JPH026052A - 通電加熱部材 - Google Patents
通電加熱部材Info
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- JPH026052A JPH026052A JP15127988A JP15127988A JPH026052A JP H026052 A JPH026052 A JP H026052A JP 15127988 A JP15127988 A JP 15127988A JP 15127988 A JP15127988 A JP 15127988A JP H026052 A JPH026052 A JP H026052A
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- base material
- gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発叫は、通電性物質に通電し、ジュール熱を発生させ
、リード線等の被加工物を加工する通電加熱部材に関す
る。
、リード線等の被加工物を加工する通電加熱部材に関す
る。
（従来の技術）
近年、フ１クトリーオートメーションの進歩は著しい。
その−例として集積回路（ｒｃ＞を基板にはんだ付けを
する装置がある。この装置ではＦｅ、ＭＯ，Ｗ、Ｔａ、
Ｃｕ、ＡＩ、ステ）／レスなどの導電性物ττ／）Ｓ
Ｉうなる母材を加工した加熱部材に通電し、ジュール熱
を発生させ、前記加熱部材で一度に複数のリード線を基
板に押付けることにより、はんだ付けを行なっている。
する装置がある。この装置ではＦｅ、ＭＯ，Ｗ、Ｔａ、
Ｃｕ、ＡＩ、ステ）／レスなどの導電性物ττ／）Ｓ
Ｉうなる母材を加工した加熱部材に通電し、ジュール熱
を発生させ、前記加熱部材で一度に複数のリード線を基
板に押付けることにより、はんだ付けを行なっている。
通常、ＩＣはニガ又は四方にリード線が出ているので、
加熱部材は二個又は四個を平行あるいは四方取囲むよう
に設置され、電気的に直列に接続されている。
加熱部材は二個又は四個を平行あるいは四方取囲むよう
に設置され、電気的に直列に接続されている。
並列でもよいが、この場合には、装置仝休で必要な電流
の容量が多くなる。
の容量が多くなる。
こうした、導電性物質からなる加熱部材を直接ＩＣのリ
ード線に接触させてはんだ付【フを行なうと基板の配線
が直列に接続された加熱部材同志を結ぶ箇所では、加熱
部材からの基板の配線への電流の分流が起こり、基板の
配線が切れるという不具合があった。また、加熱部材に
はんだが付着しやづ゛いという不具合もあった。
ード線に接触させてはんだ付【フを行なうと基板の配線
が直列に接続された加熱部材同志を結ぶ箇所では、加熱
部材からの基板の配線への電流の分流が起こり、基板の
配線が切れるという不具合があった。また、加熱部材に
はんだが付着しやづ゛いという不具合もあった。
（Ｕ明が解決しようとする課題）
以上述べたように、導電性物質からなる加熱部材を直接
ＩＣのリード線に接触さＶてはんだ付けを行なうと、加
熱部材から基板の配線への電流の分流が起って、配線が
切れる、加熱部材にはんだが付着する等の不具合があっ
た。
ＩＣのリード線に接触さＶてはんだ付けを行なうと、加
熱部材から基板の配線への電流の分流が起って、配線が
切れる、加熱部材にはんだが付着する等の不具合があっ
た。
本発明では、加熱部材の少なくともＩＣのリード線に接
する部分に絶縁性でかつはんだとのぬれ性が悪くはんだ
が付着しにくい材質からなる被膜で被覆したことにより
加熱部材から基板の配線への電流の分流による配線切れ
及び加熱部材へのはんだの付？腎を防ぎ良好な加工を施
すことを目的とした。
する部分に絶縁性でかつはんだとのぬれ性が悪くはんだ
が付着しにくい材質からなる被膜で被覆したことにより
加熱部材から基板の配線への電流の分流による配線切れ
及び加熱部材へのはんだの付？腎を防ぎ良好な加工を施
すことを目的とした。
［発明の構成、］
（課題を解決するための手段）
本発明の通電加熱部材は、導電性材料からなる母材の表
