JPH026091A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
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- JPH026091A JPH026091A JP63156473A JP15647388A JPH026091A JP H026091 A JPH026091 A JP H026091A JP 63156473 A JP63156473 A JP 63156473A JP 15647388 A JP15647388 A JP 15647388A JP H026091 A JPH026091 A JP H026091A
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- JP
- Japan
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- fuse
- laser beam
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- cut
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- Granted
Links
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 abstract 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000002266 amputation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回路の配線を高精度で切断加工す
るレーザ加工装置に関する。
るレーザ加工装置に関する。
従来の技術
半導体集積回路は、年々微細加工技術が進歩し、高密度
化、高集積化がはかられている。とくに、半導体メモリ
ーは、微細加工による高集積化で、大容量化がはかられ
ている。しかし、半導体チップ面積も増加しており、ダ
ストなどによるパターン欠陥の不良で、歩留りが低下す
る。このため、チップ上の配線やヒユーズを切断して、
不良メモリセルと、前もって同一チツブに設けられてい
る予備のメモリセルとを置き換え、不良を良品化する冗
長救済技術が用いられている。
化、高集積化がはかられている。とくに、半導体メモリ
ーは、微細加工による高集積化で、大容量化がはかられ
ている。しかし、半導体チップ面積も増加しており、ダ
ストなどによるパターン欠陥の不良で、歩留りが低下す
る。このため、チップ上の配線やヒユーズを切断して、
不良メモリセルと、前もって同一チツブに設けられてい
る予備のメモリセルとを置き換え、不良を良品化する冗
長救済技術が用いられている。
従来、このヒユーズの切断は第２図（ａ）に示すように
、長辺方向の長さρ２、短辺方向の長さＷのヒユーズ１
に、−辺Ｃの正方形の照射領域２となるレーザ光や直径
Ｃの円形の照射領域３となるレーザ光を照射して、加熱
、溶断していた。
、長辺方向の長さρ２、短辺方向の長さＷのヒユーズ１
に、−辺Ｃの正方形の照射領域２となるレーザ光や直径
Ｃの円形の照射領域３となるレーザ光を照射して、加熱
、溶断していた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、大容量メモリになると同一チツブに設け
られる予備のメモリセルも多くなり、ヒユーズ１の本数
が多くなって、全体としてヒユーズ部分が占める面積が
増大するという問題があった。このヒユーズ部分の占め
る面積を下げるには、ヒユーズ１の長辺方向の長さρ２
と、ヒユーズ１の短辺方向の長さＷ２を短くシ、ヒユー
ズ間隔を小さくする必要がある。第２図（ａ）において
、ヒユーズ１の長辺方向の長さρ２は、レーザ光が照射
される長さＣと照射するレーザ光の位置合せ誤差に対す
る長辺方向のマージン長２・ｅで決まる。
られる予備のメモリセルも多くなり、ヒユーズ１の本数
が多くなって、全体としてヒユーズ部分が占める面積が
増大するという問題があった。このヒユーズ部分の占め
る面積を下げるには、ヒユーズ１の長辺方向の長さρ２
と、ヒユーズ１の短辺方向の長さＷ２を短くシ、ヒユー
ズ間隔を小さくする必要がある。第２図（ａ）において
、ヒユーズ１の長辺方向の長さρ２は、レーザ光が照射
される長さＣと照射するレーザ光の位置合せ誤差に対す
る長辺方向のマージン長２・ｅで決まる。
つよりρ２＝Ｃ＋２・ｅである。また、ヒユーズ１の短
辺方向の長さＷ２は、最少マスクルールにしたがい、ヒ
ユーズ１の間隔は、照射されるレーザ光のヒユーズ１の
短辺方向の長さと、位置合せ誤差で決まる。よって、で
きるかぎり、照射されるレーザ光の照射領域の大きさを
小さくすることと、照射するレーザ光の位置合せ誤差を
小さくすれば、ヒユーズ部分の占める面積を下げること
が可能となる。そして、照射するレーザ光の位置合せ誤
