モニタテレビ１７には、第５
図の上方で示すように基板１のマーク１Ｒ，１Ｌ
と基板２のマーク２Ｒ，２Ｌとにずれが生じて撮
し出される。以下説明の簡略化のためにマーク１
Ｒと２Ｒとの関係について述べる。
上記の画像のビデオ信号の２つの走査線Sm，
Snを中央処理装置１８で検出すると、第５図の
下方で示すようにそれぞれマーク１Ｒ，２Ｒから
の反射光の強度差に応じて所定時間に渡つて高い
電圧の信号が得られる。走査線Smにおいてマー
ク２Ｒのみから最初に反射される部分の距離を
l1、マーク１Ｒと２Ｒが重複している部分の距離
をl2、更にマーク２Ｒのみから最後に反射さる部
分の距離をl3を検出し、他方、走査線Snにおいて
も同様l′1、l′2、l′3を検出すれば、マーク１Ｒと２
ＲのＸ方向の位置誤差△Xr、ｙ方向の位置誤差
△Yrは、 △Xr＝l3−l1／２＝l′3−l′1／２ △Yr＝（M2−M′2）−（l2／2−l′2／2）／8L により求めることができる。尚、上記の式におい
て、Ｍ＝l1＋l2＋l3、M′＝l′1＋l′2＋l′3であり、
Ｌ
は走査線SmとSnの距離である。同様に基板１，
２の左側のマーク１Ｌ，２ＬについてもＸ方向の
位置誤差△XlとＹ方向の位置誤差△Ylを検出す
ることができる。
Snを中央処理装置１８で検出すると、第５図の
下方で示すようにそれぞれマーク１Ｒ，２Ｒから
の反射光の強度差に応じて所定時間に渡つて高い
電圧の信号が得られる。走査線Smにおいてマー
ク２Ｒのみから最初に反射される部分の距離を
l1、マーク１Ｒと２Ｒが重複している部分の距離
をl2、更にマーク２Ｒのみから最後に反射さる部
分の距離をl3を検出し、他方、走査線Snにおいて
も同様l′1、l′2、l′3を検出すれば、マーク１Ｒと２
ＲのＸ方向の位置誤差△Xr、ｙ方向の位置誤差
△Yrは、 △Xr＝l3−l1／２＝l′3−l′1／２ △Yr＝（M2−M′2）−（l2／2−l′2／2）／8L により求めることができる。尚、上記の式におい
て、Ｍ＝l1＋l2＋l3、M′＝l′1＋l′2＋l′3であり、
Ｌ
は走査線SmとSnの距離である。同様に基板１，
２の左側のマーク１Ｌ，２ＬについてもＸ方向の
位置誤差△XlとＹ方向の位置誤差△Ylを検出す
ることができる。
次いでマーク１Ｒ，２Ｒと１Ｌ，２Ｌとの距離
をＲとすれば、基板１と２との相対的な位置誤差
は、 △Ｘ＝△Xr＋△Xl／２ △Ｙ＝△Yr＋△Yl／２ △θ＝−tan-1（△Yl−△Yr）／Ｒ で検出することができる。
をＲとすれば、基板１と２との相対的な位置誤差
は、 △Ｘ＝△Xr＋△Xl／２ △Ｙ＝△Yr＋△Yl／２ △θ＝−tan-1（△Yl−△Yr）／Ｒ で検出することができる。
中央処理装置１８は、上記の演算を行つて△
Ｘ、△Ｙ、△θを検出すると、モータ１９はこの
演算結果に従つて基板１，２を保持するステージ
機構を駆動し、基板１と２の正確な位置合わせを
行う。
Ｘ、△Ｙ、△θを検出すると、モータ１９はこの
演算結果に従つて基板１，２を保持するステージ
機構を駆動し、基板１と２の正確な位置合わせを
行う。
尚ここで、２つのマークがＸ方向と平行に付け
られていれば１回の位置合わせ操作で位置合わせ
が終了するが、Ｘ方向となる角度を持つ場合には
実際の駆動量と計算値に差が生じるため１回の操
作では位置合わせは完了しない。しかし同様の操
作を数回繰り返せば位置合わせは完了する。
られていれば１回の位置合わせ操作で位置合わせ
が終了するが、Ｘ方向となる角度を持つ場合には
実際の駆動量と計算値に差が生じるため１回の操
作では位置合わせは完了しない。しかし同様の操
作を数回繰り返せば位置合わせは完了する。
前記実施例では、大きさの異なる２つの円形の
マークについて説明したが、同じ大きさのマーク
についても同様であり、更に他の形状のマークに
ついても位置合わせが可能である。第６図は、そ
れぞれ２等辺３角形のマーク（６と７）を示し、
大きい方のマーク６には、マーク６の外辺にそれ
ぞれ平行な辺を有する２等辺３角形の孔部８が開
けられている。第６図に示すマーク（６と７）の
位置誤差は、 △Ｘ＝（L1−L2）＋（L4−L5）／４ △Ｙ＝−（L1−L2）＋（L4−L5）／４ である。
マークについて説明したが、同じ大きさのマーク
についても同様であり、更に他の形状のマークに
ついても位置合わせが可能である。第６図は、そ
れぞれ２等辺３角形のマーク（６と７）を示し、
大きい方のマーク６には、マーク６の外辺にそれ
ぞれ平行な辺を有する２等辺３角形の孔部８が開
けられている。第６図に示すマーク（６と７）の
位置誤差は、 △Ｘ＝（L1−L2）＋（L4−L5）／４ △Ｙ＝−（L1−L2）＋（L4−L5）／４ である。
