JPH0260052B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0260052B2 JPH0260052B2 JP59056709A JP5670984A JPH0260052B2 JP H0260052 B2 JPH0260052 B2 JP H0260052B2 JP 59056709 A JP59056709 A JP 59056709A JP 5670984 A JP5670984 A JP 5670984A JP H0260052 B2 JPH0260052 B2 JP H0260052B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- slider
- boat body
- epitaxial growth
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/263—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using melted materials
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は液相エピタキシヤル結晶成長装置の
改良に関するものである。
改良に関するものである。
発光ダイオード、太陽電池などの−族化合
物半導体を用いた半導体装置において、液相エピ
タキシヤル成長結晶層の量産は重要な技術であ
る。第１図はこのような用途に用いる従来の液相
エピタキシヤル結晶成長装置の構成を示す平面
図、第２図はその−線での断面図である。図
において、１はボート本体で上段の室２、中段の
室３および下段の室４の３段構造になつている。
５は下段の室４に挿入されたひき出し容器、６は
上段の室２と中段の室３とを仕切る第１のスライ
ダ、７は中段の室３と下段の室４とを仕切る第２
のスライダ、８は上段の室２に収容された飽和ガ
リウム（Ga）融液、９は中段の室３に配設され
その上にエピタキシヤル結晶成長させるべき基
板、１０は第１のスライダ６に設けられた開孔、
１１は第２のスライダ７に設けられた開孔、１２
は第１のスライダ６に設けられ、この第１のスラ
イダ６を図示矢印方向に移動させたときに時間遅
れをもつて、第２のスライダ７を移動させるＬ字
形板である。以上すべてカーボン板で構成されて
いる。
物半導体を用いた半導体装置において、液相エピ
タキシヤル成長結晶層の量産は重要な技術であ
る。第１図はこのような用途に用いる従来の液相
エピタキシヤル結晶成長装置の構成を示す平面
図、第２図はその−線での断面図である。図
において、１はボート本体で上段の室２、中段の
室３および下段の室４の３段構造になつている。
５は下段の室４に挿入されたひき出し容器、６は
上段の室２と中段の室３とを仕切る第１のスライ
ダ、７は中段の室３と下段の室４とを仕切る第２
のスライダ、８は上段の室２に収容された飽和ガ
リウム（Ga）融液、９は中段の室３に配設され
その上にエピタキシヤル結晶成長させるべき基
板、１０は第１のスライダ６に設けられた開孔、
１１は第２のスライダ７に設けられた開孔、１２
は第１のスライダ６に設けられ、この第１のスラ
イダ６を図示矢印方向に移動させたときに時間遅
れをもつて、第２のスライダ７を移動させるＬ字
形板である。以上すべてカーボン板で構成されて
いる。
この従来装置では、第１図および第２図に示し
た状態で、中段の室３に基板９を配置し上段の室
２に飽和Ga融液８を収容し、このボートを成長
用炉に入れ昇温する。ボートが所定の温度で平衡
に達した後、第１のスライダ６を矢印方向に移動
させると、開孔１０が上段の室２と中段の室３と
の間を連通するようになり、これを通つて飽和
Ga融液８は中段の室３へ流入し、基板９を浸す。
その状態で成長用炉を徐冷することによつて基板
９上にエピタキシヤル結晶成長を得る。このエピ
タキシヤル成長の間飽和Ga融液８は開孔１０を
通して上段の室２内と中段の室３内とにわたつて
つながつている。エピタキシヤル成長が終了後は
第１のスライダ６を更に矢印方向に移動させてＬ
字形板１２で第２のスライダ７を移動させ、その
開孔１１で中段の室３と下段の室４とを連通さ
せ、飽和Ga融液８を引出し容器５に流入させる。
た状態で、中段の室３に基板９を配置し上段の室
２に飽和Ga融液８を収容し、このボートを成長