面で、少なくともリード線に接する部分に、比抵抗が前
記母材の１０Ｏｆ８以上を有しかつ鉛又は錫の少なくと
し一方を主成分とする金属の溶融物との接触角が１０度
以上の材質からなる被膜で被覆したことを特徴とする。
面で、少なくともリード線に接する部分に、比抵抗が前
記母材の１０Ｏｆ８以上を有しかつ鉛又は錫の少なくと
し一方を主成分とする金属の溶融物との接触角が１０度
以上の材質からなる被膜で被覆したことを特徴とする。
前記加熱部材の表面に被覆ザる被膜の材料としてはＣ，
Ｏ，Ｎ等から選ばれる少なくとも一種以上の元素を成分
とするものが使われる。その理由は以下に）ホベる通り
である。まず前記被膜は約１５０℃から３００℃程度ま
でのヒートナイクルにＪ３いて母材から剥離しない材料
で構成されていなければならない。また、オー１〜メー
シヨン化されたはんだ付は装置では、加熱部材は数秒程
度の周期で昇温、降温が行なわれるので、前記被膜の材
料は熱伝導率の高いものでなければならない。従って前
記被膜の膜厚１μｍを越える場合には熱伝導：しは１ｗ
ｍ−ｌＨ−ｓ以上でな（Ｊればならない。
Ｏ，Ｎ等から選ばれる少なくとも一種以上の元素を成分
とするものが使われる。その理由は以下に）ホベる通り
である。まず前記被膜は約１５０℃から３００℃程度ま
でのヒートナイクルにＪ３いて母材から剥離しない材料
で構成されていなければならない。また、オー１〜メー
シヨン化されたはんだ付は装置では、加熱部材は数秒程
度の周期で昇温、降温が行なわれるので、前記被膜の材
料は熱伝導率の高いものでなければならない。従って前
記被膜の膜厚１μｍを越える場合には熱伝導：しは１ｗ
ｍ−ｌＨ−ｓ以上でな（Ｊればならない。
前述した元素を含む材料はすべて熱伝ン９串の高い材料
である。
である。
また、＋＋［１熱材料は１に地電位に対し１〜１０ｉ〒
度の電位差を有するので、前記被膜は、この電圧に対し
絶縁被膜が起こらない程度の膜厚を必要どする。従って
前記第２の被膜の膜厚は５００八以上好ましくはｉ ｏ
ｏｏÅ以上は必要であり、耐摩耗性も１４慮すると２μ
ｍＰ１度は必要である。熱伝導率を考［，１すると５μ
ｍ以上にすることは好ましくはない。前記被膜を母材の
表面に被覆する方法としては、スパッタリング、イオン
ブレーティング。
度の電位差を有するので、前記被膜は、この電圧に対し
絶縁被膜が起こらない程度の膜厚を必要どする。従って
前記第２の被膜の膜厚は５００八以上好ましくはｉ ｏ
ｏｏÅ以上は必要であり、耐摩耗性も１４慮すると２μ
ｍＰ１度は必要である。熱伝導率を考［，１すると５μ
ｍ以上にすることは好ましくはない。前記被膜を母材の
表面に被覆する方法としては、スパッタリング、イオン
ブレーティング。
真空蒸着、プラズマＣＶＤ、ＥＣＲプラズマＣＶＤ、熱
ＣＶＤ、光ＣＶ［）などがある。この中でも、膜の密着
性がよいこと、比較的低温で処理でき膜の特性が損われ
ないこと、膜の電気的特性が制御しやすいことを考１１
１！するとプラズマＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法
が特に適当である。
ＣＶＤ、光ＣＶ［）などがある。この中でも、膜の密着
性がよいこと、比較的低温で処理でき膜の特性が損われ
ないこと、膜の電気的特性が制御しやすいことを考１１
１！するとプラズマＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法
が特に適当である。
（作用）
加熱部材の少なくとも）Ｃのリード線に接する部分に絶
縁性でかつはんだとのぬれ性の悪い被膜を被覆すること
により加熱部材にはんだが付着するという不具合がなく
なった。
縁性でかつはんだとのぬれ性の悪い被膜を被覆すること
により加熱部材にはんだが付着するという不具合がなく
なった。
（実施例）
本発明の加熱部材は導電性物質を第１図に示Ｊように加
工し、表面に絶縁性でかつはんだとのぬれ性の悪い被膜
で被覆してなる。
工し、表面に絶縁性でかつはんだとのぬれ性の悪い被膜
で被覆してなる。
Ａ−トメ−ジョン化されたはんだ付は装置においてはこ
の加熱部材を第２図に示すように四方を取囲むように設
