JPH0260024A - 電子放出素子 - Google Patents
電子放出素子Info
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- JPH0260024A JPH0260024A JP63208137A JP20813788A JPH0260024A JP H0260024 A JPH0260024 A JP H0260024A JP 63208137 A JP63208137 A JP 63208137A JP 20813788 A JP20813788 A JP 20813788A JP H0260024 A JPH0260024 A JP H0260024A
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- Japan
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- electron
- emitting
- thin film
- electrode
- emitting device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、電子放出素子に関し、特に寿命の長い安定し
た電子放出を行わせる表面伝導形電子放出素子に関する
ものである。
た電子放出を行わせる表面伝導形電子放出素子に関する
ものである。
［従来の技術１
従来、簡単な構造で′面子の放出が得られる素子として
、例えば、エム アイ エリンソン（Ｍ、 Ｉ。
、例えば、エム アイ エリンソン（Ｍ、 Ｉ。
Ｅｌｉｎｓｏｎ）等によって発表された冷陰極素子が知
られている［ラジオ エンジニアリング エレクトロン
フィジイックス（Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ、 Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ。
られている［ラジオ エンジニアリング エレクトロン
フィジイックス（Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ、 Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ。
Ｐｈｙｓ、 ）第１Ｏ巻、 ＋２９０−１２９８頁、
１９８５年］。
１９８５年］。
これは、基板上に形成された小面積の薄膜に、１模面に
平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を
利用するもので、一般には表面伝導形放出素子と呼ばれ
ている。
平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を
利用するもので、一般には表面伝導形放出素子と呼ばれ
ている。
この表面伝導形放出素子としては、前記エリンソン等に
より開発された５ｎＯ２（Ｓｂ）薄膜を用いたもの、Ａ
ｕ薄膜によるもの［ジー・ディトマー°“スイン ソリ
ド フィルムス”（Ｇ、 Ｄｉｔｔｍｅｒ： ”Ｔｈ１
ｎＳｏｌｉｄ ＦｉｌＩＩｌｓ ” ） 、 ９巻、
３１７頁、 （１９７２年月。
より開発された５ｎＯ２（Ｓｂ）薄膜を用いたもの、Ａ
ｕ薄膜によるもの［ジー・ディトマー°“スイン ソリ
ド フィルムス”（Ｇ、 Ｄｉｔｔｍｅｒ： ”Ｔｈ１
ｎＳｏｌｉｄ ＦｉｌＩＩｌｓ ” ） 、 ９巻、
３１７頁、 （１９７２年月。
ＩＴＯ薄膜によるもの［エム ハートウェル アンド
シー ジー フォンスタッド： ”アイ イーイー イ
ー トランス′１イー デイ−コン７（Ｍ、 Ｈａｒｔ
ｗｅｌｌ ａｎｄ Ｃ，Ｇ、 Ｆｏｎｓｔａｄ： ”Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ。
シー ジー フォンスタッド： ”アイ イーイー イ
ー トランス′１イー デイ−コン７（Ｍ、 Ｈａｒｔ
ｗｅｌｌ ａｎｄ Ｃ，Ｇ、 Ｆｏｎｓｔａｄ： ”Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ。
Ｅ（ｌ Ｃｏｎｆ、”）５１９頁、（１９７５年月、カ
ーボン薄膜によるもの［荒木久他：゛真空′°、第２６
巻、第１号、２２頁、 （１９８３年）］などが報告
