JPH0260936A - 高分子膜の作製方法 - Google Patents
高分子膜の作製方法Info
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- JPH0260936A JPH0260936A JP21299088A JP21299088A JPH0260936A JP H0260936 A JPH0260936 A JP H0260936A JP 21299088 A JP21299088 A JP 21299088A JP 21299088 A JP21299088 A JP 21299088A JP H0260936 A JPH0260936 A JP H0260936A
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Landscapes
- Polymerisation Methods In General (AREA)
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、たとえば、半導体装置等の電子部品の絶縁
膜、防湿膜、潤滑膜等として用いられる高分子膜の作製
方法に関する。
膜、防湿膜、潤滑膜等として用いられる高分子膜の作製
方法に関する。
高分子薄膜の形成方法として、従来知られている方法に
は、次のようなものがあるが、それぞれ、問題点を有し
ている。
は、次のようなものがあるが、それぞれ、問題点を有し
ている。
■ 溶媒に溶かした高分子化合物の原料モノマーを基板
上で重合させる方法。この方法では薄膜中に溶媒が残留
するなどの問題点がある。
上で重合させる方法。この方法では薄膜中に溶媒が残留
するなどの問題点がある。
■ 予め重合させておいた高分子化合物を基板上に真空
蒸着する方法。この方法では、蒸着可能な高分子化合物
の種類が限定され、分解が起こるなどの問題点がある。
蒸着する方法。この方法では、蒸着可能な高分子化合物
の種類が限定され、分解が起こるなどの問題点がある。
■ 予め重合させておいた高分子化合物をスパッタし、
基板に付着させる方法。この方法では、高分子化合物が
低分子化するなど物性が変化してしまうという問題点が
ある。
基板に付着させる方法。この方法では、高分子化合物が
低分子化するなど物性が変化してしまうという問題点が
ある。
これら従来法の問題点を解決した高分子薄膜形成方法と
して、下記の蒸着重合法が提案されている。
して、下記の蒸着重合法が提案されている。
■ ポリパラキシリレン薄膜の作製方法。この方法は、
ジパラキシリレン を真空中で加熱蒸発させた後、熱分解させて重合させ、
ポリバラキシリレン→CHz + CI□→τからなる
薄膜を基板上に形成するものである。
ジパラキシリレン を真空中で加熱蒸発させた後、熱分解させて重合させ、
ポリバラキシリレン→CHz + CI□→τからなる
薄膜を基板上に形成するものである。
■ テトラカルボン酸二無水物とジアミンからのポリイ
ミド薄膜の形成方法。この方法は、真空中でテトラカル
ボン酸二無水物とジアミンをそれぞれ加熱蒸発させて基
板上に蒸着し、重合させることにより、ポリイミド薄膜
を形成するものである(特開昭61−78463号公報
、特開昭61138924号公報参照)。
ミド薄膜の形成方法。この方法は、真空中でテトラカル
ボン酸二無水物とジアミンをそれぞれ加熱蒸発させて基
板上に蒸着し、重合させることにより、ポリイミド薄膜
を形成するものである(特開昭61−78463号公報
、特開昭61138924号公報参照)。
■ ビスマレイミドとジアミンからのポリイミド薄膜の
形成方法。この方法は、真空中でビスマレイミドとジア
ミンを加熱蒸発させて基板上に蒸着し、重合させること
により、ポリイミド薄膜を形成するものである(特開昭
61−211339号公報参照)。
形成方法。この方法は、真空中でビスマレイミドとジア
ミンを加熱蒸発させて基板上に蒸着し、重合させること
により、ポリイミド薄膜を形成するものである(特開昭
61−211339号公報参照)。