置し、これらを電気的に直列に５○Ｈｚの交流電源へ接
続して使用される。
の加熱部材を第２図に示すように四方を取囲むように設
置し、これらを電気的に直列に５○Ｈｚの交流電源へ接
続して使用される。
加工工程は以下に示す通りである。基板上にＩＣが乗せ
られ、自＃Ｊｌ＃２送されてきた後、加熱部材が降りて
きてＩｃのリード線を約２に９重／ｃｍ２の圧力で押付
けるのと同時に、加熱部材に約５０ＯＡの電流を供給し
、３００℃程度まで加熱する。
られ、自＃Ｊｌ＃２送されてきた後、加熱部材が降りて
きてＩｃのリード線を約２に９重／ｃｍ２の圧力で押付
けるのと同時に、加熱部材に約５０ＯＡの電流を供給し
、３００℃程度まで加熱する。
はんだが溶けてリード線と基板の回路が接続された後、
通電を止め、はんだが固まったところで、加熱部材が上
昇し、この−工程が終了する。
通電を止め、はんだが固まったところで、加熱部材が上
昇し、この−工程が終了する。
以下に、導電性物質からなる母材の表面にＯｈ ｉホの
絶縁性かつはんだとのぬれ性の悪い被膜を被覆Ｊること
により、本発明の加熱部材を装造した実施例について記
載する。
絶縁性かつはんだとのぬれ性の悪い被膜を被覆Ｊること
により、本発明の加熱部材を装造した実施例について記
載する。
実施例１−
本実施例では、プラズマＣＶＤ法により第１表に示した
成分の＊膜を母材の表面に被覆した。
成分の＊膜を母材の表面に被覆した。
第３図は平行平板型の容量結合型“プラズマＣＤ装置の
略図である。真空チャンバー６内にｔま、平板状接地電
極７と高周波′Ｆｉ極８が対向して設置されている。ま
た、真空チャンバー６にはガス導入口１２が設けられて
いる。接地電極７にはヒーター９が取付けられ）自周波
電力８にはマツチングボックス１０を介して高周波用４
（ｉｌｌに接続されている。
略図である。真空チャンバー６内にｔま、平板状接地電
極７と高周波′Ｆｉ極８が対向して設置されている。ま
た、真空チャンバー６にはガス導入口１２が設けられて
いる。接地電極７にはヒーター９が取付けられ）自周波
電力８にはマツチングボックス１０を介して高周波用４
（ｉｌｌに接続されている。
この装置によりまず導電性加熱部材に被膜を被覆した。
導電性加熱部材１３を、接地電極７に置き、図示しない
真空ポンプによってチャンバー６内を１０−６Ｔｏｒｒ
稈度に排気した。次に設置電極７に取付けたヒーター９
により、加熱部材１３を１５０’Ｃから４５９℃程度に
加熱しガス導入口１２より３ｉト１．＋ 、Ｎ２ 、Ｃ
Ｈｎ等の原わｌガスをチャンバー６内に供給して、チャ
ンバー６内の真空度を０．０５・−１，０Ｔ旧゛ｒに保
つように排気した。高周波電極８に電力を投入すると、
電極間にてグロー放電が起こり、原料ガスがプラズマ化
し絶縁性被膜が加熱部材１３に被覆された′ｆＩｉ膜の
成分、原料ガス及び成膜条件は第１表に示す通りである
。例えばＳｉ ＣＮ組成の被膜を成膜する場合には、原
料ガスとしてＳｉ Ｈ４１００ＳＣＣＭ。
真空ポンプによってチャンバー６内を１０−６Ｔｏｒｒ
稈度に排気した。次に設置電極７に取付けたヒーター９
により、加熱部材１３を１５０’Ｃから４５９℃程度に
加熱しガス導入口１２より３ｉト１．＋ 、Ｎ２ 、Ｃ
Ｈｎ等の原わｌガスをチャンバー６内に供給して、チャ
ンバー６内の真空度を０．０５・−１，０Ｔ旧゛ｒに保
つように排気した。高周波電極８に電力を投入すると、
電極間にてグロー放電が起こり、原料ガスがプラズマ化
し絶縁性被膜が加熱部材１３に被覆された′ｆＩｉ膜の
成分、原料ガス及び成膜条件は第１表に示す通りである
。例えばＳｉ ＣＮ組成の被膜を成膜する場合には、原
料ガスとしてＳｉ Ｈ４１００ＳＣＣＭ。
Ｎ ２５００ Ｓ ＣＣＭ 、 Ｃｔ−１４４００Ｓ
ＣＣＭをガス導入口１２より導入し、チャンバー６内の
反応圧力を１．ＱＴｏｒｒに保持し、高周波電極８に５
００Ｗの電圧を印加して成膜を行なった。この場合、成
膜時間４０分で３．０μｍの膜厚の被膜が形成された。
ＣＣＭをガス導入口１２より導入し、チャンバー６内の
反応圧力を１．ＱＴｏｒｒに保持し、高周波電極８に５
００Ｗの電圧を印加して成膜を行なった。この場合、成