更に、本発明は、半導体焼付装置において、マ
スクとウエハの位置合わせにも用いることができ
るが、この場合ウエハはほぼ鏡面であるので、第
７図で示すようにウエハ５上に反射率の低い部分
２ｂを形成して第７図下部に示す反射光分布を形
成することができる。尚同図において、４はマス
ク、１ｂは透明電極の材料で形成されるマークで
ある。
スクとウエハの位置合わせにも用いることができ
るが、この場合ウエハはほぼ鏡面であるので、第
７図で示すようにウエハ５上に反射率の低い部分
２ｂを形成して第７図下部に示す反射光分布を形
成することができる。尚同図において、４はマス
ク、１ｂは透明電極の材料で形成されるマークで
ある。
以上説明したように、本発明によればマークの
正反射光を検出することにより、２つの物体の正
確な位置合わせが可能となる。更に位置合わせに
際し、従来例と異なり、所定時間に渡つて信号が
得られるためマークの一部にゴミ等が付着しても
安定した位置合わせをすることができる。なお本
発明を走査系を用いた実施例にて説明したが走査
系を用いず、例えば重量部と非重量部につき長さ
測定を行なうにしても良い。
正反射光を検出することにより、２つの物体の正
確な位置合わせが可能となる。更に位置合わせに
際し、従来例と異なり、所定時間に渡つて信号が
得られるためマークの一部にゴミ等が付着しても
安定した位置合わせをすることができる。なお本
発明を走査系を用いた実施例にて説明したが走査
系を用いず、例えば重量部と非重量部につき長さ
測定を行なうにしても良い。
第１図は、従来の位置合わせを行なうためのマ
ークの平面図、第２図は、本発明の原理を示す説
明図、第３図は、本発明の一実施例で用いられる
位置合わせ用マークと基板の反射率を示すグラ
フ、第４図は、本発明の一実施例に係る位置合わ
せ装置の概略構成図、第５図は、第４図で用いら
れる位置合わせ用マークの説明図、第６図は、本
発明の他の実施例の位置合わせ用マークの説明
図、第７図は、半導体焼付装置に応用した実施例
の説明図である。 １，２……基板、１ａ，２ａ，１Ｒ，１Ｌ，２
Ｒ，２Ｌ，１Ｃ，２ｂ，６，７……位置合わせ用
マーク。
ークの平面図、第２図は、本発明の原理を示す説
明図、第３図は、本発明の一実施例で用いられる
位置合わせ用マークと基板の反射率を示すグラ
フ、第４図は、本発明の一実施例に係る位置合わ
せ装置の概略構成図、第５図は、第４図で用いら
れる位置合わせ用マークの説明図、第６図は、本
発明の他の実施例の位置合わせ用マークの説明
図、第７図は、半導体焼付装置に応用した実施例
の説明図である。 １，２……基板、１ａ，２ａ，１Ｒ，１Ｌ，２
Ｒ，２Ｌ，１Ｃ，２ｂ，６，７……位置合わせ用
マーク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性を有する第１の物体と、第２の物体と
を照明系からの光束で照明し、両物体の相対的な
位置を光学的に検出して該両物体の位置合わせを
行なう方法において、 前記第１の物体に、透光性及び反射性を有する
第１のマークを形成し、 前記第２の物体に、反射性を有する第２のマー
クを形成し、 前記照明系側から順に前記第１の物体、第２の
物体を配置し、 前記両マークの一方からの反射光と、両マーク
の重複した部分からの反射光との光強度の差に基
づいて、第１の物体と第２の物体の相対的位置を
検出し、 前記検出された位置情報により、第１の物体と
第２の物体とを相対的に移動して位置合わせを行
なうようにしたことを特徴とする位置合わせ方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58217790A JPS60110119A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 位置合わせ方法 |
| US06/672,784 US4643579A (en) | 1983-11-21 | 1984-11-19 | Aligning method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58217790A JPS60110119A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 位置合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60110119A JPS60110119A (ja) | 1985-06-15 |