これら蒸着重合法により作製した高分子膜は、下記(a
lおよび(b)の長所を有する。
lおよび(b)の長所を有する。
(a) ドライプロセスにより作製されるので、溶媒
の残留や、残留した溶媒の蒸発によるピンホールの発生
がない。
の残留や、残留した溶媒の蒸発によるピンホールの発生
がない。
(bl 基板の凹凸に関係な(、全体に均一な厚みの
薄膜が形成でき、膜厚の制御性が良い。
薄膜が形成でき、膜厚の制御性が良い。
一般に、2種以上の原料モノマーの縮合反応により形成
される高分子化合物では、原料上ツマ−のモル比が重合
度に大きく影響する。重合度の高い高分子膜は、重合度
の低い高分子膜と比べて、耐熱性、機械的性質(強度、
弾性率、基板との密着性など)、電気的性質(絶縁耐力
など)が優れている。高分子化合物の重合度は、その高
分子の力学的性質や熱的性質を決定する重要な要因であ
るから、重合度の向上、すなわち、モノマーモル比の制
御が求められる。
される高分子化合物では、原料上ツマ−のモル比が重合
度に大きく影響する。重合度の高い高分子膜は、重合度
の低い高分子膜と比べて、耐熱性、機械的性質(強度、
弾性率、基板との密着性など)、電気的性質(絶縁耐力
など)が優れている。高分子化合物の重合度は、その高
分子の力学的性質や熱的性質を決定する重要な要因であ
るから、重合度の向上、すなわち、モノマーモル比の制
御が求められる。
溶液反応などでは、原料モノマーの仕込み量の制御によ
るモノマーモル比の制御が容易である。
るモノマーモル比の制御が容易である。
しかし、原料子ツマ−の真空中での蒸発を利用する蒸着
重合法では、モノマーモル比を制御しにくく、目的とす
る高分子化合物の重合度が上がりにくいという問題点を
有する。
重合法では、モノマーモル比を制御しにくく、目的とす
る高分子化合物の重合度が上がりにくいという問題点を
有する。
この発明は、上記のような蒸着重合法の問題点を解決し
、重合度の高い高分子膜を作製する方法を提供すること
を課題とする。
、重合度の高い高分子膜を作製する方法を提供すること
を課題とする。
発明者の研究によれば、蒸着重合法においては、モノマ
ーモル比の制御は、モノマーの蒸発速度を一定にするこ
とにより行うことが可能である。
ーモル比の制御は、モノマーの蒸発速度を一定にするこ
とにより行うことが可能である。
ところが、市販の原料モノマーは、粉末状であり、その
まま真空中で加熱、蒸発させると、蒸発表面積の変化や
突沸現象を起こし、これにより、f全速度が変動し、モ
ノマーモル比の制御を行いにくかったのである。
まま真空中で加熱、蒸発させると、蒸発表面積の変化や
突沸現象を起こし、これにより、f全速度が変動し、モ
ノマーモル比の制御を行いにくかったのである。
発明者は、上記課題を解決するため、原料モノマーの蒸
発速度を一定にする方法を検討し、その結果、この発明
を完成させた。
発速度を一定にする方法を検討し、その結果、この発明
を完成させた。
したがって、この発明にかかる高分子膜の作製方法は、
固形化された2種以上のモノマーを蒸発容器に収容して
同モノマーを加圧しながら、加熱蒸発させるようになっ
ている。
固形化された2種以上のモノマーを蒸発容器に収容して
同モノマーを加圧しながら、加熱蒸発させるようになっ
ている。
真空中での原料上ツマ−の蒸発速度をセンサーにより測
定した結果は、次のようなものであった、すなわち、粉
末状モノマーを使用し抵抗加熱を行った場合にはf全速
度が40%以上も変動したのに対し、固形化したモノマ
ーを蒸発容器に入れて上面から圧力を加えながら抵抗加
熱を行った場合には蒸発速度の変動は3%以下となった
。また、2種のモノマーを同時に蒸発させた場合にもそ
れぞれの蒸発速度の変動は、3%以下であった。
定した結果は、次のようなものであった、すなわち、粉
末状モノマーを使用し抵抗加熱を行った場合にはf全速
度が40%以上も変動したのに対し、固形化したモノマ
ーを蒸発容器に入れて上面から圧力を加えながら抵抗加
熱を行った場合には蒸発速度の変動は3%以下となった
。また、2種のモノマーを同時に蒸発させた場合にもそ