膜時間４０分で３．０μｍの膜厚の被膜が形成された。
以下、他成分の被膜でも同様に成膜された絶縁性被膜の
成分、原料ガスとその流量、チャンバー内の反応圧力、
高周波電極８に印加される電力。
成分、原料ガスとその流量、チャンバー内の反応圧力、
高周波電極８に印加される電力。
成膜時間、膜厚は第１表に示す通りである。
（以下余白）
プラズマＣＶＤ法によれば、加熱部材を１５０℃乃至４
５０’Ｃの比較的低温で処理できるため、加熱部材の特
性を損うことなく母材との書着強度の強い良好な被膜が
１ｑられる。
５０’Ｃの比較的低温で処理できるため、加熱部材の特
性を損うことなく母材との書着強度の強い良好な被膜が
１ｑられる。
一実施例２−
本実ｔＮ例では、スパッタリング法により第２表に示し
た成分の被膜を成膜した。使用されるスパッタ装置は第
４図に示す通りである。真空チャンバー６内に号よ平板
状接地電極７と高周波電極８とが対向して設置されてお
り、平板状接地電極７にはヒーター９が取付けられてい
る。高層Ｉｔｔ電陽８はマツチングボックス１０を介し
て高周波電極１１に接続されている。真空チャンバー６
の側壁にはガス導入口１２が設けられている。このよう
にスパッタリング装置は前述のプラズマＣＶＤ装置と類
似しているが、高周波電極８に原料の固体をターゲット
１４として設けている点のみが異なっている。この装置
により第１のＰ、疎性被膜を成膜するには、まずターゲ
ット１４として原料の固体を設置し、ガス導入口１２よ
りＡｒガス、場合により反応ガスを同時に流入した。こ
れらのガスがプラズマ化しＡｒイオンがターゲット１４
の物質を原子状あるいは分子状にしてたたき出した後、
反応ガスのプラズマ中で反応しながら加熱部材１３０表
面に９ＩＡＩ性彼膜を成膜した。第３表には成膜された
被膜の成分、原料及び成膜条件等が記載されている。例
えば、非晶質シリコンからなる被膜を成膜するには、タ
ーゲットとして単結晶又は多結晶シリコンをｇ２ Ｍし
、ガス導入口１２よりＡｒガスＩＯ８ＣＣＭ、Ｈ２ガス
１１００５ＣＣを導入しチャンバー内圧力を１Ｘ１０−
３Ｔｏｒｒに（τち高周波９謹８に５００Ｗの電圧をか
けて成膜を行なった。
た成分の被膜を成膜した。使用されるスパッタ装置は第
４図に示す通りである。真空チャンバー６内に号よ平板
状接地電極７と高周波電極８とが対向して設置されてお
り、平板状接地電極７にはヒーター９が取付けられてい
る。高層Ｉｔｔ電陽８はマツチングボックス１０を介し
て高周波電極１１に接続されている。真空チャンバー６
の側壁にはガス導入口１２が設けられている。このよう
にスパッタリング装置は前述のプラズマＣＶＤ装置と類
似しているが、高周波電極８に原料の固体をターゲット
１４として設けている点のみが異なっている。この装置
により第１のＰ、疎性被膜を成膜するには、まずターゲ
ット１４として原料の固体を設置し、ガス導入口１２よ
りＡｒガス、場合により反応ガスを同時に流入した。こ
れらのガスがプラズマ化しＡｒイオンがターゲット１４
の物質を原子状あるいは分子状にしてたたき出した後、
反応ガスのプラズマ中で反応しながら加熱部材１３０表
面に９ＩＡＩ性彼膜を成膜した。第３表には成膜された
被膜の成分、原料及び成膜条件等が記載されている。例
えば、非晶質シリコンからなる被膜を成膜するには、タ
ーゲットとして単結晶又は多結晶シリコンをｇ２ Ｍし
、ガス導入口１２よりＡｒガスＩＯ８ＣＣＭ、Ｈ２ガス
１１００５ＣＣを導入しチャンバー内圧力を１Ｘ１０−
３Ｔｏｒｒに（τち高周波９謹８に５００Ｗの電圧をか
けて成膜を行なった。
この場合、成膜時間６０分で３．０．ｕｍの膜厚の非晶
質シリコン被膜が成膜された。また、原料ガスとしてＡ
ｒガス、Ｈ２ガスと同時にＢ２ Ｈ６ガス１ＳＣＣＭ又
はＰＨ３ガス１３ＣＣＭｆｉ、３４人させてもよい。以
下池の成分の′Ｉｉ膜についても同様にターゲットの固
体、原料ガスとその流分、チャンバー６内の反応圧力、
高周波電極８に印加された電力、成膜時間及び成膜のＶ
Ａ厚を第３表中に記載した。
質シリコン被膜が成膜された。また、原料ガスとしてＡ
ｒガス、Ｈ２ガスと同時にＢ２ Ｈ６ガス１ＳＣＣＭ又
