JPS6273625A - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長装置Info
- Publication number
- JPS6273625A JPS6273625A JP21547485A JP21547485A JPS6273625A JP S6273625 A JPS6273625 A JP S6273625A JP 21547485 A JP21547485 A JP 21547485A JP 21547485 A JP21547485 A JP 21547485A JP S6273625 A JPS6273625 A JP S6273625A
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- JP
- Japan
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- epitaxial growth
- slider
- chamber
- liquid phase
- phase epitaxial
- Prior art date
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- Pending
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、化合物半導体単結晶の製造等に用いる液相
エピタキシャル成長装置に関するものである。
エピタキシャル成長装置に関するものである。
例えば■−ｖ族化合物半導体を用いた半導体装置におい
て、液相エピタキシャル成長装置による単結晶の量産は
重要な技術である。特に、素子サイズの大きいＧ ａ
Ａ ｓ太陽電池においては、この量産技術は非常に１零
である。
て、液相エピタキシャル成長装置による単結晶の量産は
重要な技術である。特に、素子サイズの大きいＧ ａ
Ａ ｓ太陽電池においては、この量産技術は非常に１零
である。
第２図（ａ）は、ＧａＡｓ太Ｖｉｌｊ電池のように量産
性を必要とする場合に従来から用いらｎている液相エピ
タキシャル成長装置の構成を示す平面図、同図（ｂ）は
同図（＆）のｂ−ｂ断面図でおる。
性を必要とする場合に従来から用いらｎている液相エピ
タキシャル成長装置の構成を示す平面図、同図（ｂ）は
同図（＆）のｂ−ｂ断面図でおる。
エピタキシャル成長を行わせるには、図示の状態でボー
ト本体１を図上省略した炉内に入ｎ１成長温度まで昇温
する。炉内が所定の温度に達したら、第１のスライダ６
を図示矢印方向に移動させ、第１のスライダ６に設けで
ある開孔部１０から上段の室２に溜めている結晶融液８
を中段の室３に流入させて結晶融液８に基板９を浸す。
ト本体１を図上省略した炉内に入ｎ１成長温度まで昇温
する。炉内が所定の温度に達したら、第１のスライダ６
を図示矢印方向に移動させ、第１のスライダ６に設けで
ある開孔部１０から上段の室２に溜めている結晶融液８
を中段の室３に流入させて結晶融液８に基板９を浸す。
この状態で徐冷すると、基板９の表面にエピタキシャル
成長が行わｎる。
成長が行わｎる。
液晶エピタキシャル成長、球子後は、第１のスライダ６
をさらに図示矢印方向に移動させ、Ｌ字形板１２によシ
第２のスライダ７を連動させて、第２のスライダ７に設
けである開孔部１１を通じて結晶融液８を中段の室３か
ら下段の室４に収納さ扛ている引きだし容器５に流入さ
せ収容する。
をさらに図示矢印方向に移動させ、Ｌ字形板１２によシ
第２のスライダ７を連動させて、第２のスライダ７に設
けである開孔部１１を通じて結晶融液８を中段の室３か
ら下段の室４に収納さ扛ている引きだし容器５に流入さ
せ収容する。
従来の装置は、上述したように結晶融液８を基板９の上
から直接流入させるため、結晶融液８が流入する領域の
基板９の成長表面はボート１の材質であるカーボンのこ
すｊＬ合いによって発生するカーボン粉、酸化物等によ
って面不良となり、使用不可能になる欠点があった。
から直接流入させるため、結晶融液８が流入する領域の
基板９の成長表面はボート１の材質であるカーボンのこ
すｊＬ合いによって発生するカーボン粉、酸化物等によ
って面不良となり、使用不可能になる欠点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、結晶融液を基板の上から流入させることによ
って発生する成長表面の面不良を防止することができる
液相エピタキシャル成長装置を提供することを目的とす
る。
たもので、結晶融液を基板の上から流入させることによ