されている。
ーボン薄膜によるもの［荒木久他：゛真空′°、第２６
巻、第１号、２２頁、 （１９８３年）］などが報告
されている。
これらの表面伝導形放出素子の典型的な素子構成を第７
図に示す、同図において、１および２は゛電気的接続を
得る為の電極、３は電子放出材料で形成される薄膜、４
は基板、５は電子放出部を示す。
図に示す、同図において、１および２は゛電気的接続を
得る為の電極、３は電子放出材料で形成される薄膜、４
は基板、５は電子放出部を示す。
従来、これらの表面伝導形放出素子においては、電子放
出を行う前にあらかじめフォーミングと呼ばれる通電加
熱処理によって電子放出部を形成する。即ち、前記電極
ｌと電極２の間に電圧を印加する事により、薄膜３に通
電し、これにより発生するジュール熱で薄膜３を局所的
に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状
態にした電子放出部５を形成することにより電子放出機
能を得ている。
出を行う前にあらかじめフォーミングと呼ばれる通電加
熱処理によって電子放出部を形成する。即ち、前記電極
ｌと電極２の間に電圧を印加する事により、薄膜３に通
電し、これにより発生するジュール熱で薄膜３を局所的
に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状
態にした電子放出部５を形成することにより電子放出機
能を得ている。
［発明が解決しようとする課題Ｊ
しかしながら上記従来例では電子故山時に発生するマイ
クロ放電、イオンボンバードにより次のような欠点があ
った。
クロ放電、イオンボンバードにより次のような欠点があ
った。
（１） ５ｎａｚ系、Ｉｎ２Ｏ３系の電子放出材料を用
いた素子では、電子放出部を形成する薄膜の形状によっ
て多少は異なるが、−殻内には電子放出を得るために、
３０Ｖから３００ｖ程度の高い電圧を印加する必要があ
る。そのため、電子放出部及び電子放出部周辺、特に負
の電圧を印加する負極側電極がマイクロ放電により劣化
、破断等の欠陥により、耐久性に劣る致命的な欠陥とな
る。
いた素子では、電子放出部を形成する薄膜の形状によっ
て多少は異なるが、−殻内には電子放出を得るために、
３０Ｖから３００ｖ程度の高い電圧を印加する必要があ
る。そのため、電子放出部及び電子放出部周辺、特に負
の電圧を印加する負極側電極がマイクロ放電により劣化
、破断等の欠陥により、耐久性に劣る致命的な欠陥とな
る。
マイクロ放電による欠陥は、印加電圧の高い素子におい
て、非常に顕著にあられれる。
て、非常に顕著にあられれる。
（２） Ａｕ、 Ｐｔ、 Ｐｄなどの金属の電子放出材
料を用いた素子では材料が比較的スパッタしやすいこと
から、電子放出時に生成されたイオンのために電子放出
部及び電子放出部周辺、特に正の電圧を印加する正極側
及び電極が、イオンポンハードによりスパッタ及び再付
着による経時変化、電極の破断等の欠陥を招いて、耐久
性の劣化や特性の経時劣化が発生する。特に応用上、電
子を引き出す電圧を高くする、低真空度で使用する場合
に顕著に発生する。
料を用いた素子では材料が比較的スパッタしやすいこと
から、電子放出時に生成されたイオンのために電子放出
部及び電子放出部周辺、特に正の電圧を印加する正極側
及び電極が、イオンポンハードによりスパッタ及び再付
着による経時変化、電極の破断等の欠陥を招いて、耐久
性の劣化や特性の経時劣化が発生する。特に応用上、電
子を引き出す電圧を高くする、低真空度で使用する場合
に顕著に発生する。
以上のような問題点があるため、従来の表面伝導形電子
放出素子は、素子構造が簡単であるという利点があるに
もかかわらず、産業上、積極的に応用されるには至って
いなかった。
放出素子は、素子構造が簡単であるという利点があるに
もかかわらず、産業上、積極的に応用されるには至って
いなかった。
本発明は、上記のような従来例の欠点を除去するために
なされたものである。
なされたものである。
し課題を解決するための手段］
前記問題点、マイクロ放電、イオンボンバードによる欠
陥は、電子放出部と電子放出部以外の劣化に大別するこ
とができる０本発明によれば、電子放出部以外の周辺部
分の劣化を改善するものである。
陥は、電子放出部と電子放出部以外の劣化に大別するこ
とができる０本発明によれば、電子放出部以外の周辺部