はＰＨ３ガス１３ＣＣＭｆｉ、３４人させてもよい。以
下池の成分の′Ｉｉ膜についても同様にターゲットの固
体、原料ガスとその流分、チャンバー６内の反応圧力、
高周波電極８に印加された電力、成膜時間及び成膜のＶ
Ａ厚を第３表中に記載した。
（以下余白）
スパッタリング法は原料として固体が使用できるため扱
いやすく、また、加熱部材の形状により装置の形状を変
える必要がなく汎用的な方法といえる。
いやすく、また、加熱部材の形状により装置の形状を変
える必要がなく汎用的な方法といえる。
一実ｔＡ例３−
本実施例では、ＥＣＲプラズマＣｖＤ法により母材の表
面に被膜を成膜した。この方法に使われる装置は、第５
図に示す通りである。成膜空１５のＦＩηにはガス導入
口１２が設けられている。
面に被膜を成膜した。この方法に使われる装置は、第５
図に示す通りである。成膜空１５のＦＩηにはガス導入
口１２が設けられている。
また、成摸空１５上方にはプラズマ形成室１６が配Ｘ２
され、この成膜！１６とは、仕切り板１７に設けられた
プラズマ導入［１１８によって連通している。プラズマ
形成＝１６の上壁には石英板１９が配設され、石英板１
つの上方にはマイクロ波導波管２０が配設されている。
され、この成膜！１６とは、仕切り板１７に設けられた
プラズマ導入［１１８によって連通している。プラズマ
形成＝１６の上壁には石英板１９が配設され、石英板１
つの上方にはマイクロ波導波管２０が配設されている。
また、プラズマ形成室１６．上壁にはガス導入口２１が
設けられ、プラズマ形成９１６の周囲には、電磁石２２
が設けられている。
設けられ、プラズマ形成９１６の周囲には、電磁石２２
が設けられている。
この装置により加熱部材に絶縁性被膜を被覆するには、
加熱部材１３を成膜室１５内底部に設置し以下の通り成
、税を行なった。成膜宮１５内を真空ポンプにより排気
し、ＩＸｌ、Ｏ−５乃至１×１０−３の真空度に保持し
たａ導入管１２より成膜蛮１５に原料ガス、導入管２１
よりプラズマ形成室、反応ガス（Ｎ２．０２ 、Ｃｌ−
１４等）または、そ札自身は反応眩ずにエネルギーを他
に供給するガス、（Ａｒ 、 １−１ｅ 、 Ｈ２）を
それぞれ導入した。
加熱部材１３を成膜室１５内底部に設置し以下の通り成
、税を行なった。成膜宮１５内を真空ポンプにより排気
し、ＩＸｌ、Ｏ−５乃至１×１０−３の真空度に保持し
たａ導入管１２より成膜蛮１５に原料ガス、導入管２１
よりプラズマ形成室、反応ガス（Ｎ２．０２ 、Ｃｌ−
１４等）または、そ札自身は反応眩ずにエネルギーを他
に供給するガス、（Ａｒ 、 １−１ｅ 、 Ｈ２）を
それぞれ導入した。
マイクロ波４＠：Ｈ２０Ｊ：す２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波をプラズマ形成！１６に導入すると、このマイクロ
波により、電場Ｅが生じる。また、電磁石２２に電流を
流してプラズマ形成＝１６内に８７５がウス磁場Ｂを形
成する。プラズマ形成空１６内の電子が共鳴し励起され
る。この電子の共鳴により導入管２１から導入されると
、Ｎ２、または、へｒガスにそのエネルギーが供給され
、これらのガスのプラズマを形成する。このプラズマは
磁場の月数に伴い、プラズマ導出管１８より、成膜至１
５に引出される。成ＨＡ！ｉｌ’１５中に導入管１２よ
り導入されたｌガスの成分が成Ｎ！ Ｎ １５内の平板
状の加熱部材１３の表面に成膜された。各被膜について
原料ガス、成膜条件等を第５表に２叔した。例えば、３
ｉ ４ Ｎ成分の成膜をする場合には、原料としてＳ
ｉ Ｈ４１１０５ＣＣをガス導入口により導入し、反応
ガスとして、Ｎ２５０ＳＣＣＭをガス導入口により導゛
入した。チャンバー内の圧力は３ｘ １０”” Ｔｏｒ
ｒに保ちマイクロ波電力を５００Ｗとした。この場合、
成膜時間４０分でｊ！ＦＩ３．Ｏ！Ｉｌの７１膜を得た
。以下、他の成分の被膜についても同１ヱに第５表中に
、原料ガスとその流層、成膜！１５内の反応圧力、マイ
クロ波電力、成膜時間、摸厚を２戒した。
ロ波をプラズマ形成！１６に導入すると、このマイクロ
波により、電場Ｅが生じる。また、電磁石２２に電流を