差は、ハードの改善により、小さくすることが可能であ
る。
辺方向の長さＷ２は、最少マスクルールにしたがい、ヒ
ユーズ１の間隔は、照射されるレーザ光のヒユーズ１の
短辺方向の長さと、位置合せ誤差で決まる。よって、で
きるかぎり、照射されるレーザ光の照射領域の大きさを
小さくすることと、照射するレーザ光の位置合せ誤差を
小さくすれば、ヒユーズ部分の占める面積を下げること
が可能となる。そして、照射するレーザ光の位置合せ誤
差は、ハードの改善により、小さくすることが可能であ
る。
ところが、ヒユーズの長辺方向の長さを短くするために
、第２図（ｂ）のように、照射領域の一辺の長さを短か
くして、Ｃより短かいｄを用いて、ｄＸｄ角の照射領域
４となるレーザ光や直径ｄの円形の照射領域５となるレ
ーザ光を用いてヒユーズ切断を行うと、周辺に飛び敗っ
たヒユーズ材料でつながった未切断部分６が生じ、完全
なしニーズ切断ができなくなるという問題があった。
、第２図（ｂ）のように、照射領域の一辺の長さを短か
くして、Ｃより短かいｄを用いて、ｄＸｄ角の照射領域
４となるレーザ光や直径ｄの円形の照射領域５となるレ
ーザ光を用いてヒユーズ切断を行うと、周辺に飛び敗っ
たヒユーズ材料でつながった未切断部分６が生じ、完全
なしニーズ切断ができなくなるという問題があった。
本発明は上記課題を解決するもので、未切断部分を生じ
ることなく完全なヒユーズ切断を行えるとともに、ヒユ
ーズ部分の配置面積を小さくすることを可能となずレー
ザ加工装置を提供することを目的とする。
ることなく完全なヒユーズ切断を行えるとともに、ヒユ
ーズ部分の配置面積を小さくすることを可能となずレー
ザ加工装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明は、加工レーザ光の
切断対象物上における照射領域が、前記切断対象物の短
辺に沿う方向に、前記切断対象物を切１ｔｌｉ可能な長
さを有し、前記切断対象物の長辺に沿う方向に、前記の
短辺に沿う方向の長さより短かい長さを有する構成とし
たものである。
切断対象物上における照射領域が、前記切断対象物の短
辺に沿う方向に、前記切断対象物を切１ｔｌｉ可能な長
さを有し、前記切断対象物の長辺に沿う方向に、前記の
短辺に沿う方向の長さより短かい長さを有する構成とし
たものである。
作用
上記構成により、ヒユーズの長辺方向に沿う照射領域の
長さを雉かくすることによって、照射領域の長さと位置
合せ誤差の和で決定されるヒユーズの長辺方向の長を短
かくして、ヒユーズ部分の配置面積の減少をはかる。そ
して、ヒユーズの短辺方向に沿う照射領域の長さを、切
断対象物を切断可能な長さとすることによって、ヒユー
ズを溶断したときに、周辺に飛び敗ったヒユーズ材料で
未切断部分が形成されることを防止して完全な切断を行
う。
長さを雉かくすることによって、照射領域の長さと位置
合せ誤差の和で決定されるヒユーズの長辺方向の長を短
かくして、ヒユーズ部分の配置面積の減少をはかる。そ
して、ヒユーズの短辺方向に沿う照射領域の長さを、切
断対象物を切断可能な長さとすることによって、ヒユー
ズを溶断したときに、周辺に飛び敗ったヒユーズ材料で
未切断部分が形成されることを防止して完全な切断を行
う。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第
１図において、長辺方向の長さρ１、短辺方向の長さＷ
ｌのヒユーズ１１に、加工レーザ光１２が照射されてお
り、この加工レーザ光１２を照射するレーザ加工装置は
、切断対象物であるヒユーズ１１に対する加工レーザ光
１２の照射領域Ａが、ヒユーズ１１の短辺に沿う方向に
、ヒユーズ１１を切断可能な長さＸを有し、ヒユーズ１
１の長辺に沿う方向に、Ｘよりも雉かい長さＹを有する
ように構成されている。たとえばｗ１＝１．２μｍであ
れば、Ｘ＝４．０μｍとなり、Ｙ＜４．０μｍである。
１図において、長辺方向の長さρ１、短辺方向の長さＷ
ｌのヒユーズ１１に、加工レーザ光１２が照射されてお
り、この加工レーザ光１２を照射するレーザ加工装置は
、切断対象物であるヒユーズ１１に対する加工レーザ光
１２の照射領域Ａが、ヒユーズ１１の短辺に沿う方向に
、ヒユーズ１１を切断可能な長さＸを有し、ヒユーズ１
１の長辺に沿う方向に、Ｘよりも雉かい長さＹを有する
ように構成されている。たとえばｗ１＝１．２μｍであ
れば、Ｘ＝４．０μｍとなり、Ｙ＜４．０μｍである。
そして、加工レーザ光１２は、レーザ光路間に置かれた
長方形状の穴を通して、円形状のレーザ光を長方形状に
形成している。また、照射領域Ｂのように、楕円形状に
形成するには、円形状のレーザ光をしぼり込んだときに
、楕円形状となるレンズを用いる６ 以下、上記構成における作用について説明する。
長方形状の穴を通して、円形状のレーザ光を長方形状に
形成している。また、照射領域Ｂのように、楕円形状に
形成するには、円形状のレーザ光をしぼり込んだときに
、楕円形状となるレンズを用いる６ 以下、上記構成における作用について説明する。