分の劣化を改善するものである。
電子放出部以外の周辺部分はマイクロ放電による負極側
電極の劣化、破断、イオンボンバードによる正極側電極
の劣化、破断により電子放出特性の経時劣化、耐久性に
劣る欠陥があったが、電子放出部以外の周辺表面にイオ
ン衝撃性の高い材料により被膜を設けることにより、前
記問題点を解決したものである。
電極の劣化、破断、イオンボンバードによる正極側電極
の劣化、破断により電子放出特性の経時劣化、耐久性に
劣る欠陥があったが、電子放出部以外の周辺表面にイオ
ン衝撃性の高い材料により被膜を設けることにより、前
記問題点を解決したものである。
イオン衝撃性の高い材料は、例えばＳｉＣ，ＢａＧなど
の一般的にスパッタしにくい材料が挙げられる。もっと
も、電気抵抗が高いとチャージアップ現象が発生し、電
子放出しなくなったり、電子ビームが広がり、電荷の移
動による素子破壊などの問題点があったが、被覆材料の
電気抵抗を１０１ＯΩ／口以下にすることにより上記問
題点を解決したものである。
の一般的にスパッタしにくい材料が挙げられる。もっと
も、電気抵抗が高いとチャージアップ現象が発生し、電
子放出しなくなったり、電子ビームが広がり、電荷の移
動による素子破壊などの問題点があったが、被覆材料の
電気抵抗を１０１ＯΩ／口以下にすることにより上記問
題点を解決したものである。
［実施例］
以下に、図面に示す実施例により本発明を詳細に示す。
実施例１
第１図（ａ）、（ｂ）は、本発明に係る表面伝導形電子
放出素子の一実施例を示す説明図である。同図に於いて
、４は絶縁性を有する基板、３は電子放出材料で形成さ
れる薄膜、ｌおよび２は電気的接続を得るための電極、
５は電子放出部、６は被覆材料である。
放出素子の一実施例を示す説明図である。同図に於いて
、４は絶縁性を有する基板、３は電子放出材料で形成さ
れる薄膜、ｌおよび２は電気的接続を得るための電極、
５は電子放出部、６は被覆材料である。
本発明による電子放出素子は、第１図（ｂ）に於いて絶
縁性基板４として石英基板を用い、洗浄された石英基板
４上に、電子放出材料として５ｎ０２を用い、膜厚１０
００Ａの薄Ｉ！！３を成膜しく他の電子放出材料として
Ｉｎ２Ｏ３，ＰｂＯ等の金属酸化物、Ａｇ。
縁性基板４として石英基板を用い、洗浄された石英基板
４上に、電子放出材料として５ｎ０２を用い、膜厚１０
００Ａの薄Ｉ！！３を成膜しく他の電子放出材料として
Ｉｎ２Ｏ３，ＰｂＯ等の金属酸化物、Ａｇ。
Ａｕ、 Ｐｔ等の金属、カーボン、その他各種半導体材
料などがある。）、次いで、フォトリソグラフィー技術
により電子放出部５が形成されるネック部を有する電子
放出材料の薄Ｉ８！３を形成する。
料などがある。）、次いで、フォトリソグラフィー技術
により電子放出部５が形成されるネック部を有する電子
放出材料の薄Ｉ８！３を形成する。
次いで、前記薄膜３に形成される電子放出部５と電気的
接続を得る電極１．２にＮｉを用いてマスク蒸着により
１５００Ａの膜厚で形成する（他に電極１．２となる導
電性材料として、Ｐｔ、 Ａｌ、 Ｃｕ、 Ａｕなどの
通常の金属材料がある。）。
接続を得る電極１．２にＮｉを用いてマスク蒸着により
１５００Ａの膜厚で形成する（他に電極１．２となる導
電性材料として、Ｐｔ、 Ａｌ、 Ｃｕ、 Ａｕなどの
通常の金属材料がある。）。
前記電極ｌと電極２の間に４０Ｖの電圧を印加すること
により、薄１１！３に通電し、これにより発生するジュ
ール熱で薄膜３を局所的に破壊、変形もしくは変質せし
め、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部５を形成す
る。
により、薄１１！３に通電し、これにより発生するジュ
ール熱で薄膜３を局所的に破壊、変形もしくは変質せし
め、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部５を形成す
る。
前記薄膜３に形成された電子放出部５の電子が放射され
る領域以外の表面に、被覆材料６に５ｉＣ（比抵抗１．
３ Ｘｌ０−３Ω履）を用い膜厚２００Ａ、シート抵抗
８．５Ｘ１０４Ω／口で電子放出部５の近傍まで形成し
た。ここで被覆材料６は、素子の固有抵抗より太きく
１０１０Ω／口より小さく形成し、好ましくは１０３Ω
／口〜１０９Ω／口の範囲が望ましい、さらに、被覆材