流してプラズマ形成＝１６内に８７５がウス磁場Ｂを形
成する。プラズマ形成空１６内の電子が共鳴し励起され
る。この電子の共鳴により導入管２１から導入されると
、Ｎ２、または、へｒガスにそのエネルギーが供給され
、これらのガスのプラズマを形成する。このプラズマは
磁場の月数に伴い、プラズマ導出管１８より、成膜至１
５に引出される。成ＨＡ！ｉｌ’１５中に導入管１２よ
り導入されたｌガスの成分が成Ｎ！ Ｎ １５内の平板
状の加熱部材１３の表面に成膜された。各被膜について
原料ガス、成膜条件等を第５表に２叔した。例えば、３
ｉ ４ Ｎ成分の成膜をする場合には、原料としてＳ
ｉ Ｈ４１１０５ＣＣをガス導入口により導入し、反応
ガスとして、Ｎ２５０ＳＣＣＭをガス導入口により導゛
入した。チャンバー内の圧力は３ｘ １０”” Ｔｏｒ
ｒに保ちマイクロ波電力を５００Ｗとした。この場合、
成膜時間４０分でｊ！ＦＩ３．Ｏ！Ｉｌの７１膜を得た
。以下、他の成分の被膜についても同１ヱに第５表中に
、原料ガスとその流層、成膜！１５内の反応圧力、マイ
クロ波電力、成膜時間、摸厚を２戒した。
（Ｌｌ下余白）
このようにＥＣＲプラズマＣＶＤ法によれば加熱部材を
加熱することなく処理でき、成分が均一で部材に密着し
た被膜が成膜できる。
加熱することなく処理でき、成分が均一で部材に密着し
た被膜が成膜できる。
以上の実施θ１１乃至３に示した成膜を行なう前にＡｒ
イオンボンバード処理を行なうと、被膜と母材の８着度
を高くすることができる。この処理を行なうにはプラズ
マＣＶ Ｄ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法の場合は、被膜
となる原斜ガスを供給せずにＡｒを流してプラズマを形
成すればよく、スパックリング法の場合には、ターゲッ
トではなく母材に電力を印加すればよい。
イオンボンバード処理を行なうと、被膜と母材の８着度
を高くすることができる。この処理を行なうにはプラズ
マＣＶ Ｄ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法の場合は、被膜
となる原斜ガスを供給せずにＡｒを流してプラズマを形
成すればよく、スパックリング法の場合には、ターゲッ
トではなく母材に電力を印加すればよい。
さらに襖表と母材との密着度を高めるには、液膜と母材
の界面に、窒票、炭混、曝素等を母材より多（含有する
領域を形成するとよい。そのためには予めイオン窒化、
浸炭処理等を行なった母材に絶縁性被膜を被覆させたつ
、前記イオンボンバードの際にＡ「ガスにＮ２．０２
、Ｃｌ−１４等を混合してもよい。・また、Ｎ２．０２
、ＣＨ４等のガスのイオンボンバードを行なってもよ
い。
の界面に、窒票、炭混、曝素等を母材より多（含有する
領域を形成するとよい。そのためには予めイオン窒化、
浸炭処理等を行なった母材に絶縁性被膜を被覆させたつ
、前記イオンボンバードの際にＡ「ガスにＮ２．０２
、Ｃｌ−１４等を混合してもよい。・また、Ｎ２．０２
、ＣＨ４等のガスのイオンボンバードを行なってもよ
い。
このように、導電性物質からなる母材の表面に絶縁性か
つはんだとのぬれ性の悪い材質の被膜を被覆することに
より、加熱部材から基板の回路への電流の分流がなくな
り、良好な加工を施すことができ、また、はんだが付着
しにくく、かつ耐摩耗性、耐酸化性に優れ、数万回の使
用にも耐えることができる加熱部材を提供することがで
きる。
つはんだとのぬれ性の悪い材質の被膜を被覆することに
より、加熱部材から基板の回路への電流の分流がなくな
り、良好な加工を施すことができ、また、はんだが付着
しにくく、かつ耐摩耗性、耐酸化性に優れ、数万回の使
用にも耐えることができる加熱部材を提供することがで
きる。
［発明の効果１
以、ヒ詳述したように、本発明ので縁性でかつはんだと
のぬれ性の悪い材質の′Ｆ４膜で［Ｌ、た加熱部材によ
れば、加熱部材から波加工吻への電流の分流がなく、か
つはんだが付着しに（く、良好な加工がなされる。
のぬれ性の悪い材質の′Ｆ４膜で［Ｌ、た加熱部材によ
れば、加熱部材から波加工吻への電流の分流がなく、か
つはんだが付着しに（く、良好な加工がなされる。