って発生する成長表面の面不良を防止することができる
液相エピタキシャル成長装置を提供することを目的とす
る。
この発明に係る液相エピタキシャル成長装置は、上段の
室２に溜めである結晶融液８を上からではなく中段の室
３の側面から流入させる手段を設けたものである。
室２に溜めである結晶融液８を上からではなく中段の室
３の側面から流入させる手段を設けたものである。
この発明において、上段の室２から中段の室３の側面を
介して結晶融液８が流入することによ一す、カーボン粉
、酸化物等の汚染物質の付着が阻止さｎる。
介して結晶融液８が流入することによ一す、カーボン粉
、酸化物等の汚染物質の付着が阻止さｎる。
以下、この発明の一実施例を図を用いて説明するＯ
第１図（＆）はこの発明の一実施例を示す液相エピタキ
シャル成長装置の平面図、同図（ｂ）は同図（、）のｂ
−ｂ断面図である。図中、第２図（ａ） ｌ （ｂ）と
同一符号は同一部分を示す。
シャル成長装置の平面図、同図（ｂ）は同図（、）のｂ
−ｂ断面図である。図中、第２図（ａ） ｌ （ｂ）と
同一符号は同一部分を示す。
すなわち、本装置は基本的にボート本体１を構成する上
段の室２、中段の室３、下段の室４の３段構造から成シ
立っている。５は上記下段の室４に挿入さｎた結晶融ｇ
８を収容するための引きだし容器、６は上段の室２と中
段の室３とを仕切る第１のスライダ、７は中段の室３と
下段の室４とを仕切る第２のスライダ、９は液相エピタ
キシャル成長させるべき基板、１１は中段の室３にある
結晶融液８を下段の室４に落下させるため第２のスライ
ダ７に設けである開孔部、１２は第１のスライダ６を図
示矢印方向に移動させた時、時間遅ｎｋもって第２のス
ライダＴを移動させるためのＬ字形板である。
段の室２、中段の室３、下段の室４の３段構造から成シ
立っている。５は上記下段の室４に挿入さｎた結晶融ｇ
８を収容するための引きだし容器、６は上段の室２と中
段の室３とを仕切る第１のスライダ、７は中段の室３と
下段の室４とを仕切る第２のスライダ、９は液相エピタ
キシャル成長させるべき基板、１１は中段の室３にある
結晶融液８を下段の室４に落下させるため第２のスライ
ダ７に設けである開孔部、１２は第１のスライダ６を図
示矢印方向に移動させた時、時間遅ｎｋもって第２のス
ライダＴを移動させるためのＬ字形板である。
ここで、１３は第１のスライダ６に設けた開孔部、１４
は第１のスライダ６を矢印方向に移動させた時、第１の
スライダ６０開孔部１３に溜っている結晶融液８を収容
するための穴である。
は第１のスライダ６を矢印方向に移動させた時、第１の
スライダ６０開孔部１３に溜っている結晶融液８を収容
するための穴である。
次に動作について説明する。
第１のスライダ６、第２のスライダ７を所定の位置に設
置し、基板９を中段の室３に、結晶融液８は上段の室２
に設置した後ボート１を炉内の所定の位置に挿入し成長
温度まで昇温する。炉内が所定の温度に達した後、第１
のスライダ６を矢印Ａの方向へ移動させると、開孔部１
３から上段の室２にある結晶融液８が中段の室３の側面
から流入して基板９を浸す。このため、カーボン粉、酸
化物等は基板９には接触せず、上段の室２に位置する。
置し、基板９を中段の室３に、結晶融液８は上段の室２
に設置した後ボート１を炉内の所定の位置に挿入し成長
温度まで昇温する。炉内が所定の温度に達した後、第１
のスライダ６を矢印Ａの方向へ移動させると、開孔部１
３から上段の室２にある結晶融液８が中段の室３の側面
から流入して基板９を浸す。このため、カーボン粉、酸
化物等は基板９には接触せず、上段の室２に位置する。
この状態で徐冷すると、基板９の表面にエピタキシャル
成長か行わｎる。
成長か行わｎる。
液相エピタキシャル成長終了後は、逆に第１のスライダ
６を図示矢印Ｂの方向に移動させる。こｎによりいった
んエピタキシャル成長前の状態になるため、例えば、上
段の室２にあるカーボン粉、酸化物を含有する結晶融液
８は中段の室３に流入することはない。さらに、スライ
ダ６を図示矢印Ｂの方向に引続き移動させると、Ｌ字形
板１２の働きによって第２のスライダ７が連動し、第２
のスライダＴに設けである開孔部１１を通じて結晶融液
８が中段の室３から下段の室４に収納さ扛ている引きだ
し容器５に流入し、そこに収容さ扛る。
６を図示矢印Ｂの方向に移動させる。こｎによりいった
んエピタキシャル成長前の状態になるため、例えば、上
段の室２にあるカーボン粉、酸化物を含有する結晶融液
８は中段の室３に流入することはない。さらに、スライ
ダ６を図示矢印Ｂの方向に引続き移動させると、Ｌ字形
板１２の働きによって第２のスライダ７が連動し、第２