れぞれの蒸発速度の変動は、3%以下であった。
これは、モノマーを固形化したことにより蒸発表面積が
一定となり、また、上面より圧力を加えたことにより蒸
発容器との接触面積が一定となりモノマー温度が一定と
なったためと考えられる。
一定となり、また、上面より圧力を加えたことにより蒸
発容器との接触面積が一定となりモノマー温度が一定と
なったためと考えられる。
以下に、この発明を、その実施に用いる装置の1例を表
す図面を参照しながら詳しく説明する。
す図面を参照しながら詳しく説明する。
第1図および第2図は、それぞれ、この発明の実施に用
いる蒸発容器の1例を断面で表す。第1図に示す蒸発容
器6(9)は、容器本体31とモノマー圧着用管32を
備えている。容器本体3Iは、上面中央が開口した筒状
容器であって、上面開口の外周縁に鍔部を有している。
いる蒸発容器の1例を断面で表す。第1図に示す蒸発容
器6(9)は、容器本体31とモノマー圧着用管32を
備えている。容器本体3Iは、上面中央が開口した筒状
容器であって、上面開口の外周縁に鍔部を有している。
モノマー圧着層管32は、中央に上下に開口している蒸
気通路33を有する筒状体であり、上側の外周縁には、
容器本体31の上面開口よりも幅広い鍔部を有している
。モノマー圧着用管32は、その下側部分が、容器本体
31内にその上面開口から入り込むようになっている。
気通路33を有する筒状体であり、上側の外周縁には、
容器本体31の上面開口よりも幅広い鍔部を有している
。モノマー圧着用管32は、その下側部分が、容器本体
31内にその上面開口から入り込むようになっている。
モノマー圧着用管32の鍔部と容器本体31の鍔部には
、それぞれ、ばね3434の両端が取り付けられている
。このばね34の力により七ツマー圧着用管32が容器
本体31内で下向きに押されている。容器本体31内に
固形化した原料モノマー35をセットすると、同士ツマ
−35は、モノマー圧着用管32の下端面で圧力を受け
るようになっている。このように圧力を加えながら、容
器本体31を加熱することにより、その内部の原料上ツ
マ−35は、七ツマー圧着用管32の蒸気通路33を通
って、蒸発容器6外へ出る。モノマーの蒸発は、はとん
ど上面からのみ起こると考えられるので、モノマーの蒸
発面の表面積は、モノマーの蒸発が進行しても一定に保
たれ、また、加圧により蒸発容器との接触面積、特に底
面での接触面積が一定となる。これにより、モノマーの
蒸発速度が一定になり、モノマーの化学量論比を一定と
することができ、重合度を高めることができる。
、それぞれ、ばね3434の両端が取り付けられている
。このばね34の力により七ツマー圧着用管32が容器
本体31内で下向きに押されている。容器本体31内に
固形化した原料モノマー35をセットすると、同士ツマ
−35は、モノマー圧着用管32の下端面で圧力を受け
るようになっている。このように圧力を加えながら、容
器本体31を加熱することにより、その内部の原料上ツ
マ−35は、七ツマー圧着用管32の蒸気通路33を通
って、蒸発容器6外へ出る。モノマーの蒸発は、はとん
ど上面からのみ起こると考えられるので、モノマーの蒸
発面の表面積は、モノマーの蒸発が進行しても一定に保
たれ、また、加圧により蒸発容器との接触面積、特に底
面での接触面積が一定となる。これにより、モノマーの
蒸発速度が一定になり、モノマーの化学量論比を一定と
することができ、重合度を高めることができる。
第2図に示す蒸発容器6 (9)は、上面開口の筒状容
器である容器本体311とその内径に一致した外径を有
するモノマー圧着用管321を備えている。この七ツマ
ー圧着用管321は、その自重で、容器本体311内に
入れられた原料モノマー35に圧力を加えるようになっ
ている。モノマー圧着用管321には、多数の蒸気通路
331・・・が設けられていて、原料モノマー35の蒸
気が同蒸気通路331を通って蒸発容器6外へ出ていく
。第2図に示す蒸発容器は、中に入れたモノマーへの圧
力の加え方が、第1図に示すものと異なるだけで、上記
モノマーの蒸発速度を一定にする機能は同じである。