第１図乃至第５図はすべて本発明の実施例に関するもの
であり、第１図は１個の加熱部材の斜視図、第２図は４
個の加熱部材を直列に繋いだ様子を示した様式図、第３
図乃至第５図は加薯部材を製造するための装置の′Ｊ１
１８図であり、第３図はプラズマＣＶＤ法に用いられる
装置の概略図、第４図はスパッタリング法に用いられる
装置の概略図、第５図はＥＣＲプラズマＣＶＤ法に用い
られる装置の概略図である。 １３・・・加熱部材
であり、第１図は１個の加熱部材の斜視図、第２図は４
個の加熱部材を直列に繋いだ様子を示した様式図、第３
図乃至第５図は加薯部材を製造するための装置の′Ｊ１
１８図であり、第３図はプラズマＣＶＤ法に用いられる
装置の概略図、第４図はスパッタリング法に用いられる
装置の概略図、第５図はＥＣＲプラズマＣＶＤ法に用い
られる装置の概略図である。 １３・・・加熱部材
Claims (1)
- 導電性物質からなる母材に通電することで加熱せしめ被
加工物に加工を施す部材において、少なくとも母材の被
加工物と接する部分は比抵抗が母材の１００倍以上でか
つ鉛または錫の少なくとも一方を主成分とする金属の溶
融物との接触角が１０度以上である被膜で順次被覆され
たことを特徴とする通電加熱部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15127988A JPH026052A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 通電加熱部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15127988A JPH026052A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 通電加熱部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH026052A true JPH026052A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=15515208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15127988A Pending JPH026052A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 通電加熱部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH026052A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04458U (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-06 | ||
| US5569961A (en) * | 1992-12-30 | 1996-10-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device having a multi-layer metallization structure |
-
1988
- 1988-06-21 JP JP15127988A patent/JPH026052A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04458U (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-06 | ||
| US5569961A (en) * | 1992-12-30 | 1996-10-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device having a multi-layer metallization structure |
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