JPS6359529B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6359529B2 JPS6359529B2 JP57119373A JP11937382A JPS6359529B2 JP S6359529 B2 JPS6359529 B2 JP S6359529B2 JP 57119373 A JP57119373 A JP 57119373A JP 11937382 A JP11937382 A JP 11937382A JP S6359529 B2 JPS6359529 B2 JP S6359529B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate holder
- storage chamber
- melt
- epitaxial growth
- liquid phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/263—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using melted materials
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は液相エピタキシヤル成長装置に関す
るものである。以下−族化合物半導体、特に
ガリウム・アルミニウム・ヒ素（GaAlAs）の液
相エピタキシヤル成長の場合を例にとつて説明す
る。
るものである。以下−族化合物半導体、特に
ガリウム・アルミニウム・ヒ素（GaAlAs）の液
相エピタキシヤル成長の場合を例にとつて説明す
る。
発光ダイオード、太陽電池などの―族化合
物半導体を用いた半導体装置において、液相エピ
タキシヤル成長は重要な技術である。
物半導体を用いた半導体装置において、液相エピ
タキシヤル成長は重要な技術である。
第１図は従来の液相エピタキシヤル成長用のボ
ートを示す平面図、第２図は第１図の―線で
の断面図、第３図は第２図の―線における断
面図である。このボート１は上段の室２、中段の
室３および下段の室４に分れており、上段の室２
と中段の室３とは第１のスライダ５で仕切られて
おり、第１のスライダ５の一部には孔６が設けら
れ、一方の端部には引つかかり７が設けられてい
る。中段の室３内には基板保持具８が設けられ、
結晶をエピタキシヤル成長させるべき基板９が保
持されている。中段の室３と下段の室４と第２の
スライダ１０で仕切られており、この第２のスラ
イダ１０には第１のスライダ５の孔６に対応して
孔１１が設けられている。そして、下段の室４に
はスライド可能な融液収納箱１２が挿入されてい
る。
ートを示す平面図、第２図は第１図の―線で
の断面図、第３図は第２図の―線における断
面図である。このボート１は上段の室２、中段の
室３および下段の室４に分れており、上段の室２
と中段の室３とは第１のスライダ５で仕切られて
おり、第１のスライダ５の一部には孔６が設けら
れ、一方の端部には引つかかり７が設けられてい
る。中段の室３内には基板保持具８が設けられ、
結晶をエピタキシヤル成長させるべき基板９が保
持されている。中段の室３と下段の室４と第２の
スライダ１０で仕切られており、この第２のスラ
イダ１０には第１のスライダ５の孔６に対応して
孔１１が設けられている。そして、下段の室４に
はスライド可能な融液収納箱１２が挿入されてい
る。
この従来のボート１では、図示の状態で、上段
の室２に飽和Ga融液１３を収容し、次いで、第
１のスライダ５を図の右の方へ引いて、孔６を上
段の室２と中段の室３との間に位置させ、この孔
６を通して飽和Ga融液１３を基板保持具８の中
へ入れて基板９上に液相エピタキシヤル成長を行
なわせる。
の室２に飽和Ga融液１３を収容し、次いで、第
１のスライダ５を図の右の方へ引いて、孔６を上
段の室２と中段の室３との間に位置させ、この孔
６を通して飽和Ga融液１３を基板保持具８の中
へ入れて基板９上に液相エピタキシヤル成長を行
なわせる。
この段階では第１のスライダ５に設けられてい
る引つかかり７はまだ第２のスライダ１０の端部
には当接しないように構成されている。液相エピ
タキシヤル成長が完了すると、第１のスライダ５
を更に図の右方へ移動させると引つかかり７によ
つて第２のスライダ１０がともに移動し孔１１が
中段の室３と下段の室４との間に位置し、中段の
室３において液相エピタキシヤル成長に使用完了