器である容器本体311とその内径に一致した外径を有
するモノマー圧着用管321を備えている。この七ツマ
ー圧着用管321は、その自重で、容器本体311内に
入れられた原料モノマー35に圧力を加えるようになっ
ている。モノマー圧着用管321には、多数の蒸気通路
331・・・が設けられていて、原料モノマー35の蒸
気が同蒸気通路331を通って蒸発容器6外へ出ていく
。第2図に示す蒸発容器は、中に入れたモノマーへの圧
力の加え方が、第1図に示すものと異なるだけで、上記
モノマーの蒸発速度を一定にする機能は同じである。
モノマーに対する加圧の大きさは、特に限定するもので
はないが、たとえば、0.2〜0.01kg/cd程度
が好ましい。加圧が0.01 kg / cAよりも小
さいと、モノマーと蒸発容器との接触を保つのに充分で
なく、モノマー蒸発速度が低下することがあり、0.2
kg / cfl!よりも大きいと、固形化したモノ
マーが加熱時に崩壊するおそれがある。
はないが、たとえば、0.2〜0.01kg/cd程度
が好ましい。加圧が0.01 kg / cAよりも小
さいと、モノマーと蒸発容器との接触を保つのに充分で
なく、モノマー蒸発速度が低下することがあり、0.2
kg / cfl!よりも大きいと、固形化したモノ
マーが加熱時に崩壊するおそれがある。
第3図は、この発明にかかる高分子膜の作製方法に使用
する装置の1例を表す構成概略図である。第3図にみる
ように、この装置は、減圧チャンバー1内に、蒸発容器
(蒸発管)6,9および基板ホルダー3を備えている。
する装置の1例を表す構成概略図である。第3図にみる
ように、この装置は、減圧チャンバー1内に、蒸発容器
(蒸発管)6,9および基板ホルダー3を備えている。
減圧チャンバー1は、真空ポンプなどの真空排気装置1
2を作動させることにより所定圧力に減圧されるように
なっている。基板ホルダー3の蒸発容器6.9に向かう
面には、蒸着の対象物となる基板2が着脱されるように
なっている。なお、基板ホルダー3は、基板2を装着し
た状態で軸13を中心に回転するようになっていると、
基板2への蒸着をむらなく行うことができる。蒸発容器
6,9は、それらの開口部を基板2側に向けるようにし
て減圧チャンバー1の下側に設置され、それぞれに、原
料上ツマ−が別々に入れられる。基板2は基板加熱用ヒ
ーター4により、蒸発容器6,9は蒸発容器加熱用ヒー
ターにより、それぞれ、所定温度に加熱されるようにな
っている。5,8および11は、それぞれ、上記各ヒー
ター用の電源である。
2を作動させることにより所定圧力に減圧されるように
なっている。基板ホルダー3の蒸発容器6.9に向かう
面には、蒸着の対象物となる基板2が着脱されるように
なっている。なお、基板ホルダー3は、基板2を装着し
た状態で軸13を中心に回転するようになっていると、
基板2への蒸着をむらなく行うことができる。蒸発容器
6,9は、それらの開口部を基板2側に向けるようにし
て減圧チャンバー1の下側に設置され、それぞれに、原
料上ツマ−が別々に入れられる。基板2は基板加熱用ヒ
ーター4により、蒸発容器6,9は蒸発容器加熱用ヒー
ターにより、それぞれ、所定温度に加熱されるようにな
っている。5,8および11は、それぞれ、上記各ヒー
ター用の電源である。
蒸発容器6.9から蒸発した原料上ツマ−は、基板2」
二に蒸着して堆積し、その後同基板2上で加熱されて反
応し、重合体となる。蒸着の対象物は基板である必要は
ない。得られた高分子膜は、上記蒸着重合法の長所(a
)、 (blを有する。そして、粉末状原料モノマーを
用いた従来の蒸着重合法によるものよりも、高い重合度
、たとえば、数倍以上高い重合度を示す。
二に蒸着して堆積し、その後同基板2上で加熱されて反
応し、重合体となる。蒸着の対象物は基板である必要は
ない。得られた高分子膜は、上記蒸着重合法の長所(a
)、 (blを有する。そして、粉末状原料モノマーを
用いた従来の蒸着重合法によるものよりも、高い重合度
、たとえば、数倍以上高い重合度を示す。
この発明で用いるモノマーとしては、たとえば、ポリア