すなわち、照射領域Ａのヒユーズ１１の長辺方向に沿う
長さＹ′？！−短かくすることによって、Ｙ＋２・ｅ−
ρ１で決定されるヒユーズ１１の長さΩ１を短かくして
、全体としてヒユーズ部分の配置面積の減少をはかる。
長さＹ′？！−短かくすることによって、Ｙ＋２・ｅ−
ρ１で決定されるヒユーズ１１の長さΩ１を短かくして
、全体としてヒユーズ部分の配置面積の減少をはかる。
そして、照射領域Ａのヒユーズ１１の短辺方向に沿う長
さＸを、ヒユーズ１１を切断可１指な長さとすることに
よって、ヒユーズ１１を？”Ｒｌ折したときに、未切断
部分が形成されることを防止して完全な切断を行うこと
ができる。
さＸを、ヒユーズ１１を切断可１指な長さとすることに
よって、ヒユーズ１１を？”Ｒｌ折したときに、未切断
部分が形成されることを防止して完全な切断を行うこと
ができる。
発明の効果
以上述べたように、本発明によれば、加工レーザ光のシ
（（（射領域を、切断対象物の長辺方向において、短か
くすることにより、切断対象物の配置面積を小さくして
、レーザ加工するデバイスの面積を小さくすることがで
きる。
（（（射領域を、切断対象物の長辺方向において、短か
くすることにより、切断対象物の配置面積を小さくして
、レーザ加工するデバイスの面積を小さくすることがで
きる。
第１図は、本発明の一実施例のレーザ加工装置のレーザ
光照射領域を示す配置図、第２図は従来のレーザ照射領
域を示す配置図である。 １１・・・ヒユーズ、１２・・・加工レーザ光、Ａ、Ｂ
・・・照射領域。 代理人 森 本 義 私 用２ （ｂ） Ｔ） ｗ、Ｘ ハ、Ｂ−明組＠上べ
光照射領域を示す配置図、第２図は従来のレーザ照射領
域を示す配置図である。 １１・・・ヒユーズ、１２・・・加工レーザ光、Ａ、Ｂ
・・・照射領域。 代理人 森 本 義 私 用２ （ｂ） Ｔ） ｗ、Ｘ ハ、Ｂ−明組＠上べ
Claims (1)
- １、加工レーザ光の切断対象物上における照射領域が、
前記切断対象物の短辺に沿う方向に、前記切断対象物を
切断可能な長さを有し、前記切断対象物の長辺に沿う方
向に、前記の短辺に沿う方向の長さより短かい長さを有
するレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156473A JP2633306B2 (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | レーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156473A JP2633306B2 (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | レーザ加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH026091A true JPH026091A (ja) | 1990-01-10 |
| JP2633306B2 JP2633306B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=15628521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63156473A Expired - Fee Related JP2633306B2 (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | レーザ加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2633306B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7179726B2 (en) | 1992-11-06 | 2007-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186984U (ja) * | 1984-05-19 | 1985-12-11 | 三洋電機株式会社 | 集光装置 |
-
1988
- 1988-06-23 JP JP63156473A patent/JP2633306B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186984U (ja) * | 1984-05-19 | 1985-12-11 | 三洋電機株式会社 | 集光装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7179726B2 (en) | 1992-11-06 | 2007-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2633306B2 (ja) | 1997-07-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |