JPH0260076B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0260076B2 JPH0260076B2 JP59137678A JP13767884A JPH0260076B2 JP H0260076 B2 JPH0260076 B2 JP H0260076B2 JP 59137678 A JP59137678 A JP 59137678A JP 13767884 A JP13767884 A JP 13767884A JP H0260076 B2 JPH0260076 B2 JP H0260076B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- wafer
- adhesive sheet
- protective film
- chips
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザのチツプを製造する方法
に関し、詳しくは、へき開した端面に酸化防止用
のコーテイングを施こす工程に特徴を有するもの
である。
に関し、詳しくは、へき開した端面に酸化防止用
のコーテイングを施こす工程に特徴を有するもの
である。
半導体レーザのチツプは素材ウエハをへき開し
て得られた細長いウエハ小片をその長手方向に細
断して形成されるものであり、発光端面となるへ
き開面の酸化を防止して寿命を延ばすためSi3N4
又はAl2O3等の被膜をコーテイングしている。
て得られた細長いウエハ小片をその長手方向に細
断して形成されるものであり、発光端面となるへ
き開面の酸化を防止して寿命を延ばすためSi3N4
又はAl2O3等の被膜をコーテイングしている。
この場合、従来は、ウエハからへき開分断した
ウエハ小片の１本ごとに端面コーテイングを施こ
し、その後にこのウエハ小片を長手方向に所定ピ
ツチで細断していた。
ウエハ小片の１本ごとに端面コーテイングを施こ
し、その後にこのウエハ小片を長手方向に所定ピ
ツチで細断していた。
上記手段は、ウエハ小片を１本ごと扱うめに、
コーテイング装置への装填や取出しに時間がかゝ
り、生産性が低いものとなつていた。
コーテイング装置への装填や取出しに時間がかゝ
り、生産性が低いものとなつていた。
又、上記手段で得られたチツプは第１０図に示
すように、へき開面Ｓにのみ酸化防止被膜１５が
形成され、細断面である両側面Ｔには何んらコー
テイングが施こされず、チツプ本体のPN接合部
が露出するもであつたために、ヒートシング等に
チツプ表面が融着される際に、PN接合部がチツ
プ側面においてロー材の回り込みで短絡されるこ
とがあり、組立て歩留り、及び性能の信頼性が低
下する問題が生じていた。
すように、へき開面Ｓにのみ酸化防止被膜１５が
形成され、細断面である両側面Ｔには何んらコー
テイングが施こされず、チツプ本体のPN接合部
が露出するもであつたために、ヒートシング等に
チツプ表面が融着される際に、PN接合部がチツ
プ側面においてロー材の回り込みで短絡されるこ
とがあり、組立て歩留り、及び性能の信頼性が低
下する問題が生じていた。
本発明は、端面酸化防止用のコーテイング手段
に改良を施こすことによつて、ウエハ単位の処理
を可能にし、生産性の高いチツプ製造を行うこと
ができるとともに、組立て歩留り及び性能信頼性
の向上を図ることができるチツプ製造方法を提供
しようとしたものである。
に改良を施こすことによつて、ウエハ単位の処理
を可能にし、生産性の高いチツプ製造を行うこと
ができるとともに、組立て歩留り及び性能信頼性
の向上を図ることができるチツプ製造方法を提供
しようとしたものである。
このため、本発明においては、以下の各工程を
含む方法を採用した。
含む方法を採用した。
素材ウエハの、へき開起点用ケガキ傷を形成
する面に、アルカリ可溶のポジレジストを保護
膜としてコーテイングする工程。
する面に、アルカリ可溶のポジレジストを保護
膜としてコーテイングする工程。
前記ケガキ傷の形成面を露呈させた状態で粘
着シート上に貼着したウエハを、シート外面か
らの印圧によつてへき開処理する工程。
着シート上に貼着したウエハを、シート外面か
らの印圧によつてへき開処理する工程。
粘着シート上でウエハ小片を、その長手方向
に所定ピツチで細断してチツプ群を形成する工
程。
に所定ピツチで細断してチツプ群を形成する工
程。
粘着シートを伸展して各チツプを互いに分離
する工程。
する工程。
粘着シート上で分離されたチツプ群の露呈面
全面に酸化防止被膜をコーテイングする工程。
全面に酸化防止被膜をコーテイングする工程。
粘着シートに貼着した状態で、各チツプのポ
ジレジストをアルカリ溶液で溶解除去し、その
後、粘着シートに貼着した状態で水洗・乾燥す
る工程。
ジレジストをアルカリ溶液で溶解除去し、その
後、粘着シートに貼着した状態で水洗・乾燥す
る工程。
上記方法によると、粘着シートに貼着したウエ
ハ単位ごとにへき開、酸化防止被膜のコーテイン
グ、細断、チツプの分離、ポジレジストの溶解除
去、及び水洗・乾燥を一連に行うことになる。
又、分離されたチツプのへき開面はもちろんのこ
と、その側面にも酸化防止被膜がコーテイングさ
れる。
ハ単位ごとにへき開、酸化防止被膜のコーテイン
グ、細断、チツプの分離、ポジレジストの溶解除
去、及び水洗・乾燥を一連に行うことになる。
又、分離されたチツプのへき開面はもちろんのこ
と、その側面にも酸化防止被膜がコーテイングさ
れる。
以下に、本発明方法の各工程を図面に基づいて
順次的に説明する。
順次的に説明する。
へき開前処理工程（第１図乃至第３図参照）
電極面を上面にした半導体レーザの素材ウエ
ハ１は、予めアルカリで溶解可能なポジレジス
ト（例えばAZ1350）の保護被膜が上面にコー
テイングされており、このウエハ１が真空チヤ
ツク２を備えた可動テーブル３の上面に吸着固
定され、一定ピツチづつ側方に間欠移動され
る。保護被膜がコーテイングされたウエハ１の
上面には15μ程度の厚さのアルミ箔４が添着さ
れるとともに、ウエハ１の前端縁の上面はアル
ミ箔４の前端より少し露呈される。
ハ１は、予めアルカリで溶解可能なポジレジス
ト（例えばAZ1350）の保護被膜が上面にコー
テイングされており、このウエハ１が真空チヤ
ツク２を備えた可動テーブル３の上面に吸着固
定され、一定ピツチづつ側方に間欠移動され
る。保護被膜がコーテイングされたウエハ１の
上面には15μ程度の厚さのアルミ箔４が添着さ
れるとともに、ウエハ１の前端縁の上面はアル
ミ箔４の前端より少し露呈される。
テーブル３の上方には上下及び前後に駆動さ
れるダイヤモンドスクライバー５が配備され、
そのダイヤモンド針６がウエハ１の後端側にお
いてウエハ１から外れた位置でアルミ箔４上に
落下され、引続いてウエハ１上を通過して前方
に掃引移動される。
れるダイヤモンドスクライバー５が配備され、
そのダイヤモンド針６がウエハ１の後端側にお
いてウエハ１から外れた位置でアルミ箔４上に
落下され、引続いてウエハ１上を通過して前方
に掃引移動される。
そして、アルミ箔４の前端縁から露呈された
ウエハ前端縁上にのみへき開起点用のケガキ傷
７が形成される。
ウエハ前端縁上にのみへき開起点用のケガキ傷
７が形成される。
上記作動をテーブル３の定ピツチ送りごとに
繰返してウエハ１の前端縁上に一定ピツチで多
数のケガキ傷７が……が形成され、このウエハ
１が、片面が粘着面Ａに形成されたビニール等
の伸展可能な軟質プラスチツク製の粘着シート
８上に、ケガキ傷７が露出されらるように粘着
される。
繰返してウエハ１の前端縁上に一定ピツチで多
数のケガキ傷７が……が形成され、このウエハ
１が、片面が粘着面Ａに形成されたビニール等
の伸展可能な軟質プラスチツク製の粘着シート
８上に、ケガキ傷７が露出されらるように粘着
される。
へき開処理工程（第４図参照）
次に、大径ゴムローラ９と、これに対向する
硬質の小径ローラ１０との間に、ウエハ１をゴ
ムローラ９側にして粘着シート８を供給通過さ
せる。すると、ウエハ１は小径ローラ１０の作
用部においてゴムローラ９側に加圧され彎曲さ
れ、各ケガキ傷７を起点としてへき開が進行
し、粘着シート８の下面に多数のウエハ小片１
１が並列状に貼着された状態でローラ間から出
てくる。
硬質の小径ローラ１０との間に、ウエハ１をゴ
ムローラ９側にして粘着シート８を供給通過さ
せる。すると、ウエハ１は小径ローラ１０の作
用部においてゴムローラ９側に加圧され彎曲さ
れ、各ケガキ傷７を起点としてへき開が進行
し、粘着シート８の下面に多数のウエハ小片１
１が並列状に貼着された状態でローラ間から出
てくる。
細断線形成工程（第５図参照）
上記のようにウエハ小片１１群を並列貼着し
た粘着シート８は、間欠送りされる可動テーブ
ル１６上に吸着保持され、ダイヤモンドスクラ
イバー１７によつて小片１１群の上面に、小片
長手方向に一定のピツチで細断線としてケガキ
傷１８が形成される。
た粘着シート８は、間欠送りされる可動テーブ
ル１６上に吸着保持され、ダイヤモンドスクラ
イバー１７によつて小片１１群の上面に、小片
長手方向に一定のピツチで細断線としてケガキ
傷１８が形成される。
細断工程
細断線１８群が形成されたウエハ小片１１群
は、第４図に示したローラ式へき開手段と同様
な押圧手段を用いて、各細断線１８で細断さ
れ、縦横に並列されたチツプ１９群が得られ
る。
は、第４図に示したローラ式へき開手段と同様
な押圧手段を用いて、各細断線１８で細断さ
れ、縦横に並列されたチツプ１９群が得られ
る。
チツプ分離工程（第６図参照）
チツプ１９群が貼着された粘着シート８は、
その端面がチヤツク２０によつて挾持固定され
た状態でリフタ２１上に装着され、リフタ下方
のヒータ２２で適当に加熱されたのち、リフタ
２１の上昇によつてシート８は大きく伸長さ
れ、貼着された各チツプ１９は適当間隔をあけ
て分離される。このシート伸長処理を前後・左
右方向に各別、もしくは同時に行うことによつ
て第７図に示すように、縦横に互いに分離され
たチツプ１９群を得ることができる。
その端面がチヤツク２０によつて挾持固定され
た状態でリフタ２１上に装着され、リフタ下方
のヒータ２２で適当に加熱されたのち、リフタ
２１の上昇によつてシート８は大きく伸長さ
れ、貼着された各チツプ１９は適当間隔をあけ
て分離される。このシート伸長処理を前後・左
右方向に各別、もしくは同時に行うことによつ
て第７図に示すように、縦横に互いに分離され
たチツプ１９群を得ることができる。
酸化防止被膜コーテイング工程（第８図参
照） 次に、チツプ１９群を分離貼着したまゝの粘
着シート８が低温気相成長装置又はスパツタ装
置に導入され、シート８及び先にコーテイング
したポジレジスト１４に悪影響を与えない比較
的低温条件で、Si3N4、Si、SiO2又はAl2O3等
の酸化防止被膜１５が各チツプの露呈面全面に
コーテイングされる。
照） 次に、チツプ１９群を分離貼着したまゝの粘
着シート８が低温気相成長装置又はスパツタ装
置に導入され、シート８及び先にコーテイング
したポジレジスト１４に悪影響を与えない比較
的低温条件で、Si3N4、Si、SiO2又はAl2O3等
の酸化防止被膜１５が各チツプの露呈面全面に
コーテイングされる。
保護被膜除去工程
次に、シート８に貼着したままの状態で、ア
ルカリ溶液、例えば10％NaOH、でポジレジ
スト１４を溶解除去して、その上層の酸化防止
被膜部分も除去したのち、充分水洗し乾燥され
る。このようにアルカリ溶液によつてポジレジ
ストを除去するので、シート８が溶解すること
がない。このようにして、第９図に示すよう
に、へき開面Ｓのみならず両側面Ｔにも酸化防
止被膜１５を残したチツプ１９が得られる。
ルカリ溶液、例えば10％NaOH、でポジレジ
スト１４を溶解除去して、その上層の酸化防止
被膜部分も除去したのち、充分水洗し乾燥され
る。このようにアルカリ溶液によつてポジレジ
ストを除去するので、シート８が溶解すること
がない。このようにして、第９図に示すよう
に、へき開面Ｓのみならず両側面Ｔにも酸化防
止被膜１５を残したチツプ１９が得られる。
尚、上記のようにして得られたチツプ１９は特
性チエツクの後、シート８に貼着したまゝで組立
工程に移されることになる。
性チエツクの後、シート８に貼着したまゝで組立
工程に移されることになる。
以上説明したように、本発明方法によれば、貼
着シートを用いてウエハ単位ごとにへき開、細
断、酸化防止被膜のコーテイング、チツプの分
離、ポジレジストの溶解除去、及び水洗・乾燥を
一連に行うことができ、生産性を極めて向上する
ことが可能となつた。
着シートを用いてウエハ単位ごとにへき開、細
断、酸化防止被膜のコーテイング、チツプの分
離、ポジレジストの溶解除去、及び水洗・乾燥を
一連に行うことができ、生産性を極めて向上する
ことが可能となつた。
そして、特に本発明によれば、酸化防止被膜を
へき開面のみならず、チツプ側面にも同時にコー
テイングするために、チツプ表面をヒートシンク
等に融着連結する場合においても側面コーテイン
グがPN接合部を短絡する絶縁材として働き、組
立て歩留り、及び性能信頼性の向上を図ることが
できた。
へき開面のみならず、チツプ側面にも同時にコー
テイングするために、チツプ表面をヒートシンク
等に融着連結する場合においても側面コーテイン
グがPN接合部を短絡する絶縁材として働き、組
立て歩留り、及び性能信頼性の向上を図ることが
できた。
第１図は本発明方法におけるへき開前処理手段
の斜視図、第２図はその側面図、第３図はへき開
用の前処理の完了したウエハを示す斜視図、第４
図はへき開処理手段の斜視図、第５図は細断線形
成手段の斜視図、第６図はチツプ分離手段の側面
図、第７図は分離処理後のチツプを示す斜視図、
第８図は酸化防止被膜コーテイング処理の完了し
たチツプ群を示す一部切欠き斜視図、第９図は完
成したチツプ単体の拡大斜視図、第１０図は従来
方法で得られたチツプ単体の拡大斜視図である。 １……ウエハ、４……アルミ箔、７……ケガキ
傷、８……粘着シート、１９……チツプ。
の斜視図、第２図はその側面図、第３図はへき開
用の前処理の完了したウエハを示す斜視図、第４
図はへき開処理手段の斜視図、第５図は細断線形
成手段の斜視図、第６図はチツプ分離手段の側面
図、第７図は分離処理後のチツプを示す斜視図、
第８図は酸化防止被膜コーテイング処理の完了し
たチツプ群を示す一部切欠き斜視図、第９図は完
成したチツプ単体の拡大斜視図、第１０図は従来
方法で得られたチツプ単体の拡大斜視図である。 １……ウエハ、４……アルミ箔、７……ケガキ
傷、８……粘着シート、１９……チツプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 素材ウエハのへき開起点用ケガキ傷を形成す
る面に、保護被膜をコーテイングする工程と、印
圧によつて前記素材ウエハをへき開処理する工程
と、各ウエハ小片を、その長手方向に所定ピツチ
で細断してチツプ群を形成する工程と、各チツプ
を互いに分離する工程と、チツプ群にSi3N4、
Si、SiO2、Al2O3等の酸化防止被膜をコーテイン
グする工程と、各チツプの前記保護被膜を溶解除
去した後、水洗・乾燥する工程とを含む半導体レ
ーザのチツプ製造方法において、 前記保護被膜をコーテイングする工程では、保
護被膜として、アルカリ可溶性のポジレジストを
用い、 前記へき開処理する工程では、前記ケガキ傷の
形成された面を露呈させた状態で粘着シート上に
貼着した素材ウエハにシート外面から印圧し、 前記チツプ群を形成する工程では、前記粘着シ
ート上で前記各ウエハ小片を細断し、 前記分離する工程では、前記粘着シートを伸展
することにより、各チツプを分離し、 前記酸化防止被膜をコーテイングする工程で
は、前記粘着シート上で分離されたチツプ群の露
呈面全面にコーテイングし、 前記保護被膜を溶解除去した後、水洗・乾燥す
る工程では、前記粘着シート上に各チツプを貼着
した状態で前記保護被膜をアルカリ溶液で溶解除
去するとともに、水洗・乾燥することを特徴とす
る半導体レーザのチツプ製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59137678A JPS6116592A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 半導体レ−ザのチツプ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59137678A JPS6116592A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 半導体レ−ザのチツプ製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6116592A JPS6116592A (ja) | 1986-01-24 |
| JPH0260076B2 true JPH0260076B2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=15204255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59137678A Granted JPS6116592A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 半導体レ−ザのチツプ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6116592A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02272079A (ja) * | 1989-08-11 | 1990-11-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | 接着性組成物 |
| FR2808920B1 (fr) * | 2000-05-10 | 2003-10-03 | Gemplus Card Int | Procede de protection de puces de circuit integre |
| JP2007201305A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Sony Corp | 半導体レーザ装置、半導体レーザチップ、および半導体レーザ装置の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52134387A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS5942996B2 (ja) * | 1979-02-16 | 1984-10-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体レ−ザの特性測定法 |
| JPS5671952A (en) * | 1979-11-16 | 1981-06-15 | Nec Home Electronics Ltd | Breaking semiconductor wafer |
| JPS58125886A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58138050A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-07-02 JP JP59137678A patent/JPS6116592A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6116592A (ja) | 1986-01-24 |
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