用炉に入れ昇温する。ボートが所定の温度で平衡
に達した後、第１のスライダ６を矢印方向に移動
させると、開孔１０が上段の室２と中段の室３と
の間を連通するようになり、これを通つて飽和
Ga融液８は中段の室３へ流入し、基板９を浸す。
その状態で成長用炉を徐冷することによつて基板
９上にエピタキシヤル結晶成長を得る。このエピ
タキシヤル成長の間飽和Ga融液８は開孔１０を
通して上段の室２内と中段の室３内とにわたつて
つながつている。エピタキシヤル成長が終了後は
第１のスライダ６を更に矢印方向に移動させてＬ
字形板１２で第２のスライダ７を移動させ、その
開孔１１で中段の室３と下段の室４とを連通さ
せ、飽和Ga融液８を引出し容器５に流入させる。
このような液相エピタキシヤル結晶成長装置で
はエピタキシヤル成長結晶表面を鏡面にするに
は、飽和Ga融液８のうち上部すなわち上段の室
２に残つている過飽和の部分は第１のスライダ６
で分離した後に、基板９に接触している飽和Ga
融液のみを引き出し容器５へ落す必要がある。
はエピタキシヤル成長結晶表面を鏡面にするに
は、飽和Ga融液８のうち上部すなわち上段の室
２に残つている過飽和の部分は第１のスライダ６
で分離した後に、基板９に接触している飽和Ga
融液のみを引き出し容器５へ落す必要がある。
ところが、上述の従来装置でこれを達成しよう
とすると、第１のスライダ６を矢印方向に大きく
移動させて開孔１０がボート本体１の外へ出て上
段の室２と中段の室３との間が遮断されて、後に
はじめてＬ字形板１２が第２のスライダ７を移動
させるように第１のスライダ６を著しく長くせね
ばならず装置が大形化するという欠点があつた。
とすると、第１のスライダ６を矢印方向に大きく
移動させて開孔１０がボート本体１の外へ出て上
段の室２と中段の室３との間が遮断されて、後に
はじめてＬ字形板１２が第２のスライダ７を移動
させるように第１のスライダ６を著しく長くせね
ばならず装置が大形化するという欠点があつた。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたも
ので、エピタキシヤル成長終了後は第１のスライ
ダを短距離摺動させただけで第１のスライダに設
けられた開孔を閉じ、上段の室と中段の室との連
通を絶ち、この時点から第２のスライダを従属摺
動させることができるようにすることによつて装
置の小形化を可能にし、同一大きさの装置ならば
処理能力の大きい液相エピタキシヤル結晶成長装
置を提供するものである。
ので、エピタキシヤル成長終了後は第１のスライ
ダを短距離摺動させただけで第１のスライダに設
けられた開孔を閉じ、上段の室と中段の室との連
通を絶ち、この時点から第２のスライダを従属摺
動させることができるようにすることによつて装
置の小形化を可能にし、同一大きさの装置ならば
処理能力の大きい液相エピタキシヤル結晶成長装
置を提供するものである。
第３図はこの発明の一実施例の構成を示す平面
図、第４図はその−線での断面図で、第１図
および第２図の従来例と同一符号は同等部分を示
し、その説明は重複を避ける。この実施例では上
段の室２の底部に蓋板保持板１３がボート本体１
の壁に固定して設けられ、これと第１のスライダ
６との間に蓋板１４が保持されている。そしてこ
の蓋板１４は第１のスライダ６に設けられている
第１の開孔１０ａに入り込んでこれを閉じる寸法
になつている。これに伴つて第１の開孔１０ａは
従来例における開孔１０に相当するが、蓋板１４
が入り込んだとき抜け落ちないような形状になつ
ている。また、第１のスライダ６には第４図の状
態では蓋板保持板１３の下になるような位置に第
２の開孔１５が設けられ、第１のスライダ６を矢
印方向に移動させて第１の開孔１０ａが上段の室
２と中段の室３とを連通させる位置に来たときに
は、第２の開孔１５も蓋板保持板１３の下から出
て上段の室２と中段の室３との連通を分担する。
そして第１の開孔１０ａが蓋板１４の下に来て閉
じられるときには、第２の開孔１５はボート本体
１の外に出るように構成されている。
図、第４図はその−線での断面図で、第１図
および第２図の従来例と同一符号は同等部分を示
し、その説明は重複を避ける。この実施例では上
段の室２の底部に蓋板保持板１３がボート本体１
の壁に固定して設けられ、これと第１のスライダ
６との間に蓋板１４が保持されている。そしてこ
の蓋板１４は第１のスライダ６に設けられている
第１の開孔１０ａに入り込んでこれを閉じる寸法