料６の材料は電極１．２及び電子放出材料の薄膜３より
もイオン衝撃性の高い材料が好ましい、−殻内にはスパ
ッタされにくい材料である。
る領域以外の表面に、被覆材料６に５ｉＣ（比抵抗１．
３ Ｘｌ０−３Ω履）を用い膜厚２００Ａ、シート抵抗
８．５Ｘ１０４Ω／口で電子放出部５の近傍まで形成し
た。ここで被覆材料６は、素子の固有抵抗より太きく
１０１０Ω／口より小さく形成し、好ましくは１０３Ω
／口〜１０９Ω／口の範囲が望ましい、さらに、被覆材
料６の材料は電極１．２及び電子放出材料の薄膜３より
もイオン衝撃性の高い材料が好ましい、−殻内にはスパ
ッタされにくい材料である。
上記のごとく形成された表面伝導形電子放出素子に駆動
電圧３５Ｖを印加し、素子の空間１約３ｍｍの位置にＩ
ＫＶの引き出し電圧を印加して電子放出を行ったところ
、マイクロ放電による破壊は被覆材料６のみに起り、薄
膜３及び電極１．２はなんら影響をあたえることなく耐
久性にすぐれた良好な素子を得た。さらに、被覆材料６
がスパッタされにくいＳｉＣであることから、電子放出
時に生成されたイオンによるイオンボンバードの影響が
全くなく、再付着のない耐久性のある安定した電子放出
特性を得ることが出来た。
電圧３５Ｖを印加し、素子の空間１約３ｍｍの位置にＩ
ＫＶの引き出し電圧を印加して電子放出を行ったところ
、マイクロ放電による破壊は被覆材料６のみに起り、薄
膜３及び電極１．２はなんら影響をあたえることなく耐
久性にすぐれた良好な素子を得た。さらに、被覆材料６
がスパッタされにくいＳｉＣであることから、電子放出
時に生成されたイオンによるイオンボンバードの影響が
全くなく、再付着のない耐久性のある安定した電子放出
特性を得ることが出来た。
また、引き出し電圧、空間の雰囲気を変化させても極め
て良好な素子特性を得ることが出来た。
て良好な素子特性を得ることが出来た。
さらに、被覆材料６を５ｉ０２． ＡｆｐＣｈなどの絶
縁材料で形成すると、本実施例では電子ビームの広がり
が１．ＯＸ２．０［ｍ＋ｓ］（幅×長さ）であったのに
対し、 １．５ Ｘ ２．８ ［ｍｍｌ と１．５倍〜
２倍程度広がる。
縁材料で形成すると、本実施例では電子ビームの広がり
が１．ＯＸ２．０［ｍ＋ｓ］（幅×長さ）であったのに
対し、 １．５ Ｘ ２．８ ［ｍｍｌ と１．５倍〜
２倍程度広がる。
さらに、チャージアップ現象により、電子放出が停止す
る。また、チャージアップした電荷により、電子放出部
及びその周辺部分が破壊され、素子の特性劣化、耐久性
に劣る問題点が発生したが１本実施例のごとく被覆材料
６の電気抵抗を１０１０Ω／口以下にすることにより、
上記問題点の全くない素子を得ることが出来た。
る。また、チャージアップした電荷により、電子放出部
及びその周辺部分が破壊され、素子の特性劣化、耐久性
に劣る問題点が発生したが１本実施例のごとく被覆材料
６の電気抵抗を１０１０Ω／口以下にすることにより、
上記問題点の全くない素子を得ることが出来た。
及ム■ヱ
第２図（ａ）、（ｂ）に、本発明の第２の実施例を示す
、同図に於いて、絶縁性基板４に石英基板を用い、電子
放出材料の薄膜３にＡｕを用いてＥ８蒸着法により、膜
厚５００Ａを成膜し、フォトリングラフイー技術により
電子放出部５が形成されるネック部を有する電子放出材
料の薄膜３を形成する。
、同図に於いて、絶縁性基板４に石英基板を用い、電子
放出材料の薄膜３にＡｕを用いてＥ８蒸着法により、膜
厚５００Ａを成膜し、フォトリングラフイー技術により
電子放出部５が形成されるネック部を有する電子放出材
料の薄膜３を形成する。
前記薄膜３の両端に２５Ｖの電圧を印加することによっ
て、薄膜３に通電し、これにより発生するジュール熱で
薄膜３を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気
的に高抵抗な状態にした電子放出部５を形成する。
て、薄膜３に通電し、これにより発生するジュール熱で
薄膜３を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気
的に高抵抗な状態にした電子放出部５を形成する。
前記Ｆ＃１ＩＩ５！３にあらかじめ形成した電子放出部
５と電気的接続を得る電極に被覆材料６を用い、電極の
機能を持つＷ（タングステン）を用いてマスク蒸着によ
り膜厚１０ＧＯＡで電子放出部５の近傍まで形成する。