のスライダＴに設けである開孔部１１を通じて結晶融液
８が中段の室３から下段の室４に収納さ扛ている引きだ
し容器５に流入し、そこに収容さ扛る。
このように、結晶融液８を中段の室３の側面から流入さ
せることにより、カーボン粉、酸化物等が原因と考えら
ｎる成長表面の面不良がなくなる。
せることにより、カーボン粉、酸化物等が原因と考えら
ｎる成長表面の面不良がなくなる。
以上説明したように、この発明に係る液相エピタキシャ
ル成長装置によ扛ば、カーボン粉、酸化物等をエピタキ
シャル成長が行なわｎる中段の室に直接流入させないこ
とで、こｎらが原因と考えら詐る成長表面の面不良を防
止できる効果がある。
ル成長装置によ扛ば、カーボン粉、酸化物等をエピタキ
シャル成長が行なわｎる中段の室に直接流入させないこ
とで、こｎらが原因と考えら詐る成長表面の面不良を防
止できる効果がある。
第１図（ａ） 、 （ｂ）はこの発明の一実施例を示す
液相エピタキシャル成長装置の平面図および断面図、第
２図（ａ） 、 （ｂ）は従来の液相エピタキシャル成
長装置の楕成を示す平面図および断面図である。 １・・・・ボート本体、２・・・・上段の室、３・・・
・中段の室、４・・・・下段の室、５・・・・引きだし
容器、６・・・・第１のスライダ、７・・・・第２のス
ライダ、８・・・・結晶融液、９・・・・基板、１１・
・・・第２のスライダに設けた開孔部、１２・・・・Ｌ
字形根、１３・・・・第１のスライダに設けた開孔部、
１４・・・・開孔部１３に溜っている結晶融液を収容す
る穴。
液相エピタキシャル成長装置の平面図および断面図、第
２図（ａ） 、 （ｂ）は従来の液相エピタキシャル成
長装置の楕成を示す平面図および断面図である。 １・・・・ボート本体、２・・・・上段の室、３・・・
・中段の室、４・・・・下段の室、５・・・・引きだし
容器、６・・・・第１のスライダ、７・・・・第２のス
ライダ、８・・・・結晶融液、９・・・・基板、１１・
・・・第２のスライダに設けた開孔部、１２・・・・Ｌ
字形根、１３・・・・第１のスライダに設けた開孔部、
１４・・・・開孔部１３に溜っている結晶融液を収容す
る穴。
Claims (1)
- 結晶成長させるべき物質である結晶融液を溜めるための
上段の室と、液相エピタキシャル成長させるべき基板を
収納するための中段の室と、上記液相エピタキシャル成
長に用いる結晶融液を流入させ溜めるための引きだし容
器を収納する下段の室と、上記上段の室と中段の室、中
段の室と下段の室をそれぞれ仕切り、結晶融液を上から
下へ移動させることが可能な開孔部を有する２枚のスラ
イダとからなるボート本体に中段の室の側面から結晶融
液を流入させる手段を設けたことを特徴とする液相エピ
タキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21547485A JPS6273625A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21547485A JPS6273625A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273625A true JPS6273625A (ja) | 1987-04-04 |
Family
ID=16672969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21547485A Pending JPS6273625A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273625A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS535569A (en) * | 1976-07-05 | 1978-01-19 | Sanyo Electric Co Ltd | Liquid-phase epitaxial growth method |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP21547485A patent/JPS6273625A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS535569A (en) * | 1976-07-05 | 1978-01-19 | Sanyo Electric Co Ltd | Liquid-phase epitaxial growth method |
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