ミド、ポリイミド、ポリエステル等の縮合重合型高分子
化合物の原料モノマーが挙げられるが、付加重合型高分
子化合物の原料モノマーなどであってもよく、これら以
外であってもよい。
ミド、ポリイミド、ポリエステル等の縮合重合型高分子
化合物の原料モノマーが挙げられるが、付加重合型高分
子化合物の原料モノマーなどであってもよく、これら以
外であってもよい。
原料モノマーを固形化するには、たとえば、蒸発容器に
2種以上の原料モノマーを入れ、空気中または窒素ガス
中でそれぞれの融点よりも高い温度(たとえば、100
〜300℃程度)に加熱して溶融させた後、冷却して固
形化する。あるいは、蒸発容器の内径と同等の内径を有
する成形金型に原料モノマーを入れて加圧成形して固形
化し、得られた成形体を蒸発容器に入れるのである。こ
の成形圧力は、たとえば、200kg/−程度とされる
が、これに限定するものではない。
2種以上の原料モノマーを入れ、空気中または窒素ガス
中でそれぞれの融点よりも高い温度(たとえば、100
〜300℃程度)に加熱して溶融させた後、冷却して固
形化する。あるいは、蒸発容器の内径と同等の内径を有
する成形金型に原料モノマーを入れて加圧成形して固形
化し、得られた成形体を蒸発容器に入れるのである。こ
の成形圧力は、たとえば、200kg/−程度とされる
が、これに限定するものではない。
固形化された原料モノマーは、蒸発容器に入れて、真空
中で加熱蒸発させ、対象物に蒸着させる。蒸着時の減圧
度(あるいは真空条件)は、限定されないが、たとえば
、lXl0−’〜lXl0−6Torr程度の圧力とさ
れる。
中で加熱蒸発させ、対象物に蒸着させる。蒸着時の減圧
度(あるいは真空条件)は、限定されないが、たとえば
、lXl0−’〜lXl0−6Torr程度の圧力とさ
れる。
加熱は、たとえば、七ツマー上面から圧力を加えながら
抵抗加熱を行い、あるいは、赤外線ヒーターにより加熱
を行いなどして、50〜150℃程度の一定温度とし、
モノマー相互が所定の化学量論比となるように基板上に
蒸着、重合させる。
抵抗加熱を行い、あるいは、赤外線ヒーターにより加熱
を行いなどして、50〜150℃程度の一定温度とし、
モノマー相互が所定の化学量論比となるように基板上に
蒸着、重合させる。
必要であるならば、基板も加熱し重合反応を加速するよ
うにしてもよい。
うにしてもよい。
以下に、この発明のより具体的な実施例および比較例を
示すが、この発明は下記実施例に限定されない。
示すが、この発明は下記実施例に限定されない。
なお、下記実施例および比較例では、第3図に示す装置
を用いた。蒸発容器6,9は、実施例4では第1図に示
すものを用い、実施例1〜3および5.6では第2図に
示すものを用い、比較例1〜6では、モノマー圧着用管
の無い蒸発容器を用いた。実施例1〜6において蒸着時
に固形化モノマーに加えた圧力は、0.01 kg/c
fflであった。
を用いた。蒸発容器6,9は、実施例4では第1図に示
すものを用い、実施例1〜3および5.6では第2図に
示すものを用い、比較例1〜6では、モノマー圧着用管
の無い蒸発容器を用いた。実施例1〜6において蒸着時
に固形化モノマーに加えた圧力は、0.01 kg/c
fflであった。
一実施例1−
無水ピロメリト酸く融点286℃)、4.4’−ジアミ
ノジフェニルエーテル(融点187°C)をそれぞれ別
々に蒸発管6.9中に入れ、空気中または窒素中で、無
水ピロメリト酸を入れた蒸発容器6を300℃に、4.
4′−ジアミノジフェニルエーテルを入れた蒸発容器9
を200℃に加熱し10分間そのまま保って溶融させた
。蒸発容器6.9の温度を室温まで戻して各モノマーを
固形化した後、減圧チャンバー1内の圧力を1×10−
’Torrに設定した。蒸発容器6を160℃に、蒸発
容器9を140℃に加熱し原料上ツマ−を蒸発させ基板
2上に蒸着した後、基板2を250”Cで1時間処理し
、膜厚10pniのポリイミド薄膜を作製した。
ノジフェニルエーテル(融点187°C)をそれぞれ別
々に蒸発管6.9中に入れ、空気中または窒素中で、無
水ピロメリト酸を入れた蒸発容器6を300℃に、4.