５と電気的接続を得る電極に被覆材料６を用い、電極の
機能を持つＷ（タングステン）を用いてマスク蒸着によ
り膜厚１０ＧＯＡで電子放出部５の近傍まで形成する。
被覆材料６はＴａ、 Ｈｆ、 Ｚｒ、 Ｔｉ、 Ｎｂ。
ＮｏなどのＳｐ率が１．０以下の材料もしくは前記材料
の合金もしくは化合物の一般的にスパッタされにくい材
料が望ましい。
の合金もしくは化合物の一般的にスパッタされにくい材
料が望ましい。
上記のごとく形成された表面伝導形電子放出素子（第２
図（ａ）参照）に駆動電圧２０Ｖを印加し、電子放出を
行ったところ、実施例１と同様にマイクロ放電、イオン
ボンバードによる薄膜３への影響のない良好な素子を得
ることが出来た。
図（ａ）参照）に駆動電圧２０Ｖを印加し、電子放出を
行ったところ、実施例１と同様にマイクロ放電、イオン
ボンバードによる薄膜３への影響のない良好な素子を得
ることが出来た。
また、第３図のごと〈実施例１の構造体においても、本
実施例と同様に、電極機能を有する被覆材料６を用いる
ことにより、良好な素子を得ることが出来た。
実施例と同様に、電極機能を有する被覆材料６を用いる
ことにより、良好な素子を得ることが出来た。
実施例３
第４図に、本発明の第３の実施例を示す。同図に於いて
、絶縁性基板４に石英基板を用い実施例２と同様に、電
極に電極機能を有する被覆材料６にＨｆＢ２． ＰｔＪ
厚１０００Ａを用い、Ｓｐにより成膜し、フォトリソグ
ラフィー技術により電子放出部５を幅３００μｍ１間隔
６ルｍで形成した。
、絶縁性基板４に石英基板を用い実施例２と同様に、電
極に電極機能を有する被覆材料６にＨｆＢ２． ＰｔＪ
厚１０００Ａを用い、Ｓｐにより成膜し、フォトリソグ
ラフィー技術により電子放出部５を幅３００μｍ１間隔
６ルｍで形成した。
次に被覆材料６の間に電子放出材料となる微粒子７に１
次粒径８０〜２００ＡのＳｎＯ＋分散液（Ｓｎ０２：Ｉ
ｇ、溶剤ＭＥＫ／シクロヘキサノン＝３／１：１０００
ｃｃ 、ブチラール：１ｇ）を用い、スピンコード法に
より塗布し、２５０℃で加熱処理し、形成する。
次粒径８０〜２００ＡのＳｎＯ＋分散液（Ｓｎ０２：Ｉ
ｇ、溶剤ＭＥＫ／シクロヘキサノン＝３／１：１０００
ｃｃ 、ブチラール：１ｇ）を用い、スピンコード法に
より塗布し、２５０℃で加熱処理し、形成する。
上記のごとく、形成された表面伝導形電子放出素子に駆
動電圧１４Ｖを印加し、電子放出を行ったところ、マイ
クロ放電、イオンボンバードによる影響のない良好な素
子を得ることが出来た。
動電圧１４Ｖを印加し、電子放出を行ったところ、マイ
クロ放電、イオンボンバードによる影響のない良好な素
子を得ることが出来た。
さらに、本実施例形態においても、通常の金属材料から
なる電極と微粒子７から構成される素子に関し、実施例
１と同様の被覆材料６により同様の効果のある素子を得
ることが出来る。
なる電極と微粒子７から構成される素子に関し、実施例
１と同様の被覆材料６により同様の効果のある素子を得
ることが出来る。
実施例４
第５図に、本発明の第４の実施例を示す。同図は、本発
明の電子放出素子の他の実施態様を示す模式断面図であ
る。同図に於いて、４は絶縁性を有する基板、８は段差
形成層、５は電子放出部、１および２は電気的接続を得
るための電極、７は電子放出材料となる微粒子、６は被
覆材料である。
明の電子放出素子の他の実施態様を示す模式断面図であ
る。同図に於いて、４は絶縁性を有する基板、８は段差
形成層、５は電子放出部、１および２は電気的接続を得
るための電極、７は電子放出材料となる微粒子、６は被
覆材料である。
本発明に用いた電子放出素子は同図に於いて、絶縁性基
板４に石英基板を用い、洗浄された石英基板４上に、段
差形成層８にＳ ｉ０２の液体コーテイング材（東京応
化工業社製０ＣＤ）を用い、膜厚３０００ＡのＳｎ０２
層を塗布、乾燥プロセスにより形成しく他の段差形成層
としてＭｇＯ，ＴｉＯ２，Ｔａ２０５゜Ａｉ’２０３等
の絶縁材料の植屑物もし・〈は、これらの混合物がある
。）、次いで、フォトリソグラフィー技術により電子放
出部５の段差部を形成する。
板４に石英基板を用い、洗浄された石英基板４上に、段
差形成層８にＳ ｉ０２の液体コーテイング材（東京応
化工業社製０ＣＤ）を用い、膜厚３０００ＡのＳｎ０２
層を塗布、乾燥プロセスにより形成しく他の段差形成層
としてＭｇＯ，ＴｉＯ２，Ｔａ２０５゜Ａｉ’２０３等