した飽和Ga融液１３は孔１１を通して下段の室
４にある融液収納箱１２に収納される。
る引つかかり７はまだ第２のスライダ１０の端部
には当接しないように構成されている。液相エピ
タキシヤル成長が完了すると、第１のスライダ５
を更に図の右方へ移動させると引つかかり７によ
つて第２のスライダ１０がともに移動し孔１１が
中段の室３と下段の室４との間に位置し、中段の
室３において液相エピタキシヤル成長に使用完了
した飽和Ga融液１３は孔１１を通して下段の室
４にある融液収納箱１２に収納される。
このようなボートを用いて、液相エピタキシヤ
ル成長の量産性は向上したが、第１図に示した従
来のボート構造では、ボート操作の最初の段階で
飽和Ga融液が上段の室に収容されるので、ボー
トの重心の位置が高く不安定となり、ボートの操
作に熟練を要する。また、ボートが３段構造とな
つており、上段の室に収容する飽和Ga融液の量
およびスライダの長さを考慮すると、液相エピタ
キシヤル成長させるべき基板の大きさおよび枚数
に大きな制限を受けるという欠点があつた。
ル成長の量産性は向上したが、第１図に示した従
来のボート構造では、ボート操作の最初の段階で
飽和Ga融液が上段の室に収容されるので、ボー
トの重心の位置が高く不安定となり、ボートの操
作に熟練を要する。また、ボートが３段構造とな
つており、上段の室に収容する飽和Ga融液の量
およびスライダの長さを考慮すると、液相エピタ
キシヤル成長させるべき基板の大きさおよび枚数
に大きな制限を受けるという欠点があつた。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたも
ので、転倒のおそれがなく、操作が容易で、しか
も大面積の基板多数枚に対して一時に液相エピタ
キシヤル成長を行なうことのできる装置を提供す
ることを目的としている。
ので、転倒のおそれがなく、操作が容易で、しか
も大面積の基板多数枚に対して一時に液相エピタ
キシヤル成長を行なうことのできる装置を提供す
ることを目的としている。
第４図はこの発明の一実施例を示す平面図、第
５図は第４図のＶ―Ｖ線での断面図である。２１
はこの実施例になる液相エピタキシヤル成長用の
ボート本体、２２は融液収容室、２３はここに収
容された飽和Ga融液、２４は融液収容室２２に
隣接して矢印Ａ方向に摺動可能に設けられた基板
保持具、２５はこの基板保持具２４に保持された
基板、２６は融液収容室２２と基板保持具２４と
を仕切り、支軸２７を軸として融液収容室２２側
へのみ回動可能に構成され、飽和Ga融液２３の
液圧で閉鎖されている仕切板、２８は融液収容室
２２の底を形成し、基板保持具２４の下を通るよ
うに配設されたスライダ、２９はスライダ２８の
一部に設けられた孔、３０はスライダ２８の基板
保持具２４によつてかくされる部分に設けられた
小孔、３１は融液収容室２２から基板保持具２４
へ導入される飽和Ga融液２３の混入異物を除去
する「すの子状」板、３２は基板保持具２４に上
下可動に取りつけられたピン、３３はボート本体
２１のスライダ２８より下段に設けられた使用後
融液収納箱である。
５図は第４図のＶ―Ｖ線での断面図である。２１
はこの実施例になる液相エピタキシヤル成長用の
ボート本体、２２は融液収容室、２３はここに収
容された飽和Ga融液、２４は融液収容室２２に
隣接して矢印Ａ方向に摺動可能に設けられた基板
保持具、２５はこの基板保持具２４に保持された
基板、２６は融液収容室２２と基板保持具２４と
を仕切り、支軸２７を軸として融液収容室２２側
へのみ回動可能に構成され、飽和Ga融液２３の
液圧で閉鎖されている仕切板、２８は融液収容室
２２の底を形成し、基板保持具２４の下を通るよ
うに配設されたスライダ、２９はスライダ２８の
一部に設けられた孔、３０はスライダ２８の基板
保持具２４によつてかくされる部分に設けられた
小孔、３１は融液収容室２２から基板保持具２４
へ導入される飽和Ga融液２３の混入異物を除去
する「すの子状」板、３２は基板保持具２４に上
下可動に取りつけられたピン、３３はボート本体
２１のスライダ２８より下段に設けられた使用後
融液収納箱である。
この実施例では、ボート本体２１にスライダ２
８を挿入して融液収容室２２の底部を塞ぐ。次に
Ga融液、GaAs，アルミニウム（Al），亜鉛
（Zn）からなる飽和Ga融液２３を融液収容室２２
に収容する。この状態では飽和Ga融液２３の圧
力で仕切板２６は閉じられ飽和Ga融液２３は洩