| JPH0259615B2 true JPH0259615B2 (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=16709762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58217790A Granted JPS60110119A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60110119A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0241862Y2 (ja) * | 1986-08-26 | 1990-11-08 | ||
| JPH06102675A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-15 | Kamo Denki Kenkyusho:Kk | 印刷機用版材の高速高精度自動穴あけ機構 |
| JP4395796B2 (ja) | 2007-07-10 | 2010-01-13 | 株式会社デンソー | 車両用空調装置 |
| JP2016082061A (ja) * | 2014-10-16 | 2016-05-16 | トヨタ自動車株式会社 | ウエハとマスクの位置合わせ方法 |
-
1983
- 1983-11-21 JP JP58217790A patent/JPS60110119A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60110119A (ja) | 1985-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100471524B1 (ko) | 노광방법 | |
| KR100420443B1 (ko) | 주사형노광장치 | |
| JP3109852B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| KR100289275B1 (ko) | 주사노광방법, 주사형 노광장치 및 소자제조방법 | |
| US6225012B1 (en) | Method for positioning substrate | |
| US4643579A (en) | Aligning method | |
| US4362389A (en) | Method and apparatus for projection type mask alignment | |
| KR19980080744A (ko) | 간극 설정기구를 구비한 프록시미티 노광장치 | |
| KR20040002540A (ko) | 마크위치 검출장치 및 마크위치 검출방법 | |
| JPH0571916A (ja) | 位置検出装置 | |
| US5635722A (en) | Projection exposure method and apparatus capable of performing focus detection with high accuracy | |
| JPH055085B2 (ja) | ||
| JPH09246356A (ja) | 表面位置設定方法 | |
| JPH09312248A (ja) | 露光装置 | |
| KR100405398B1 (ko) | 기판의위치결정방법 | |
| JPS60110119A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JP3254704B2 (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| JPH09312251A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS63174046A (ja) | 露光装置 | |
| JP3472078B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JPH08339959A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JPH01228130A (ja) | 投影露光方法およびその装置 | |
| JP2004108957A (ja) | 基板検査装置 | |
| JP3339630B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
| JPH10116769A (ja) | 投影露光装置 |