4′−ジアミノジフェニルエーテルを入れた蒸発容器9
を200℃に加熱し10分間そのまま保って溶融させた
。蒸発容器6.9の温度を室温まで戻して各モノマーを
固形化した後、減圧チャンバー1内の圧力を1×10−
’Torrに設定した。蒸発容器6を160℃に、蒸発
容器9を140℃に加熱し原料上ツマ−を蒸発させ基板
2上に蒸着した後、基板2を250”Cで1時間処理し
、膜厚10pniのポリイミド薄膜を作製した。
一比較例1一
実施例1において、各原料モノマーを粉末のままで、し
かも、加圧せずに蒸発させたこと以外は、実施例工と同
様にして膜厚10IIITlのポリイミド薄膜を作製し
た。
かも、加圧せずに蒸発させたこと以外は、実施例工と同
様にして膜厚10IIITlのポリイミド薄膜を作製し
た。
一実施例2−
蒸発容器6.9の内径と同等の内径を持つ成形金型内に
、無水ピロメリト酸と4.4′−ジアミノジフェニルエ
ーテルをそれぞれ別々に入れ、200kg/cdで加圧
成形した。成形したモノマーをそれぞれ蒸発容器6(無
水ピロメリト酸を収容)、9(4,4’−ジアミノジフ
ェニルエーテルを収容)に入れ、減圧チャンバー1内の
圧力を1×10−’Torrに設定した後、蒸発容器6
を160’i:’に、蒸発容器9を140℃に加熱した
。基板2上にモノマーモル比が1:1になるよう蒸着し
た後、基板2を250 ’cで1時間処理し、膜厚1o
頌のポリイミド薄膜を作製した。
、無水ピロメリト酸と4.4′−ジアミノジフェニルエ
ーテルをそれぞれ別々に入れ、200kg/cdで加圧
成形した。成形したモノマーをそれぞれ蒸発容器6(無
水ピロメリト酸を収容)、9(4,4’−ジアミノジフ
ェニルエーテルを収容)に入れ、減圧チャンバー1内の
圧力を1×10−’Torrに設定した後、蒸発容器6
を160’i:’に、蒸発容器9を140℃に加熱した
。基板2上にモノマーモル比が1:1になるよう蒸着し
た後、基板2を250 ’cで1時間処理し、膜厚1o
頌のポリイミド薄膜を作製した。
一比較例2−
実施例2において、各原料モノマーを粉末のままで、し
かも、加圧せずに蒸発させたこと以外は、実施例2と同
様にして膜厚10−のポリイミド薄膜を作製した。
かも、加圧せずに蒸発させたこと以外は、実施例2と同
様にして膜厚10−のポリイミド薄膜を作製した。
一実施例3一
実施例1と同様の方法により、ビスフェノールA(融点
155〜156℃)およびテレフタル酸ジクロリド(融
点83〜84℃)をそれぞれ別々に蒸発容器6.9に入
れて、蒸発容器6は170℃、蒸発容器9は100°C
でそれぞれ10分間加熱して溶融した後、冷却して固形
化した原料モノマーを得た。つぎに、減圧チャンバー1
内の圧力ヲI X 10−’Torrに設定した後、ビ
スフェノールAを入れた蒸発容器6を130℃、テレフ
タル酸ジクロリドを入れた蒸発容器9を60”Cに加熱
し基板2上にビスフェノールAとテレフタル酸ジクロリ
ドを蒸着、重合させ、膜厚10μmのポリアリレート薄
膜を作製した。
155〜156℃)およびテレフタル酸ジクロリド(融
点83〜84℃)をそれぞれ別々に蒸発容器6.9に入
れて、蒸発容器6は170℃、蒸発容器9は100°C
でそれぞれ10分間加熱して溶融した後、冷却して固形
化した原料モノマーを得た。つぎに、減圧チャンバー1
内の圧力ヲI X 10−’Torrに設定した後、ビ
スフェノールAを入れた蒸発容器6を130℃、テレフ
タル酸ジクロリドを入れた蒸発容器9を60”Cに加熱
し基板2上にビスフェノールAとテレフタル酸ジクロリ
ドを蒸着、重合させ、膜厚10μmのポリアリレート薄
膜を作製した。
一比較例3
実施例3において、各原料上ツマ−を粉末のままで、し
かも、加圧せずに蒸発させたこと以外は、実施例3と同
様にして膜厚10μmのボリアりレート薄膜を作製した
。
かも、加圧せずに蒸発させたこと以外は、実施例3と同
様にして膜厚10μmのボリアりレート薄膜を作製した
。
一実施例4一
実施例2と同様の方法により、ビスフェノールAおよび
テレフタル酸ジクロリドを成形して固形化し、それぞれ
別々に1発容器6.9に入れた。
テレフタル酸ジクロリドを成形して固形化し、それぞれ
別々に1発容器6.9に入れた。
減圧チャンバー1内の圧力をI X 10 ”’Tor
rに設定して、ビスフェノールAを入れた蒸発容器6を
130°C、テレフタル酸ジクロリドを入れた1発容器
9を60℃に加熱し、ビスフェノールAとテレフタル酸
ジクロリドを基板2上に蒸着、重合させ、ボリアリレー
ト薄膜(膜710μm)を作製した。