れ出ることはない。次に、「すの子状」板３１お
よび基板２５を基板保持具２４に設置した後、こ
れをボート本体２１に装着する。その後ピン３２
を挿入する。使用後融液収納箱３３はあらかじめ
設置しておく。
８を挿入して融液収容室２２の底部を塞ぐ。次に
Ga融液、GaAs，アルミニウム（Al），亜鉛
（Zn）からなる飽和Ga融液２３を融液収容室２２
に収容する。この状態では飽和Ga融液２３の圧
力で仕切板２６は閉じられ飽和Ga融液２３は洩
れ出ることはない。次に、「すの子状」板３１お
よび基板２５を基板保持具２４に設置した後、こ
れをボート本体２１に装着する。その後ピン３２
を挿入する。使用後融液収納箱３３はあらかじめ
設置しておく。
このように準備したボート本体２１を成長炉に
入れ、ボートが所定温度で平衡したら、基板保持
具２４を図示矢印Ａの方向に摺動させる。これに
よつて基板保持具２４は仕切板２６を押して回動
させ融液収容室２２へ侵入する。そして、飽和
Ga融液２３は「すの子状」板３１を通つてきれ
いになつて基板保持具２４内に入る。そして、ピ
ン３２を孔３０挿入させて、基板保持具２４とス
ライダ２８とを連結する。
入れ、ボートが所定温度で平衡したら、基板保持
具２４を図示矢印Ａの方向に摺動させる。これに
よつて基板保持具２４は仕切板２６を押して回動
させ融液収容室２２へ侵入する。そして、飽和
Ga融液２３は「すの子状」板３１を通つてきれ
いになつて基板保持具２４内に入る。そして、ピ
ン３２を孔３０挿入させて、基板保持具２４とス
ライダ２８とを連結する。
この状態で成長炉を徐冷してエピタキシヤル成
長を行なわせる。そして所定の温度まで低下する
と基板保持部２４を図示矢印Ａと反対方向に摺動
させるとスライダ２８もともに移動し、孔２９が
基板保持具２４に連通している融液収容室２２の
底部に位置するようになり、飽和Ga融液２３は
使用後融液収納箱３３に収納される。なお、基板
保持具２４の底面には傾斜が設けてあるので飽和
Ga融液２３の排出は確実に迅速に行なわれる。
使用後融液収納箱３３は収納融液が使用後のもの
であるので、温度に配慮する必要がなく、その高
さを低くして長さを長くしてもよい。従つて、ボ
ート本体２１全体の高さも低くできる。
長を行なわせる。そして所定の温度まで低下する
と基板保持部２４を図示矢印Ａと反対方向に摺動
させるとスライダ２８もともに移動し、孔２９が
基板保持具２４に連通している融液収容室２２の
底部に位置するようになり、飽和Ga融液２３は
使用後融液収納箱３３に収納される。なお、基板
保持具２４の底面には傾斜が設けてあるので飽和
Ga融液２３の排出は確実に迅速に行なわれる。
使用後融液収納箱３３は収納融液が使用後のもの
であるので、温度に配慮する必要がなく、その高
さを低くして長さを長くしてもよい。従つて、ボ
ート本体２１全体の高さも低くできる。
上記実施例では―族化合物半導体、特に
GaAlAsの液相エピタキシヤル成長を例に挙げて
説明したが、その他一般の結晶の液相エピタキシ
ヤル成長にもこの発明は適用できる。
GaAlAsの液相エピタキシヤル成長を例に挙げて
説明したが、その他一般の結晶の液相エピタキシ
ヤル成長にもこの発明は適用できる。
以上説明したように、この発明になる液相エピ
タキシヤル成長装置では上下２段の構造で、しか
も下段は使用後の融液を収納する箱を置くのみで
あるから、高さを低くすることができ、装置は転
倒のおそれがなく、結晶を成長させるべき基板と
して大きい基板を数多く収容でき、１回の成長操
作で数多くの枚数の基板に容易に結晶を成長させ
ることができる。
タキシヤル成長装置では上下２段の構造で、しか
も下段は使用後の融液を収納する箱を置くのみで
あるから、高さを低くすることができ、装置は転
倒のおそれがなく、結晶を成長させるべき基板と
して大きい基板を数多く収容でき、１回の成長操
作で数多くの枚数の基板に容易に結晶を成長させ
ることができる。
第１図は従来の液相エピタキシヤル成長用ボー
トをを示す平面図、第２図は第１図の―線で
の断面図、第３図は第２図の―線における断
面図、第４図はこの発明の一実施例を示す平面
図、第５図は第４図の―線での断面図であ
る。 図において、２１はボート本体（装置本体）、
２２は融液収容室、２３は飽和Ga融液（飽和結
晶融液）、２４は基板保持具、２５は基板、２６
は仕切板、２８はスライダ（スライド板）、２９
は孔、３０は小孔、３２はピン〔３０，３２が結
合手段を構成する〕、３３は使用後融液収納箱で