の絶縁材料の植屑物もし・〈は、これらの混合物がある
。）、次いで、フォトリソグラフィー技術により電子放
出部５の段差部を形成する。
次いで、前記電子放出部５と電気的接続を得る電極１．
２に旧を用いて、マスク蒸着により膜厚５００Ａを成膜
し、所望の形状に形成する（他の電極１．２となる導電
性材料としテＰｔ、 Ａｉ’、 Ｃｕ、 Ａｕなどの通
常の金属材料がある。）。この時電子放出部５には成膜
時のステップカバレージを悪くし、旧が堆積しないよう
にする。電極１，２の間の電子放出部５となる段差部側
端面に、前述実施例と同様にして、電子放出材料となる
微粒子７を形成する。
２に旧を用いて、マスク蒸着により膜厚５００Ａを成膜
し、所望の形状に形成する（他の電極１．２となる導電
性材料としテＰｔ、 Ａｉ’、 Ｃｕ、 Ａｕなどの通
常の金属材料がある。）。この時電子放出部５には成膜
時のステップカバレージを悪くし、旧が堆積しないよう
にする。電極１，２の間の電子放出部５となる段差部側
端面に、前述実施例と同様にして、電子放出材料となる
微粒子７を形成する。
上記のごとく形成された電子放出素子の電子放出部５の
段差部側端面以外の領域の表面に被覆材料６に８４Ｃ（
比抵抗Ｉ Ｘ １０−２Ωｍ）を用い、膜厚１００Ａ、
シート抵抗ｌＸ１０６Ω／口で形成した。
段差部側端面以外の領域の表面に被覆材料６に８４Ｃ（
比抵抗Ｉ Ｘ １０−２Ωｍ）を用い、膜厚１００Ａ、
シート抵抗ｌＸ１０６Ω／口で形成した。
上記のごとく形成された表面伝導形電子放出素子の電極
１．２に駆動電圧１５Ｖを印加し、電子放出させたとこ
ろ、前述実施例と同様にマイクロ放電、イオンボンバー
ドによる薄膜３への影響のない耐久性のある安定した電
子放出素子を得ることが出来た。
１．２に駆動電圧１５Ｖを印加し、電子放出させたとこ
ろ、前述実施例と同様にマイクロ放電、イオンボンバー
ドによる薄膜３への影響のない耐久性のある安定した電
子放出素子を得ることが出来た。
また、°第６図のごとく、被覆材料６の材料及び構成は
前述実施例が基板上の平面内で電子放出部５が構成され
たものが、本実施例では、段差部上下端に換っただけで
あり、本発明に係わる全ての材料及び構成を同様に得る
ことが出来る。
前述実施例が基板上の平面内で電子放出部５が構成され
たものが、本実施例では、段差部上下端に換っただけで
あり、本発明に係わる全ての材料及び構成を同様に得る
ことが出来る。
［発明の効果］
以−Ｌ説明したように、表面伝導形電子放出素子の電子
放出材料外の領域の表面に被覆材料を設けることにより
、マイクロ放電、イオンボンバードによる欠陥のない素
子特性を変化させることなく、耐久性を向上させ、経時
変化による電子放出特性の変化することのない、電子放
出素子を得ることができる。さらに、被覆材料の電気抵
抗を制御することにより、チャージアップ現象による電
子放出の停止、電子ビームの広がり、素子破壊を防止す
る効果がある。
放出材料外の領域の表面に被覆材料を設けることにより
、マイクロ放電、イオンボンバードによる欠陥のない素
子特性を変化させることなく、耐久性を向上させ、経時
変化による電子放出特性の変化することのない、電子放
出素子を得ることができる。さらに、被覆材料の電気抵
抗を制御することにより、チャージアップ現象による電
子放出の停止、電子ビームの広がり、素子破壊を防止す
る効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）は本実施例の第１の実施例の説明
図、第２図（ａ）、（ｂ）及び第３図は本実施例の第２
の実施例の説明図、第４図は本実施例の第３の実施例の
説明図、第５図、第６図は本実施例の第４の実施例の説
明図、第７図は従来技術を説明した図面である。 １．２・・・電極 ４・・・基板 ６・・・被膜材料 ８・・・段差形成層 ３・・・薄膜 ５・・・電子放出部 ７・・・微粒子
図、第２図（ａ）、（ｂ）及び第３図は本実施例の第２
の実施例の説明図、第４図は本実施例の第３の実施例の
説明図、第５図、第６図は本実施例の第４の実施例の説
明図、第７図は従来技術を説明した図面である。 １．２・・・電極 ４・・・基板 ６・・・被膜材料 ８・・・段差形成層 ３・・・薄膜 ５・・・電子放出部 ７・・・微粒子
Claims (3)
- （１）表面伝導形電子放出素子において、電子が放出さ