rに設定して、ビスフェノールAを入れた蒸発容器6を
130°C、テレフタル酸ジクロリドを入れた1発容器
9を60℃に加熱し、ビスフェノールAとテレフタル酸
ジクロリドを基板2上に蒸着、重合させ、ボリアリレー
ト薄膜(膜710μm)を作製した。
比較例4
実施例4において、各原料上ツマ−を粉末のままで、し
かも、加圧せずに蒸発させたこと以外は、実施例4と同
様にして膜厚]OIJmのボリアリレート薄膜を作製し
た。
かも、加圧せずに蒸発させたこと以外は、実施例4と同
様にして膜厚]OIJmのボリアリレート薄膜を作製し
た。
一実施例5
実施例1と同様の方法により、ビスフェノールA(融点
155〜156℃)およびジフェニルカーボネート(融
点80〜81’C)をそれぞれ別々に蒸発容器6,9に
入れて、ビスフェノールAを入れた蒸発容器6を170
℃、ジフェニルカーボネートを入れた蒸発容器9を10
0℃でそれぞれ10分間加熱した後、冷却して固形化し
た原料上ツマ−を得た。つぎに、減圧チャンバー1内の
圧力をI X 10−’Torrに設定した後、蒸発容
器6を130℃、蒸発容器9を60°Cに加熱し基板2
上にビスフェノールAとジフェニルカーボネートを蒸着
した。その後、250℃で2時間加熱して重合させ、膜
厚10μmのポリカーボネート薄膜を作製した。
155〜156℃)およびジフェニルカーボネート(融
点80〜81’C)をそれぞれ別々に蒸発容器6,9に
入れて、ビスフェノールAを入れた蒸発容器6を170
℃、ジフェニルカーボネートを入れた蒸発容器9を10
0℃でそれぞれ10分間加熱した後、冷却して固形化し
た原料上ツマ−を得た。つぎに、減圧チャンバー1内の
圧力をI X 10−’Torrに設定した後、蒸発容
器6を130℃、蒸発容器9を60°Cに加熱し基板2
上にビスフェノールAとジフェニルカーボネートを蒸着
した。その後、250℃で2時間加熱して重合させ、膜
厚10μmのポリカーボネート薄膜を作製した。
この実施例では、原料子ツマ−を実施例2と同様にして
成形により固形化した場合も行った。
成形により固形化した場合も行った。
比較例5
実施例5において、各原料モノマーを粉末のままで、し
かも、加圧せずに蒸発させたこと以外は、実施例5と同
様にして膜厚10μmのポリカーボネート薄膜を作製し
た。
かも、加圧せずに蒸発させたこと以外は、実施例5と同
様にして膜厚10μmのポリカーボネート薄膜を作製し
た。
一実施例6一
実施例1と同様の方法により、テレフタル酸ジクロリド
(融点83〜84℃)およびp−フェニレンジアミン(
融点140°C)をそれぞれ別々に蒸発容器6,1)に
入れて、テレフタル酸ジクロリドを入れた蒸発容器6を
100℃、p−フェニレンジアミンを入れた蒸発容器9
を160°Cでそれぞれ10分間加熱した後、冷却して
固形化した原料モノマーを得た。つぎに、減圧チャンバ
ー1内の圧力をI X 10−’Torrに設定した後
、蒸発容器6を60℃、蒸発容器9を100℃に加熱し
基板2上にテレフタル酸ジクロリドとp−フェニレンジ
アミンを蒸着し、重合させ、膜厚10μmの芳香族ポリ
アミド薄膜を作製した。
(融点83〜84℃)およびp−フェニレンジアミン(
融点140°C)をそれぞれ別々に蒸発容器6,1)に
入れて、テレフタル酸ジクロリドを入れた蒸発容器6を
100℃、p−フェニレンジアミンを入れた蒸発容器9
を160°Cでそれぞれ10分間加熱した後、冷却して
固形化した原料モノマーを得た。つぎに、減圧チャンバ
ー1内の圧力をI X 10−’Torrに設定した後
、蒸発容器6を60℃、蒸発容器9を100℃に加熱し
基板2上にテレフタル酸ジクロリドとp−フェニレンジ
アミンを蒸着し、重合させ、膜厚10μmの芳香族ポリ
アミド薄膜を作製した。
比較例6−
実施例6において、各原料モノマーを粉末のままで、し
かも、加圧せずに蒸発させたこと以外は、実施例6と同
様にして膜厚10μmの芳香族ポリアミド薄膜を作製し
た。
かも、加圧せずに蒸発させたこと以外は、実施例6と同
様にして膜厚10μmの芳香族ポリアミド薄膜を作製し
た。
上記実施例1〜6および比較例1〜6で得られた高分子
膜の熱分解開始温度、粘度、基板との密着性をそれぞれ
調べて、結果を第1表に示した。
膜の熱分解開始温度、粘度、基板との密着性をそれぞれ
調べて、結果を第1表に示した。
粘度は、それぞれ、第1表に示す溶剤に熔解して温度3
0゛Cでの対数粘度η8、を求めた。なお、実施例1,
2および比較例1.2では、ポリイミドが溶剤に溶けに
くいので、その前駆体であるポリアミック酸の段階(基