になつている。これに伴つて第１の開孔１０ａは
従来例における開孔１０に相当するが、蓋板１４
が入り込んだとき抜け落ちないような形状になつ
ている。また、第１のスライダ６には第４図の状
態では蓋板保持板１３の下になるような位置に第
２の開孔１５が設けられ、第１のスライダ６を矢
印方向に移動させて第１の開孔１０ａが上段の室
２と中段の室３とを連通させる位置に来たときに
は、第２の開孔１５も蓋板保持板１３の下から出
て上段の室２と中段の室３との連通を分担する。
そして第１の開孔１０ａが蓋板１４の下に来て閉
じられるときには、第２の開孔１５はボート本体
１の外に出るように構成されている。
さて、この実施例装置の動作は前述の従来例と
略同様であるが、先づ、第１のスライダ６を矢印
の方向に移動させると上述のように第１の開孔１
０ａと第２の開孔１５とを通して上段の室２と中
段の室３とが連通し上段の室２に収容していた飽
和Ga融液８が中段の室３へ流入し基板９を浸す。
そして徐冷して基板９上へのエピタキシヤル結晶
成長が完了すると、第１のスライダ６を更に矢印
方向に移動させると、第１の開孔１０ａが蓋板１
４の下に来た時点で、この第１の開孔１０ａ内に
蓋板１４が入り込んでこれを閉じ、しかもこの時
点では、第２の開孔１５はすでにボート本体１の
外に出ており、飽和Ga融液８のうち上段の室２
内の過飽和の部分は分離される。従つて、それ以
後は第１のスライダ６の矢印方向の移動に伴つて
Ｌ字形板１２によつて第２のスライダ７を移動さ
せ、その開孔１１で中段の室３と下段の室４とを
連通させ、飽和Ga融液８を引き出し容器５に流
入させることができる。このようにして基板９上
に鏡面の表面を有するエピタキシヤル結晶成長層
が得られるのは勿論、第１のスライダ６の移動距
離を小さくできる。
略同様であるが、先づ、第１のスライダ６を矢印
の方向に移動させると上述のように第１の開孔１
０ａと第２の開孔１５とを通して上段の室２と中
段の室３とが連通し上段の室２に収容していた飽
和Ga融液８が中段の室３へ流入し基板９を浸す。
そして徐冷して基板９上へのエピタキシヤル結晶
成長が完了すると、第１のスライダ６を更に矢印
方向に移動させると、第１の開孔１０ａが蓋板１
４の下に来た時点で、この第１の開孔１０ａ内に
蓋板１４が入り込んでこれを閉じ、しかもこの時
点では、第２の開孔１５はすでにボート本体１の
外に出ており、飽和Ga融液８のうち上段の室２
内の過飽和の部分は分離される。従つて、それ以
後は第１のスライダ６の矢印方向の移動に伴つて
Ｌ字形板１２によつて第２のスライダ７を移動さ
せ、その開孔１１で中段の室３と下段の室４とを
連通させ、飽和Ga融液８を引き出し容器５に流
入させることができる。このようにして基板９上
に鏡面の表面を有するエピタキシヤル結晶成長層
が得られるのは勿論、第１のスライダ６の移動距
離を小さくできる。
なお、上記実施例ではGa融液を用いたエピタ
キシヤル結晶成長を例示したが、他の結晶の成長
にも用い得ることは言うまでもない。
キシヤル結晶成長を例示したが、他の結晶の成長
にも用い得ることは言うまでもない。
以上説明したように、この発明になる液相エピ
タキシヤル結晶成長装置ではボート本体の上段の
室と中段の室とを仕切る第１のスライダと、中段
の室と下段の室とを仕切りエピタキシヤル成長終
了後、上記第１のスライダに従属して摺動させら
れる第２のスライダとを備え第２のスライダを従
動摺動させるまでの第１のスライダの摺動距離を
小さくしたので装置の小形化が可能で、同一大き
さの装置であれば処理能力を大きくすることがで
きる。
タキシヤル結晶成長装置ではボート本体の上段の
室と中段の室とを仕切る第１のスライダと、中段
の室と下段の室とを仕切りエピタキシヤル成長終
了後、上記第１のスライダに従属して摺動させら
れる第２のスライダとを備え第２のスライダを従
動摺動させるまでの第１のスライダの摺動距離を
小さくしたので装置の小形化が可能で、同一大き
さの装置であれば処理能力を大きくすることがで
きる。
第１図は従来の液相エピタキシヤル結晶成長装
置の構成を示す平面図、第２図は第１図の−
線での断面図、第３図はこの発明の一実施例の構
成を示す平面図、第４図は第３図の−線での
断面図である。 図において、１はボート本体、２は上段の室、
３は中段の室、４は下段の室、５は容器（ひき出
し容器）、６は第１のスライダ、７は第２のスラ
イダ、８は飽和融液、９は基板、１０ａは第１の