れる電子放出部以外の領域の表面に被覆材料を形成して
なることを特徴とする電子放出素子。 - （２）前記被覆材料が、イオン衝撃性の高い材料からな
ることを特徴とする請求項１記載の電子放出素子。 - （３）前記被覆材料のシート抵抗が１０＾１＾０Ω／口
以下であることを特徴とする請求項１記載の電子放出素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208137A JPH0260024A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 電子放出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208137A JPH0260024A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 電子放出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0260024A true JPH0260024A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16551248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63208137A Pending JPH0260024A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 電子放出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0260024A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5138237A (en) * | 1991-08-20 | 1992-08-11 | Motorola, Inc. | Field emission electron device employing a modulatable diamond semiconductor emitter |
| US6184626B1 (en) | 1995-01-31 | 2001-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam apparatus and method of driving the same |
| US7755267B2 (en) | 2004-06-03 | 2010-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitting device having electroconductive thin film and high resistivity sheet |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP63208137A patent/JPH0260024A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5138237A (en) * | 1991-08-20 | 1992-08-11 | Motorola, Inc. | Field emission electron device employing a modulatable diamond semiconductor emitter |
| US6184626B1 (en) | 1995-01-31 | 2001-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam apparatus and method of driving the same |
| US7755267B2 (en) | 2004-06-03 | 2010-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitting device having electroconductive thin film and high resistivity sheet |
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