板2に蒸着させた後で、250℃で1時間の加熱を行う
前)で粘度を測定した。密着性は、基板に付着している
高分子膜表面に粘着テープを貼り付け、それを引き剥が
す際に高分子膜が基板が剥離する(×)か否(○)かで
判定した。
0゛Cでの対数粘度η8、を求めた。なお、実施例1,
2および比較例1.2では、ポリイミドが溶剤に溶けに
くいので、その前駆体であるポリアミック酸の段階(基
板2に蒸着させた後で、250℃で1時間の加熱を行う
前)で粘度を測定した。密着性は、基板に付着している
高分子膜表面に粘着テープを貼り付け、それを引き剥が
す際に高分子膜が基板が剥離する(×)か否(○)かで
判定した。
第
表
第1表かられかるように、実施例1〜6の各高分子膜は
、比較例1〜6の各高分子膜よりも、粘度が高くなって
おり、重合度が高く (だいたい数倍程度以上)、シか
も、熱分解開始温度および密着性が高い。
、比較例1〜6の各高分子膜よりも、粘度が高くなって
おり、重合度が高く (だいたい数倍程度以上)、シか
も、熱分解開始温度および密着性が高い。
この発明にかかる高分子膜の作製方法は、以上のように
、蒸着時の原料モノマーの化学量論比を一定にすること
ができる。このため、この発明によれば、耐熱性等の物
性において従来法(上記■など)により作製した高分子
化合物と同等であり、かつ、粉末状モノマーを使用した
蒸着重合法により作製した高分子膜より高い重合度を示
す、°緻密で膜厚の均一な高分子膜を基板などの対象物
上に形成できる。
、蒸着時の原料モノマーの化学量論比を一定にすること
ができる。このため、この発明によれば、耐熱性等の物
性において従来法(上記■など)により作製した高分子
化合物と同等であり、かつ、粉末状モノマーを使用した
蒸着重合法により作製した高分子膜より高い重合度を示
す、°緻密で膜厚の均一な高分子膜を基板などの対象物
上に形成できる。
第1図および第2図はこの発明にかかる高分子膜の作製
方法を実施するための蒸発容器の一例の断面図であり、
第3図はこの発明にかかる高分子膜の作製方法を実施す
るのに用いる装置の1例を表す全体概要図である。 2・・・対象物たる基vi 6.9・・・蒸発容器 3
5・・・原料上ツマ−32,321・・・モノマー圧着
用管
方法を実施するための蒸発容器の一例の断面図であり、
第3図はこの発明にかかる高分子膜の作製方法を実施す
るのに用いる装置の1例を表す全体概要図である。 2・・・対象物たる基vi 6.9・・・蒸発容器 3
5・・・原料上ツマ−32,321・・・モノマー圧着
用管
Claims (1)
- 1 2種以上のモノマーを蒸発容器に収容して真空中で
それぞれ同時に加熱蒸発させて、対象物上に前記モノマ
ーの重合体からなる蒸着膜を作製する高分子膜の作製方
法において、前記モノマーとして固形化されたものを用
い、同固形化されたモノマーを加圧しながら、加熱蒸発
させることを特徴とする高分子膜の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21299088A JPH0260936A (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 高分子膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21299088A JPH0260936A (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 高分子膜の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0260936A true JPH0260936A (ja) | 1990-03-01 |
Family
ID=16631638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21299088A Pending JPH0260936A (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 高分子膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0260936A (ja) |
-
1988
- 1988-08-26 JP JP21299088A patent/JPH0260936A/ja active Pending
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