開孔、１１は第２のスライダの開孔、１２は第２
のスライダ７を押すＬ字形板、１３は蓋板保持
板、１４は蓋板、１５は第２の開孔である。な
お、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
置の構成を示す平面図、第２図は第１図の−
線での断面図、第３図はこの発明の一実施例の構
成を示す平面図、第４図は第３図の−線での
断面図である。 図において、１はボート本体、２は上段の室、
３は中段の室、４は下段の室、５は容器（ひき出
し容器）、６は第１のスライダ、７は第２のスラ
イダ、８は飽和融液、９は基板、１０ａは第１の
開孔、１１は第２のスライダの開孔、１２は第２
のスライダ７を押すＬ字形板、１３は蓋板保持
板、１４は蓋板、１５は第２の開孔である。な
お、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 結晶成長させるべき物質の飽和融液を貯溜す
る上段の室と、表面に上記結晶をエピタキシヤル
成長させるべき基板を収容する中段の室と、上記
エピタキシヤル成長に用いた上記飽和融液を流入
させる容器を収容する下段の室とからなるボート
本体、上記上段の室と上記中段の室とを仕切ると
ともに摺動可能に設けられた第１のスライダ、及
び上記中段の室と上記下段の室とを仕切り上記第
１のスライダの摺動と所定関係で従属して摺動す
る第２のスライダを備えたものにおいて、上記第
１のスライダには、準備状態では上記ボート本体
の外にあり、エピタキシヤル成長時には上記ボー
ト本体の内に引入れられて上記上段の室と上記中
段の室とを連通させ、エピタキシヤル成長完了後
は上記ボート本体の内の所定位置で当該位置に配
設されている蓋板によつて閉じられる第１の開孔
と、準備状態では上記ボート本体内の所定位置で
所要の板で被われ、エピタキシヤル成長時には上
記所要の下から引出されて上記上段の室と上記中
段の室とを連通させ、エピタキシヤル成長完了後
は上記ボート本体外へ引出される第２の開孔とが
設けられ、上記第２のスライダはエピタキシヤル
成長後にはじめて上記第１のスライダに従属して
摺動するように構成されるとともに、準備状態お
よびエピタキシヤル成長時には上記ボート本体の
外にあり、エピタキシヤル成長完了後は上記ボー
ト本体の内へ引入れられ上記中段の室と上記下段
の室とを連通させる開孔が設けられたことを特徴
とする液相エピタキシヤル結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056709A JPS60198720A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 液相エピタキシヤル結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056709A JPS60198720A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 液相エピタキシヤル結晶成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60198720A JPS60198720A (ja) | 1985-10-08 |
| JPH0260052B2 true JPH0260052B2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=13035002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59056709A Granted JPS60198720A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | 液相エピタキシヤル結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60198720A (ja) |
-
1984
- 1984-03-22 JP JP59056709A patent/JPS60198720A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60198720A (ja) | 1985-10-08 |
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