ある。
トをを示す平面図、第２図は第１図の―線で
の断面図、第３図は第２図の―線における断
面図、第４図はこの発明の一実施例を示す平面
図、第５図は第４図の―線での断面図であ
る。 図において、２１はボート本体（装置本体）、
２２は融液収容室、２３は飽和Ga融液（飽和結
晶融液）、２４は基板保持具、２５は基板、２６
は仕切板、２８はスライダ（スライド板）、２９
は孔、３０は小孔、３２はピン〔３０，３２が結
合手段を構成する〕、３３は使用後融液収納箱で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 装置本体はスライド可能なスライド板によつ
て上下２段に分割され、その上段部分には飽和結
晶融液の収容室が設けられるとともにこの収容室
の方向へのみ開き得る仕切板で仕切られた位置に
は結晶を成長させるべき基板を保持する基板保持
具が摺動可能に配設され、下段部分には使用後融
液収納箱が配設されてなり、上記収容室に上記飽
和結晶融液を収容した状態で上記基板を保持した
基板保持具を上記仕切板を押開いて上記収容室の
内部へ摺動させ、上記基板上に結晶をエピタキシ
ヤル成長させた後に上記スライド板とともに上記
基板保持具を上記基板保持具が上記収容室の外へ
出る方向に摺動させ、上記スライド板に設けられ
ている孔を上記収容室の下方に位置させ上記収容
室にある飽和結晶融液を上記孔を通して上記使用
後融液収納箱に収納できるように構成されたこと
を特徴とする液相エピタキシヤル成長装置。 ２ 基板保持具はその底面が飽和結晶融液の流出
時に流出容易にするための傾斜を有することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の液相エピタ
キシヤル成長装置。 ３ 基板保持具を収容室の内部へ摺動させたと
き、その状態で上記基板保持具とスライド板とを
結合する結合手段を備えたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項または第２項記載の液相エピタ
キシヤル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119373A JPS599913A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119373A JPS599913A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599913A JPS599913A (ja) | 1984-01-19 |
| JPS6359529B2 true JPS6359529B2 (ja) | 1988-11-21 |
Family
ID=14759898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57119373A Granted JPS599913A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599913A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09299129A (ja) * | 1996-05-09 | 1997-11-25 | Roosutobiifu Kamakurayama:Kk | 荷物運搬具 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109698064B (zh) * | 2019-01-08 | 2020-10-16 | 重庆华虹仪表有限公司 | 提高低压互感器生产效率的注料模具及其应用工艺 |
-
1982
- 1982-07-07 JP JP57119373A patent/JPS599913A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09299129A (ja) * | 1996-05-09 | 1997-11-25 | Roosutobiifu Kamakurayama:Kk | 荷物運搬具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS599913A (ja) | 1984-01-19 |
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